【課題】反応性クラスタによる基板の加工方法に係り、基板の損傷が少なく、高速加工ができるようにした。
【解決手段】反応性ガスと、前記反応性ガスと不活性であって前記反応性ガスより低沸点のガスとからなる混合ガス１４を、ノズル出口２１に至る混合ガス供給路１で冷却源３により冷却して前記ノズル出口２１から断熱膨張させながら真空処理室４内に噴出させて、反応性クラスタ４５を生成し、この反応性クラスタ４５を真空処理室４内の基板５に噴射して基板表面５１を加工するようにしたから、反応性クラスタ４５の加工性能を高めることができ、基板５の損傷が少なく、かつ高速で基板５の加工を行うことができるようにした。 （もっと読む）

【課題】導波路メサを含む半導体光素子の作製において、へき開経路の乱れを低減可能な、半導体光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】半導体バーＢＡＲ１及び基板生産物ＳＰ１は、それぞれ、単一のへき開動作により生成されたへき開面ＣＬ１、ＣＬ２を有する。へき開面ＣＬ１には転写マース及び残留マークが現れる。転写マース及び残留マークがしっかりと案内して、このへき開面が形成される。へき開により、残留マーク３５ａは第１窪み５１ａ及び第２窪み５３ａに分離され、残留マーク３５ｂは第１窪み５１ｂ及び第２窪み５３ｂに分離される。転写マーク３７ａは第１窪み５５ａ及び第２窪み５７ａに分離され、転写マークは３７ｂ第１窪み５５ｂ及び第２窪み５７ｂに分離される。半導体バーＢＡＲ１のへき開面ＣＬ１は、残留マークからの第１窪み５１ａ、５１ｂ及び転写マークからの第１窪み５５ａ、５５ｂを有する。 （もっと読む）

【課題】過剰なエッチングを抑制するとともに半導体表面の突起物を除去する半導体光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体光素子の製造方法は、エッチストップ層１３及び複数の半導体層を含み、半導体光素子のための半導体積層１０を半導体基板１１の主面１１ａにエピタキシャル成長させる半導体積層成長工程と、半導体積層１０の最表面から突出する突起物の先端部が露出するように、最表面にマスク層を形成するマスク層形成工程と、マスク層を用いて、ウェットエッチングにより突起物をエッチングするウェットエッチング工程と、ウェットエッチングの後に、ドライエッチングにより突起物を除去するドライエッチング工程と、突起物を除去した後に、最表面からマスク層を除去するマスク層除去工程と、マスク層を除去した後に、半導体積層１０に半導体光素子のための加工を行う加工工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】パッシブ素子の特性の設計値からの低下を抑制することができる光集積素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に、活性コア層を含む半導体積層構造で形成された、アクティブ素子を形成するためのアクティブ領域と、パッシブコア層を含む半導体積層構造で形成された、パッシブ素子を形成するためのパッシブ領域とを形成し、アクティブ領域とパッシブ領域とに被覆部と開口部とを有する第１エッチングマスクを形成し、アクティブ領域およびパッシブ領域において開口部からドライエッチングを行い、アクティブ領域にアクティブ素子のアクティブメサ構造を形成するとともにパッシブ領域にパッシブ素子のパッシブメサ構造を形成し、パッシブ領域に第２エッチングマスクを形成し、パッシブメサ構造を第２エッチングマスクにて保護しながらアクティブメサ構造をウェットエッチングする、ことを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体からのＶ族原子の脱離を抑制しつつ同一面内でエッチング深さが異なる形状を簡易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。
【解決手段】酸素プラズマの所定の濃度に対して、開口部幅の異なる領域毎に、半導体表面にて酸素プラズマによりポリマーの生成を抑制しつつ半導体表面のエッチングが進行する状態のみが発現するように前記開口部幅１９０５が設定された開口部１９０１を有するマスク１９００を半導体表面に形成する第１の工程と、マスク１９００が形成された前記半導体表面に前記炭化水素系プラズマおよび前記酸素プラズマを照射し、前記酸素プラズマを前記マスクの開口部幅方向にて前記開口部に拡散させることによりポリマーの生成を抑制するとともにエッチングに寄与する炭化水素系プラズマの濃度を制御する第２の工程を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】洗浄またはエッチングにより面を洗浄、活性化することを含む低温または室温で結合する方法を提供する。
【解決手段】方法は、シリコン、シリコン酸化物およびＳｉＯのような材料の室温化学結合をなすように可逆的反応を防ぐために界面高分子化の副産物を除去することを含む。結合すべき面は、滝度合の平滑性および平坦性に研磨される（２）。ＶＳＥは、結合される面を僅かにエッチングするためにリアクチブイオンエッチングまたは湿式エッチングが用いられる（３）。表面粗さおよび平坦性は、落ちず、かつＶＳＥプロセスにより増加される。エッチング面は、水酸化アンモニウム、フッ化アンモニウムのような溶液でリンスされ、前記面上の望ましい結合化学種の形成を助長する（４）。 （もっと読む）

