【課題】シュリンク技術を利用して、コンタクトホールとして利用できる複数の凹部を１回のレジストマスク工程で異なる深さ寸法に形成することのできるコンタクトホールの形成方法、および電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】電気光学装置の素子基板１０上にコンタクトホールを形成するにあたって、まず、第１開口部１７ａおよび第２開口部１７ｂを備えたレジストマスク１７を層間絶縁膜４２の表面に形成した後、第１開口部１７ａおよび第２開口部１７ｂから層間絶縁膜４２および絶縁膜４９をエッチングする。その後、シュリンク工程において、レジストマスク１７を変形させて第２開口部１７ｂを塞ぐ一方、第１開口部１７ａの開口面積を狭める。次に、第１開口部１７ａから層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させることができる技術を提供する。特に、ゲート電極をメタル材料で構成する電界効果トランジスタを有する半導体装置において、安定した動作特性を得ることのできる技術を提供する。
【解決手段】レジストパターン１２をマスクとしたドライエッチングにより、ゲート電極１３ｎまたはゲート電極１３ｐを形成した後、酸素および水素を含むプラズマ雰囲気中においてアッシング処理を施すことにより、レジストパターン１２を除去し、ゲート電極１３ｎまたはゲート電極１３ｐの側面に付着した反応生成物１４を酸化する。その後、洗浄処理を施して、反応生成物１４を除去する。 （もっと読む）

【課題】高電子移動度トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）及びその製造方法に係り、該高電子移動度トランジスタは、基板と、基板から離隔された位置に備わった高電子移動度トランジスタ積層物と、基板と高電子移動度トランジスタ積層物との間に位置した疑似絶縁層と、を含み、該疑似絶縁層は、異なる相の少なくとも２つの物質を含む。前記異なる相の少なくとも２つの物質は、固体物質と非固体物質とを含む。前記固体物質は、半導体物質であり、前記非固体物質は、空気である。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体積層構造上の絶縁膜に所期の微細な開口を形成するも、リーク電流を抑止した信頼性の高い高耐圧の化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】化合物半導体積層構造２上にパッシベーション膜６を形成し、パッシベーション膜６の電極形成予定位置をドライエッチングにより薄化し、パッシベーション膜６の薄化された部位６ａをウェットエッチングにより貫通して開口６ｂを形成し、この開口６ｂを電極材料で埋め込むように、パッシベーション膜６上にゲート電極７を形成する。 （もっと読む）

【課題】電荷移動機構を使用して、小構造物に対して材料を局所的に付着させまたは材料を局所的に除去する。
【解決手段】加工物全体を浴に浸す必要なしに局所的な電気化学電池が形成される。この電荷移動機構を、荷電粒子ビーム２３１またはレーザ・システムとともに使用して、集積回路、マイクロエレクトロメカニカル・システムなどの小構造物２２０を改変することができる。この電荷移動プロセスは、空気中で、または実施形態によっては真空チャンバ２０４内で実行することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、Cu及びlow-k膜にダメージを与えずに、従来のポリマー剥離液で解決し得なかったわずかな亀裂状のCu腐食の抑制が可能なドライプロセス後の残渣除去液を提供し、これを用いた半導体デバイスの製造方法を確立する。
【解決手段】ドライエッチング及び／又はアッシング後の半導体基板に存在する残渣の除去液であって、フッ素化合物を含まず、銅に配位し得る２以上の酸素原子を有する中性有機化合物及び／又はＣ４以上のモノアルコールのうち少なくとも１種と、水とを含むことを特徴とする残渣除去液、或いは、過塩素酸塩と水とを含むことを特徴とする残渣除去液に関する。 （もっと読む）

【課題】貫通孔の側壁を平坦に加工することのできる液体吐出装置の流路板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る液体吐出装置の流路板の製造方法は、面方位が｛１１０｝であるシリコン基板の一方の面と他方の面とを貫通する貫通孔と、前記一方の面側に形成され前記貫通孔と接続する流路と、を備えた液体吐出装置の流路板の製造方法であって、前記シリコン基板の前記一方の面上に第１マスクを形成し、前記第１マスク上に第２マスクを形成するマスク形成工程と、前記第２マスクを介して少なくとも一部にドライエッチングを含むエッチングを行い、前記貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記第２マスクを除去した後、前記第１マスクを介して前記貫通孔に対して結晶異方性エッチングを行い、前記貫通孔の側壁面を、前記シリコン基板の面方位｛１１１｝の面で構成するように前記貫通孔の側壁を加工する側壁加工工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本願発明者らが、プラズマ処理等による半導体ウエハのチャージアップの影響を検討したところによると、半導体ウエハ等にドライエッチング等を施すと、通常、その結果として、半導体ウエハは、主に電気的に正側に偏った不均一な帯電状態となることが明らかとなった。これは、ドライエッチング等によって、正の可動イオン等がウエハの表面やその近傍に残存し、不均一に分布していることを示すものであり、個々の半導体チップとされた後も残存して、動作に悪影響を及ぼす恐れがある。
【解決手段】本願発明は、通常、ポリマー除去液等を使用する必要のないメタル膜加工工程に於いて、加工用レジスト膜の除去後、ポリマー除去液類似の導電性処理液との摩擦により、ウエハ全体を負に帯電させるものである。 （もっと読む）

