【課題】基板の反射防止（ＡＲＣ）層をパターンエッチングする方法を提供する。
【解決手段】この方法は、六フッ化硫黄（ＳＦ_６）および炭化水素ガスを含有する処理ガスから生成されるプラズマを用いてシリコン含有反射防止層をエッチングして幾何形状パターンを形成する工程を含み、さらに、前記幾何形状パターンにおける密集した構造についての最終限界寸法と、前記幾何形状パターンにおける孤立した構造についての最終限界寸法との限界寸法偏差を低減するため、前記ＳＦ_６の流量に対する前記炭化水素ガスの流量を調整する、各工程を含む。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコン基板を用いた半導体装置を製造する際に、エッチング速度を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】単結晶シリコン基板１１０に対してレーザー光Ｌを照射して、そのレーザー光Ｌの焦点を移動させることによって、少なくとも一部が単結晶シリコン基板１１０の表面に露出するように単結晶シリコン基板１１０の内部を部分的に多結晶化して改質部１５０を形成する改質工程と、改質工程にて単結晶シリコン基板１１０を多結晶化した部位をエッチャントにて連続的にエッチングするエッチング工程とを備える半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】単結晶表面に下り方向段差と上り方向段差からなる複合ステップテラス構造を有する単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、平坦な第１のテラスと、下り方向の第１の段差と、平坦な第２のテラスと、前記第１の段差よりも高さの小さい上り方向の第２の段差からなる複合ステップテラス構造を有する単結晶基板の製造方法であって、単結晶基板に対してエッチングを行なうことで自己組織的に複合ステップテラス構造を有する単結晶基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】所望のパターンを有する第１のマスクと所望のパターンの開口部に拡散されるエッチング種の量を制御するための第２のマスクとを用いて、深さが変化する所望のパターンを半導体表面に作製するための方法において、エッチングに寄与するエッチング種を増大させること。
【解決手段】エッチングガスに塩素を用いてＲＩＢＥを行うと、図１７（ｂ）の構造が得られる。このエッチングにおいて、マスク厚の厚いＳｉＮ_xマスク１４１１からの塩素プラズマの寄与が大きく、マスク厚の薄いＳｉＯ₂マスク１４１０からの塩素プラズマの寄与は小さい。したがって、マスク幅の広い回折格子中央部ではマスク上で反応しない塩素プラズマが多量に開口部に拡散することにより開口部での塩素プラズマは高濃度になりエッチング速度が増加する。ここで用いるマスクは２段構造を有しており、１段構造に比べてより多くのエッチング種をエッチングに関与させる。 （もっと読む）

【課題】下層導電層の表面を十分保護することができ、信頼性が高く、配線容量が小さなデュアルダマシン配線を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】導電性領域１１を有する下地と１０、下地の表面を覆う絶縁性エッチストッパ膜１２と、絶縁性エッチストッパ膜上に形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜表面から第１の深さで形成された配線用溝と、配線用溝底面から導電性領域に達する接続用孔と、配線用溝および接続用孔を埋め込んで形成されたデュアルダマシン配線である。層間絶縁膜が配線用溝の側面および底面を包む第１種の絶縁層１５と、第１種の絶縁層よりも下に配置され、第１種の絶縁層とエッチング特性の異なる第２種の絶縁層５６とを含む。接続用孔は、断面で見た時に第１種の絶縁層内で傾斜し、上方に向かって次第に開口が増大する部分を有する。 （もっと読む）

【課題】レジストスリミング幅のばらつきを抑制する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、シリコンを含む被加工層上にレジスト４１を形成するレジスト形成工程と、処理室内にハロゲン元素を含むガスを導入し、レジスト４１をマスクにして被加工層をハロゲン元素を含むガスを用いてエッチングするエッチング工程と、エッチング工程の後、同じ処理室内に酸素ガスとハロゲン元素を含むガスを導入し、酸素ガスとハロゲン元素を含むガスを用いてレジスト４１の平面サイズを縮小するレジストスリミング工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口部をマスク層又は中間層に形成することができる制御性に優れた基板処理方法を提供する。
【解決手段】アモルファスカーボン膜５１、ＳｉＯＮ膜５２，ＢＡＲＣ膜５３及びフォトレジスト膜５４が順に積層されたウエハＷを処理する基板処理方法であって、ＣＨＦ_３ガスと、ＣＦ_３Ｉガスと、Ｈ_２ガス及びＮ_２ガスの混合ガスから生成されたプラズマによって、フォトレジスト膜５４の開口部５５のＣＤ値を縮小しつつ開口部底部のＳｉＯＮ膜をエッチングするシュリンクエッチングステップと、開口部５５の側壁面へのデポの堆積を促進させて各ＣＤ値のばらつきを吸収するばらつき吸収ステップと、開口部の内面に薄膜を形成して各開口部の開口幅を縮小させる開口幅縮小ステップとを１ステップで行う。 （もっと読む）

