プラズマ処理チャンバを含むプラズマ処理システムにおいて、基材のエッチングに対する耐性を最適化する方法について開示する。該方法は、エッチングガス混合物と親和性を有するプレコート（pre-coat）ガス混合物をプラズマ処理チャンバに流入させる工程；プレコートガス混合物の第一プラズマを照射する工程；基材を含む基板を導入する工程を含む。また該方法は、プラズマ処理チャンバ内にエッチングガス混合物を流入させる工程；エッチングガス混合物からの第二プラズマを照射する工程；第二プラズマにより基板をエッチングする工程；を含む。
そして、プラズマ処理チャンバ内で、第一プラズマが表面にプレコート残留膜を形成し、基材のエッチング耐性を実質的に維持することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】上層配線に被覆されない接続孔を選択的に縮小させることにより、隣接する異電位配線とのショート不良を防止することを可能とする。
【解決手段】基板上に第１、第２絶縁膜１８、１９を形成する工程と、その上に有機犠牲層３０と第１、第２マスク層３１、３２を順に形成する工程と、第２マスク層３２に配線溝パターン３３を形成する工程と、第２、第１マスク層３２、３１および有機犠牲層３０に接続孔を形成するための接続孔パターン３４を形成する工程と、第２、第１マスク層３１、３２をエッチングマスクに用いたエッチングにより第１マスク層３１、有機犠牲層３０に配線溝パターン３３を形成し、第２絶縁膜１９に接続孔３５を形成する工程と、第１マスク層３１、有機犠牲層３０をマスクに用いて、第２絶縁膜１９に配線溝３６を形成し、第２、第１絶縁膜１９、１８に接続孔３５を形成する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】マイクロ・マシーン製造上の鍵となる被加工プレートに対する傾斜構造を少ない工程数で、短時間かつ低コストで形成可能なプラズマエッチング技術を提供する。
【解決手段】 プラズマエッチング時においては、基板上の電位勾配は、基板に対して垂直になる。そこで、基板1上に幅の小さな被加工プレート３を角度を設けて置いた場合、ベースとなる基板と基板上に置いた被加工プレートの両方の影響を受けた電位勾配が生じる。イオンは、この電場勾配に沿って被加工プレートに入射されるため、被加工プレートに対して傾いた方向にエッチングが進む。これを利用すると、傾いた構造体７を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板の表面にミクロンサイズ以下の三次元形状を精度よく加工できるシリコン基板加工方法を提供する。この加工方法を用いて加工された光学素子用金型及び光学素子用金型母型、更に光学素子用金型により加工された光学素子及び回折格子を提供する。
【解決手段】 このシリコン基板加工方法は、シリコン基板上にレジストを塗布し、レジストを三次元形状に形成し、レジストをマスクとしてドライエッチングによりシリコン基板を加工しシリコン基板の表面に三次元形状を形成し、ドライエッチングの終点をレジストマスクの消失の程度に基づいて決める。 （もっと読む）

【課題】基板上のフォトレジストエッチングマスクを通して低ｋ誘電体層中にフィーチャをエッチングする方法を提供する。
【解決手段】単一のフォトレジストマスクを剥離するガス変調された周期的剥離プロセスが３サイクルより多く行われる。ガス変調された周期的剥離プロセスのそれぞれのサイクルは、保護層形成フェーズおよび剥離フェーズを実行することを含む。保護層形成フェーズは、堆積ガス化学物質と共に第１ガス化学物質を用い、保護層形成フェーズはそれぞれのサイクルについて約０．００５〜１０秒行われる。フォトレジストマスクを剥離する剥離フェーズは、剥離ガス化学物質を用いた第２ガス化学物質を用い、第１ガスは第２ガスとは異なり、エッチングフェーズはそれぞれのサイクルについて約０．００５〜１０秒行われる。 （もっと読む）

