【課題】金属配線が疎であっても、サイドエッチングの無い、良好な断面形状を有する金属配線を形成する方法を提供する。
【解決手段】金属配線を形成する領域の近傍にダミー金属配線を配置する領域を設ける。ダミー金属配線領域にはトレンチ１００を形成し、次いで、金属配線のためのレジストパターン１０５を形成すると、トレンチ上のレジストは単位面積当り表面積を大きくすることができる。そして、ドライエッチングによる金属配線形成を行うと、このトレンチ上のレジストからの有機成分が強固な側壁保護膜１０７を作り、異方性エッチングが行われるため、良好な断面形状の金属配線１０８となる。 （もっと読む）

【課題】トレンチの上部と下部とで形状を変えたトレンチを形成できるドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】基体の凹部の内面に第１の保護膜を形成し、第１のバイアス電力を用いて第１のエッチングを行った後、前記第１のバイアス電力よりも低い第２のバイアス電力を用いて第２のエッチングを行うことにより、前記第１の保護膜のうち前記凹部の底面の部分を除去して前記基体をエッチングする第１のサイクルを複数回繰り返す第１の加工と、前記凹部の内面に第２の保護膜を形成し、第３のバイアス電力を用いて第３のエッチングを行った後、前記第３のバイアス電力よりも低い第４のバイアス電力を用いて第４のエッチングを行うことにより、前記第２の保護膜のうち前記凹部の底面の部分を除去して前記基体をエッチングする第２のサイクルを複数回繰り返す第２の加工と、の間に、前記凹部の内面に、第３の保護膜を形成すること。 （もっと読む）

【課題】プラズマを利用したエッチング技術（ドライエッチング技術）を利用して、テーパ形状の孔を良好に形成し得る技術を提供することを一つの目的とする。
【解決手段】本発明に係る一態様の製造方法は、孔を有する基板を製造する方法であって、（ａ）貫通孔(14)を有するマスク(12)を、基板(13)の一面上に密着させて配置する第１工程と、（ｂ）前記マスクを介して、前記基板に対してプラズマエッチングを施すことにより、前記基板の前記貫通孔に対応した位置に孔を形成する第２工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】サブトレンチの形成による半導体装置の特性の低下を容易に抑止することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体の表面の一部を反応性イオンエッチングにより除去することによって半導体に溝を形成する反応性イオンエッチング工程と、溝の底面に対して０°より大きく４５°以下の角度に傾斜した方向からイオンビームを照射することによって溝の底面の一部を除去する低角度イオンミリング工程とを含む半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 光の取り出し効率を向上させることが可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明による半導体発光素子１は、光（Ｌ９〜Ｌ１１）を透過可能な基板２と、基板２の主面上に形成された、傾斜した側面１０ｂを有する発光層を含む半導体層１０と、半導体層１０の表面を覆うように形成された反射層２０とを備え、半導体層１０の側面１０ｂは、基板２の主面の水平方向に対して４５〜７５°の傾斜角θを有しており、反射層２０は、複数の誘電体層（１１〜１３）を含み、各誘電体層（１１〜１３）は半導体層１０の上部端面１０ａ側の平均厚さがｍ（λ／ｎ_ｒ）、半導体層１０の側面１０ｂ側の平均厚さがｍ（λ／ｎ_ｒ）ｃｏｓθ、ただし、λ：発光層の発光波長、ｎ_ｒ：各誘電体層（１１〜１３）の屈折率、ｍ：１以上の任意の整数、で表される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、トレンチの底面に流動性の第１の絶縁膜を満たし、第２の絶縁膜を形成した後に乾式エッチング工程及び湿式エッチング工程を行ってトレンチの上部の幅を広げながら第２の絶縁膜に含まれるフッ素(Ｆ；fluorine；フローリン)の量を減少させることができる半導体メモリ素子の素子分離膜形成方法を提供することを可能にすることを目的としている。
【解決手段】 トレンチが形成された半導体基板が提供される段階と、トレンチを含む半導体基板上に第１の絶縁膜を形成する段階と、第１の絶縁膜の一部を除去する第１のエッチング工程を行ってトレンチの開口部の幅を広げる段階と、第２のエッチング工程を行って第１の絶縁膜内に含まれた不純物を除去する段階と、第１の絶縁膜を含む半導体基板上に第２の絶縁膜を形成する段階とを含む構成としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングにおいて、ナノメートルスケールの加工寸法（ＣＤ）ばらつきを制御することを可能とする。
【解決手段】ウエハ開口率および局所パターンの立体角に応じて、反応生成物フラックスと立体角の積で表される加工側壁に入射する堆積物量を制御する形状シミュレータ３１と、前記形状シミュレータ３１で得られたデータベースとドライエッチング中のエッチング状態から検出された実測値とを比較してエッチングプロセスの補正値を算出し、該補正値をドライエッチング装置１のエッチングチャンバ１１に指示する制御部１３とを備え、前記エッチングチャンバ１１で行うエッチングプロセスのパラメータをリアルタイムに補正することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】キャパシタ特性の良好なスタック型の強誘電体キャパシタを有する半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】チャンバー５３内においてマスク２５を使用して上部電極膜２４、強誘電体膜１９、下部電極膜１８までをエッチングしてキャパシタ４０を形成した後に、下部電極膜１９のエッチング時に比べて副生成物量の付着量が少なくなるようにクリーニングされたチャンバー５３内でキャパシタ側壁をオーバーエッチングし、これにより、キャパシタ４０の底面に対するキャパシタ側壁の角度を、オーバーエッチング前に比べてオーバーエッチング後に大きくする工程を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】誘電体層に高アスペクト比のコンタクト開口部を形成するエッチング方法を提供する。
【解決手段】各コンタクト開口部の側壁上に導電性の高い薄膜を形成することでエッチプロファイルの湾曲又は屈曲を防止しながら高アスペクト比のコンタクト開口部をエッチングする。側壁上の薄膜の導電性はエッチ処理中に周期的に行うイオン衝突により増強される。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて工程の簡略化と製造コストの低減を図ることができ、生産性の向上を図ることのできる半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、制御プログラム及びプログラム記憶媒体を提供する。
【解決手段】フォトレジスト１０３のパターンの上にＳｉＯ₂膜１０４を成膜する成膜工程と、ＳｉＯ₂膜１０４をフォトレジスト１０３のパターンの側壁部にのみ残るようにエッチングするエッチング工程と、フォトレジスト１０３のパターンを除去してＳｉＯ₂膜１０４のパターンを形成する工程とを具備している。 （もっと読む）