【課題】シリコン・オン・インシュレータ界面のアンダカットを実質的に抑制する方法を提供する。
【解決手段】垂直方向に一様なエッチングを行うように様々なサイズの凹部内のイオン充電を制限するためにイオン密度が低減される反応性イオン・エッチング工程を仕上げエッチング段階として使用することによってアンダカットが実質的になくなる、シリコン・オン・インシュレータ基板に異方性プラズマ・エッチングを施す方法を開示する。 （もっと読む）

【課題】所定のプラズマプロセスが処理基板に創り出す処理表面プロファイルを予測するための方法を提供する。
【解決手段】入力変数のそれぞれの試験値を選択し（２００）、プラズマをモデル化し（２１０）、２１０の結果及び２００で与えられた基板パラメータを利用して、基板表面プロファイルの試験プロセスの結果を概略予測し（２２０）、入力変数と未知の係数に関して表面プロファイルモデルの初期値を与え（２３０）、試験表面プロファイルとプロファイル予測概略値との間の相異の指示を生成し、相異の指示を最小化する未知の係数のそれぞれの最適値を生成する。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比の深孔加工において、被エッチング材の開口におけるボーイングを抑制しつつ、高アスペクト比部での開口不足を解消する。
【解決手段】プラズマエッチング装置により被エッチング材上にパターニングされて形成されたマスクを用いて前記被エッチング材をエッチング処理する被エッチング材のプラズマエッチング方法において、フルオロカーボンガスＣ_ｘＦ_ｙ（ｘ＝１、２、３、４、５、６、ｙ＝４、５、６、８）を用いて前記マスクのマスクパターンの表面に近い開口側壁に堆積物を付着させながら被エッチング材をエッチングする高堆積性の第１のステップと、フルオロカーボンガスを用いて前記マスクのマスクパターンの表面に近い開口側壁に付着させた堆積物を削りながら被エッチング材をエッチングする低堆積性の第２のステップと、を順次行う。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上の二酸化シリコン含有材料をエッチング形状（例えば、トレンチ、コンタクト、またはビア等）を形成するための改良された装置および方法を提供する。
【解決手段】半導体の基板２１４を処理するプラズマ処理リアクタ装置２００は、チャンバ、第１のＲＦ周波数を有した第１のＲＦ電源２０６に結合されるように構成されたトップ電極２０４と、第１のＲＦ周波数より低い第２のＲＦ周波数を有した第２のＲＦ電源２１２に結合されるように構成されたボトム電極２１０とを備える。この装置は、また、チャンバの内壁に沿った絶縁シュラウド２２０とボトム電極２１０の外周の外側に配置された穿孔プラズマ閉じ込めリング２２２をさらに備え、この穿孔プラズマ閉じ込めリング２２２の上面は、基板２１４の上面の下方に配置され、処理中には電気的に接地されている。 （もっと読む）

【課題】トレンチゲート構造におけるゲート絶縁膜の局所的な薄膜化を抑制する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、第１導電型の半導体層１、２と、半導体層２の第１の主面側に設けられた第２導電型のベース層３と、ベース層３の表層部に選択的に設けられた第１導電型のソース領域４と、ソース領域４の表面上に設けられた第１の主電極１１と、半導体層１の第２の主面に設けられた第２の主電極１２と、ソース領域４の表面からベース層３を貫通して半導体層２に至る深さまで形成されたトレンチＴの底面及び側面に設けられたゲート絶縁膜５と、トレンチＴ内におけるゲート絶縁膜５の内側に設けられたゲート電極６とを備え、トレンチＴの底面及び側面は同じ面方位であり、底面の曲率半径は１００ｎｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】柱状残渣の発生を抑制した半導体素子の製造方法の提供。
【解決手段】基板１２上に配線層１４を形成する工程と、基板１２および配線層１４を覆うように、第３絶縁膜２２、第２絶縁膜（ＳｉＮ膜）２４、および第１絶縁膜（ＰＳＧ膜）２６を順に積層した層間絶縁層２０を形成する工程と、第１絶縁膜２６上にマスクパターンを形成する工程、ウェットエッチング処理によって第１絶縁膜２６のコンタクトホール３０形成部分を除去する工程、少なくとも等方性ドライエッチングを含むエッチング処理によって第２絶縁膜２４のコンタクトホール３０形成部分を除去する工程、およびエッチング処理によって第３絶縁膜２２のコンタクトホール３０形成部分を除去する工程、を経て配線層１４表面が露出するよう層間絶縁層２０にコンタクトホール３０を形成する工程と、を有する半導体素子１０の製造方法。 （もっと読む）