パターン内に存在する土地を横方向にトリミングしながら、パターンを上にある層から下にある層に転写するシステムおよび方法を記載する。パターンの転写は、プロセスレシピに基づくエッチング処理を用いて行われ、プロセスレシピ内の少なくとも１つの可変パラメーターは、目標トリム量を仮定して調節される。可変パラメーターの調節は、トリム量データを可変パラメーターに関連付けるために確立されたプロセスモデルを用いて行われる。
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半導体素子（５０）は、導電層（１６）をパターニングしてトランジスタ（８０，８２，８４）のゲート（６０，６２，６４）を形成することにより形成される。ゲート（６０，６２，６４）を形成するプロセスは、導電層（１６）を覆うフォトレジスト（５４，５６，５８）をパターニングする工程を有する。パターニング済みフォトレジスト（５４，５６，５８）をトリミングしてフォトレジストの幅が小さくなるようにする。フッ素、好適にはＦ_２をトリミング済みフォトレジスト（５４，５６，５８）に導入して導電層に対するフォトレジストの硬度及びフォトレジストの選択性を高くする。トリミング済みのフッ素化フォトレジスト（５４，５６，５８）をマスクとして使用して、導電層（１６）をエッチングしてゲート（６０，６２，６４）として有用な導電パターンを形成する。トランジスタ（８０，８２，８４）は、導電性ピラーがゲート（６０，６２，６４）となるように形成される。他のハロゲン元素、特に塩素をフッ素の代わりに使用することができる。
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化学的酸化物処理のための処理システムおよび方法が提供される。処理システムは、第１処理チャンバと第２処理チャンバを備えている。これらのチャンバは互いに接続されている。第１処理チャンバは、温度制御されたチャンバと、独立して温度制御されるとともに、化学処理される基材を支持する基材ホルダとを備えている。基材は、表面温度およびガス圧力等の制御された条件下で、HF/NH₃といったガス状化学反応雰囲気に曝される。第２処理チャンバは、熱処理チャンバを備えている。熱処理チャンバは、化学処理チャンバから断熱され、温度制御されたチャンバを備えている。熱処理チャンバは、化学的に処理された基材上の表面を熱処理するために、基材の温度を制御するための基材ホルダを備えている。 （もっと読む）

波形ナノ構造を形成する本発明の方法は、周期的な波形ナノ構造が材料表面に形成され、および該ナノ構造の波峰がイオンの入射面に対して垂直方向に配向するように、分子状窒素Ｎ_２^＋イオン流束を用いて半導体材料に照射するものである。ナノ構造振幅を増大させるため、更なる照射をＯ_２^＋イオン流束を用いて、そのイオンボンバードメント面を窒素Ｎ_２^＋イオンによるボンバードメント面に一致させて実施する。Ｏ_２^＋イオンボンバードメントのエネルギーおよび角度は、形成できる波形ナノ構造の波長がＮ_２^＋イオンおよびＯ_２^＋イオンの単独照射におけるものと一致するように選択する。また、規則的な波形ナノ構造をヒ素、ガリウムおよびシリコンの構造体に形成する３つの変形体も開示される。 （もっと読む）

【課題】基板上の誘電体レイヤにおいてトレンチ深さまでトレンチをエッチングする方法を提供する。
【解決手段】ＡＲＣが前記誘電体レイヤ上に設けられる。厚さを有するフォトレジストマスクが前記ＡＲＣ上に形成される。前記ＡＲＣがエッチングされる。１：１および２：１の間であるフォトレジストに対する誘電体のエッチング選択性で、トレンチが前記誘電体レイヤ中へエッチングされる。 （もっと読む）

基板上に基層及び機械層を設けることと、基層と機械層との間に犠牲層を設けることと、犠牲層と基板との間にエッチストップ層を設けることと、ドライ化学エッチングを用いて犠牲層を除去することとを含み、ドライ化学エッチングはフッ素含有プラズマを用いて行われ、エッチストップ層は、ＨｆＯ_２，ＺｒＯ_２，Ａｌ_２Ｏ_３及びＴｉＯ_２のような実質的に非導電性のフッ素の化学作用を起こさない材料を有するマイクロマシン技術（ＭＥＭＳ）デバイスの製造方法である。
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【課題】 パターン形成される造形部分の微小寸法を縮小する技術を提供すること。
【解決手段】 半導体の処理のための技術が提供される。１つの態様において、半導体デバイスに１つまたはそれ以上の造形部分をパターン形成するための方法は、以下のステップを含む。反射防止材のエッチング中に、１つまたはそれ以上の造形部分の少なくとも１つの微小寸法が縮小される。リソグラフィ構造もまた提供される。 （もっと読む）

【課題】基板上のマスクを通してエッチングレイヤ中にフィーチャをエッチングする方法を提供する。
【解決手段】基板がプロセスチャンバ内に置かれる。プロセスチャンバにエッチングプラズマが供給され、エッチングプラズマがエッチングを始める。エッチングプラズマでエッチングレイヤ中にフィーチャがエッチングされる。フィーチャのエッチングのあいだに少なくとも１つのエッチングプラズマパラメータがランピングされることによって、プラズマパラメータを変化するエッチング深さに最適化し、フィーチャがフィーチャ深さまでエッチングされるまでランピングされたプラズマでエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】マスクを通して基板上のエッチングされるべきレイヤ内へ高アスペクト比フィーチャをエッチングする方法を提供する。
【解決手段】ＲＦ電力を第１周波数、前記第１周波数とは異なる第２周波数、および前記第１および第２周波数とは異なる第３周波数において与えることができる処理チャンバ内に基板が置かれる（４０４）。エッチャントガスが処理チャンバに供給される（４０８）。第１エッチングステップが行われ（４１２）、ここで第１周波数、第２周波数、および第３周波数は第１エッチングステップとしての電力設定である。第２エッチングステップが行われ（４１６）、ここで第１周波数、第２周波数、および第３周波数は異なる電力設定である。オプションとして第３エッチングステップも提供されえる（４２０）。 （もっと読む）