【課題】実効的な低配線間容量を維持しつつ、高密着性かつ高い配線間絶縁信頼性を有する多層配線技術を提供する。
【解決手段】第一の絶縁膜は、シリコン、酸素及び炭素を含むシロキサン構造を含む少なくとも１層以上の絶縁膜であり、第一の絶縁膜内部のシロキサン構造は炭素原子数がシリコン原子数よりも多く、第一の絶縁膜と金属との界面及び第一の絶縁膜と第二の絶縁膜との界面のうち少なくとも何れか一方に、第一の絶縁膜内部よりも単位体積当たりの炭素原子数が少なく、且つ酸素原子数が多い改質層が形成されていることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】半導体基板をエッチングする際、ハードマスクの肩落ちによるエッチング深さの基板面内での粗密差を低減する。
【解決手段】半導体基板１上に、絶縁層（１０，１１）とアッシング除去可能な材料層を形成する工程と、材料層をパターニングする工程と、パターニングされた材料層をマスクに、絶縁層を貫通し、少なくとも半導体基板の一部をエッチングする第１のエッチング工程と、材料層がなくなる前にエッチングを一旦停止し、残存する材料層（１２）をアッシング除去する工程と、絶縁層をマスクに半導体基板を所定の深さにエッチングする第２のエッチング工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】アモルファスカーボン膜などの酸化によりパターン精度が劣化する材料からなるハードマスク膜上に保護膜とマスク膜の積層膜を形成し、マスク膜をダブルパターニング技術を用いてパターニングすると、保護膜も２回のエッチングに曝されて、保護膜としての機能が損なわれ、パターニングに使用する有機膜除去のアッシングの際に、ハードマスク膜が酸化されてパターン精度が劣化し、忠実なパターン転写ができなくなる。
【解決手段】マスク膜６の２回目のエッチングの際に、パターニングに用いる有機膜（反射防止膜７ｂ、８ｂ）をマスク膜６表面は露出するが、保護膜５表面は露出しないようにエッチングし、マスク膜６のみを選択的にパターニングすることで、その後の残存する有機膜のアッシング除去に際して、ハードマスク膜４を酸化から保護する保護膜５の機能を確保でき、パターン転写の忠実性を確保できる。 （もっと読む）

【課題】ハーフピッチ６５ｎｍ以降のフォトリソグラフィ技術に用いられ、微小パターンの寸法精度に優れ、かつ寸法の面内分布の均一性が高いマスクパターンを有するマスクを安価に製造するフォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板と、この透明基板の一主面上に少なくとも遮光膜が形成されたフォトマスクブランクスを用い、前記遮光膜上に非感光性の有機基を有するシリコン系ポリマー層を塗布形成し、前記シリコン系ポリマー層は塩素系ガスによるドライエッチング耐性が大きく、前記透明基板が合成石英ガラスであり、前記遮光膜がクロムを主成分とし、前記シリコン系ポリマー層をフッ素系ガスによりドライエッチングし、前記遮光膜を塩素系ガスによりドライエッチングして遮光膜パターンを形成することを特徴とする。
【選択図】 図３
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【課題】高アスペクト比のコンタクトホールなどのパターンを形成することが可能となるドライエッチングガスを提供する。
【解決手段】二重結合に直接結合したCF₃CFフラグメントを持つ化合物（ただし、CF₃CF=CFCF=CF₂を除く）を含むドライエッチングガス。特に、ＣＦ_３ＣＦ＝ＣＦ_２及びＣＨ_２Ｆ_２を含むドライエッチングガスが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 モールドパターンに樹脂を充填できると共に、余剰の樹脂によって除去困難な厚さのバリが形成されることを防止できる回折格子作製方法を提供する。
【解決手段】 プライマ層６０上に樹脂Ｕを配置した後に、モールド１押し付ける。プライマ層６０は、モールド１よりも濡れ性が低い。モールドパターンＭＰの溝部Ｍａに樹脂Ｕが充填される。プライマ層６０は、第１の部分Ｐ１上に形成される。また、プライマ層６０は、第２の部分Ｐ２には形成されない。第２の部分Ｐ２上では絶縁膜３０が露出している。絶縁膜３０はプライマ層６０よりも濡れ性が高い。樹脂Ｕにモールド１を押し付けたときに、モールド１とプライマ層６０との間からはみだした余剰樹脂Ｕａが絶縁膜３０に広がる。余剰樹脂Ｕａが、突出部３の側面３ｂに沿って盛り上がらない。余剰樹脂Ｕａによって除去困難な厚さのバリが形成されない。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板に挟まれた接着層をエッチングする際に、シリコン基板の積層方向へエッチングを進みやすくすることのできるプラズマエッチング方法、及びプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】
接着層が、第１シリコン基板と第２シリコン基板とに挟まれた積層体３０を真空槽１１に搬入し、該積層体３０に対し、第１シリコン基板と接着層とを貫通して積層体３０の積層方向に延びる凹部を形成する。このとき、第１ガスのプラズマにより、上記積層方向に延びる凹部を第１シリコン基板の第１シリコン層に形成する工程と、第２ガスのプラズマにより、積層方向に延びる凹部を接着層に形成する第２エッチング工程とを実施する。加えて、第１シリコン層のエッチング工程と接着層のエッチング工程との間には、第１ガスと第２ガスとの混合ガスのプラズマにより、第１シリコン層と接着層との境界をエッチングする境界エッチング工程を実施する。 （もっと読む）

