【課題】酸化膜に微細かつ高アスペクト比のホールをエッチングする際に、良好なエッチング選択性および形状性を両立することができるプラズマエッチング方法を提供すること。
【解決手段】処理容器１０内にエッチング対象の酸化膜、ハードマスク層、パターン化されたフォトレジストが順次形成された基板を搬入し、前記下部電極に載置する工程と、処理容器１０内にＣ_ｘＦ_ｙ（ｘは３以下の整数、ｙは８以下の整数）、Ｃ_４Ｆ_８、希ガス、Ｏ_２を含む処理ガスを供給する工程と、上部電極３４に第１の高周波印加手段４８から高周波電力を印加して処理ガスのプラズマを生成する工程と、下部電極１６に第２の高周波電力印加手段９０からバイアス用の高周波電力を印加する工程と、上部電極３４に直流電圧印加手段５０から直流電圧を印加する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 大型化することなく、イオンを被処理基体に対して斜めにも入射させ、被処理基体の側面の膜の除去や改質を行えるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】真空容器１０７の大気を排気する排気手段と、真空容器１０７にガスを導入するマスフローコントローラ１０８と、真空容器にプラズマを発生させるプラズマ発生手段（スロットアンテナ１０５等）と、被処理基体１１０が載置される基板支持台１１１と、高周波を印加する複数の高周波電源２０２と、高周波電源２０２から印加される高周波の位相を制御する位相制御手段２０３と、位相制御された複数の高周波が各々印加される複数の高周波電極２０１とを基板支持台１１１が有する。位相制御手段２０３により複数の高周波電極２０１に各々印加される前記高周波の位相が隣接する前記高周波電極２０１間でずらされる。 （もっと読む）

【課題】所定のエッチング条件がエッチング開口性が低くなるようなものである場合であっても、良好な開口性および選択性を両立することができるプラズマエッチング方法を提供すること。
【解決手段】処理容器１０内にエッチング対象の酸化膜、パターン化されたフォトレジストが順次形成された半導体ウエハＷを搬入し、下部電極１６に載置し、処理容器１０内に処理ガスとしてＣ_ｘＦ_ｙ、希ガス、Ｏ_２を含むものを供給し、上部電極３４にプラズマ生成用の高周波を印加し、下部電極１６にバイアス用の高周波を印加し、処理ガスのプラズマを生成して酸化膜をエッチングするにあたり、ウエハ温度やパターン形状等のエッチング条件が、エッチング開口性が低くなるようなものである場合に、上部電極３４に、良好なエッチング開口性が得られるように所定の直流電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】リード素子を所定パターンに形成するレジストマスクの形状を高精度に制御することを可能とし、リード素子の形成精度を高めるとともに磁気ヘッドの製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】基板上に被パターニング層１０を成膜する工程と、該被パターニング層上に第一マスク層１２を被着形成する工程と、該第一マスク層上に、該第一マスク層よりもドライエッチング処理の際におけるエッチングレートが低い第二マスク層１４を被着形成する工程と、前記第二マスク層を露光および現像し、所定の形状に成形する工程と、前記第二マスク層から露出する前記第一マスク層の露出部をドライエッチングにより除去するとともに、前記第二マスク層下部の第一マスク層を側方からドライエッチングすることにより第二マスク層１４よりも細幅の柱部１２ａを形成して、ひさし部１４ｂを備えたマスク２０を形成する工程とを備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】穴径が上部と底部とで一定に近い形状のホールを形成することのできるホール形成方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成された第１膜をエッチングしてホールを形成するホール形成ステップと、前記第１膜上に、前記ホールの上部側が厚く底部側が薄くなるように、第２膜を堆積させる第２膜堆積ステップと、前記第１膜及び前記第２膜をエッチングして前記ホールの形状を補正する形状補正ステップと、を具備する。 （もっと読む）

