【課題】キャパシタの金属酸化物層の側面に酸化アルミニウム膜を残しつつ、酸化アルミニウム膜の一部を容易に除去すること。
【解決手段】半導体基板上に下部Ｐｔ電極３１、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ₃ 膜３２、上部Ｐｔ電極３３を積層する。上部Ｐｔ電極３３上にハードマスク層３４を形成し、上部Ｐｔ電極３３及びＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ₃ 膜３２をパターニングする。下部Ｐｔ電極３１をパターニングする。Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ₃ 膜３２、及び上部Ｐｔ電極３３の積層構造の側面及び上面に酸化アルミニウム膜３５を形成する。反応ガスに高周波を印加することによって生成されたプラズマにより、前記酸化アルミニウム膜を異方性エッチングする。前記エッチング時、プラズマの発光強度又は前記高周波のインピーダンスを測定する。測定された発光強度又はインピーダンスに応じて、前記エッチングを停止する。 （もっと読む）

【課題】エッチングレイヤ中にフィーチャを形成する方法を提供する。
【解決手段】エッチングレイヤ上に第１マスクが形成され、第１マスクは幅を持つ複数のスペースを規定する。第１マスク上に側壁レイヤが形成され、側壁レイヤは、第１マスクによって規定されるスペースの幅を低減する。側壁レイヤを通してエッチングレイヤにフィーチャがエッチングされ、フィーチャは、第１マスクによって規定されるスペースの幅よりも小さい幅を有する。マスクおよび側壁レイヤが除去される。エッチングレイヤ上に追加マスクが形成され、追加マスクは幅を持つ複数のスペースを規定する。追加マスク上に側壁レイヤが形成され、側壁レイヤは、追加マスクによって規定されるスペースの幅を低減する。側壁レイヤを通してエッチングレイヤにフィーチャがエッチングされ、フィーチャは、追加マスクによって規定されるスペースの幅よりも小さい幅を有する。マスクおよび側壁レイヤが除去される。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】第一の限界寸法を有すると共に側壁を備えたエッチマスク特徴部を有するエッチマスクをエッチ層上に有するエッチスタック内で、エッチ層に特徴部を形成する方法を提供する。第一の限界寸法未満の第二の限界寸法を有する堆積層特徴部を形成するために、周期的限界寸法低減を実行する。各周期は、エッチマスク特徴部の、垂直な側壁を含む露出面に、堆積層を堆積させるための堆積段階、及び垂直な側壁上に選択的堆積を残して堆積層をエッチバックするためのエッチング段階を含む。第一の限界寸法未満の第三の限界寸法を有するエッチ層特徴部がエッチ層内にエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】 デポジッション工程とエッチング工程とを交互に繰り返すことで被加工基材をエッチングする場合、各工程を安定して実行でき、被加工基材を正確に加工できるプラズマエッチング法を提供する。
【解決手段】 このプラズマエッチング法は、デポジッションガスによるデポジッション工程Ｓ０９とエッチングガスによるエッチング工程Ｓ１１とを交互に繰り返すことで被加工基材をエッチングするものであり、プロセスガスを切り替える際に一旦そのプロセスガスを排気する排気工程Ｓ１０，Ｓ１３を設けた排気工程を介在させた。 （もっと読む）

周辺回路１００のアレイ１０２及び周辺１０４の異なるサイズのフィーチャーが１つのステップで基板１１０上にパターン化される。特に、独立に形成された２つのパターン１７７、２３０を組合せた混合パターンが、一つのマスク層１６０上に形成され、次に、下の基板（１１０）に転写される。独立に形成されたパターンのうち第1パターン１７７はピッチ増倍によって形成され、独立に形成されたパターンのうち第２パターン２３０は従来のフォトリソグラフィによって形成される。第1パターン１７７は、第２パターン２３０の形成に使用されたフォトリソグラフィ法の解像度以下のフィーチャー１７５を含む。これらのラインは、フォトレジスト上にパターンを形成し、そしてそのパターンを非晶質炭素層にエッチングすることによって製作される。非晶質炭素のエッチングされていない部分の幅より小さい幅を有する側壁スペーサー１７５は、前記非晶質炭素の側壁上に形成される。その後、非晶質炭素は除去されて、側壁スペーサー１７５を残してマスクパターン１７７を形成する。従って、スペーサー１７５は、フォトレジスト上にパターンを形成するために使用されたフォトリソグラフィ方法の解像度より小さいフィーチャーサイズを有するマスク１７７を形成する。保護物質２００がスペーサー１７５のまわりに形成される。スペーサーは１７５さらに、ハードマスク２１０を用いることにより保護され、そして次にフォトレジスト２２０がハードマスク２１０上に形成されパターン化される。フォトレジストパターン２３０はハードマスク（２１０）を通じて保護物質２００に転写される。その後、スペーサー１７５及び保護物質２００によって作成されたパターン１７７、２３０の組合せは、下の非晶質炭素ハードマスク層１６０に転写される。その後、異なるサイズのフィーチャーを有する組合せパターンは下の基板１１０に転写される。
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