【課題】耐圧特性を十分に維持しながら放熱特性を向上させることが可能な埋め込みヘテロ構造半導体レーザの製造方法等を提供する。
【解決手段】埋め込みヘテロ構造半導体レーザの製造方法は、半導体基板１上に半導体積層９とマスク層１１を形成する工程と、マスク層１１を用いて半導体構造物１０をエッチングすることにより、第１方向に沿って延びる半導体メサ１５であって、第１方向と直交する第２方向において被エッチング領域１７と隣接する半導体メサ１５を形成する工程と、マスク層１１を半導体メサ１５上に残した状態で、被エッチング領域１７の第１領域１７Ａ１のみに埋め込み層１９Ａを形成する工程と、上部電極２５を形成する工程と、を備える。上部電極２５は、半導体メサ１５の上面１５Ｔから被エッチング領域１７の第２領域１７Ａ２に亘って形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】過剰なエッチングを抑制するとともに半導体表面の突起物を除去する半導体光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体光素子の製造方法は、エッチストップ層１３及び複数の半導体層を含み、半導体光素子のための半導体積層１０を半導体基板１１の主面１１ａにエピタキシャル成長させる半導体積層成長工程と、半導体積層１０の最表面から突出する突起物の先端部が露出するように、最表面にマスク層を形成するマスク層形成工程と、マスク層を用いて、ウェットエッチングにより突起物をエッチングするウェットエッチング工程と、ウェットエッチングの後に、ドライエッチングにより突起物を除去するドライエッチング工程と、突起物を除去した後に、最表面からマスク層を除去するマスク層除去工程と、マスク層を除去した後に、半導体積層１０に半導体光素子のための加工を行う加工工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】Ｔｉ等の特定の金属材料からなる層を優先的に溶解する選択的なウエットエッチングを可能とし、しかもエッチング・アッシング等により生じる残渣をも効果的に洗浄除去することができるエッチング方法及びこれに用いるエッチング液、これを用いた半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｖ、Ａｌ、及びＧｅの少なくとも１種を含む金属材料層と、ＳｉＣ、ＳｉＯＣ、及びＳｉＯＮの少なくとも１種を含むケイ素化合物層とを有する半導体基板にエッチング液を適用し、前記金属材料層を選択的に溶解するエッチング方法であって、前記エッチング液として、フッ素化合物と、炭素数が８以上の疎水性基と１つ以上の親水性基とを有する特定有機化合物とを含み、ｐＨを３〜７に調整したものを使用するエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】 電流コラプスを抑制するとともに、高耐圧動作が可能な化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＳｉＣ基板１０上に形成されたｉ−ＧａＮバッファ層１２と、ｉ−ＧａＮバッファ層１２上に形成されたｎ−ＡｌＧａＮ電子供給層１６と、ｎ−ＡｌＧａＮ電子供給層１６上に形成されたｎ−ＧａＮキャップ層１８と、ｎ−ＧａＮキャップ層１８上に形成されたソース電極２０及ドレイン電極２２と、ソース電極２０とドレイン電極２２との間のｎ−ＧａＮキャップ層１８上に形成されたゲート電極２６と、ソース電極２０とドレイン電極２２との間のｎ−ＧａＮキャップ層１８上に形成された第１の保護層２４と、ゲート電極２６とドレイン電極２２との間の第１の保護層２４に形成されたｎ−ＧａＮキャップ層１８に達する開口部２８に埋め込まれ、第１の保護層２４とは異なる絶縁層よりなる第２の保護層３０とを有する。 （もっと読む）

【課題】リッジ部を形成するためのエッチングの際にＧａＡｓキャップ層の側壁にサイドエッチングが進行することを防止できる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、半導体基板２上にｎクラッド層３と、活性層４と、第１ｐクラッド層５と、エッチングストップ層６と、第２ｐクラッド層７と、キャップ層９とを順次積層して形成する工程と、キャップ層９の一部を除去した開口部１０ＡにＺｎＯ層１１を形成して窓領域を形成する工程と、開口部１０Ａからキャップ層９上にかけてストライプ状の絶縁膜マスクパターン１６を形成し、絶縁膜マスクパターン１６から露出したキャップ層９をエッチング除去する工程と、絶縁膜マスクパターン１６から露出しているキャップ層９の側壁を酸化する工程と、エッチングストップ層６に達するまでエッチングを行ってリッジを形成する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】精密なテクスチャを有するテクスチャ形成面を有するシリコン基板を提供することを目的とする。
【解決手段】テクスチャ形成面を有するシリコン基板において、前記テクスチャ形成面には、複数の第一の凹凸と、前記第一の凹凸のそれぞれに形成された複数の第二の凹凸とが形成されており、前記第一の凹凸の頂点同士の間隔は３〜２０μｍであるシリコン基板を提供する。このようなシリコン基板は、好ましくは、前記シリコン基板の表面に複数の第一の凹凸を形成し；前記複数の第一の凹凸を形成されたシリコン基板の表面にエッチングガスを吹き付けて、前記第一の凹凸のそれぞれに、複数の第二の凹凸を形成して製造される。ここで、前記エッチングガスには、ＣｌＦ_３，ＸｅＦ_２，ＢｒＦ_３，ＢｒＦ_５およびＮＦ_３からなる群から選ばれる一以上のガスが含まれる。 （もっと読む）