本発明は、ＵＶＬＥＤ装置及びその製造方法を提供する。この装置は、基板（１）上に下から上への順で設けられたＡｌＮ核層（２、３）、真性ＡｌＧａＮエピタキシャル層（４）、ｎ−型ＡｌＧａＮバリア層（５）、活性領域（６）、第１のｐ−型ＡｌＧａＮバリア層（７）、第２のｐ−型ＡｌＧａＮバリア層（８）、及びｐ−型ＧａＮキャップ層（９）を含備える。ｐ−型ＧａＮキャップ層には、発生した光を発するためのウインド領域（１０、Ｗ、Ａ）をエッチングしている。 （もっと読む）

【課題】検出感度が高く良好な接点を形成可能な接点デバイスの製造方法及び接点デバイスを提供すること。
【解決手段】導電性の基板上に立設された固定部材と、前記固定部材との間に接点を形成し得るように該固定部材から所定間隔をとって配置された可動部材とを形成するエッチング工程を含む接点デバイスの製造方法において、エッチング工程では、エッチングガスとデポジションガスとを共に用いて、エッチングと該エッチングにより形成される側壁の保護膜形成とを並行して行うことにより、スキャロッピングなどの凹凸のない平滑な接点を形成する。 （もっと読む）

【課題】多層レジストや、メタルゲート／Ｈｉｇｈ−ｋ等の積層膜のドライエッチング加工において、高精度の加工精度が要求される。
【解決手段】複数層の連続エッチング加工において、エッチング後の寸法測定することなく、加工の形状または寸法を、真空処理室１の内壁または半導体基板４と、真空処理室１内に生成されたプラズマとの間の電荷量に応じて変動するバイアス電位を計測し、また、プラズマ中の波長の異なる各イオン種の発光強度を測定し、これらから予め設定したモデル式にて、各膜種のエッチング処理毎に、エッチング後の各膜種の加工寸法を予測し、次の膜のエッチング後寸法が、所定の寸法値になるよう処理条件を変更し、連続して次の膜種のエッチング処理を行うことで、寸法や形状を補正するドライエッチング方法および装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】基材を損傷させずに大面積の基材上に微細凹凸パターンを形成する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも一方の主面に凹凸パターン部を有するシート状部材２を、加熱により流動化させる工程と、前記主面に形成され少なくとも部分的に前記凹凸パターン部と噛合するとともに、前記凹凸パターン部の複数の凹部に渡って連続した反転凹凸パターン層４を介して、前記シート状部材を基材５に圧着する工程と、前記圧着後、前記シート状部材を除去して、少なくとも前記反転凹凸パターン層を前記基材上に残置する工程と、前記シート状部材を除去した後、前記反転凹凸パターン層のパターン形状を前記基材の表面に転写する工程とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】マスク酸化膜と半導体層との境界部及び酸化膜絶縁層と半導体層との境界部にエグレが生じないようにトレンチを形成するトレンチ形成方法を提供する。
【解決手段】互いに異なる成分からなる少なくとも２種類のエッチングガスの１をエッチングガスとする少なくとも３つのエッチングステップを含むトレンチ形成方法。 （もっと読む）

【課題】エッチング工程の制御可能性を改善したエッチング方法を提供する。
【解決手段】ウエハをエッチングするエッチング処理装置は、該ウエハを保持するチャックと、該ウエハの温度を知らせる温度センサとを含む。チャックは、温度制御システムによって制御されるヒータを含む。温度センサは、温度制御システムに作動的に結合されて、チャックの温度を選択可能な設定温度で維持する。第１の設定温度及び第２の設定温度を選択する。ウエハをチャック上に配置し、第１の設定温度に設定する。次に、ウエハを、第１の設定温度で第１の時間だけ処理し、第２の設定温度で第２の時間だけ処理する。 （もっと読む）

【課題】ホールの上面形状を整えて線条痕をなくすと共に、ボトム形状に歪みがなく、しかもボーイング形状の発生を防止して良好な垂直加工形状のホールを処理対象層に形成することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理ガスとしてＣＦ_４ガス、ＣＨＦ_３ガス及びＣ_４Ｆ_８ガスを含有する混合ガスを用い、処理圧力１００ｍＴｏｒｒ（１．３３×１０Ｐａ）〜１５０ｍＴｏｒｒ（２．０×１０Ｐａ）で中間層としてのＢＡＲＣ膜５３をエッチングし、次いで、処理ガスとしてＣＯＳガス含有ガスを用いて下層レジスト層としてのＡＣＬ５２をエッチングし、その後、処理ガスとしてＣ_６Ｆ_６ガス含有ガスを用いて処理対象層としての酸化膜５１をエッチングする。 （もっと読む）