【課題】同一ウエハ面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。
【解決手段】開口部幅の異なる領域毎に、半導体表面のエッチングが進行する第１の状態、または半導体表面にポリマーが生成される第２の状態のどちらか一方のみが発現するように前記開口部幅が設定された開口部１９０２，１９０３，１９０４を有するマスク１９００を半導体１８０１表面に形成すると共に、マスク１９００の周辺にマスクの開口部に供給される水素プラズマ濃度を制御するための周辺窓を有する周辺マスクを形成する第１の工程と、メタンプラズマおよび水素プラズマをマスクが形成された半導体表面に照射する第２の工程を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】同一ウエハ面内で素子ごとにエッチング深さが異なる形状を簡単に、且つ精度よく加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。
【解決手段】開口部幅の異なる領域毎に、半導体表面のエッチングが進行する第１の状態か、半導体表面にポリマーが生成される第２の状態のどちらか一方のみが発現するように前記開口部幅が設定された開口部１９０１を有する第一のマスク１９００を半導体表面に形成すると共に、第一のマスクの周辺に第一のマスクの開口部に供給される水素プラズマ濃度を制御するための第二のマスクを形成する第１の工程と、メタンプラズマおよび水素プラズマを第一のマスク１９００および第二のマスクが形成された半導体表面に照射する第２の工程を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】チャンバーエッチに付随する欠点を、付随する利点をなくさないで、且つ、新しい欠点を受け容れないで、緩和する。
【解決手段】エピタキシャル堆積層を有するシリコンから構成される半導体ウェハの製造方法であって、エピタキシー反応器のサセプタ上にダミーウェハを設置すること； 該エピタキシー反応器を通してエッチングガスを導き、エッチングガスの作用によって該エピタキシー反応器内表面上の残留物を除去すること； 該エピタキシー反応器を通して第一の堆積ガスを導き、該エピタキシー反応器内表面上にシリコンを堆積させること； ダミーウェハをシリコンから構成される基板ウェハと交換すること； および該エピタキシー反応器を通して第二の堆積ガスを導き、該基板ウェハ上にエピタキシャル層を堆積させることを含む方法によって解決される。 （もっと読む）

【課題】基板上の犠牲膜又は被処理膜のパターンの寸法を正確に測定し、基板上の被処理膜にスペース比率が１：１となるパターンを形成する。
【解決手段】検査用ウェハのモニターパターンの目標スペース比率を１：１と異なる比率に決定する（Ｓ１）。ライブラリのスペース比率の範囲を、目標スペース比率を含み１：１を含まない範囲に決定する（Ｓ２）。検査用ウェハに所定の処理を行い、被処理膜にモニターパターンを形成する（Ｓ３〜Ｓ８）。モニターパターンの寸法を測定する（Ｓ９）。モニターパターンの寸法を１：１のスペース比率の被処理膜のパターンの寸法に変換し（Ｓ１０）、変換された被処理膜のパターンの寸法に基づいて所定の処理の処理条件を補正する（Ｓ１１）。その後、補正された条件でウェハに所定の処理を行い、被処理膜に１：１のスペース比率のパターンを形成する（Ｓ１２〜Ｓ１７）。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に形成された絶縁膜をドライエッチングする場合に、その終点検出の精度を向上させる。
【解決手段】ポリシリコンからなるゲート層７，８と、ＬＯＣＯＳ３上にポリシリコンからなる終点検出補助用のダミー層９を形成する。ゲート層７，８とダミー層９を形成した後、シリコン基板１上に、ゲート層７，８とダミー層９を覆って、ＴＥＯＳ膜１４を形成する。その後、ＴＥＯＳ膜１４、薄いゲート酸化膜５及び厚いゲート酸化膜６をドライエッチングすることにより、ゲート層７，８の側壁にサイドウォール１５を形成すると共に、ＬＯＣＯＳ３に囲まれた領域におけるシリコン基板１のＰウエル２の表面を露出させる。このドライエッチング時に、終点検出補助用のダミー層９が露出することにより、終点検出を補ってその検出精度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】異物の他の構成部品への付着を防止しつつ容易に構成部品を洗浄することができる構成部品の洗浄方法を提供する。
【解決手段】ウエハドライクリーニング装置１０は、処理室１１と、該処理室１１内の下方に配置されてウエハＷを載置する載置台１２と、処理室１１内において載置台１２に対向配置された、パーティクルが付着した捕集板１３と、誘導結合プラズマ生成装置であるプラズマ生成装置１４とを備え、まず、処理室１１内へダミーウエハ２０を搬入し、該ダミーウエハ２０の表面に正電位を発生させ、ダミーウエハ２０よりも捕集板１３の近傍での表面波プラズマの生成、及び表面波プラズマの生成の中止を交互に繰り返し、その後、処理室１１内からダミーウエハ２０を搬出する。 （もっと読む）