【課題】エッチング深さが異なる形状を簡単に、且つ精度よく加工できる半導体素子の作製方法を提供する。
【解決手段】開口部幅の異なる領域毎に、半導体のエッチングの進行、またはポリマーの生成のどちらか一方のみが発現するように前記開口部幅が設定された開口部を有するマスク１９００を半導体表面に形成すると共に、マスクの周辺に周辺窓１７０１を有する周辺マスク１７００を形成する第１の工程と、メタンプラズマおよび水素プラズマをマスクが形成された半導体表面に照射する第２の工程を有し、マスク１９００が、第１のパターンを有す第１のマスク部１９１０と、第１のマスク部上に形成され、第１のマスク部のマスク厚よりも厚く、第１のパターンの開口部幅を画定する第２のパターンを有す第２のマスク部１９２０とからなり、周辺マスクの窓領域が第１のパターンの回折格子方向周辺に配されるようにした。 （もっと読む）

【課題】同一ウエハ面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。
【解決手段】開口部幅の異なる領域毎に、半導体表面のエッチングが進行する第１の状態、または半導体表面にポリマーが生成される第２の状態のどちらか一方のみが発現するように前記開口部幅が設定された開口部１９０２，１９０３，１９０４を有するマスク１９００を半導体１８０１表面に形成すると共に、マスク１９００の周辺にマスクの開口部に供給される水素プラズマ濃度を制御するための周辺窓を有する周辺マスクを形成する第１の工程と、メタンプラズマおよび水素プラズマをマスクが形成された半導体表面に照射する第２の工程を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。
【解決手段】酸素プラズマを所定の拡散距離に対して、開口部幅の異なる領域毎に、半導体表面のエッチングが進行する第１の状態、または半導体表面にポリマーが生成される第２の状態のどちらか一方のみが発現するように前記開口部幅が設定された開口部１９０１を有するマスク１９００を半導体表面に形成する第１の工程と、メダンプラズマをマスク１９００が形成された半導体表面に照射しつつ、酸素プラズマをマスクの端部にて所定の濃度で前記開口部の幅方向においてマスク１９００の端部から開口部へ拡散させる第２の工程を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】同一ウエハ面内で素子ごとにエッチング深さが異なる形状を簡単に、且つ精度よく加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。
【解決手段】開口部幅の異なる領域毎に、半導体表面のエッチングが進行する第１の状態か、半導体表面にポリマーが生成される第２の状態のどちらか一方のみが発現するように前記開口部幅が設定された開口部１９０１を有する第一のマスク１９００を半導体表面に形成すると共に、第一のマスクの周辺に第一のマスクの開口部に供給される水素プラズマ濃度を制御するための第二のマスクを形成する第１の工程と、メタンプラズマおよび水素プラズマを第一のマスク１９００および第二のマスクが形成された半導体表面に照射する第２の工程を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】半導体の構成原子の脱離による欠陥（Ｖ族原子空格子）の誘起または表面モフォロジーの劣化を生じさせずに、表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。
【解決手段】酸素プラズマを所定の拡散距離に対して、開口部幅の異なる領域毎に、半導体表面のエッチングが進行する第１の状態か、半導体表面にポリマーが生成される第２の状態のどちらか一方のみが発現するように前記開口部幅が設定された開口部１９０１を有するマスク１９００を半導体表面に形成する第１の工程と、メダンプラズマをマスク１９００が形成された半導体表面に照射しつつ、酸素プラズマを開口部１９０１の幅方向にてマスク１９００の端部から開口部へ所定の拡散距離にて拡散させる第２の工程を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】エッチング面積を変えずにマスク面積を小さくする、同一面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供すること。
【解決手段】エッチングされる領域のマスク端からの距離は、マスク幅が１μｍ以上でほぼ一定の値を示す。このことは、マスク上のマスク端から１μｍまでの領域に存在する水素プラズマが開口部に拡散してエッチングに寄与することを示す。このとき、マスク上のマスク端から１μｍ以上の領域に存在する水素プラズマはエッチングに寄与することなくマスク上から脱離するものと考えられる。そのため、本発明の選択エッチングにおいてはマスクの幅は１μｍ以上あればエッチング領域のマスク端からの距離を十分に得られる。また、半導体素子の高密度集積における素子間隔が１０μｍ程度であることを考慮すると、マスク幅は１μｍ以上１０μｍ以下で有効である。 （もっと読む）

