【課題】微細なラインアンドスペースパターンを含むパターンを精度良く形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、被加工膜（被加工材）１上に芯材４を形成する工程と、芯材４の上面および側面を覆うように第２の膜（被覆膜）５を形成する工程と、第２の膜５を形成した後、芯材４を除去する工程と、芯材４を除去した後、第２の膜５を芯材４の側面に位置していた部分を残して除去し、側壁スペーサーマスク７に加工する工程と、側壁スペーサーマスク７をマスクとして用いて、被加工膜１をエッチング加工する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】基板の凹凸を維持しながら、堆積技術よりも低コスト、かつ、高スループットでコンフォーマルな膜を成膜し、パターンを形成するパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】凹凸を有した下地層上に、この下地層の凹凸に沿って触媒膜３を成膜する工程と、触媒膜３上に、流動性材料を塗布して塗布膜４を成膜する工程と、塗布膜４を触媒膜３に沿って反応させ、塗布膜４内に、溶剤に対して不溶な不溶化層５を形成する工程と、溶剤を用いて塗布膜４の未反応部分を除去し、不溶化層５を残す工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】基板上の膜にプラズマエッチングにより平行なライン状のパターンを形成するエッチング方法において、前記パターンの微細化を図ること。
【解決手段】基板上のラインと溝とからなるパターンが形成されたレジストマスクに対して、薄膜の成膜、当該薄膜の異方性エッチングによるラインの両側壁への堆積物の形成、ラインの除去及び堆積物をマスクとした堆積物の下方膜のエッチングからなるダブルパターン形成工程を行って当該下方膜にラインと溝とからなるパターンを形成し、次いで堆積物を除去して更に上記ダブルパターン形成工程を行う。この時、当初のラインの幅と溝の開口幅との比を３：５に設定し、また溝に対応する薄膜の開口幅と、ラインの側壁を覆うように成膜された傾斜部分の幅と、の比がダブルパターン形成工程の１回目においては３：１、２回目においては１：１となるように薄膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】第１及び第２のエッチングマスクパターンを用いて微細パターンを形成する半導体素子のパターン形成方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上にエッチング対象層を形成する段階と、前記エッチング対象層上に第１のエッチングマスクパターン１０５を形成する段階と、前記第１のエッチングマスクパターン１０５の下部側壁よりも上部側壁でさらに厚い補助膜を前記エッチング対象層を含む前記第１のエッチングマスクパターン１０５の表面に形成する段階と、前記補助膜の凹部に第２のエッチングマスクパターン１０７を形成する段階と、前記第１及び第２のエッチングマスクパターン間の前記補助膜を除去する段階、及び前記第１及び第２のエッチングマスクパターン１０５，１０７をエッチングマスクとして用いて前記エッチング対象層１０１をパターニングする段階を含む構成。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの性能向上を図ってスペーサを形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、ゲートを覆って、半導体基板上に、高誘電体材料を含むバリア絶縁膜を形成する工程と、バリア絶縁膜上に、スペーサ絶縁膜を形成する工程と、スペーサ絶縁膜を、異方性エッチングして、ゲートの側壁上にスペーサを残して除去する工程と、露出したバリア絶縁膜を除去する工程と、ゲート及びスペーサをマスクとして、半導体基板に不純物を注入し、エクステンションを形成する工程と、さらにサイドウォールを形成し、ゲート、スペーサ、及びサイドウォールをマスクとして、ソース／ドレイン領域を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】パッド用パターンのプロファイル及びCD均一度を向上させるための半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る半導体素子の製造方法は、被エッチング層上に第1マスクパターンを形成する段階、被エッチング層上に第2マスクパターンを形成する段階、第1マスクパターン及び第2マスクパターンの側壁にスペーサを形成する段階、及び第2マスクパターンが除去されたエッチングマスクを基準に前記被エッチング層をエッチングする段階を含む。 （もっと読む）