【課題】レジストを使用してドライエッチングにより形成されるパターンの精度を高くすることができるエッチング装置を提供する。
【解決手段】
半導体ウェーハ１上の膜のエッチングを行うエッチング装置において、エッチングチャンバ１０１内において、被パターニング膜１７上に第１レジスト１８が形成されている第１のウェーハ１を載置する第１領域と、エッチングチャンバ１０１内におけるウェーハ上面の総面積に対するレジスト占有率を調整する第２レジスト３３が形成された第２のウェーハ３１を載置する第２領域とを有している。 （もっと読む）

【課題】処理対象の被処理試料の歩留まりを向上させるため、試料台表面の異物除去機能を備えた真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内に配置され内部でプラズマが形成される処理室１０４と、処理室１０４内の下部に配置されその上面に処理対象の被処理試料１０２が載置される試料台１１３と、処理室１０４の上方に配置されこの処理室内に処理ガスを導入するための導入孔を有するガス導入機構を備えた真空処理装置において、試料台１１３は被処理試料１０２との間に伝熱ガス１１８を導入する溝１１７とガス供給口１１９を備え、真空容器内の試料台１１３に載置した被処理試料１０２或いは被処理試料と略同形のダミー試料２０２と試料台１１３の間にガス供給口１１９を介して除塵ガス１２０を導入する機構を備え、除塵ガス１２０による流体力で前記試料台１１３に付着している異物２０１を除去する。 （もっと読む）

【課題】割込ウエハの処理によって処理室内のコンディションが崩れることを防止する。
【解決手段】通常時搬出パターンの順序でカセット容器１３４Ａ，１３４Ｂから製品ウエハＷｐとダミーウエハＷｄを搬出させる制御が繰り返されている間に割込開始ボタンが押圧されると，ウエハの搬出履歴に基づいてそのときの搬出パターンのサイクルが終了したか否かを判断し，そのサイクルが終了したと判断した場合はその直後に，またそのサイクルが終了していないと判断した場合はそのサイクルが終了するまで当該通常時搬出パターンでウエハを搬出し，次のサイクルにて製品ウエハを割込ウエハに置き換えた割込時搬出パターンの順序でカセット容器１３４Ｃ，１３４Ｂから割込ウエハＷｆとダミーウエハＷｄを搬出させる。 （もっと読む）

【課題】金属配線が疎であっても、サイドエッチングの無い、良好な断面形状を有する金属配線を形成する方法を提供する。
【解決手段】金属配線を形成する領域の近傍にダミー金属配線を配置する領域を設ける。ダミー金属配線領域にはトレンチ１００を形成し、次いで、金属配線のためのレジストパターン１０５を形成すると、トレンチ上のレジストは単位面積当り表面積を大きくすることができる。そして、ドライエッチングによる金属配線形成を行うと、このトレンチ上のレジストからの有機成分が強固な側壁保護膜１０７を作り、異方性エッチングが行われるため、良好な断面形状の金属配線１０８となる。 （もっと読む）

