【課題】高誘電率絶縁膜上に仕事関数制御金属導体を堆積した構造の半導体において、素子を劣化させることなく微細加工を施す。
【解決手段】半導体基板１０１上に形成されたＨｆあるいはＺｒを含む絶縁膜１０２、該絶縁膜上に形成されたＴｉあるいはＴａあるいはＲｕを含む導体膜１０３を有し、該導電膜上に形成したレジスト１０７を用いて、プラズマ雰囲気中で前記導電膜を加工する半導体加工方法において、前記レジスト１０７を、水素を含み酸素を含まないガスのプラズマ雰囲気中で除去する。 （もっと読む）

【課題】加工精度や加工速度の高い酸化亜鉛膜のドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛膜をドライエッチングで所望の形状に加工する際、メタンおよび水素を含む混合ガス雰囲気中でエッチングまたはクリーニング処理をおこない、前記エッチングまたはクリーニング処理の途中からメタンガスの供給を止めるあるいは段階的もしくは連続的にメタンの供給を減少させて供給するプロセスガス中のメタンをゼロとして、メタンを含まない好ましくは水素のみの雰囲気中で継続的にエッチングまたはクリーニング処理をおこなうことにより、酸化亜鉛膜上へのアモルファスカーボン系の堆積物を発生させることなく安定的に高い精度を有する加工方法を提供し、課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】チャンバー内に付着するＣｕによるエッチャントの失活を抑え、安定したエッチング特性を得ることが可能な半導体製造方法を提供する。
【解決手段】ウェハーをプラズマエッチング処理するチャンバー内に、第１のシーズニングガスを導入し、チャンバー内の部材表面に、第１のデポジッション膜を形成し、チャンバー内に第２のシーズニングガスを導入し、第１のデポジッション膜上に第２のデポジッション膜を形成して第１のデポジッション膜を被覆し、ウェハーをチャンバー内に搬入し、このウェハーをプラズマエッチング処理する （もっと読む）

【課題】性層の成長にＭＢＥ装置を用いるハイブリッド方式において、製品のスループットの向上が図られる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子１の製造方法では、水素プラズマクリーニングと活性層１４の成長とを別々の真空装置で分離して実行することにより、クリーニング終了時の成長室３３内の水素残留濃度を考慮する必要が無くなり、成長室３３への基板搬送後に速やかに窒素プラズマ発生用のＲＦガン４４の窒素プラズマを点火して活性層１４の再成長を行うことが可能となる。したがって、この半導体レーザ素子の製造方法では、従来のように同一の真空装置内で水素プラズマクリーニングと活性層の成長とを連続して行う場合と比較して、製品のスループットの向上が図られる。 （もっと読む）

【課題】半導体、液晶、太陽電池およびＭＥＭＳ等の製造のプロセスで使用される薄膜形成装置の内部に付着する堆積物を選択的に除去することができ、毒性がなく、地球温暖化効果が小さいクリーニングガス及びそれを用いたクリーニング方法を提供する。
【解決手段】ＣＦ_３ＣＦ＝ＣＨ_２を含むクリーニングガス。ＣＦ_３ＣＦ＝ＣＨ_２の含有率は、流量比１０〜１００％であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのチャネルにおけるキャリアの移動度を向上させつつ、工程数の増加、品質の劣化およびチップサイズの増大を防ぐことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１上に、ＰＭＯＳトランジスタ２のチャネルに対し圧縮応力を導入する圧縮窒化膜１３を形成する。次に、フッ素系ガスとＯ_２ガスを混合した第１の混合ガスを用いて、ＮＭＯＳ領域５に形成された圧縮窒化膜１３をエッチングする。次に、ＰＭＯＳ領域４では圧縮窒化膜１３上に、ＮＭＯＳ領域５ではＳｉ基板１上に、ＮＭＯＳトランジスタ３のチャネルに対し引張り応力を導入する引張り窒化膜１５を形成する。フッ素系ガスとＯ_２ガスを混合した第２の混合ガスを用いて、ＰＭＯＳ領域４に形成された引張り窒化膜１５を圧縮窒化膜１３に対して選択的にエッチングする。この際に、第２の混合ガスのＯ_２分圧を第１のガスのＯ_２分圧よりも低くする。 （もっと読む）

【課題】誘導結合プラズマを用いるプラズマ処理において、被処理体の面内均一性を向上させることが可能なプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置は、ウェハＷを収容するチャンバー１０′と、チャンバー１０′の上方にチャンバー１０′と連通するように設けられた誘電体からなるベルジャーおよびベルジャーの外側の周囲に巻回されたコイルを有するプラズマ発生部と、処理空間にプラズマ形成用のガスを導入するガス導入機構と、チャンバー１０′内に設けられたウェハＷが支持される載置台２１と、誘電体からなり載置台を覆うとともにウェハが載置されるマスクプレート（マスク）１７０とを具備し、マスクプレート１７０は、ウェハが載置されるウェハ載置領域（第１領域）１７０ａと、ウェハ載置領域１７０ａの周りの周辺領域（第２領域）１７０ｂとが同一の高さに構成されている。 （もっと読む）