【課題】露光装備の最大解像度より微細なパターンを形成すること。
【解決手段】半導体基板上に第１のエッチングマスクパターンを形成する段階と、上記第１のエッチングマスクパターンに対応する段差を維持し得る厚さで第１のエッチングマスクを含む上記半導体基板上に補助膜を形成する段階と、上記第１のエッチングマスクパターンの側壁に形成された上記補助膜の間の空間に第２のエッチングマスクパターンを形成する段階と、上記第１のエッチングマスクパターン上に形成された上記補助膜を除去して両端の下部が互いに連結されて上記両端が上部に突出した第１の補助膜パターンを形成する段階と、上記第１のエッチングマスクパターン及び上記第２のエッチングマスクパターンを除去する段階及び上記第１の補助膜パターンの上記両端が隔離されるように上記両端間をエッチングして第２の補助膜パターンを形成する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストパターンの側壁にスペーサ膜を形成し、スペーサをエッチングマスクとして用いて微細金属パターンを形成すると同時に、金属配線の断線部分は前記フォトレジストパターン間の間隔を狭めて前記スペーサが接し合うようにし、微細金属パターンが形成されることを防止する半導体素子の金属配線方法の提供。
【解決手段】半導体基板上に絶縁膜を形成する段階と、前記絶縁膜を含んだ全体構造上に複数（多数）の平行なフォトレジストパターンを形成する段階と、前記フォトレジストパターンの側壁にスペーサを形成する段階と、前記フォトレジストパターンを除去して前記絶縁膜を露出させる段階と、前記露出する絶縁膜をエッチングしてダマシンパターンを形成する段階と、前記スペーサを除去する段階と、前記ダマシンパターンを含んだ全体構造上に金属物質を形成した後、平坦化して金属配線を形成する段階とを含む、半導体素子の金属配線形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて工程の簡略化と製造コストの低減を図ることができ、生産性の向上を図ることのできる半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、制御プログラム及びプログラム記憶媒体を提供する。
【解決手段】フォトレジスト１０３のパターンの上にＳｉＯ₂膜１０４を成膜する成膜工程と、ＳｉＯ₂膜１０４をフォトレジスト１０３のパターンの側壁部にのみ残るようにエッチングするエッチング工程と、フォトレジスト１０３のパターンを除去してＳｉＯ₂膜１０４のパターンを形成する工程とを具備している。 （もっと読む）

【課題】ホールパターンの疎密に依存することなく解像限界以下のホールパターンを形成する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板１０１上に形成した加工対象層１０２に微細なホールパターン５５を形成するホールパターンの形成方法であって、前記加工対象層１０２上に、カーボン膜層１０３、中間マスク層１０４、フォトレジスト層１０５を順次積層して３層構造体を形成する３層構造体形成工程と、前記中間マスク層１０４にホールパターン５０をパターニングする中間マスク層パターニング工程と、サイドウォール用酸化膜形成工程と、前記サイドウォール用酸化膜１０６からなるサイドウォール部１１６を形成するサイドウォール部形成工程と、前記加工対象層１０２に前記微細なホールパターン５５をパターニングする加工対象層パターニング工程とを有することを特徴とするホールパターンの形成方法を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】簡易な製造工程で、ライン幅およびスペース幅をシュリンクした複数のパターンを形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ａ−Ｓｉ膜３の側壁部のみを残して、その上にＳｉＯ_２膜４を形成し、さらに側壁部の側面以外で基板上に形成されたＳｉＯ_２膜４を除去した後に、基板全面にａ−Ｓｉ膜５を形成し平坦化する。ａ−Ｓｉ膜３、５とＳｉＯ_２膜４の一方を除去して、この後１／３ピッチのラインアンドスペースを形成する。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて工程の簡略化と製造コストの低減を図ることができ、生産性の向上を図ることのできる半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、制御プログラム及びプログラム記憶媒体を提供する。
【解決手段】有機膜１０２のパターンの上にＳｉＯ₂膜１０５を成膜する成膜工程と、ＳｉＯ₂膜１０５を有機膜１０２のパターンの側壁部にのみ残るようにエッチングするエッチング工程と、有機膜１０２のパターンを除去してＳｉＯ₂膜１０５のパターンを形成する工程とを具備している。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の微細パターン形成方法に関し、露光装備の解像度の限界を克服するため二重パターニング(Double Patterning)工程を行うことにおいて、第1マスク工程と第2マスク工程を整列する工程が容易でなく不良が発生する。
【解決手段】半導体基板４００上部にハードマスク層４１０及びエッチング静止膜４２０を形成する段階と、前記エッチング静止膜上部に犠牲酸化膜パターンを形成する段階と、前記犠牲酸化膜パターンの側壁にスペーサを形成する段階と、前記犠牲酸化膜パターンを除去する段階と、前記スペーサをマスクに前記エッチング静止膜及び前記ハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成する段階とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】２回のマスク工程によるライン線幅の臨界寸法の不均一性を改善させることができる半導体素子の微細パターン形成方法の提供。
【解決手段】被エッチング層２０１上に第１エッチング阻止膜２０２を形成し、阻止膜上に第２エッチング阻止膜２０３を形成し、阻止膜上に第１犠牲膜を形成し、第１犠牲膜を選択的にエッチングして、第１犠牲パターンを形成し、第１犠牲パターンを含む阻止膜の上面に沿って第２犠牲膜２０９を形成し、第１犠牲パターンが露出するように、第２犠牲膜と、阻止膜とをエッチングし、第１犠牲パターンを除去し、第２犠牲膜と、阻止膜とをエッチングして、第２犠牲パターンを形成する。第２犠牲パターンをエッチングバリア層として、第１エッチング阻止膜をエッチングし、第２犠牲パターンと、第１エッチング阻止膜とをエッチングバリア層として、被エッチング層をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】微細なパターンを形成することが可能な半導体素子の微細パターン形成方法を提供する。
【解決手段】第１補助パターン１０８をマスクとして下部反射防止膜をエッチングして下部反射防止膜パターン１０６ａを形成し、前記下部反射防止膜パターンと前記第１補助パターン１０８の表面に絶縁膜１１０を形成し、下部のハードマスク膜１０４と絶縁膜１１０上に第２補助膜を形成し、前記第２補助膜が前記下部反射防止膜パターン１０６ａ間の前記ハードマスク膜１０４上に残留して第２補助パターン１１２ａとなるようにエッチングし、前記第１補助パターン１０８の上部、および前記絶縁膜１１０を除去し、前記ハードマスク膜１０４をエッチングしてハードマスクパターンを形成し、前記ハードマスクパターンをエッチングマスクとしてエッチング対象膜１０２をエッチングする半導体素子の微細パターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】アスペクト比が高い素子分離用溝に素子分離絶縁膜を確実に充填した状態で埋め込み形成する。
【解決手段】シリコン基板１にシリコン酸化膜５、多結晶シリコン膜６およびハードマスク材としてのシリコン窒化膜７を積層形成する。フォトリソグラフィ処理でレジストでマスクを形成し、ＲＩＥによりシリコン窒化膜７を加工してハードマスクを形成し、ハードマスクを利用して多結晶シリコン膜６、シリコン酸化膜５およびシリコン基板１をＲＩＥにより加工してトレンチ４を形成する。このとき、エッチング条件としてフロロカーボン系ガスを添加することで、底面部の端部を除いた中間部に凸部１ａを形成する。ＨＤＰ酸化膜８を埋め込むときにボイド発生を防止して埋め込みを確実に行なえ、絶縁耐圧も確保することができる。 （もっと読む）