【課題】意図する電気的特性を得ることができる。
【解決手段】半導体基板上に第１の絶縁層１、第２の絶縁層２、第３の絶縁層３の順番に積層する。次に、第３の絶縁層３の所定部位に第１の絶縁層１が露出する開口部４を形成する。次に、第３の絶縁層３をマスクにして開口部４から露出する第１の絶縁層１を、その一部が残るように選択的に除去する。また、第３の絶縁層３を剥離する。次に、開口部４から露出する第１の絶縁層１の残りを選択的に除去する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、微細パターンの形成工程に関する。
【解決手段】微細パターンの形成方法は、ｃ面六方晶系半導体結晶を設ける段階から始まる。上記半導体結晶上に所定のパターンを有するマスクを形成する。次いで、上記マスクを用いて上記半導体結晶をドライエッチングすることで上記半導体結晶上に１次微細パターンを形成し、上記１次微細パターンが形成された半導体結晶をウェットエッチングすることで上記１次微細パターンが水平方向に延びた２次微細パターンを形成する。ここで、上記ウェットエッチング工程から得られた２次微細パターンの底面と側壁は夫々固有の結晶面を有することができる。本微細パターンの形成工程は、半導体発光素子に非常に有益に採用されることができる。特に微細パターンが求められるフォトニック結晶構造または表面プラズモン共鳴原理を用いた構造に有益に採用されることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、パターンの形状にかかわらず寸法変換差予測の精度を向上させることができる寸法変換差予測方法、フォトマスクの製造方法、電子部品の製造方法、および寸法変換差予測プログラムを提供する。
【解決手段】変換差予測点における開口角を設計パターンデータに基づいて求め、前記開口角と寸法変換差の実測値との相関関係に基づいて寸法変換差を予測すること、を特徴とする寸法変換差予測方法、または、変換差予測点における入射物の入射量を設計データに基づいて求め、前記入射量と寸法変換差の実測値との相関関係に基づいて寸法変換差を予測すること、を特徴とする寸法変換差予測方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置製造において、リソグラフィ寸法より小さい加工寸法を得る。
【解決手段】多層レジストの加工方法は、基板１上に、下層４、中間層５及び上層レジスト６を順次形成する工程（ａ）と、リソグラフィ技術により、上層レジスト６をパターニングして第１の寸法を有する上層開口１６を設ける工程（ｂ）と、上層レジスト６をマスクとして中間層５をドライエッチングすることにより、上層開口１６の下方に、第２の寸法を有する中間層開口１５を形成する工程（ｃ）と、中間層５をマスクとして下層４をドライエッチングすることにより、中間層開口１５の下方に、第３の寸法を有する下層開口１４を形成する工程（ｄ）とを備える。工程（ｃ）において、第２の寸法が上部よりも下部において小さくなる形状に中間層開口１５を形成することにより、工程（ｄ）において、第３の寸法を第１の寸法よりも小さくする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ中のイオンに基板の処理に適したエネルギーをもたせるとともに、イオンエネルギーの分散を狭帯域化させることを可能とするプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置の一形態であるＲＩＥ装置１０Ｂは、基板Ｗを載置するＲＦ電極１１と、ＲＦ電極１１と対向する対向電極１２と、ＲＦ電極１１と対向電極１２を収容し、その内部雰囲気の調整が可能なチャンバ１３と、ＲＦ電極１１上の自己バイアス電圧を制御するための電圧を第１周波数ｆ_１のＲＦ電圧のピーク−ピーク電圧のうちの略一定幅かつ略一定値により間欠的にＲＦ電極１１に印加する第１電源装置１８と、ＲＦ電極１１と対向電極１２との間にプラズマを発生させるための第２周波数のＲＦ電圧を、第１電源装置１８から出力される電圧と同期させて間欠的にＲＦ電極１１に印加する第２電源装置１９Ａを具備する。 （もっと読む）

