【課題】ＭＥＭＳデバイス用途で用いられるＳＦ₆ガスによるエッチングとＣ₄Ｆ₈ガスによる側壁保護膜生成を繰り返すＳｉディープエッチングにおいて、簡単な構成でオーバーエッチングをなくし所定の深さで高精度にエッチングを終了するドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】エッチングチャンバ１０１内の圧力を圧力コントロールバルブ１０３にて所定圧力値に維持しつつエッチングを進行させる際、エッチングチャンバ１０１内で所定圧力値に維持されている圧力が一時的に急激に上昇した時点Ｐをエッチング終了点と認定して、エッチング側壁のオーバーエッチングを時間制御しエッチングを終了させる方法であり、これにより低コストで加工断面形状の品質を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】パターンの疎密によらず安定的な素子分離領域を形成でき、良質な半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】パターンニングされたレジスト２０１の下層に存在する反射防止膜２０２直下のシリコン窒化膜２０３およびシリコン酸化膜２０４から形成される絶縁膜層までのエッチングにおいて、シリコン基板２０５に対しシリコン酸化膜２０４の選択比が低いＨＢｒおよびＣＨＦ_３とＣＦ_４の混合ガスを用いたエッチング条件および０．５〜１．５Ｐａの処理圧力でトレンチのエッチング終了付近のエッチングを行い、シリコン窒化膜２０３およびシリコン酸化膜２０４から形成される絶縁膜層壁面に反応生成物２０７を付着させながらエッチングを進行させ、パターン間隔によらず、形状差の少なくまた十分に丸みを帯びたトップラウンドを形成させる。 （もっと読む）

【課題】低コストな構成で効率的且つ応答性良く処理チャンバの内面を温度制御することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、処理チャンバ１１、処理ガス供給装置２０、排気装置４０、コイル２３、高周波電源２４、ヒータ２６、冷却装置３０、制御装置５０を備える。冷却装置３０は、処理チャンバ１１と間隔を隔てて対向する冷却部材３２と、冷却部材３２の冷却流路３２ａ内に冷却流体を供給，循環させる冷却流体供給部３１と、冷却部材３２と処理チャンバ１１との間に設けられた環状のシール部材３５，３６とから構成され、排気装置４０は、シール部材３５，３６、冷却部材３２、処理チャンバ１１に囲まれた空間Ｓ内を減圧する。制御装置５０は、排気装置４０を制御して、コイル２３に高周波電力を印加していないときには空間Ｓ内を減圧し、コイル２３に高周波電力を印加しているときには空間Ｓ内を大気圧とする。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上に設けたＡｒＦレジスト、無機膜中間層、有機膜下層レジスト、シリコン酸化膜、無機膜から構成された多層レジスト構造のＶｉａまたはＴｒｅｎｃｈ作成工程において、多層レジスト構造の複数工程を同一チャンバで被処理基板を搬出すことなく一貫処理する。
【解決手段】Ｖｉａエッチング処理では、有機膜下層レジストを、ＣＦ系ガスを用いず、Ｓｉ部材からなるガス供給板に第２の高周波電源より高周波バイアスを印加せずに処理し、シリコン酸化膜および無機膜を、ＣＦ系ガスを使用して高周波バイアスパワーを２００Ｗから３００Ｗにして処理し、Ｔｒｅｎｃｈエッチング処理では、有機膜下層レジストを、ＣＦ系ガスを使用せず、かつ、Ｓｉ部材からなるガス供給板８に第２の高周波電源５より高周波バイアスを印加せずに処理し、シリコン酸化膜および無機膜を、ＣＦ系ガスを使用し、高周波バイアスを印加せずに処理する。 （もっと読む）