【課題】 モールドパターンに樹脂を充填できると共に、余剰の樹脂によって除去困難な厚さのバリが形成されることを防止できる回折格子作製方法を提供する。
【解決手段】 プライマ層６０上に樹脂Ｕを配置した後に、モールド１押し付ける。プライマ層６０は、モールド１よりも濡れ性が低い。モールドパターンＭＰの溝部Ｍａに樹脂Ｕが充填される。プライマ層６０は、第１の部分Ｐ１上に形成される。また、プライマ層６０は、第２の部分Ｐ２には形成されない。第２の部分Ｐ２上では絶縁膜３０が露出している。絶縁膜３０はプライマ層６０よりも濡れ性が高い。樹脂Ｕにモールド１を押し付けたときに、モールド１とプライマ層６０との間からはみだした余剰樹脂Ｕａが絶縁膜３０に広がる。余剰樹脂Ｕａが、突出部３の側面３ｂに沿って盛り上がらない。余剰樹脂Ｕａによって除去困難な厚さのバリが形成されない。 （もっと読む）

【課題】良好な側壁形状の開口を有する半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１０１上に形成された誘電体膜１０２の一部を誘電体膜１０２の表面から所定の深さまでエッチングする第１のエッチング工程と、第１のエッチング工程により誘電体膜１０２がエッチングされた第１のエッチング領域１１において誘電体膜１０２をエッチングしてＧａＡｓ基板１０１の表面を露出し、かつ、第１のエッチング領域１１を包含する第２のエッチング領域１２において第１のエッチング領域１１以外の領域に配置された誘電体膜１０２を所定の膜厚までエッチングする第２のエッチング工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ブロック共重合体を用いて簡便にパターンを形成することが可能なパターン形成方法、及びパターン形成装置を提供する。
【解決手段】少なくとも２種類のポリマーを含むブロック共重合体の膜を基板に形成するステップと、前記ブロック共重合体の膜を加熱するステップと、加熱された前記ブロック共重合体の膜に紫外光を照射するステップと、紫外光の照射を経た前記ブロック共重合体の膜に現像液を供給するステップとを含むパターン形成方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】ヒートシンクに生じる不具合を低減すること。
【解決手段】半導体装置は、第１面及び第２面を有し、第１面と第２面とを貫通するバイアホールを有する半導体基板と、第１面上に、バイアホールの開口と少なくとも部分的に重複するように形成された配線又は電極と、第２面上に形成され、バイアホールの開口と少なくとも部分的に重複する開口を有する応力緩衝層と、応力緩衝層上からバイアホールの内壁面に沿って延在し、配線又は電極と電気的に接続されたヒートシンクと、を備える。バイアホールの第２面における開口の大きさは、第１面における開口の大きさよりも大きい。応力緩衝層の熱膨張係数は、ヒートシンクの熱膨張係数未満である。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンサイズを必要以上に変動させることなく、レジストパターンのＬＷＲを改善できるレジストパターン改善化材料、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】下記一般式（１）で表される化合物、及び下記一般式（２）で表される化合物の少なくともいずれかと、水とを少なくとも含有するレジストパターン改善化材料である。
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【課題】間便に所望の形状のパターンを得ることのできる多層薄膜パターン及び表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に層間絶縁膜１を形成する工程と、層間絶縁膜１上に導電性を有する第１の薄膜２を形成する工程と、第１の薄膜２上に第２の薄膜３を形成する工程と、第２の薄膜３上に、複数階調露光によって膜厚差を有するレジストパターン５を形成する工程と、膜厚差を有するレジストパターン５を介して、第２の薄膜３及び第１の薄膜２をエッチングして、レジストパターンの存在しない領域の層間絶縁膜１を露出させる工程と、膜厚差を有するレジストパターン５をアッシングして、レジストパターンの薄膜部５ｂを除去する工程と、薄膜部５ｂが除去されたレジストパターン５ｃを介して、第２の薄膜３をエッチングする工程と、を順次実施する。 （もっと読む）