【課題】良好なエッチングの制御性を提供できる化合物半導体光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】III−Ｖ族化合物半導体からなる半導体基板上１０１にＧａを構成原子として含むコンタクト層１０５を形成し、コンタクト層１０５上にＧａを構成原子として含まないエッチングモニタ層１０６を形成し、エッチングモニタ層上にＧａを構成原子として含むカバー層１０７を形成する半導体層形成工程と、塩素系ガスを用いたドライエッチングにより、カバー層１０７及びエッチングモニタ層１０６を連続してエッチングするエッチング工程と、を含み、エッチング工程では、Ｇａの発光プラズマの波長成分の有無を観察することにより、ドライエッチングを停止するタイミングを制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】回折格子の凹部の深さを高精度に制御することが可能な回折格子の形成方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係る回折格子の形成方法は、回折格子が形成されるべき上部ＳＣＨ層１１上に、エッチングストップ層１３と、上部ＳＣＨ層１１と同じ組成の材料からなる半導体層１５とをこの順に形成する工程と、第１マスク層１７をマスクとして半導体層１５をエッチングすることにより、半導体層１５に凹部１５ｃを形成するエッチング工程と、半導体層１５の凹部１５ｃの深さＤ１５を測定する測定工程と、測定工程において測定された深さＤ１５に基づき上部ＳＣＨ層１１のエッチング条件を選択する工程と、第２マスク層をマスクとして上記エッチング条件で上部ＳＣＨ層１１をエッチングすることにより、上部ＳＣＨ層１１に回折格子の凹部を形成する回折格子形成工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】低温でＩｎＰ基板をドライエッチング法により高速でエッチングする。
【解決手段】ＩｎＰ基板１０１の上に無機絶縁材料からなる第１絶縁層１０４を形成し、第１絶縁層１０４の上に有機絶縁材料からなる第２絶縁層１０５を形成し、第１絶縁層１０４および第２絶縁層１０５をパターニングしてＩｎＰ基板１０１の表面が露出する開口部１０７を備えるマスクパターン１０８を形成し、ヨウ化水素ガスまたは臭化水素ガスを用いたドライエッチング法によりマスクパターン１０８をマスクとしてＩｎＰ基板１０１を選択的にエッチングしてＩｎＰ基板１０１に開口パターン１０９を形成する。 （もっと読む）

【課題】厚みのある半導体基板に対し、正確な位置でのへき開を可能とするような十分な深さのガイド溝を形成する半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体基板の製造方法は、インジウムリン化合物半導体またはガリウムヒ素化合物半導体からなる基板本体の表面に、開口幅が略４０ｕｍ以下である開口部が形成されたマスクを、その開口部が基板本体のへき開線に沿って延びるように転写する工程と、基板本体の表面に臭素系のエッチング液を用いてウエットエッチング処理を施すことによって、縦断面で略Ｖ字型を有するガイド溝を形成する工程と、ガイド溝に反応性ガスを用いてドライエッチング処理を施すことによって、底部の縦断面形状を略Ｖ字型に保持したままガイド溝の溝深さを深くする工程と、を含むものである。 （もっと読む）

【課題】水素流量の増加を最低限に抑え、効率的に水素プラズマを開口部に供給して開口部内のエッチング領域を変化させることができる半導体素子の作製方法を提供すること。
【解決手段】エッチングの進行が発現する水素の相対濃度を０．４程度とすると、マスク端での相対濃度が０．５、１．０、２．０それぞれに対して、開口部幅が１μｍのときは水素の相対濃度が０．４以上になるのでエッチングが生じる。開口部幅が１．５μｍのときはマスク端での相対濃度が１．０と２．０に対して水素の相対濃度が０．４以上になりエッチングが生じ、マスク端での相対濃度が０．５に対して水素の相対濃度が０．４未満になりエッチングが生じない。開口部幅が２μｍのときはマスク端での相対濃度が２．０に水素の相対濃度が０．４以上になりエッチングが生じ、マスク端での相対濃度が０．５、１．０に対して水素の相対濃度が０．４未満になりエッチングが生じない。 （もっと読む）

【課題】表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる半導体素子の作製方法すること。
【解決手段】開口部幅の異なる複数の開口部を有するマスクを半導体表面上に形成する。開口部幅が同じ開口部毎に、マスク端での水素プラズマ濃度が所定の濃度となる条件でエッチング（メタン／水素プラズマ照射）を行う。表面で凹凸を著しく増加させるようなエッチングとポリマーの生成が同時に起きるような水素プラズマ量の領域を避けるように、プラズマ条件（拡散距離または圧力）とマスク形状（開口部幅）を設定することにより、表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を加工することができる。 （もっと読む）

【課題】所望のパターンを有する第１のマスクと、所望のパターンの開口部に拡散されるエッチング種の量を制御するための第２のマスクとを用いて、深さが場所によって変化する前記所望のパターンを半導体表面に作製するための方法において、エッチングに寄与するエッチング種の供給に前記深さの変化に対応した分布を設ける。
【解決手段】第１のパターン１４１０を有する第１のマスク１４０２の上層に、第２のパターンを有する第２のマスク１４１１を積層する積層マスクを基板１４０１上に形成し、前記第２のマスク１４１１は、側壁に傾斜を有する開口部１４１１Ｂと、平坦部１４１１Ａと、からなり、かつ、上面視で幅広部１４１５Ａおよび１４１５Ｂを有するパターンとする。 （もっと読む）

【課題】コストの上昇を招くことなく、より安定した状態でＩｎＰの層がドライエッチング法によりエッチングできるようにする。
【解決手段】塩素ガスを用いたドライエッチング法によりマスクパターン１０６をマスクとして基板１０１を選択的にエッチングすることで、基板１０１にビアホール（開口パターン）１０７を形成する。例えば、温度条件を２００℃程度とし、塩素ガスを用いた反応性イオンエッチング法によりエッチングすればよい。 （もっと読む）