【課題】基板または基板上部の層をエッチングする際の加工安定性を向上させる。
【解決手段】シリコン基板１０１の素子形成面の上部に接してＳｉＮ膜１２９を形成し、ＳｉＮ膜１２９を選択的に除去して開口部１１５を形成する。そして、開口部１１５が形成されたシリコン基板１０１の素子形成面をプラズマに曝し、開口部１１５を形成する工程で開口部１１５の側壁に付着した堆積物１１３を除去した後、ＳｉＮ膜１２９をマスクとしてシリコン基板１０１を選択的に除去して凹部を形成する。 （もっと読む）

【課題】試料の表面を処理する精度を向上させた真空処理装置を提供する。
【解決手段】処理室と、試料台と、ガス供給手段とを備え、処理用ガスをプラズマ化して試料台上に載置された試料を処理する真空処理装置であって、ガス供給手段が、異なる種類のガス各々が流れる複数のガス供給路と、各々のガス供給路上に配置されてこのガス供給路内を流れるガスの流量を調節する流量調節器と、この流量調節器内に配置された流量調節バルブ及びこの流量調節バルブの下流側のガス閉め切り用バルブと、複数のガス供給路の流量調節器の下流側でこれらが合流する合流部とを備えて、試料の処理の条件に応じて各々の流量調節器の流量調節バルブ及びガス閉め切り用バルブの動作を調節して処理室に導入される処理用ガスを変える。 （もっと読む）

【課題】トレンチ側壁のダメージを低減し、生産性が高く、加工精度が高い微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバー内に第１のプロセスガスを導入して第１のプラズマを形成し、基板に形成された凹部の内面上に保護膜を形成する工程と、チャンバー内に第２のプロセスガスを導入して第２のプラズマを形成し、凹部の底面上の保護膜を除去して基板をエッチングする工程と、を備え、上記エッチング工程は、第１のプラズマの密度が基準値以下になるまで第１のプロセスガスを排出し、その後、第２のプラズマによって保護膜及び基板をエッチングする工程と、を有することを特徴とする微細構造体の製造方法が提供される。また、上記のエッチング工程は、高バイアス電力の第１のエッチング工程と、低バイアス電力の第２のエッチング工程を含むことを特徴とする微細構造体の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】微細孔（貫通孔）の形成において、エッチングマスクと孔側壁の凹凸を一括で除去でき、工数及びコストを削減した半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、一方の面から他方の面に至る微細孔が形成された半導体基板と、前記半導体基板の一方の面側であって、前記微細孔の一端を覆うように配された電極と、を備えた半導体基板の製造方法において、前記半導体基板の他方の面に形成したエッチングマスクにより、該半導体基板の他方の面から、前記電極が露出するまで前記微細孔を形成する工程Ａと、前記微細孔の側壁の凹凸の除去と、前記エッチングマスクの剥離とを一括に行う工程Ｂと、を少なくとも備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】有機膜を、その上層に形成されたシリコン含有膜からなるマスクを介してプラズマエッチングする際に、有機膜の側壁部分にボーイングやアンダーカットが発生することを抑制することができ、良好なエッチング形状を得ることのできるプラズマエッチング方法等を提供する。
【解決手段】パターニングしたＳｉＯＮ膜１０３をマスクとして、有機膜１０２をプラズマエッチングし、開口１０８を形成する。この有機膜１０２のプラズマエッチングに、酸素（Ｏ）含有ガスと、希ガスと、フッ化炭素ガス（ＣＦ系ガス）とを含む混合ガスからなる処理ガスを用いる。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比のホールを形成するような場合であっても、Ｘｅガスを用いることなく、マスク倒れの発生を抑制することができ、製造コストの上昇を招くことなく歩留まりの向上を図ることのできるプラズマエッチング方法等を提供する。
【解決手段】パターニングした下層レジスト膜１０４等をマスクとして、被エッチング対象であるシリコン酸化膜１０３、シリコン窒化膜１０２、を順次プラズマエッチングし、ホール１１２を形成する。最後に被エッチング対象のうち最下層に位置するＢＰＳＧ膜１０１をプラズマエッチングし、ホール１１３を形成する。このＢＰＳＧ膜１０１のプラズマエッチングに、Ｃ₄Ｆ₆ガスとＣ₃Ｆ₈ガスとを含む混合ガスを用いる。 （もっと読む）

