【課題】被処理基板の第１面の表面処理を抑制又は防止しながら、第１面とは反対側の第２面を反応ガスにて表面処理する。
【解決手段】搬送手段２にて被処理基板９を搬送路３に沿って搬送し、反応室１０に搬入する。被処理基板９の第１面９ａを搬送路３と直交する方向の第１側に向け、かつ第２面９ｂを第２側に向ける。反応ガスを供給部３０の供給口３９から反応室１０に供給する。反応室１０内の搬送路３より第１側の第１室部１１のうち被処理基板９にて第２室部１２と隔てられた第１隔室部分１１ａに置換手段５０から不活性ガスからなる置換ガスを供給し、第１隔室部分１１ａのガスを置換ガスに置換する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉを含まない化学構造を有する有機化合物である重合性化合物の重合体を含む材料で構成された絶縁膜を備え、誘電率の増大の問題が防止された信頼性の高い半導体装置を効率よく製造することができる製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、素子が形成された半導体基板を被覆するように、Ｓｉを含まない化学構造を有する有機化合物である重合性化合物の重合体を含む材料で構成された絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、窒素系ガスを用いて前記絶縁膜をプラズマエッチングする窒素系エッチング工程と、前記窒素系エッチング工程が施された前記絶縁膜の酸素含有率を低減させる酸素含有率低減工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、炭化珪素に含まれる炭素成分及び珪素成分を精度よく除去可能な炭化珪素除去装置、及び炭化珪素の除去方法を提供することを課題とする。
【解決手段】炭化珪素が付着した炭化珪素形成装置の部材を収容する処理チャンバー内に、プラズマ化させたフッ素含有ガスを供給することで、炭化珪素に含まれる珪素成分を除去する第１のステップと、処理チャンバー内に、プラズマ化させた酸素含有ガスを供給することで、炭化珪素に含まれる炭素成分を除去する第２のステップと、を含み、第１のステップと、第２のステップと、を交互に行なう。 （もっと読む）

【課題】低コストでしきい値電圧のバラツキの少ないノーマリーオフ化されたＨＥＭＴを提供する。
【解決手段】基板１０の上方に半導体層２１〜２４を形成する工程と、半導体層２３〜２４にフッ素成分を含むガスを用いたドライエッチングによりリセス５１となる開口部を形成する工程と、半導体層を加熱することによりリセス５１の側面及び底面に付着しているフッ素を半導体層２２〜２４に拡散させフッ素を含む領域を形成する工程と、リセス５１の内面及び半導体層２２〜２４上に絶縁膜３０を形成する工程と、リセス５１が形成されている領域に絶縁膜３０を介し電極４１を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体の構成原子の脱離による欠陥（Ｖ族原子空格子）の誘起または表面モフォロジーの劣化を生じさせずに、表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。
【解決手段】酸素プラズマを所定の拡散距離に対して、開口部幅の異なる領域毎に、半導体表面のエッチングが進行する第１の状態か、半導体表面にポリマーが生成される第２の状態のどちらか一方のみが発現するように前記開口部幅が設定された開口部１９０１を有するマスク１９００を半導体表面に形成する第１の工程と、メダンプラズマをマスク１９００が形成された半導体表面に照射しつつ、酸素プラズマを開口部１９０１の幅方向にてマスク１９００の端部から開口部へ所定の拡散距離にて拡散させる第２の工程を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング装置の温度差の大きい２つのフォーカスリングの隙間において低温の部品に堆積物が付着するのを防止する。
【解決手段】プラズマエッチング装置の処理室１５内に配置されたウエハＷの周縁を囲む内側フォーカスリング２５ａ及び外側フォーカスリング２５ｂからフォーカスリング２５を構成し、内側フォーカスリング２５ａはウエハＷに隣接して配置され且つ冷却され、外側フォーカスリング２５ｂは内側フォーカスリング２５ａを囲み且つ冷却されず、更に、ブロック部材２５ｃが、内側フォーカスリング２５ａ及び外側フォーカスリング２５ｂの間に配される。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ半導体の表面特性を向上できるＳｉＣ半導体の洗浄方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ半導体の洗浄方法は、以下の工程を備えている。ＳｉＣ半導体の表面にイオン注入する。表面に酸化膜を形成する。酸化膜を除去する。形成する工程では、１５０ｐｐｍ以上の濃度を有するオゾン水を用いて酸化膜を形成する。形成する工程は、ＳｉＣ半導体の表面およびオゾン水の少なくとも一方を加熱する工程を含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】シリコン含有物をエッチングする装置において、分離回収装置や除害装置を不要とし、設備コストを低減する。
【解決手段】分解部２０において、フッ素含有成分を含む原料ガスに高周波又は熱エネルギーを印加して、フッ素含有成分を分解する。分解中又は分解後の原料ガスと水素含有成分とを接触させてフッ化水素を含むエッチングガスを生成する。このエッチングガスを処理槽１０内の被処理物９に吹き付け、シリコン含有物９ａをエッチングする。更に、処理槽１０内のガスを排気手段５によって吸引して排出する。シリコン含有物９ａのエッチングレートが所定以上になるよう、かつ排出ガス中のフッ素含有成分の流量が放出許容値以下になるよう、分解部２０への原料ガスの供給流量、及び供給電力又は供給周波数を設定する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系の材料により形成されるＨＥＭＴ（高電子移動度トランジスタ）をノーマリーオフ化させる。
【解決手段】基板１１上に形成された第１の半導体層１２と、前記第１の半導体層上に形成された第２の半導体層１３と、所定の領域の前記第２の半導体層の一部または全部を除去することにより形成されているゲートリセス２２と、前記ゲートリセス及び第２の半導体層上に形成されている絶縁膜３１と、前記ゲートリセス上に絶縁膜を介して形成されているゲート電極３２と、前記第１の半導体層または前記第２の半導体層上に形成されているソース電極３３及びドレイン電極３４と、を有し、前記ゲートリセスが形成されている領域における前記第２の半導体層、または、前記第２の半導体層及び前記第１の半導体層にはフッ素が含まれているフッ素を含む領域２４を有する。 （もっと読む）

