【課題】基板上に形成された有機膜をエッチングするにあたり、良好なエッチング形状を得ること。
【解決手段】シリコン含有膜をプラズマによりエッチングして当該膜上のパターンマスクのパターンを転写する工程と、前記パターンマスクを除去して前記シリコン含有膜の表面を露出させる工程と、プラズマ中の酸素の活性種により前記シリコン含有膜のパターンを介して前記有機膜の表面をエッチングし、凹部を形成する工程と、その後、前記シリコン含有膜をスパッタして前記凹部の内壁面にシリコン含有物からなる保護膜を形成する工程と、凹部を、プラズマ中の酸素の活性種により前記シリコン含有膜のパターンを介して更に深さ方向にエッチングする工程と、を行うことで、凹部の側壁を酸素の活性種から保護しながらエッチングを行うことができるため良好なパターン形状が得られる。 （もっと読む）

【課題】被エッチング膜の上に積層された、有機膜と、その有機膜の上に積層されたレジストパターンが開口したレジスト膜とを備える、被エッチング膜のエッチングマスクとなる複数層レジストの前記有機膜に、高い垂直性を有するマスクパターンを形成すること。
【解決手段】前記複数層レジストの前記有機膜を、二酸化炭素と水素とを含む処理ガスをプラズマ化して得たプラズマにより前記レジストパターンに沿ってエッチングして、前記被エッチング膜をエッチングするためのマスクパターンを形成する。実験により複数層レジストを構成する有機膜に垂直性が高いマスクパターンを得ることができることが示されている。 （もっと読む）

【課題】ダイシング時に発生するクラックの基板平面内方向への進行を抑制して半導体チップ領域へのクラックの伝播を防止する。
【解決手段】半導体基板２の主表面に配置された複数の半導体チップ領域１０と、半導体チップ領域１０間に設けられ、各半導体チップ領域１０に分離するためのスクライブライン１２と、を備え、スクライブライン１２の半導体基板２にはダイシングカッターの刃１４よりも幅の広い溝領域８が形成されており、溝領域８はダイシングカッターの刃１４の縁と接触する内側面８ａをもち、内側面８ａの幅方向断面形状は半導体チップ領域１０に近づくほど浅くなっている。 （もっと読む）

【課題】テーパー形状と垂直形状が連通した形状を効率的に形成できる微細構造の形成方法及び流体噴射ヘッドの製造方法の提供。
【解決手段】基板１に垂直な側壁部を有する第１開口部７と、第１開口部７と連通するテーパー状の側壁部を有する第２開口部１０と、を備えた微細構造の形成方法であって、基板１上に階段状の構造を有する貫通孔５を備えたマスク２を形成する第１工程と、マスク２を介してドライエッチング工程と、保護膜８を形成するパッシベーション工程とを交互に連続して繰り返すことにより第１開口部７と第２開口部１０とを形成する第２工程と、を備え、第２工程では、ドライエッチングにおけるエッチング量をパッシベーションにおいて形成される保護膜８の量よりも多くし、第２開口部１０の側壁部となる基板１の一部をエッチングしつつ第１開口部７の底面をエッチングすることで、第２開口部１０の側壁部をテーパー状に形成する。 （もっと読む）

【課題】微細化による配線のＥＭ耐性の劣化を抑制することができる構造を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１０の絶縁膜１１に形成され、上面に凹部１２ｃを有する第１の配線１２ｂと、絶縁膜１１及び第１の配線１２ｂの上に形成され、凹部１２ｃを露出すると共に側壁が順テーパー形状の接続孔１４ｃと配線溝１４ｂとを有する第２の絶縁膜１４と、接続孔１４ｃ及び凹部１２ｃに埋め込まれ、第１の配線１２ｂと接続するビア１９ｂと、配線溝１４ｂに形成され、ビア１９ｂと接続する第２の配線１９ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】 大幅な工程の増加を招来することなく、同一チップ内における埋め込み用絶縁膜の表面の平坦性を担保可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ＳｉＯ_２膜２が堆積された半導体基板１上に、ＳｉＮ膜３、ポリシリコン膜４、ＳｉＯＮ膜５を堆積後、パターニングする。次に、ウェットエッチング処理を行い、ＳｉＯＮ膜５の基板面と平行方向に係る寸法をポリシリコン膜４よりも小さくする。次に、全面にサイドウォール形成用絶縁膜１２を堆積し、異方性エッチング処理を施す。次に、半導体基板１に対して異方性エッチング処理を施し、トレンチ１３を形成する。このとき、ＳｉＮ膜３の外周部分に突出部１２が形成される。その後、全面に埋め込み用絶縁膜を堆積した後、研磨処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板面内におけるエッチング変換差の面内ばらつきを小さく抑えるとともに、製品たる半導体装置の製造効率を高めることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの表面へのリソグラフィプロセスによるエッチングマスクの形成に用いられる半導体装置の製造方法であって、それぞれ所定の開口率を有する第１パタン部と第２パタン部とが一定位置に配置されてなるエッチングマスクを用いたエッチング処理によって、このエッチングマスク下の被エッチング膜に生じるエッチング変換差を第２パタン部の開口率と関係付けたデータとして予備的に求める（ＳＴ１〜５）。被エッチング膜におけるエッチング変換差の面内ばらつきが小さくなるように、基板に実処理のためのエッチングマスクを形成する際の第２パタン部の開口率を先に求めたデータに基づいて決定する（ＳＴ６）。 （もっと読む）