【課題】パターンの疎密差のあるマスクを介してシリコンに対してプラズマエッチングによりラインとスペースとを形成するにあたり、面内においてラインの壁面の傾斜角度が小さくなり、且つ揃うようにエッチングすること。
【解決手段】処理ガスとして、Ｃｌ2ガス及びＨＢｒガスと共に、ＣＯガスやＣＯ2ガスを供給して、この処理ガスをプラズマ化してエッチングを行うことにより、パターンの疎密差に基づく堆積物の堆積量が無視できる程堆積量を増やして、パターンの疎部分と密部分における堆積物の差を少なくする。 （もっと読む）

【課題】サイドエッチングの進行を抑制してボーイングの発生を抑制することができるとともに、エッチング形状の面内均一性の向上を図ることができ、従来に比べて良好なプラズマエッチング処理を行うことのできるプラズマエッチング方法等を提供する。
【解決手段】ＳｉＯ₂膜１０３と上層感光性レジスト膜１０４とをマスクとして、下層有機系レジスト膜１０２のプラズマエッチングを行う。このプラズマエッチングにおいて、半導体ウエハの中央領域から供給する処理ガスとして、Ｏ₂の単ガス又はＯ₂／Ａｒの混合ガス等を使用し、半導体ウエハの周縁部から供給する処理ガスとして、Ｏ₂の単ガス又はＯ₂／Ａｒの混合ガス等に、ＣＨ₄又はＣＯを付加した混合ガス使用する。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比の穴形状であっても高精度なエッチング形状を得ることができるエッチング装置などを提供する。
【解決手段】エッチング装置１は、処理チャンバ１１と、シリコン基板Ｋが載置される基台１５と、エッチングガス，耐エッチング層形成ガス及びキャリアガスを処理チャンバ１１内に供給するガス供給装置２３と、コイル３３と、コイル用高周波電源３４と、基台用高周波電源３５と、エッチングガスを供給するエッチング工程、耐エッチング層形成ガスを供給する第１耐エッチング層形成工程、耐エッチング層形成ガス及びキャリアガスを供給する第２耐エッチング層形成工程を実行する制御装置４０と備える。制御装置４０は、エッチング工程と第１耐エッチング層形成工程とを所定回数繰り返し行った後に第２耐エッチング層形成工程を実行し、この後、エッチング工程と第１耐エッチング層形成工程とを再度繰り返し行う。 （もっと読む）

【課題】ｐ−ＭＯＳトランジスタとｎ−ＭＯＳトランジスタとのゲート電極形状のばらつきが少ない半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１の第１領域１３、第２領域、１４にｎ型、ｐ型ゲート電極膜３４、３７を形成する工程と、ゲート電極膜３４、３７上に第１保護膜３８および第２保護膜３９を形成する工程と、第２保護膜３９に、ゲート電極サイズＬ１、Ｌ２より大きいサイズＬ３のゲート電極パターンを形成する工程と、第２保護膜３９ｂに選択的に燐イオンを注入し、熱酸化速度が第２保護膜３９ａより大きくなるようにする工程と、第２保護膜３９ａ、３９ｂを熱酸化し、生成した第１および第２酸化膜４２、４３を選択的にエッチングして、ゲート電極パターンをスリム化する工程と、スリム化された第２保護膜３９ａ、３９ｂを用いてサイズＬ１、Ｌ２のゲート電極１８、２３を形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】近くの導電層とのショートを防止しつつ、上層のプラグと下層のプラグとの接触面積を拡大する。
【解決手段】半導体装置１０は、シリコン基板１１の上部に順次に形成された層間絶縁膜１２及び層間絶縁膜１６と、層間絶縁膜１２を貫通し、頂面が層間絶縁膜１６の内部にあるコンタクトプラグ１４と、層間絶縁膜１６中に形成され、層間絶縁膜１６の頂部から下方に向かって径が小さくなるテーパ形状を有する第１部分と、この第１部分から下方に向かって径が大きくなるテーパ形状を有し、その底面がコンタクトプラグ１４の頂面に略整合する第２部分とを有するビアプラグ１９とを備える。 （もっと読む）