【課題】エッチングレートのプロファイルを制御でき、処理容器等がエッチングされることに起因するパーティクルの発生を抑制できる技術を提供すること。
【解決手段】クリーニングガスをプラズマ化して得たプラズマにより処理容器内２に付着した付着物を除去するクリーニング工程（ａ）と、炭素とフッ素とを含む成膜ガスをプラズマ化して得たプラズマにより、前記処理容器内部における前記プラズマに晒される部位にＣＦ膜を成膜する成膜工程（ｂ）と、次いで前記処理容器内の載置台にウエハＷを載置し、エッチングガスをプラズマ化して得たプラズマにより前記ウエハＷに対してエッチングするエッチング工程（ｃ）と、このエッチング工程（ｃ）の後に前記処理容器からウエハＷを搬出する工程（ｄ）と、を実施するにあたり、前記（ｄ）が終了した後、前記（ａ）〜（ｄ）を行なう。 （もっと読む）

【解決手段】基板の最表層にランタノイドフッ化物膜、フッ化イットリウム膜及びフッ化スカンジウム膜から選ばれる希土類フッ化物膜を有することを特徴とするウエハ。
【効果】本発明にウエハによれば、プラズマエッチング装置、プラズマ成膜装置のクリーニング、安定化時に半導体ウエハの減肉を防ぐことができるため、ダミーウエハとして用いた場合、その寿命を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置を製造する際、側壁加工プロセスで形成される不要な配線を介したショートの発生を防ぎ、マイクロローディング効果やディッシング現象の発生を防ぐ。
【解決手段】基板上に被加工絶縁性膜を形成し、前記基板に設けられる素子を接続する第１の配線が配置される第１のエリアに前記第１の配線を形成するためにパターニングされた第１の犠牲膜を形成し、ダミー配線が配置される第２のエリアに前記ダミー配線を形成するためにパターニングされた第２の犠牲膜を形成し、前記第１の犠牲膜の側壁に形成される第３の犠牲膜と前記第２の犠牲膜の側壁に形成される第４の犠牲膜とを、分離した膜として形成し、前記第３の犠牲膜と前記第４の犠牲膜とをマスクとして前記被加工絶縁性膜をエッチングして凹部を形成し、導電性材料を前記凹部に埋め込むことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の微細パターン形成方法に関し、露光装備の解像度の限界を克服するため二重パターニング(Double Patterning)工程を行うことにおいて、第1マスク工程と第2マスク工程を整列する工程が容易でなく不良が発生する。
【解決手段】半導体基板４００上部にハードマスク層４１０及びエッチング静止膜４２０を形成する段階と、前記エッチング静止膜上部に犠牲酸化膜パターンを形成する段階と、前記犠牲酸化膜パターンの側壁にスペーサを形成する段階と、前記犠牲酸化膜パターンを除去する段階と、前記スペーサをマスクに前記エッチング静止膜及び前記ハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成する段階とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜をドライエッチングしてコンタクトホールを形成する際に、高耐圧トランジスタのゲート絶縁膜が受けるダメージを低減できるようにした半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１上にＨＶトランジスタ１０のゲート電極１３と、ＬＶトランジスタ２０のゲート電極２３と、ダミーゲート電極５３とを同時に形成する工程と、シリコン基板１上に層間絶縁膜３０を形成する工程と、層間絶縁膜３０を部分的にドライエッチングして、ゲート電極１３、２３、ダミーゲート電極５３上にそれぞれコンタクトホール３１、３３、３４を形成する工程と、を含み、コンタクトホール３１、３３、３４を形成する工程では、コンタクトホール３１の底面からゲート電極１３の表面が露出すると同時に、又はそれよりも前に、コンタクトホール３４の底面からダミーゲート電極５３の表面が露出するように層間絶縁膜３０をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】低誘電率膜でのパターン差を低減して均一な加工を行なうため、低誘電率膜の吸湿量と吸湿物質の脱離量を考慮した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、マスクの初期開口率α_０を算出する（ステップＳ５１）。続いて、低誘電率膜からの吸湿物質の脱離量Ｘと吸湿時間の関係を算出する（ステップＳ５２）。そして、算出した吸湿物質の脱離量Ｘと吸湿時間の関係に基づいて、脱離量Ｆ（α）（＝Ｘ）と開口率との関係を求める。次に、脱離量Ｆ（α）（＝Ｘ）と開口率との関係から、脱離量が許容値以下となる許容開口率α_１を算出する（ステップＳ５３）。続いて、初期開口率α_０と許容開口率α_１とを比較する（ステップＳ５４）。このとき、初期開口率α_０が許容開口率α_１よりも小さい場合には、マスクパターンにダミーパターンを追加する（ステップＳ５６）。 （もっと読む）