【課題】基板上の被処理膜に所定の微細なパターンを効率よく形成する。
【解決手段】ウェハＷ上に被処理膜Ｆ、反射防止膜Ｂ、レジスト膜Ｒを下から順に形成する（図５（ａ））。レジスト膜Ｒと反射防止膜ＢにパターンＲ１、Ｂ１をそれぞれ形成する（図５（ｂ））。パターンＲ１をマスクとして被処理膜Ｆをエッチングし、被処理膜ＦにパターンＦ１を形成する（図５（ｃ））。パターンＢ１の側壁部を溶解して、反射防止膜ＢにパターンＢ２を形成する（図５（ｄ））。パターンＢ２を覆うように犠牲膜Ｇを形成する（図５（ｅ））。パターンＲ１、Ｂ２をそれぞれ除去する（図５（ｆ））。犠牲膜ＧをマスクとしてパターンＦ１をエッチングし、被処理膜ＦにパターンＦ２を形成する（図５（ｇ））。犠牲膜Ｇを除去する（図５（ｈ））。 （もっと読む）

【課題】レジストのサイドエッチングの発生が抑制され、下地膜を所望の形状に良好に加工することが可能なドライエッチング方法、及びそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】下層レジスト１２０、中間層１３０、及び上層レジスト１４０が下から順に積層されてなる多層レジストを用いて下地膜１１０をエッチングするドライエッチング方法であって、下地膜１１０上に多層レジストを形成した後、上層レジスト１４０及び中間層１３０をマスクとして、第１のガス及び第２のガスを含むエッチングガスを用いて下層レジスト１２０をエッチングする工程（ａ）と、工程（ａ）の後、下層レジスト１２０をマスクとして、第２のガスを含むエッチングガスを用いて下地膜１１０をエッチングする工程（ｂ）とを備えている。第２のガスは、下地膜１１０をエッチングするためのガスである。 （もっと読む）

【課題】メタルゲートのドライエッチング時に、下地ＨｆＳｉＯＮ膜の突き抜けを防止しながら、ｐ−ｎ差の無いエッチング形状を得る。
【解決手段】シリコン基板の表面に形成された下地ＨｆＳｉＯＮ膜１６と、この上に形成されたＴａＳｉＮ膜１４とＴｉＮ膜１５からなるメタルゲートと、この上に形成されたＷ膜１３と、ＳｉＮ膜１２と、反射防止膜１１と、レジスト膜１０とを有するウェハのドライエッチング方法において、メタルゲート１４、１５のドライエッチング時に、下地ＨｆＳｉＯＮ膜１６に対する選択比が高い、ＣＦ系ガス（ＣＨＦ_３、ＣＦ_４など）と塩素と窒素ガスとの混合ガスを用いて０．５Ｐａ以下の圧力でエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比を有する銅含有アルミニウム膜及びバリアメタル膜のドライエッチングにおいて、良好な加工形状を実現する。
【解決手段】絶縁膜上に、高融点金属を含有する金属導電膜と、銅含有アルミニウム膜と、マスク層を順次形成し、ドライエッチングによってこの金属導電膜及び銅含有アルミニウム膜の配線パターンを形成するドライエッチング方法を前提とする。そして、このようなドライエッチング方法において、炭化水素系ガスを含まない塩素系ガスを用いて上記銅含有アルミニウム膜をエッチングする工程と、炭化水素系ガスを含む塩素系ガスを用いて上記金属導電膜をエッチングする工程とを備える。即ち、銅含有アルミニウム膜の側壁保護に効果のあるメタンガスを、銅含有アルミニウム膜のドライエッチングが終了した後に添加することで、サイドエッチングを防止するのである。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された有機膜をエッチングするにあたり、良好なエッチング形状を得ること。
【解決手段】シリコン含有膜をプラズマによりエッチングして当該膜上のパターンマスクのパターンを転写する工程と、前記パターンマスクを除去して前記シリコン含有膜の表面を露出させる工程と、プラズマ中の酸素の活性種により前記シリコン含有膜のパターンを介して前記有機膜の表面をエッチングし、凹部を形成する工程と、その後、前記シリコン含有膜をスパッタして前記凹部の内壁面にシリコン含有物からなる保護膜を形成する工程と、凹部を、プラズマ中の酸素の活性種により前記シリコン含有膜のパターンを介して更に深さ方向にエッチングする工程と、を行うことで、凹部の側壁を酸素の活性種から保護しながらエッチングを行うことができるため良好なパターン形状が得られる。 （もっと読む）