【課題】地球環境に対する影響が小さく、かつ必要とされる性能を有するドライエッチング剤を提供する。
【解決手段】（Ａ）１，３，３，３−テトラフルオロプロペンと、（Ｂ）Ｈ_２、Ｏ_２、ＣＯ、Ｏ_３、ＣＯ_２、ＣＯＣｌ_２、ＣＦ_３ＯＦ、ＣＯＦ_２、ＮＯ_２、Ｆ_２、ＮＦ_３、Ｃｌ_２、Ｂｒ_２、Ｉ_２、ＣＨ_４、Ｃ_２Ｈ_２，Ｃ_２Ｈ_４，Ｃ_２Ｈ_６、Ｃ_３Ｈ_４、Ｃ_３Ｈ_６、Ｃ_３Ｈ_８、ＨＩ、ＨＢｒ、ＨＣｌ、ＮＯ、ＮＨ_３、及びＹＦｎ（式中、ＹはＣｌ、Ｂｒ、又はＩを表し、ｎは整数を表し、１≦ｎ≦７である。）からなる群より選ばれる少なくとも１種のガスと、（Ｃ）不活性ガスを含むドライエッチング剤を提供する。
これらのエッチング剤を用いることにより飛躍的にプロセスウインドウを広げることができ、特殊な基板の励起操作等なしにサイドエッチ率が小さく高アスペクト比が要求される加工にも対応できる。 （もっと読む）

【課題】真空装置中に存在する、特にプラズマにより生成したイオン計測の効率を高めるための方法及び装置を提供する。
【解決手段】プラズマ装置中に設置した電極に、これに接続してプラズマ装置中の成分を分析できる質量分析器の計測部に対して高い（低い）電位を与え、これによってプラズマ中の正（負）イオンを質量分析器へ効率よく導入することを特徴とするプラズマ中のイオン計測方法、及び、プラズマ装置中に設置した電極に、これに接続してプラズマ装置中の成分を分析できる質量分析器の計測部に対して高い（低い）電位を与え、これによってプラズマ中の正（負）イオンを質量分析器へ効率よく導入することを特徴とするプラズマ中のイオン計測装置。 （もっと読む）

【課題】従来のＢＣｌ_３ガスに代わる、腐食性のない有機アミノボロン系ガスを用いてＢ
ＣＮ膜を成膜ことが特徴である。その例として、トリスジメチルアミノボロンを用いて、
プラズマＣＶＤにより成膜を行うことで、安定した低誘電率と高い硬度（ヤング率）を有
するＢＣＮ膜が形成できる半導体装置の製造方法が提供すること。
【解決手段】 有機アミノボロン系ガスを用いて窒化ホウ素炭素（ＢＣＮ）系絶縁膜を形
成する絶縁膜の製造方法。前記有機アミノボロン系ガスはトリスジメチルアミノボロンで
ある。比誘電率が２．５以下で弾性率（ヤング率）が８ＧＰａ以上であるＢＣＮ系の絶縁
膜。 （もっと読む）

【課題】平行平板型ＲＩＥ装置において、チャージアップダメージとパターンノッチングが軽減された効率的な処理を可能とする基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】チャンバ１１と、前記チャンバ１１内に配置される第１の電極１３と、前記チャンバ１１内に前記第１の電極１３と対向して配置され、基板１５を保持する第２の電極１６と、前記第２の電極１６に５０ＭＨｚ以上の周波数のＲＦ電圧を印加するＲＦ電源１９と、前記第２の電極１６に、前記ＲＦ電圧と重畳して負電圧パルスおよび正電圧パルスを含む電圧波形を繰り返し印加するパルス電源２１から成る基板処理装置１を用いたエッチング処理において、前記パルス電源２１から負パルス電圧を印加し、続いて正パルス電圧を印加する間に浮遊電位を出力する。 （もっと読む）