【課題】既存のプラズマ技術のものを超えるアスペクト比およびプロセス速度を達成する。
【解決手段】プラズマを用いて基板をエッチングするための方法およびデバイスにおいて、プラズマは、プラズマ源（１）の陰極と陽極の間の少なくとも１枚の縦列伝導板系のチャネル内で、これらのプラズマ源の陰極と陽極の間で実質的に大気常態値以下の圧力で生成され加速される。前記プラズマは前記プラズマ源から処理チャンバ（２）へと放出され、その内部で前記基板（９）が前記プラズマに曝露される。処理チャンバは、作業中真空に近い低圧に維持される。この曝露中前記基板と前記プラズマの間に、交流バイアス電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極の下地側に不純物イオンが入り込むことを防止し、ゲート絶縁膜との界面側に適正な濃度の不純物イオンを有するドーピング層を備えたゲート電極を形成する半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】まず、半導体基板１上にゲート絶縁膜２を介してポリシリコンからなるゲート電極膜３を形成する。次に、エッチングにより、ゲート電極膜３を加工して、逆テーパー形状のゲート電極３’を形成する。次いで、イオン注入法によって、不純物イオンがゲート絶縁膜２との界面に到達しないように、ゲート電極３’中に不純物イオンを導入する。続いて、ゲート電極３’上に金属膜１０を形成し、熱処理を行うことで、ゲート電極３’をフルシリサイド化し、フルシリサイド化されたゲート電極３''のゲート絶縁膜２との界面側にドーピング層３ａ''を形成する。その後、未反応の金属膜１０を除去する半導体装置の製造方法および半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコンのドライエッチング時に、下地酸化膜の突き抜けを防止しながら、スソ引き及びサイドエッチの無い形状を得る。
【解決手段】ポリシリコンのドライエッチング時に、メインエッチング後のオーバーエッチングとして、側壁保護効果が高いオーバーエッチングを実施後に、スソ取り効果が高いオーバーエッチングを実施する。 （もっと読む）

【課題】大面積に亘って大きなエッチング角で斜方向プラズマエッチングを行う方法を提供する。
【解決手段】基材２１の表面に、それに対して傾斜した形状の縁２３を持つ電界制御板２２を前記表面に対して平行に載置し、プラズマ中のイオンにバイアス電圧を印加することによりイオンを基材２１の表面に入射させる。電界制御板２２の縁２３がオーバーハングしているため、一見すると縁２３の直下の領域２６にはイオンが到達しないようにも思われるが、実際には縁２３に沿って電界制御板２２の下面側に等電位面が引き込まれるように変形することにより、領域２６にイオンが回り込んで入射する。これにより、大面積に亘って、基材２１の表面の法線に対して40°〜50°という大きなエッチング角で斜方向エッチングを行うことができ、それにより３次元フォトニック結晶を好適に作製することができる。 （もっと読む）

【課題】ポリメタルゲート配線のシリコン膜のパターニングに際して、ダミーウエハを用いずに、且つ、チャンバー内の下部電極のダメージを伴うことなく、チャンバーのドライクリーニングを行う半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ポリシリコン膜の表面にシリコン窒化膜を有するウエハをチャンバー内に搬送し（ステップＳ１）、下部電極上に搭載した後に、まず、チャンバーのドライクリーニングを行い（ステップＳ２）、チャンバー内壁に付着したシリコン系の反応生成物を除去する。次いで、ウエハのドライエッチングを行い、シリコン窒化膜およびポリシリコン膜をパターニングする（ステップＳ３）。パターニング後に下部電極からウエハを取り外し、チャンバー外に搬出する（ステップＳ４）。この処理をウエハ毎に繰り返す。 （もっと読む）

【課題】プラズマドライエッチングにおいて、加工するウェハの面内での加工断面形状の対称性バラツキに対し、固有のプラズマ指向性を制御する構成を有しており、これにより加工断面形状の対称性を被処理物面内均一に調整でき、信頼性の高いデバイス製造方法を提供する事を目的とするものである。
【解決手段】固有のプラズマ指向性をもつプラズマ源に対して、被処理物１０３上部にリング状の補正板１０４を設け、被処理物１０３に応じた補正板径を設定して処理することにより、固有のプラズマ指向性を制御する構成を有しており、これにより加工断面形状の対称性を被処理物１０３面内均一に調整できる。 （もっと読む）

半導体基板を改良された限界寸法均一性でエッチングする方法であって、この方法は、誘導結合プラズマエッチングチャンバ内の基板支持体上に半導体基板を支持することと、第１のエッチングガスを半導体基板の上の中央領域に供給することと、少なくとも１種類のシリコン含有ガスを含む第２のガスであって、第２のガス中のシリコン濃度が第１のエッチングガス中のシリコン濃度より高い第２のガスを半導体基板の上の中央領域を囲む周辺領域に供給することと、第１のエッチングガスおよび第２のガスからプラズマを発生させることと、半導体基板の露出面をプラズマエッチングすることとを含む。
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【課題】リソグラフィによらないでウィグル形状パターンを形成する半導体装置のパターン形成方法を提供することである。
【解決手段】本発明の１態様による半導体装置のパターン形成方法は、半導体基板の上方に被加工膜を堆積する工程と、前記被加工膜上に不純物を添加することによりエッチング特性が変化するマスク膜を堆積する工程と、前記マスク膜にラインパターンを形成する工程と、前記ラインパターンを形成したマスク膜の所望の領域にエッチング速度を変化させる不純物を選択的に添加する工程と、前記マスク膜からなる前記ラインパターンを選択的にエッチングして部分的に線幅の異なるウィグル形状を含むマスクパターンを形成する工程と、前記マスクパターンをマスクとして前記被加工膜をエッチングしてウィグル形状パターンを形成する工程とを具備する。 （もっと読む）