【課題】アスペクト比が高い素子分離用溝に素子分離絶縁膜を確実に充填した状態で埋め込み形成する。
【解決手段】シリコン基板１にシリコン酸化膜５、多結晶シリコン膜６およびハードマスク材としてのシリコン窒化膜７を積層形成する。フォトリソグラフィ処理でレジストでマスクを形成し、ＲＩＥによりシリコン窒化膜７を加工してハードマスクを形成し、ハードマスクを利用して多結晶シリコン膜６、シリコン酸化膜５およびシリコン基板１をＲＩＥにより加工してトレンチ４を形成する。このとき、エッチング条件としてフロロカーボン系ガスを添加することで、底面部の端部を除いた中間部に凸部１ａを形成する。ＨＤＰ酸化膜８を埋め込むときにボイド発生を防止して埋め込みを確実に行なえ、絶縁耐圧も確保することができる。 （もっと読む）

【課題】デュアルダマシン構造において、ビアのボトム径を一定以上確保するとともに、ビアのトップ径を一定以下の大きさとすることにより、ビア抵抗を抑え、ＥＭ耐性・ＳｉＶ耐性を確保するとともに、ＩＬＤ−ＴＤＤＢ耐性を確保した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法が、前記層間絶縁膜に、フルオロカーボン系ガスおよびＮ_２ガスを含むエッチングガスを用いたドライエッチングによりビアホールを形成する工程と、つづいて前記層間絶縁膜に、前記ビアホールに接続する配線溝を形成し、当該層間絶縁膜に前記下層導電膜に接続するデュアルダマシン配線を形成するためのデュアルダマシン配線溝を形成する工程とを含み、前記ビアホールを形成する工程において、ビアホールをボーイング形状に形成し、および前記配線溝を形成する工程において、前記ビアホールが最大径となる近傍領域の位置までエッチングして、配線溝を形成するとともに、前記配線溝の下部に順テーパー形状のビアを形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体マスクを製造する方法が記載されている。
【解決手段】最初に、犠牲マスク及びスペーサマスクを有する半導体スタックが提供される。犠牲マスクは、一連のラインを含み、スペーサマスクは、一連のラインの側壁に近接するスペーサラインを有する。次に、スペーサマスクをトリミングする。最後に、犠牲マスクを除去して、トリミングされたスペーサマスクを与える。トリミングされたスペーサマスクは、犠牲マスクの一連のラインの頻度を２倍にする。 （もっと読む）

半導体デバイスの製造中に材料をパターン化するための方法は、どの工程が選ばれるかによって、対称なフォトマスクを用いて非対称な機構もしくは対称な機構のいずれかを選択的に形成する。製造される、結果として得られる機構は、パターン化材料の周囲に形成されるスペーサーを用いる。基材を除去するために一つの特定のエッチングが使用される場合、対称な機構が得られる。基材を除去するために二つの特定のエッチングが使用される場合、非対称な機構が得られる。
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【課題】プラズマ処理の均一性を高めたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理室１と、処理室内にガスを供給するシャワープレート１１と、シャワープレートの内側の領域と外側の領域とを分割する仕切り部材１２を備えたガス分散板１０と、ガス分散板の内側の領域と外側の領域とにそれぞれ処理ガスを供給するための２系統のガス供給系２２−１，３、２２−２，４と、真空排気手段２５と、被処理体を戴置し得る電極４と、電磁波放射電源５Ａとを具備し、前記２系統のガス供給系のそれぞれに、酸素（Ｏ_２）ガスまたは窒素（Ｎ_２）ガスを第２のガスとしてガス流量調節器１３−９，１０を介して所定の流量比で添加するための添加ガス供給系を具備した。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比のトレンチを形成でき、且つ、トレンチ壁面全面にわたってダメージ層を除去できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】異方性ドライエッチングにより、シリコンを含む半導体基板にアスペクト比が１０以上のトレンチを形成するトレンチ形成工程と、異方性ドライエッチングによって半導体基板に生じたダメージ層を、等方性ドライエッチングにより除去する除去工程と、を有する半導体装置の製造方法であって、除去工程において、少なくとも炭素及びフッ素を含む第１ガスと、酸素からなる第２ガスとの少なくとも２種類のガスを用い、半導体基板の温度をトレンチの壁面全面にわたってダメージ層を除去できる温度にして、等方性ドライエッチングを実施する。 （もっと読む）