【課題】ダウンストリーム型プラズマで加工物を処理するプラズマ処理システムを提供すること。
【解決手段】本プラズマ処理システムの処理チャンバは、電力供給電極と接地板の間に一般的に配置されたプラズマ・キャビティを有するチャンバ蓋、プラズマ・キャビティから接地板で隔離された処理空間、および加工物を保持するための処理空間中の基板支持物を含む。プラズマ・キャビティで、直接プラズマが生成される。接地板は、プラズマ・キャビティから処理空間中に入ることを許されるプラズマから電子およびイオンを除去して遊離基のダウンストリーム型プラズマを供給する開口と適合される。この開口は、プラズマ・キャビティと処理空間の間の光の見通し通路も無くする。他の態様では、チャンバ蓋から少なくとも１つの取外し可能な側壁部を取り除いて、または挿入して、処理チャンバの体積を調整することができる。 （もっと読む）

【課題】金属母材の表面に付着している剥がれ落ち難い非昇華性ブラスト材の残渣を略確実に除去するようにして例えば付着膜の密着性を向上させることができ、これによりパーティクルの発生を大幅に抑制して、製品歩留まりの向上を図ることが可能な表面処理方法を提供する。
【解決手段】金属母材４０に所定の表面処理を施す表面処理方法において、前記金属母材の表面に、非昇華性材料よりなる非昇華性ブラスト材を用いてブラスト処理を行う第１のブラスト工程と、前記第１のブラスト工程が行われた前記金属母材の表面に、昇華性材料よりなる昇華性ブラスト材を用いてブラスト処理を行う第２のブラスト工程と、を備える。これにより、金属母材の表面に付着している剥がれ落ち難い非昇華性ブラスト材の残渣を略確実に除去する。 （もっと読む）

【課題】本処理時間に対する準備時間を短縮し生産効率を向上させる。
【解決手段】ＭＭＴ装置２００はウエハＷに処理を施す処理室２０１と、処理室２０１内に設置されウエハＷに処理を施す処理ステージＳ２ステージとウエハＷを授受する授受ステージＳ１とを移動するサセプタ２１７と、授受ステージＳ１に対向した処理室２０１の開口を開閉するゲートバルブ２４４と、サセプタ２１７の移動とゲートバルブ２４４の開閉を制御するコントローラ１２１を備えている。コントローラ１２１はサセプタ２１７の移動とゲートバルブ２４４の開閉とを並行処理させる。サセプタの移動とゲートバルブの開閉を並行処理することにより、本処理時間に対する準備時間を短縮することができるので、生産効率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極同士の間隔が狭い場合においても、基板に損傷を与えることなく微細なコンタクトホールを安定して形成することが可能な半導体装置及びその製造方法を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、基板１１の上に互いに間隔をおいて形成されたゲート電極１３と、基板１１の上に、ゲート電極１３同士の間の領域を埋め且つゲート電極１３を覆うように形成された第１の絶縁膜１６と、第１の絶縁膜１６の上に下側から順次形成された第２の絶縁膜１７及び第３の絶縁膜１８と、第１の絶縁膜１６、第２の絶縁膜１７及び第３の絶縁膜１８を貫通し、ソース・ドレイン領域１５と電気的に接続されたコンタクトプラグ２２とを備えている。第１の絶縁膜１６は、水素原子を含み且つフッ素原子を含まないガスによりドライエッチング可能な材料からなる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ生成用螺旋共振器の螺旋状共振コイルと給電部、接地部との接続作業が容易で、安定した接続状態が得られ、又異常放電による前記給電部、前記接地部の溶解、焼損等を防止する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を保持するサセプタと、該サセプタを収納する処理室と、該処理室に連通する反応容器と、該反応容器内にプラズマを発生させる螺旋状共振コイル２５とを具備し、該螺旋状共振コイル２５には少なくとも一方が位置調整可能な接地部５８、給電部が設けられ、前記接地部５８、前記給電部は、前記螺旋状共振コイル２５を挾持するコイルホルダ６５及びコイル押え６６とを有し、前記コイルホルダ６５及び前記コイル押え６６間には、断面が前記螺旋状共振コイル２５の断面と合致する円形であり、又該螺旋状共振コイル２５の径と同等に湾曲したコイル保持孔が形成される。 （もっと読む）

【課題】簡単な制御で，被処理基板に対するダメージを抑えつつ，反応容器の内壁に反応生成物が付着し難いプラズマを励起する。
【解決手段】プラズマ処理装置１００は，反応容器１０５の側壁の周りに巻回されたコイルに高周波を印加して処理ガスを励起してプラズマを生成するプラズマ生成室１０４と，そのプラズマによってウエハＷに対して所定の処理を施す処理室１０２と，コイル１１６に供給する高周波として，基準周波数の第１高周波と，基準周波数の（２ｎ＋１）／２倍の周波数の第２高周波とを選択的に出力可能な高周波電源２００とを備える。 （もっと読む）