【課題】生産性が高く、回折格子の形状のばらつきを抑制することが可能な半導体光デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体光デバイスの製造方法は、回折格子層７、絶縁層９及びシリコン非含有樹脂層１１を形成する工程と、シリコン非含有樹脂層１１をパターニングする工程と、シリコン含有樹脂層１３を形成する工程と、シリコン含有樹脂層１３をエッチングする工程と、シリコン含有樹脂層１３等の温度をＳｉＦ_４の凝固点以下の温度に保ちながら、ＣＦ_４ガス及びＯ_２ガスを含むエッチングガスを用いた反応性イオンエッチング法によってシリコン非含有樹脂層１１をエッチングする工程と、シリコン非含有樹脂層１１をマスクとして絶縁層９をエッチングする工程と、絶縁層９をマスクとして回折格子層７をエッチングして回折格子層７に回折格子７ｇを形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ビア深さのバラツキを抑制することができる半導体装置の構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板上に、ＳｉおよびＣを含むキャップ絶縁膜を形成する工程と、キャップ絶縁膜上に、キャップ絶縁膜と比較して、シリコン原子数に対する炭素原子数の組成比が高い、有機シリカ膜を形成する工程と、不活性ガス、Ｎを含むガス、フッ化炭素ガスおよび酸化剤ガスを含む混合ガスを用いたプラズマ処理により、有機シリカ膜に、異なる開口径を有する２以上の凹部を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】サイドウォールスペーサを利用してリソグラフィー解像限界未満のパターンと任意の寸法のパターンとが混在するパターンを形成する。
【解決手段】アモルファスカーボン膜３及びシリコン酸窒化膜４からなる被エッチング部材上に塗布膜５をスピン塗布法により成膜し、塗布膜５をパターニングすることによってサイドウォールコアを形成し、サイドウォールコアの少なくとも側面を覆うシリコン酸化膜７を成膜し、シリコン酸化膜７上に有機反射防止膜８をスピン塗布法により成膜する。次いで、有機反射防止膜８をエッチングすることによって、シリコン酸化膜７の凹部７ａを覆う埋込マスクを形成し、シリコン酸化膜７をエッチングすることにより、サイドウォールコアまたは埋込マスクと重ならない被エッチング部材を露出させ、被エッチング部材をエッチングすることでフォトリソグラフィー解像限界未満のパターンを得る。 （もっと読む）

【課題】配線構造を形成する際に、ウェハ面内の配線溝の深さのばらつきを抑え、均一加工を実現する。
【解決手段】高炭素濃度絶縁膜１１４と、炭素を含まないまたは炭素濃度が低い低炭素濃度絶縁膜１１６との積層構造にドライエッチングで配線溝を形成する際、ＣＨＦ系ガスを添加した第１のエッチングガスを用いた第１のエッチング条件で低炭素濃度絶縁膜１１６に配線溝を形成し、当該配線溝底部に高炭素濃度絶縁膜１１４を露出させる。第１のエッチング条件の第１のエッチングガス中のＣＨＦ系ガスの分圧は、第１のエッチングガスに当該ＣＨＦ系ガスを添加していない場合の各膜へのエッチングレートを基準として、当該ＣＨＦ系ガスを添加することにより、高炭素濃度絶縁膜１１４に対するエッチングレートが低下するとともに、低炭素濃度絶縁膜１１６に対するエッチングレートを変化させない範囲に設定されている。 （もっと読む）

【課題】開孔径が均一で開孔径の制御が容易な、微細化に適した開孔パターンを有するマスクを製造する。
【解決手段】第１及び第２のマスク層内に開孔を設ける。この後、第１のマスク層内の開孔の径よりも第２のマスク層内の開孔の径を、Ｘの量だけ大きくする。この後、第２のマスク層内の開孔内にマスク材料を形成することによって第２のマスク層内の開孔内に、Ｘの径の空洞部を形成する。この空洞部を開孔として有する第２のマスク層及びマスク材料を、マスクとして形成する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率層間絶縁膜と多層配線とを備える半導体装置において、低誘電率層間絶縁膜の表面が雰囲気に露出して吸湿するのを防止し、また、金属配線の界面及び低誘電率層間絶縁膜がコンタクトホール内に露出してオーバーエッチングされるのを防止することを目的とする。
【解決手段】水分の透過を防止しつつエッチングストッパとしても機能するエッチング防止膜１４を低誘電率層間絶縁膜３の表面に形成し、更に、水分の透過を防止しつつエッチングストッパとしても機能するエッチング防止膜６を形成して、吸湿防止効果を有するエッチング防止膜を二重にする。 （もっと読む）