【課題】装置の信頼性の向上、製造効率の向上を実現する。
【解決手段】反射防止膜１５０などの被覆膜の上面において、パッド電極１１１Ｐの接続面の部分が開口し、その接続面以外の部分を被覆するように、レジストパターンＲＰを形成する。レジストパターンＲＰをマスクとして用いると共に、カーボン系無機膜３００をエッチングストッパー膜として用いて、その被覆膜についてエッチング処理を実施し、カーボン系無機膜３００の上面にて接続面に対応する面を露出させる。レジストパターンＲＰとカーボン系無機膜３００にて接続面に対応する部分とについてアッシング処理を実施し、両者を同時に除去する。 （もっと読む）

【解決手段】透明基板上に形成された１又は２以上の層で構成された膜であり、該膜の最表層がクロム系材料からなる膜を塩素系ドライエッチングによってエッチングする方法であって、加水分解性シラン化合物の加水分解・縮合物、架橋促進剤化合物及び有機溶剤を含む酸化ケイ素系材料膜形成用組成物を用いて成膜した膜厚１〜１０ｎｍの酸化ケイ素系材料膜をエッチングマスクとして上記最表層を塩素系ドライエッチングする方法。
【効果】本発明のエッチングマスク膜は、塩素系ドライエッチングに対して高いエッチング耐性をもち、このエッチングマスク膜を用いてフォトマスクブランクを加工することにより、塩素系ドライエッチングであっても、薄いエッチングマスク膜で高精度の加工が可能である。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置のステージ電極の表面が損傷したとき、上記表面部分だけを容易に交換できるようにする。
【解決手段】ステージ電極２０を電極本体２１と電極板２２とに分割する。電極本体２１の周端面２１ｅと電極板２２の周端面２２ｅとは互いに面一になっている。ステージ電極２０の外周に沿って複数の枠部材３０を設ける。これら枠部材３０を進退機構５によって退避位置と進出位置との間で進退させる。枠部材３０を進出位置に位置させると、枠部材３０の位置決め面３３が上記周端面２１ｅ，２２ｅに当接し、電極板２２が位置決めされる。また、枠部材３０の段差３１によって被処理物９が位置決めされる。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光及び検査光において吸収体層での反射率を低減でき、ＥＵＶ光および検査光の両方において高コントラストな反射型フォトマスクを提供する。
【解決手段】基板１と基板１上に形成された反射体層２と、反射体層２上に形成された吸収体層３を持つＥＵＶマスクブランクにおいて、吸収体層３の表面に所定の大小二つの表面粗さの凹凸４を形成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置のステージの表面が損傷したとき、上記表面部分だけを容易に交換できるようにする。
【解決手段】ステージ２０を、ステージ本体２１とその上側の表面板２２とに分割する。ステージ２０を挟んで両側には、処理ヘッド１０の移動に用いる一対のレール６１が設けられている。このレール６１上にステージ保守用クレーン３０を設置する。クレーン３０のフレーム３１の一対の支え部３２の下端部にスライダ３４をそれぞれ設け、これをレール６１にスライド可能に嵌合する。フレーム３１の天井部３３に吊具５１を昇降可能に垂下し、これに連結部５２を設ける。好ましくは、連結部５２をボルト５５にて表面板２２の端面に連結する。 （もっと読む）

【課題】圧電体薄膜を微細加工するとともに制御性良く加工を停止させることを可能とした圧電体薄膜ウェハの製造方法、及び圧電体薄膜ウェハの加工方法、並びに圧電体薄膜素子、圧電体薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】基板２上に組成式（Ｋ_1-xＮａ_x）ＮｂＯ₃（０．７＜ｘ≦１．０）で表される下地層４を形成する工程と、下地層４上に組成式（Ｋ_1-xＮａ_x）ＮｂＯ₃（０．４≦ｘ≦０．７）で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電体薄膜５を形成する工程と、基板２上に形成された下地層４及び圧電体薄膜５に、Ａｒを含むガスを用いてドライエッチングを行う工程と、ドライエッチングにおいて放出されるイオンプラズマ中のＮａの発光ピーク強度の変化を検出してエッチング速度を変更する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】圧電体薄膜を短時間に精度よく微細加工することを可能とした圧電体薄膜ウェハの製造方法、圧電体薄膜素子、及び圧電体薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】圧電薄膜ウェハ１は、基板上に形成された組成式（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）ＮｂＯ_３（０．４≦ｘ≦０．７）で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電体薄膜４に、Ａｒを含むガスを用いてドライエッチングを行うエッチング工程と、放出されるイオンプラズマ中のＮａの発光ピーク強度の変化を検出してエッチング速度を変更する工程とにより製造される。 （もっと読む）