【課題】 微小なコンタクトホールを狭いピッチで形成することができ、且つ露光装置に対する要求（高ＮＡ）の緩和及びチップ面積の縮小をはかる。
【解決手段】 半導体装置の製造方法であって、被処理膜１１上に、複数のコンタクトパターンのパターン開口を有し、且つ隣接するパターン開口を括れた状態で接続する接続開口を有するマスク材料膜２２を形成した後、マスク材料膜２２の各開口の側壁に側壁膜２５を形成することにより、パターン開口の径を小さくすると共に隣接するパターン開口を分離し、次いでマスク材料膜２２及び側壁膜２５をマスクとして被処理膜２１を選択的にエッチングしてコンタクトホールを形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ毎に異なるロールオフ形状に対応した最適なオーバーハング量、クリアランス量を容易に設定可能であり、半導体ウェハ外周縁部の形状に応じたエッチング量の制御が可能で、ロールオフ、ＳＦＱＲ等の半導体ウェハ外周縁部の平坦度をも向上できる局所ドライエッチング装置のエッチングガス流制御装置を提供すること。
【解決手段】局所ドライエッチング装置のノズルから半導体半導体ウェハＷに向かって噴出するエッチングガスの流れの前方において、ガス流の一部を、その縁部において遮ることが可能であり、ガスの暴露に対して耐性を有する材料からなる板状マスク体Ｍ、及び、上記板状マスク体Ｍを局所エッチングの進行に応じて移動させるための送り装置が備えられている。送り装置によって、板状マスク体Ｍの縁部の位置は、半導体ウェハのエッジロールオフ形状に応じて調整できるため、エッジロールオフ形状毎に交換する必要がない。 （もっと読む）

【課題】 センサ等を構成する構造体において、１枚のマスクと簡単な工程で製造することができる構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】 ＳＯＩ基板７の表面に絶縁膜１２を形成する。絶縁膜１２の表面にパターニングされたレジスト層１４を形成し（１）、そのパターンに沿って絶縁膜１２と非絶縁性のシリコンの上層６を異方性エッチングし、中間層４に至るトレンチを形成する（２）。遊離上層領域６ａ直下の中間層４を等方性エッチングし、ベース層２と分離するに至るまでエッチングする。次に、固定上層領域６ｂ表面の一部に印刷法により金属膜８を形成する（３）。金属膜８を形成する工程では、フォトマスクを使用することがない。使用するフォトマスクは、レジスト層１４をパターニングする際の１枚のみである。 （もっと読む）

【課題】形状及び寸法の精度が高い微細構造の加工方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の微細構造の加工方法は、基板１０に微細な凹部３０を形成する微細構造の加工方法である。エッチングマスク２０を設けた基板１０の露出部をドライエッチングして、第１の深さの凹部３０を形成する工程と、第１の深さの凹部が形成された基板のエッチングマスク上に、液滴吐出法でレジスト液体物を配する工程と、基板のエッチングマスク上に配されたレジスト液体物を硬化させて、エッチングマスクを補強する補強膜７０を形成する工程と、補強膜７０が形成された基板の凹部３０をドライエッチングして深くし、凹部３０を第１の深さよりも深い第２の深さに形成する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】いわゆるメサ型の半導体装置において、耐圧の向上を図ると共に高信頼性の半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】レジスト層をマスクとした異方性エッチングで絶縁膜５及び半導体基板１を選択的に除去し、半導体基板１の主面に対して実質的に垂直な側壁を有する溝８を形成する。次に、溝８に対して等方性エッチングする。これにより、溝８の内壁に生じた荒れは除去されて、溝８の内壁が平坦化される。また、同時に水平方向にもエッチングが進行し、溝８の上部１０は、半導体基板１の表面側に近付くにつれて広がるように傾斜する。次に、溝８内にパッシベーション膜１１を形成する。次に、所定のダイシングラインに沿って半導体基板１等を切断し、チップ状の個々の半導体装置を得る。 （もっと読む）

【課題】目標臨界寸法を有する微細パターンを形成方法を提供する。
【解決手段】微細パターンを形成方法は、半導体基板１００の上部にエッチング対象膜、第1のハードマスク膜及び菱状の絶縁パターンを形成する段階、絶縁パターンを含む前記第1のハードマスク膜上に第1の補助パターンを形成するが、四角形で隣接した4個の前記絶縁パターンの間の中央には絶縁パターンと同一の形態のコンタクトホールを有するように形成する段階、前記絶縁パターンの上部が露出されるように前記第1の補助パターンをエッチングして第2の補助パターンを形成する段階、前記露出された絶縁パターンを除去する段階、前記第2の補助パターンをエッチングマスクとして用いるエッチング工程で前記第1のハードマスク膜をエッチングして第1のハードマスクパターン１０２ａを形成する段階、及び第1のハードマスクパターンを用いて前記エッチング対象膜をエッチングする段階を含む。 （もっと読む）

【課題】受光部上に開口部を形成するためのレジスト膜にクラックが生じることにより、意図しない部分の層間絶縁膜まで、エッチングされる。
【解決手段】エッチングマスクとして用いるレジストパターンの形状を、応力を分散させる形状に形成する。応力はレジストを露光し、現像した後にポストベークを施すことによってレジストが硬化されるために生じる。この応力を分散させるために、レジストパターンは平面形状で角を有しない形状に形成される。 （もっと読む）