【課題】複数種類の基板保管棚を１箇所に集約することで装置のレイアウトの設計が容易な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】
搬入出ポート４１に載置されたキャリアＣ内から搬送室４２内の基板搬送手段４２ａにより基板Ｗを取り出して処理モジュール４５ａ〜４５ｄに受け渡し、基板の処理を行う基板処理装置４において、基板搬送室４２に基板搬送口を介して接続された基板保管室１は、異なる目的で各々複数の基板を保管するための第１の保管棚２１と第２の保管棚３１とを備え、移動機構２２、３２は選択された保管棚２１、３１の基板保管領域を、基板搬送手段４２ａとの間で前記搬送口を介して基板Ｗの受け渡しができるように位置させる。 （もっと読む）

【課題】処理室内に温度計を設置しなくても、処理室内の昇温状態を簡便に判別できる機能を搭載したプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体をプラズマ処理する処理室と、前記処理室にガスを供給する手段と、前記処理室を減圧する排気手段と、プラズマ生成用高周波電源と、被処理体を載置する載置電極とを有するプラズマ処理装置において、前記プラズマ処理の前に実施される昇温放電の終点を判定するための、昇温放電終点判定用プラズマ発光モニタ及び昇温放電終点判定手段を有している。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコン物質と酸化物質との間の食刻選択比を利用したパターン形成方法の提供。
【解決手段】半導体基板１００の被食刻層上にハードマスク層、第1酸化膜パターン、その上に窒化膜パターンを形成、ハードマスク層を選択的に露出,ハードマスク層,第1酸化膜及び窒化膜パターンの露出部分上に第1厚の第1ポリシリコン層,第1ポリシリコン層上に第2厚の第2酸化膜,第2酸化膜上に第3厚の第2ポリシリコン層を形成。窒化膜パターンの露出まで第2ポリシリコン層,第2酸化膜及び第1ポリシリコン層を平坦化。窒化膜パターンを除去し第1酸化膜パターンを露出。酸化物・ポリシリコン間の食刻選択比に従い第1酸化膜パターンと第2酸化膜を食刻。第1ポリシリコン層と第2ポリシリコン層を食刻マスクにハードマスク層を食刻してハードマスク層パターンを形成し,ハードマスク層パターンをマスクに被食刻層を食刻して微細パターン１１０ａを形成。 （もっと読む）

【課題】検温素子を有するダミー用基板の温度を、より多くの箇所で精度よく検知／測定することができる検知シートおよび温度測定システムを提供し、ダミー用基板の温度を精度よく測定することができる熱処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】水晶振動子ＸにコイルＣが接続されてなる検温素子ｓを有するダミー用基板ＷＤを、センサコイル１３が設けられている樹脂シート１１上に載置する。検温素子ｓにセンサコイル１３を十分近い距離まで近接させることができるので、センサコイル１３は、検温素子ｓとの間で感度よく無線で送受信することができるとともに、対向していない検温素子ｓから出力される電磁波を受信することがない。よって、ダミー用基板ＷＤのより多くの箇所の温度を、精度よく検知することができる。 （もっと読む）