【課題】フッ素原子を分子中に含むガスでは、ＳｉＮ膜のエッチングが等方的に進行するため、サイドウォールの幅が小さくなり、ＬＤＤ領域の幅を大きくすることが困難であった。
【解決手段】ゲート電極上に窒化珪素膜を形成し、エッチングガスとして臭化水素ガスを主に用い、ＩＣＰ（誘導結合型プラズマ）法などのエッチング方法により、窒化珪素膜のうちゲート電極上の部分と基板表面部のみを除去し、同時にゲート電極の側面部のみに窒化珪素膜を残す。 （もっと読む）

集積回路（100）の異なる大きさの構造を、二つの別個に形成されたパターン（177）および（230）をあわせることによって形成したマスクを用いた基板（110）のエッチングで構成する。第一のパターン（177）の比較的小さい構造（175）を形成するためにピッチマルチプリケーションを用い、第二のパターン（230）の比較的大きな構造を形成するために従来のフォトリソグラフィーを用いる。フォトレジストをパターン化して、その後、そのパターンをアモルファスカーボン層にエッチングするによって、ピッチマルチプリケーションを行う。その後、側壁のスペーサー（175）をアモルファスカーボンの側壁に形成する。そのアモルファスカーボンを除去し、第一のマスクパターン（177）を決定する側壁のスペーサー（175）を残す。その後、平らな表面を形成するために、スペーサー（175）の周辺に底部減反射コーティング（BARC）を付着し、BARCの上にフォトレジスト層を形成する。次に、フォトレジストを、第二のパターン（230）を形成するために、従来のフォトリソグラフィーによってパターン化し、その後、第二のパターン（230）をBARCへ転写する。第一のパターン（177）と第二のパターン（230）から作った、組み合わせたパターン（177、230）を内在するアモルファスシリコン層（150）に転写し、BARCおよびフォトレジスト物質を除去するために、パターンから炭素の除去を行う。その後、組み合わせたパターン（177、230）は酸化ケイ素層（155）に転写され、それからアモルファスカーボンマスク層（160）に転写される。その後、異なる大きさの構造を有する組み合わせたマスクパターン（177、230）を、アモルファスカーボンハードマスク層（160）を通して内在する基板（110）へとエッチングする。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜の確実な埋め込み、ストレスマイグレーション耐性が向上する集積回路配線を実現する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 下地のバリア膜１１は例えばＴｉ／ＴｉＮ積層膜であり、接続領域ＣＯＮ及び絶縁層ＩＮＬ上に形成されている。主配線部材１２上に、Ａｌのストレスマイグレーション対策としてキャップ膜１３が形成されている。キャップ膜１３は例えばＴｉ／ＴｉＮ積層膜であり、主配線部材１２との密着下部から上部に向かって先細り形状、つまり側部がテーパ形状を呈している。バリア膜１１は、主配線部材１２の配される上部から下部に向かって広がった形状を呈する。主配線部材１２側壁の保護膜１５は、バリア膜１１のリスパッタ粒子が付着して構成されるものである。 （もっと読む）

【課題】安定したエッチング終点検出が可能なサイドスペーサ形成法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０の表面には素子分離絶縁膜１６を形成すると共に絶縁膜１６の素子孔１６ａ，１６ｂ内にはそれぞれゲート絶縁膜１２Ａ，１２Ｂを形成し、ウェハ内周辺領域ＷＳには絶縁膜１２Ｂと同じ厚さの絶縁膜を形成する。絶縁膜１２Ａ，１２Ｂは、厚さが異なり、絶縁膜１２Ｂは基板１０上で最も薄いゲート絶縁膜である。絶縁膜１２Ａ，１２Ｂの上にそれぞれゲート電極層２０Ａ，２０Ｂを形成した後、基板上面に絶縁膜を被着する。被着した絶縁膜をドライエッチングして電極層２０Ａ，２０Ｂの各々の両側部にサイドスペーサ２２ａ〜２２ｄをそれぞれ形成する。ドライエッチング時には、素子孔１６ｂ及び領域ＷＳに半導体表面が露呈される時点をエッチング生成物の発光スペクトル強度の変化からエッチング終点として検出する。 （もっと読む）