シルセスキオキサン樹脂をパターン形成フォトレジストの上に塗布し、硬化して、パターン表面の上に硬化シルセスキオキサン樹脂を生成する。その後、ＣＦ_４を含有する反応性イオンエッチングレシピを用い、シリコン樹脂をフォトレジスト材料の上面まで「エッチングバック」し、有機系フォトレジストの上面全体を露出する。その後、Ｏ_２を含有する第２反応性イオンエッチングレシピを用い、有機フォトレジストをエッチング除去する。結果、フォトレジスト中にパターン形成したポストのサイズ及び形状のビアホールを有するシリコン樹脂膜が得られる。任意で、新規パターンを下層へ転写することができる。
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シルセスキオキサン樹脂をパターン形成フォトレジストの上に塗布し、硬化して、パターン表面上に硬化シルセスキオキサン樹脂を生成する。次に未硬化シルセスキオキサン樹脂を除去し、パターン表面上に硬化シルセスキオキサン樹脂を残す。水平表面上の硬化シルセスキオキサン樹脂を除去し、下にあるフォトレジストを露光する。このフォトレジストを除去し、硬化シルセスキオキサンのパターンを残す。任意で、新規パターンを下層へ転写することができる。
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【課題】配線絶縁膜としてＳｉＯＣＨ膜を用いる場合に、ビアホールの開口径に依らず、その加工制御性を十分に得て、下層Ｃｕ配線の表面の組成のバラツキを十分に抑制する。
【解決手段】下層Ｃｕ配線３上に形成されている積層構造２０は、シリコンと炭素を含有するキャップ絶縁膜４と、キャップ絶縁膜４上に形成されている配線絶縁膜５としてのＳｉＯＣＨ膜を有する。積層構造２０にビアホール８、９を形成する工程は、第１及び第２ドライエッチングを組み合わせて行う。第１ドライエッチングでは開口径が小さいビアホール９のエッチングレートが、開口径が大きいビアホール８のエッチングレートよりも大きくなるようにＯ_２濃度が設定された第１混合ガスを用いる。第２ドライエッチングではビアホール８のエッチングレートがビアホール９のエッチングレートよりも大きくなるようにＯ_２濃度が設定された第２混合ガスを用いる。 （もっと読む）

【課題】保存安定性に優れ、レジスト膜との密着性に優れるシリコン含有膜を形成でき、裾引き等のないボトム形状に優れるレジストパターンを安定して形成できるシリコン含有膜形成用組成物等を提供する。
【解決手段】テトラアルコキシシランの構造単位（ａ１）、式（１）の構造単位（ａ２）、及び式（２）の構造単位（ａ３）を含むポリシロキサンと有機溶媒を含有する組成物。
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【課題】製造過程の絶縁膜の剥離や飛散を抑制して半導体装置を歩留まり良く製造する。
【解決手段】ウェーハの上方に下地となる第１絶縁膜を介して第２絶縁膜を形成し（ステップＳ１，Ｓ２）、熱処理を行った後（ステップＳ３，Ｓ４）、その熱処理後の第２絶縁膜の一部を選択的に除去する（ステップＳ５）。熱処理の間、第１絶縁膜を第２絶縁膜で覆い、熱処理時の第１絶縁膜の剥離及び飛散を抑制する。 （もっと読む）

【課題】ＣＯ₂プラズマに晒された低誘電率絶縁膜のダメージを回復させて、低誘電率絶縁膜を良好な状態にすることができ、半導体装置における性能の向上と信頼性の向上を図ることのできる半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】基板に形成された低誘電率絶縁膜をエッチングするエッチング処理工程と、当該エッチング処理工程の後に基板をＣＯ₂プラズマに晒すＣＯ₂プラズマ処理工程と、ＣＯ₂プラズマ処理工程の後に、低誘電率絶縁膜に紫外線を照射する紫外線処理工程とを有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】低誘電率絶縁膜に形成される酸化層を薄膜化する技術を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板上方に層間絶縁膜を形成する工程と、第１のエッチング工程及び第２のエッチング工程により層間絶縁膜にビアホールを形成する工程と、を備え、第２のエッチング工程は、層間絶縁膜のビアホールが形成される部分の側壁を平滑化するエッチング条件で実行される。 （もっと読む）