【課題】 犠牲膜を、強度を有しながらも容易に除去できるものとし、解像限界以下の幅を持つ下地膜のパターンを再現性良く安定して形成できる微細パターンの形成方法を提供すること。
【解決手段】 薄膜２上に、この薄膜２とは異なる膜からなり、かつ、ＳｉＢＮからなる犠牲膜３を形成し、犠牲膜３を、フォトリソグラフィ技術を用いて、所定の間隔を持つパターンに加工し、加工された犠牲膜３の側壁上に、犠牲膜３及び薄膜２とは異なる膜からなる側壁スペーサ５´を形成し、加工された犠牲膜３を除去し、側壁スペーサ５´をマスクに用いて、薄膜２を加工する。 （もっと読む）

【課題】 解像限界以下の幅を持つ微細パターンを、少ない製造工程で形成できる微細パターンの形成方法を提供すること。
【解決手段】 基板１０１上に、薄膜１０２を形成し、薄膜１０２上に、レジスト膜１０３を形成し、レジスト膜１０３を、フォトリソグラフィ技術を用いて、所定の間隔を持つパターン１０３´に加工し、有機シリコンを含むソースガスと活性化された酸素種とを交互に供給し、加工されたレジスト膜１０３´、及び薄膜１０２上に、薄膜１０２及びレジスト膜１０３´とは異なったシリコン酸化膜１０５を形成し、シリコン酸化膜１０５を後退させ、加工されたレジスト膜１０３´の側壁上に側壁スペーサ１０５´を形成し、加工されたレジスト膜１０３´を除去し、側壁スペーサ１０５´をマスクに用いて、薄膜１０２を加工する。 （もっと読む）

【課題】ホールパターンを高密度に形成するパターン形成方法を提供する。
【解決手段】被加工膜１上に複数の柱状の構造物を形成する工程と、複数の構造物に包囲された領域に窪み部が形成されるように、複数の構造物の側壁に側壁膜を形成する工程と、複数の構造物の上、及び窪み部の底部の側壁膜をエッチングして除去する工程と、側壁膜を残し、複数の構造物を選択的にエッチングする工程とを備える。 （もっと読む）

ブロック共重合体などの自己組織化材料は、ピッチマルチプリケーションのためのマンドリル（１６２）として使用される。共重合体は、基板（１１０）上に堆積され、所望のパターンへと自己組織化を促される。ブロック共重合体を形成するブロックのうちの一つ（１６４）は、選択的に除去される。残っているブロックは、ピッチマルチプリケーションのためのマンドリル（１６２）として使用される。スペーサ材料は、ブロック（１６２）上にブランケット堆積される。スペーサ材料は、マンドリル（１６２）の側壁上にスペーサを形成するために、スペーサエッチングに暴露される。マンドリル（１６２）は、独立したスペーサを残すために選択的に除去される。スペーサは、下部基板（１１０）内にパターンを画定するために、ピッチ増倍化マスク機構として使用されうる。
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