【目的】ＳｉＣ半導体基板に３μｍを超える深いトレンチエッチングを可能にすると共に、トレンチ底部を、電界集中を引き起こして耐圧特性に影響を及ぼす程度の鋭角を有する凹凸形状を形成することなく、平坦に整形することのできるドライエッチング工程を含む炭化珪素半導体装置の製造方法の提供。
【構成】高密度誘導結合プラズマを用いたドライエッチングが、順に行われるエッチング条件の異なる第一ドライエッチングと第二ドライエッチングを備えている炭化珪素半導体装置の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】π−０差曲線の傾きのピッチごとのばらつきを低減し、全フォーカス及び全ピッチでのパフォーマンスを向上させた位相シフトマスクを提供する。
【解決手段】露光光に対して透明な基板に掘り込み部を設け、透過する光の位相を制御したレベンソン型位相シフトマスクにおいて、基板掘り込み部４の側壁にスペースバイアス部Ｓを設けて、底面に対し所定の側壁角αで傾斜させて、掘り込み部全体を透過する光の位相差を小さくするようにし、側壁角が、転写シミュレーションにより設定される。 （もっと読む）

【課題】再現性よくボールパターン部を形成することができる半導体素子のリセスチャネル形成方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板２１上にハードマスクパターン２４を形成するステップ、ハードマスクパターン２４を利用したエッチングにより、ネックパターン部２６を形成するステップ、ネックパターン部２６の内面を含む全面に、スペーサ形成用酸化膜を形成するステップ、スペーサ形成用酸化膜のエッチングにより、スペーサ２７Ａを形成するステップ、スペーサ２７Ａ及びハードマスクパターン２４を利用し、フッ化硫黄系混合ガスを用いたエッチングにより、ボールパターン部２８を形成するステップ、及びハードマスクパターン２４とスペーサ２７Ａを除去するステップを含む。上記方法によれば、リセスチャネル２００を構成するボールパターン部２８の形状を正確、かつ再現性よく形成することができる。 （もっと読む）

【課題】ＴｉＮ膜からなる金属膜のエッチングにおいて、溝または穴の先細りの発生を解決し垂直に加工するエッチング方法を提供する。
【解決の手段】ＴｉＮ膜のエッチングを二つのステップに分け、第１ステップは、三塩化ホウ素（ＢＣｌ_３）と塩素（Ｃｌ_２）を混合したガスプラズマにて所定の深さまでエッチングし、第２ステップは、四フッ化メタン（ＣＦ_４）を全ガス流量に対して１〜２％、酸素（Ｏ_２）を全ガス流量に対して９８〜９９％の割合で混合したガスプラズマで、ウェハ温度を１００〜４００℃、処理圧力を１０〜２００Ｐａ、バイアス高周波電力を０Ｗで縦方向にはエッチングせず、横方向へエッチングする等方性エッチング処理を行う。 （もっと読む）

【課題】処理容器内にプラズマを生成して基板を処理するに際し，処理容器内に露出する部材から基板の処理に必要な成分を放出させることにより，プラズマ処理を向上させる。
【解決手段】処理容器２内において上下に対向させて配置した上部電極２０と下部電極１２の少なくとも一方に高周波電源より高周波電力を供給して処理容器１２内にプラズマＰを生成させ，基板Ｗを処理するプラズマ処理装置１であって，処理容器２内に生成されるプラズＰ中のイオンの入射により，基板Ｗの処理に必要な成分を処理容器２内へ放出させる成分放出部材３３を，処理容器２内に露出させて設け，成分放出部材３３に，処理容器２内に生成されるプラズマＰから見た成分放出部材３３側の高周波電源の周波数に対するインピーダンスを変化させる可変インピーダンス回路４１を接続したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＦ_x膜のプラズマエッチングにおけるマイクロトレンチの発生を従来に比べて抑制することのできるプラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体を提供する。
【解決手段】半導体ウエハＷに形成されたＣＦ_x膜１０１を、エッチングガスのプラズマを発生させてプラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって、エッチングガスとして、ＣＨ₄とＯ₂とを含む混合ガスを用いる。 （もっと読む）

誘電性バリア層を誘電性バルク絶縁層に対して高い選択性でもってエッチングするための方法を提供する。一実施形態において、本方法は、誘電性バルク絶縁層を介してその一部が露出している誘電性バリア層を有する基板をリアクタ内に配置し、Ｈ_２ガス、フッ素含有ガス、少なくともインサートガスを含有するガス混合物をリアクタ内に流し、誘電性バリア層の露出部位を誘電性バルク絶縁層に対して選択的にエッチングすることを含む。
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