【課題】半導体デバイスを作製すると、半導体デバイスの動作への影響を抑制できる、ＳｉＣ基板、エピタキシャルウエハおよびＳｉＣ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ基板１０は、主面を有し、かつＳｉＣからなる下地基板を準備する工程と、主面を第１のアルカリ性溶液を用いて洗浄する工程と、第１のアルカリ性溶液を用いて洗浄する工程後に、主面を第２のアルカリ性溶液を用いて洗浄する工程とを備えたＳｉＣ基板であって、主面１１を有し、主面１１の残渣が０．２個以上２００個未満である。 （もっと読む）

【課題】レジスト除去工程において、ポッピングを抑制し、且つスループットの高い基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理方法であって、ドーパントが混入されたレジストの塗布された基板を処理室に搬入する工程と、基板を加熱する工程と、前記処理室に、少なくとも酸素成分と水素成分とを含み、水素成分の濃度が６０％以上７０％以下である反応ガスを供給する工程と、前記処理室に供給された反応ガスをプラズマ状態として基板を処理する工程とを有する。前記基板を加熱する工程では、基板の温度を２２０℃以上３００℃以下とすることが望ましい。また、前記基板を加熱する工程では、基板の温度を２５０℃以上３００℃以下とすることが望ましい。 （もっと読む）

半導体基板が半導体基板支持部上に支持されたベベルエッチング装置内において、プラズマによる半導体基板のベベルエッジエッチングを行う際にアーク放電を防止する方法は、３〜１００Ｔｏｒｒの圧力までベベルエッチング装置を排気した状態で、ウェーハにおいて見られるＲＦ電圧を、アーク放電が回避される十分に低い値に維持しつつ、ベベルエッチング装置においてプラズマによる半導体基板のベベルエッジエッチングを行うステップを備える。 （もっと読む）

【課題】金属薄膜をリモートプラズマによって処理するときのガスの種類によってドットの密度を制御可能な金属ドットの製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＯ_２膜５０２がＳｉからなる半導体基板５０１上に形成され（工程（ｂ））、金属薄膜５０４がＳｉＯ_２膜５０２上に形成される（工程（ｃ））。その後、水素ガス、ヘリウムガス、アルゴンガス、窒素ガス、アンモニアガス、水素ガスとヘリウムガスとの混合ガス、水素ガスとアルゴンガスとの混合ガスおよび水素ガスと窒素ガスとの混合ガスの中から選択したガスを用いたリモートプラズマによって金属薄膜５０４を処理する（工程（ｄ））。これによって、金属ドット５０３がＳｉＯ_２膜５０２上に形成される（工程（ｅ））。 （もっと読む）

太陽電池基板の層を洗浄するための方法および装置が開示される。基板が反応性ガスに露出されるもので、この反応性ガスは、窒素およびフッ素を含む中性ラジカルを含むことができるか、あるいは無水ＨＦおよび水、アルコール、または水とアルコールとの混合物を含むことができる。さらに、反応性ガスは、キャリアガスを含みうる。反応性ガスは、太陽電池基板表面をエッチングして、酸素および他の不純物を除去する。中性ラジカルに露出されると、基板は、ヘキサフルオロケイ酸アンモニウムを含有する薄膜を成長させ、この薄膜はその後熱処理によって除去される。
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【課題】チャンバー内部のハードウェアに対してダメージを生じさせないインシチュウ・クリーニング方法及び装置を提供する。
【解決手段】電子デバイス製作に用いられる堆積チャンバー１０のクリーニング方法は、以下のステップを含む：堆積チャンバーの外部にある遠隔チャンバー４６に、前駆体ガス４４を供給する；遠隔チャンバー４６内で該前駆体ガス４４を活性化させて反応性の化学種を形成する；遠隔チャンバー４６から堆積チャンバー１０へ該反応性の化学種を流す；および、遠隔チャンバー４６から堆積チャンバー１０へ流れ込んだ反応性の化学種を用いて、堆積チャンバー１０の内部をクリーニングする。 （もっと読む）

【課題】被処理物の外側に位置する保護部の交換頻度を少なくするため、保護部の長寿命化を図るプラズマ処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】内部を真空とすることが可能な処理室１に、被処理物Ｓを載置する載置部３と、ガスを供給するためのガス供給部２とを備えたプラズマ処理装置において、載置部３は、被処理物Ｓの外周側に配置されたマスクリング３３を有し、ガス供給部２は、被処理物Ｓの上部に位置し、プラズマ処理用のガスを供給する中心側開口部２２ａ、中間開口部２２ｂと、マスクリング３３の上部若しくは外側に位置し、マスクリング３３に堆積物を生じさせるガスを供給する外周側開口部２２ｃとを有する。 （もっと読む）