【課題】プロセスチャンバ内雰囲気の濃度を瞬時に変更可能として、液晶デバイスや半導体デバイスの生産に必要なプラズマ反応処理プロセスを高い生産性で低コストに実現できること。
【解決手段】各成分ガスの温度分布式流量調整器に対して与えられる新たな流量設定値は、濃度変更の前後で総流量値が同一となることを条件として、想定される変更後のプロセスガス濃度から逆算することにより求められた値とされ、かつ排出管路の圧力制御器は、変更開始から所定の微少時間に限り、圧力設定モードから弁開度設定モードに切り替えられると共に、変更直後の圧力変動を緩和すべく経験的に求められた弁開度設定値が与えられる。 （もっと読む）

基板からポリマーを除去するため方法及び装置が提供される。一実施形態において、基板からポリマーを除去するのに用いられる装置は、プロセス空間を区画するチャンバの壁及びチャンバの蓋を有するプロセスチャンバと、プロセスチャンバに置かれた基板支持アセンブリと、チャンバの壁内に形成された出力ポートを介してプロセスチャンバに結合するリモートプラズマソースとを含み、出力ポートは基板支持アセンブリに置かれた基板の周辺領域に向けた開口を有し、前記リモートプラズマソースは水素種に耐性のある材料から作られている。
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【課題】シリコン酸化膜に、プラズマエッチングすることにより、微細径、高アスペクト比のコンタクトホールを、略垂直でネッキングやボーイングの少ない良好な形状で形成することができるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】シリコン酸化膜を、マスクを介して、処理ガスを用いてプラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって、前記処理ガスが、式（１）：ＣｘＨｙＦｚ〔式中、ｘは３〜６のいずれかの整数を表し、ｙは１〜４のいずれかの整数を表し、ｚは正の整数を表し、かつ、（ｙ＋ｚ）は２ｘ以下である。〕で表されるフッ素化炭化水素およびパーフルオロカーボンガスを含むことを特徴とするプラズマエッチング方法である。 （もっと読む）

【課題】大気圧プラズマにて被処理物を処理するに際してプラズマ点灯後のプラズマの点灯状態やプラズマの照射状態を確認できて信頼性の高いプラズマ処理を確保することができる大気圧プラズマ処理方法及び装置を提供する。
【解決手段】大気圧近傍の所定の反応空間１１に第１のガス１５を供給するとともに反応空間１１近傍のアンテナ１３又は電極に高周波電圧を印加して一次プラズマ１６を発生させ、発生した一次プラズマ１６又は前記一次プラズマ１６を第２のガス１８に衝突させて発生させた二次プラズマ２１を被処理表面６に向けて照射し、被処理表面６をプラズマ処理する大気圧プラズマ処理方法において、一次プラズマ１６の点灯後の反射波の大きさを検出し、反射波の大きさを第１の所定値と比較して一次プラズマ１６が点灯しているか否かを確認するようにした。 （もっと読む）

【課題】炭素系ハードマスクの形成において、垂直形状に優れたパターンを形成することができる炭素系ハードマスクの形成方法を提供する。
【解決手段】処理ガスが、式（１）：ＣｘＨｙＦｚ〔式中、ｘは３〜６のいずれかの整数を表し、ｙは１〜４のいずれかの整数を表し、ｚは正の整数を表し、かつ、（ｙ＋ｚ）は２ｘ以下である。〕で表されるフッ素化炭化水素を含むことを特徴とするハードマスク形成方法。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物基板を除去する際のＩＩＩ族窒化物結晶のクラックの発生が抑制されるＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物基板１０の一方の主面１０ｍ上に、ＩＩＩ族窒化物基板１０に対して構成原子の種類と比率およびドーパントの種類と濃度のうち少なくともいずれかが異なるＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程と、ＩＩＩ族窒化物基板１０の他方の主面１０ｎに、ＨＣｌガス、Ｃｌ2ガスおよびＨ2ガスからなる群から選ばれる少なくとも１種類のエッチングガスＥを放射して、気相エッチングによりＩＩＩ族窒化物基板１０を除去する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板の加工に適したラジカル種密度を増大させ、イオンラジカルエネルギーを基板の加工に適したエネルギー値、狭帯域エネルギー幅に制御して、精緻加工を行うことができ、また、優れた埋め込み成膜を行うことが可能な基板のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】チャンバー２１内に配置された基板保持電極２２及び対向電極２３と、基板保持電極２２に対して５０ＭＨｚ以上の高周波を印加する高周波発生装置２７と、この高周波と重畳するようにＤＣ負パルス電圧を印加するＤＣ負パルス発生装置２９と、高周波の印加が間欠的に行われるよう制御するとともに、高周波のオン・オフのタイミングに応じてＤＣ負パルス電圧の印加が間欠的に行われるよう制御する制御器３０を備えている。 （もっと読む）