【課題】有機シロキサンを主成分とする絶縁膜にエッチング処理によって凹部を形成する際に、凹部の底部に異常形状が形成されるのを抑制する。
【解決手段】層間絶縁膜を構成する有機シロキサンを主成分とする有機絶縁膜２に形成された溝や孔等のような凹部４内に導体膜を埋め込むことで埋込配線構造を構成する半導体集積回路装置の製造方法において、有機絶縁膜２上にフォトレジスト膜３を形成した後、そのフォトレジスト膜３をエッチングマスクとして有機絶縁膜２に溝や孔等のような凹部４を形成する際に、その凹部４の底部に異常形状が形成されるのを抑制するために、ＣＦ系のガス／Ｎ₂／Ａｒガスを用いたプラズマドライエッチング処理を施すことにより凹部４を形成した。 （もっと読む）

【課題】メサ形状である第１の材料層の周囲に第２の材料を空隙なく平坦に埋め込むことができる埋込方法、半導体素子製造方法、および、メサ形状である第１の半導体層の周囲に第２の半導体が空隙なく平坦に埋め込まれた半導体素子を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる埋込方法は、基板上に形成された第１の材料層上にエッチングマスクを形成するマスク形成工程と、エッチングマスク周縁が所定幅分突出するように第１の材料層をメサ形状にドライエッチングするエッチング工程と、エッチング工程後に第２の材料によってメサ形状周囲を選択的に埋め込む埋込工程と、エッチングマスクを除去するマスク除去工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】２重露光を用いた超微細パターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板１１０の上部に第１のハードマスク層１２０、第２のハードマスク層１３０．第３のハードマスク層１４０、第４のハードマスク層１５０を形成し、ライン／スペースマスクで第４のハードマスク層１５０と第３のハードマスク層１４０とを選択食刻して上部水平幅が下部より狭い第４のハードマスク層パターンと第３のハードマスク層パターンとを形成し、第４のハードマスク層パターン及び第３のハードマスク層パターンを埋め込む絶縁膜を形成し、絶縁膜を食刻マスクに第４のハードマスク層パターン及び下部の第３のハードマスク層パターンを選択食刻して第３のハードマスク層パターンと該下部に第４のハードマスク層パターンとを形成し、絶縁膜と第４のハードマスク層パターンとを除去し、第３のハードマスク層パターンを食刻マスクに半導体基板をパターニングしてパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理等のプラズマ処理における反応生成物の処理特性への影響を相殺して、基板面内において均一な処理特性の得られるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】処理室内において、マスクを介してガスプラズマを用いて被処理基板を処理するプラズマ処理方法において、側壁保護膜の付着量を適正化し、該適正化された付着量を被処理基板の中央と端部との間で等しくし、側壁保護膜の面内均一性を維持しながらプラズマ処理する。 （もっと読む）

【課題】多種のエッチング条件下においても、断面形状が垂直で面内均一性の良いエッチングを容易に行なうことができる、ドライエッチング装置を提供する。
【解決手段】このドライエッチング装置は、真空容器内を排気する排気口１０３と、真空容器内にガスを供給するガス導入口１０２とが接続された、真空容器１０１を備える。また、真空容器１０１内に、誘導結合されたプラズマを発生させるプラズマ源１０４と、基板１０８を搭載する第１の電極１０５を備える。また、第１の電極１０５とプラズマ源１０４との間の、真空容器１０１の内壁側に設置された、第２の電極１０９を備える。そして、第２の電極１０９には直流電源１１０が接続されている。直流電源１１０の調整により真空容器１０１内のイオンシースの広がりを制御し、真空容器１０１内のプラズマ密度を均一化し、エッチングの面内均一性を向上させることができる。 （もっと読む）