【課題】低ダメージで低コストなレジストの除去方法及び除去装置を提供する。
【解決手段】基板上の有機物を除去するための有機物の除去方法であって、触媒反応部内に、Ｈ_２ガスとＯ_２ガス又はＨ_２Ｏ_２ガスを導入し、Ｈ_２ガスとＯ_２ガス又はＨ_２Ｏ_２ガスを触媒と接触させることにより生成したＨ_２Ｏガスを触媒反応部から噴出させ、噴出したＨ_２Ｏガスにより基板上の有機物を除去することを特徴とする有機物の除去方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

基板から有機材料を除去するための基板工程のプラズマ灰化方法は、フォトレジスト、埋没したフォトレジスト、高分子及び／又は残留物を基板から選択的に除去するために基板にプラズマをさらす工程を一般的に含み、上記プラズマは酸素ガス及び窒素ガスからなる混合ガスのプラズマから算出される活性窒素及び活性酸素の比率よりも大きい活性窒素及び活性酸素の比率からなる。上記プラズマは基板酸化及びドーパント漂白を最小限にする及び／又は妨げるが、高い処理能力を示す。プラズマ装置についても同様に記載されている。
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【課題】パターンつきフォトレジストマスクと、その下に配された中間マスク層と、その下に配された機能性有機質マスク層と、その下に配されたエッチング層とによって形成されるスタックにおいてエッチング層内のエッチング構成の限界寸法を制御するための方法を提供する。
【解決手段】中間マスク層４１６は、パターンつきフォトレジストマスク４２０に対して選択的にエッチングすることによって開口される。機能性有機質マスク層４１２の開口は、ＣＯＳを含む開口ガスを流すこと、プラズマを発生させること、および開口ガスを流すことを停止する工程とを含んでいる。その後エッチング層４０８は、所望の寸法にエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】ウエハ面内の膜厚均一性を高める装置と方法を提供する。
【解決手段】処理ガスをウエハ１に供給してウエハ１の上に膜をＣＶＤ法によって形成する成膜装置は、複数のウエハ１を互いに上下方向に離間して保持するボート２と、ウエハ１およびボート２を収容する処理室１２と、ウエハ１を加熱するホットウオール形構造のヒータ１４と、処理室１２内に処理ガスを供給するガス供給管２１と、処理室１２内の雰囲気を排気する排気管１６と、ウエハ１の処理中にウエハを回転させるためにボート２を回転させる回転軸１９とを有する。 （もっと読む）

【課題】開口幅の異なる複数のトレンチ３を有する半導体装置の製造方法において、従来の半導体装置の製造方法より各トレンチ３で半導体基板１表面に対する側壁角度のばらつきを抑制する。
【解決手段】半導体基板１に対して、マスク２の形状に対応した開口幅の異なる複数のトレンチ３を形成するトレンチ形成工程を行う。そして、複数のトレンチ３の内壁に、ポリマー膜４より反応性イオンエッチングに対する耐性が強い保護膜５を形成する工程と、ポリマー膜４を成膜するポリマー膜成膜工程とを有するトレンチ保護膜形成工程を行う。そして、トレンチ形成工程と、トレンチ保護膜形成工程とを交互に繰り返すことによりトレンチを深くする。 （もっと読む）

【課題】反応ガスのガス圧力が高い条件においても半導体や導電性などの抵抗値の低い被処理部材に対して均一に成膜等のプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を得ること。
【解決手段】第１電極および接地された第２電極との間隙にプラズマを発生させるプラズマ発生器と、第１電極に電力を印可する電源と、第１電極と第２電極との間隙に反応ガスを供給するガス供給源と、を備え、電源により第１電極に電力を印加した状態で第１電極と第２電極との間隙に反応ガスを流通させることにより反応ガスをプラズマ化させたプラズマ流を、プラズマ流のプラズマ発生器からの噴出方向が被処理面と略垂直となるように配置された被処理部材に照射するプラズマ処理装置であって、第１電極と被処理面との間隙の最小間隙寸法が、プラズマ発生器においてプラズマ流を噴出する噴出部近傍における第１電極と第２電極との間隙の最小間隙寸法より大である。 （もっと読む）

【課題】 ＨＤＩＳ用のフォトレジスト及びイオン注入関連残留物を剥離する改善された方法及び装置を提供する。
【解決手段】 元素水素、弱酸化剤、及びフッ素含有ガスを用いてプラズマが生成される。プラズマ源の下流側及びガス混合物を反応チャンバ内へと導くシャワーヘッドの上流側において不活性ガスがプラズマに導入される。反応チャンバ内では、ガス混合物が高用量注入されたレジストと反応する。このプロセスは、高剥離レートでクラストとバルクレジスト層の両方を除去し、ワークピースの表面には実質的に残留物が残らず、また、シリコン損失も少ない。 （もっと読む）