本発明は、金属層および無機酸化物層を少なくとも２層以上有する積層構造に対して、反応性イオンエッチングを用いることにより、酸化物あるいは酸化物と金属の積層にて構成され膜の表面状態を活性化させて化学的に反応を起こすことにより、反応生成物の堆積を活用して基板上に中空部を有する微細な構造体を形成する。
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【課題】 エッジラフネスを解消してパターンを形成する。
【解決手段】 基板上に、被加工膜を形成形成し、第１マスクの材料膜である第１材料膜を形成する。そして、第１材料膜をエッチングして、第１マスクを形成する。更に、第１マスク表面を含む基板全面に、第２マスクの材料膜である第２材料膜を形成した後、第１マスクの側面に第２材料膜を残すようにして、第２材料膜をエッチングして、第２マスクを形成する。その後、第１マスク及び第２マスクをマスクとして、被加工膜をエッチングしてパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造プロセスにおいて使用するために、導電性酸化物材料から窒化シリコンを好適に選択的にエッチングするドライエッチングプロセスを提供すること。
【解決手段】酸化剤をエッチングガス混合物に加えることは、窒化シリコン（５）のエッチング速度を高める一方で、導電性酸化物（４）のエッチング速度を下げ得、改良したエッチング選択性がもたらされる。開示された選択的エッチングプロセスは、強誘電体の封じ込め材料として窒化シリコンを有する導電性酸化物／強誘電体界面を用いる強誘電体メモリデバイス製造に十分適している。 （もっと読む）

ピッチが増倍されたスペーサ等のマスクパターンの寸法が、パターン内のフィーチャが形成された後で、フィーチャの制御された成長によって制御される。ピッチが増倍されたスペーサ１７５ａのパターンを形成するために、まず、半導体基板１１０の上にマンドレルのパターンを形成する。次に、マンドレルの上に材料のブランケット層を堆積させ、スペーサ材料を水平面から選択的に除去することにより、マンドレルの側壁にスペーサを形成する。その後、マンドレルを選択的に除去し、自立スペーサのパターンを後に残す。スペーサは、酸化するとサイズが大きくなることで知られているポリシリコンやアモルファスシリコン等の材料を含む。スペーサを酸化して所望の幅９５に成長させる。所望の幅に達した後、スペーサ１７５ａは、下にある層１５０及び基板１１０をパターニングするためのマスクとして用いられ得る。有利なことに、酸化によってスペーサ１７５ａを成長させるため、マンドレルの上に薄いブランケット層を堆積することができ、それにより、よりコンフォーマルなブランケット層を堆積させ、スペーサ形成用の処理窓を拡張することが可能となる。
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【課題】 本発明は半導体装置の製造工程において、レジストなどのマスクパターンを用いる際に発生する反応生成物等のレジスト等への不均一な付着によるパターン形状等の不良を生じさせず、また、寸法精度が良好な微細パターンの形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 パターン形成方法を含む半導体装置の製造方法として、第１の薄膜の側壁に第２の薄膜を形成し、その側壁に形成された第２の薄膜の先端部が不均一にならないように、平坦化法により、精度良くエッチバックして揃える。 （もっと読む）

電流安定性の改善された自己整列型炭化ケイ素パワーＭＥＳＦＥＴおよびそのデバイスの作成方法を記載する。このデバイスは、ゲート凹部により分離されたレイズドソースおよびドレイン領域を含み、低ゲートバイアスにおいてでさえ表面トラップ効果が低減されるため、電流安定性が改善される。このデバイスは自己整列型プロセスを用いて作成され得る。このプロセスでは、金属エッチマスクを用いて、ｎドープのＳｉＣチャネル層上のｎ^＋ドープのＳｉＣ層を備えた基板がエッチングされてレイズドソースおよびドレイン領域が規定される。この金属エッチマスクがアニールされ、ソースおよびドレイン・オームコンタクトが形成される。単層または多層の誘電性フィルムが成長または堆積され異方性エッチングされる。蒸着または別の異方性堆積技術を用いて、ショットキーコンタクト層および最終金属層が堆積され、オプションとして、誘電性層の等方エッチングされる。
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本発明はマスキング方法を包含する。１つの実施において、ホウ素ドープアモルファスカーボンを含むマスキング材料が、半導体基板上に形成されたフィーチャーを覆って形成される。マスキング材料は少なくとも約０．５原子パーセントのホウ素を含む。マスキング材料は実質的に異方的にエッチングされ、ここでそのエッチングはホウ素ドープアモルファスカーボンを含む異方的にエッチングされたサイドウォールスペーサをフィーチャーのサイドウォール上に形成するのに有効である。次に、スペーサに最も近い基板が、ホウ素ドープアモルファスカーボンを含むスペーサをマスクとして用いながら加工される。スペーサに最も近い基板を加工した後、ホウ素ドープアモルファスカーボンを含むスペーサが基板からエッチングされる。他の実施および面も考えられる。 （もっと読む）