【課題】基板表面の平坦性を損なうことなく自然酸化膜や有機物を除去する表面処理が可能となる洗浄手法を提供する。
【解決手段】プラズマ中のラジカルをプラズマ分離用のプラズマ閉じ込め電極板（１１０）のラジカル通過孔（１１１）を通して処理室に導入し、処理室に処理ガスを導入して処理室（１２１）内でラジカルと混合し、そしてラジカルと処理ガスとの混合雰囲気により基板表面を洗浄する。 （もっと読む）

本明細書では、シリコン及び窒素を含む誘電体層をエッチングする方法が提供される。いくつかの実施形態では、このような方法は、シリコン及び窒素を含む誘電体層がその上に配置された基板を用意すること、リモートプラズマを使用して、水素（Ｈ_２）及び三フッ化窒素（ＮＦ_３）を含むプロセスガスから反応性種を形成すること、ならびにそれらの反応性種を使用して誘電体層をエッチングすることを含むことができる。いくつかの実施形態では、誘電体層に隣接して酸化物層が配置されている。いくつかの実施形態では、酸化物層及び基板のうちの少なくとも一方に対する誘電体層のエッチング選択性が約０．８から約４になるように、プロセスガスの流量比を調整することができる。
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【課題】水素ガスをエッチングガスとして用いた場合に、シリコン材料の表面粗さを悪化させることなく、シリコン基板を鏡面加工し得るプラズマ加工装置及びプラズマ加工方法を提供する。
【解決手段】プラズマ加工処理装置１０は、水素雰囲気下にてシリコン基板２に近接させた電極１１とシリコン基板２との間に生成した水素プラズマ６を、シリコン基板２の表面に接触させてシリコン基板２をエッチングする。水素プラズマ６を生成するためのマイクロ波を出力するマイクロ波発振器２３と、電極１１を形成するパイプ内を通して水素ガスをシリコン基板２の加工面へ向けてプラズマ内部へ供給する水素導入ライン１２とを備える。シリコン基板２の内部への水素の拡散速度以上のエッチング速度にてシリコン基板２をエッチングする。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】ラジカルによる高速エッチングを行なえる技術を提供する。
【解決手段】フィルタ３０ａによって真空槽１１の内部をラジカル生成室３とエッチング室４とに区分けし、ラジカル生成室３内に二重ドームを突出させ、二重ドームの隙間２７に還元性ガスと酸化性ガスを含有するエッチングガスを導入し、アンテナ２４からマイクロ波を放射してプラズマを形成し、生成されたラジカルを放出孔２８からラジカル生成室３の内部に放出させる。ラジカルはフィルタ３０ａの小孔３２ａを通してエッチング室４に移動し、エッチング対象物２２の犠牲層をエッチング除去する。エッチング対象物２２の表面上に還元性ガスのプラズマを形成しておき、酸化性ガスのラジカルによって形成された犠牲層上の酸化物を還元除去すると、高速のエッチングを行なうことができる。 （もっと読む）

【課題】取り外し可能なマスクを用いて基板上にパターン化された層を製造し得る装置及び方法を提供する。
【解決手段】マスクを基板上に直接形成する従来の技術と異なり、マスク１１０は基板１０５とは独立に形成される。使用中、マスク１１０は、例えば堆積、スパッタリング、エッチング等の処理のために基板１０５の一部分のみが露出されるように、基板１０５に接近して又は接触して設置される。処理が終了したら、マスク１１０は基板１０５から取り外され、廃棄されるか、別の基板１０５に使用される。マスク１１０は所定の数の基板１０５に対して循環使用された後に、洗浄又は廃棄のために取り外すことができる。 （もっと読む）

【課題】基板へのパーティクルの付着を効果的に防止した、優れた性能の絶縁膜エッチング装置を提供する。
【解決手段】プロセスチャンバー１内の基板ホルダー２上に基板９が保持され、エッチング用ガスがガス導入系３により導入される。プラズマ形成手段４に手段によりプラズマが形成され、プラズマ中の活性種やイオンの作用により基板９の表面の絶縁膜のエッチングが行われる。制御部８は、エッチング終了後、クリーニング用ガスをガス導入系３により導入し、プラズマ形成用手段４によりプラズマを形成して、プロセスチャンバー１内の露出面に堆積した膜をプラズマの作用により除去する。基板保持面より下方に設けられた冷却トラップ１２は、強制冷却され、堆積作用のあるガス分子を捕集して多くの膜を堆積させる。冷却トラップ１２は交換可能である。 （もっと読む）