【課題】シリコン酸化膜にコンタクト部に到達する高アスペクト比のホールを形成する際に、ホール内のコンタクト材料とコンタクト部との間で十分なコンタクトがとれるようなホールを形成すること。
【解決手段】基板上にＢおよびＰの少なくとも一方を含むシリコン酸化物からなる第１の酸化膜と、その上に形成された、ＢおよびＰを含まないシリコン酸化物からなる第２の酸化膜とを有し、さらに第１の酸化膜および第２の酸化膜の界面より下方に形成されたコンタクト部を有する被処理体を準備し（ステップ１）、第２の酸化膜と前記第１の酸化膜をエッチングしてコンタクト部に到達するホールを形成し（ステップ２）、ＨＦガスおよび不活性ガスを用いたドライプロセスにより第１の酸化膜をエッチングし、第１の酸化膜のコンタクト部上方領域のホール部分を広げる（ステップ３）。 （もっと読む）

【課題】平板スロットアンテナの電磁波放射特性の均一性に影響を与えずに波長領域の広いモニタ光を用いて処理容器内の被処理基板の表面に対する光学的なモニタリングを高精度に行う。
【解決手段】このマイクロ波プラズマエッチング装置における光学モニタ装置１００は、サセプタ１２上に載置される半導体ウエハＷのエッジよりも半径方向内側にあって、かつ同軸管６６よりも半径方向外側の位置で、冷却ジャケット板７２の上に配置されるモニタヘッド１０２と、このモニタヘッド１０２から鉛直下方にカバープレート７２、誘電体板５６、スロット板５４および誘電体窓５２を縦断して設けられるモニタリング用の光導波路１０４と、光ファイバ１０６を介してモニタヘッド１０２と光学的に結合されるモニタ本体１０８とを有している。 （もっと読む）

【課題】特性が良好なトランジスタを提供する。
【解決手段】例えば、ボトムゲート・ボトムコンタクト構造のトランジスタを作製するに際して、ソースとドレインを構成する導電層を３層の積層構造とし、２段階のエッチングを行う。すなわち、第１のエッチング工程には、少なくとも第２の膜及び第３の膜に対するエッチングレートが高いエッチング方法を採用し、第１のエッチング工程は少なくとも第１の膜を露出するまで行う。第２のエッチング工程には、第１の膜に対するエッチングレートが第１のエッチング工程よりも高く、「第１の膜の下に接して設けられている層」に対するエッチングレートが第１のエッチング工程よりも低いエッチング方法を採用する。第２のエッチング工程後にレジストマスクをレジスト剥離液により剥離するに際し、第２の膜の側壁が少し削られる。 （もっと読む）

【課題】エッチングレートを上昇でき、生産性を向上できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板上に交互に積層されたシリコン層とシリコン酸化膜とを備える多層膜に対して、一括してエッチングを行う工程を含み、前記エッチングの際のエッチングガスは、少なくとも２種類以上の第７族元素と、第３族元素，第４族元素，第５族元素，または第６族元素とを含有し、前記エッチング工程の際の前記半導体基板に入射するイオンのエネルギーは、１００ｅＶ以上であり、前記第７族元素に対する、前記第３族乃至前記７族元素の添加比率は、０．５以上３．０以下である。 （もっと読む）

【課題】エッチングレートあるいは所望の加工形状をウエハ面内で均一に得ることのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理容器内に処理ガスを供給するガス供給装置１１３と、前記真空処理容器内に試料を載置して保持する載置電極１１５と、前記載置電極に高周波バイアス電圧を供給する高周波バイアス電源１１７と、前記真空処理容器内を排気する排気装置と、前記真空処理容器内に磁界を形成する電磁コイル１０７，１０８，１０９と、前記真空処理容器に高周波エネルギーを供給して、前記磁界との相互作用によりプラズマを生成するプラズマ生成装置１０１とを備え、前記高周波バイアス電源は２ＭＨｚ以上の高周波であり、前記載置電極上の前記真空処理容器のプラズマ生成領域に対向する面に形成されたアース領域の高さ以下の領域の磁束密度は２０ｍＴ以下である。 （もっと読む）

【課題】互いに異なる幅のパターンを同一層で形成するにあたり、パターン間の間隔の均一度を改善することができる半導体素子のパターン形成方法を提供する。
【解決手段】セル領域及びセレクトトランジスタ領域を含む下部膜上に補助膜を形成する段階と、前記セレクトトランジスタ領域の前記補助膜上部に第１保護膜を形成する段階と、前記セレクトトランジスタ領域の前記第１保護膜上部には、前記第１保護膜の幅より狭い第１フォトレジストパターンが、前記セル領域の前記補助膜上部には前記第１フォトレジストパターンの幅より狭い第２フォトレジストパターンが形成され、前記第１及び第２フォトレジストパターン間の間隔を前記第２フォトレジストパターン間の間隔と同一に形成する段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】エッチングの異方性と、エッチングレートとを高めることができるエッチング方法を提供する。
【解決手段】
エッチング方法では、接地された真空槽１１内に処理対象物である基板Ｓを搬入する以前に、真空槽１１に供給される成膜ガスを下部電極１３への高周波電力の供給によってプラズマ化して、該真空槽１１の内壁１１ｂに絶縁膜Ｉを形成する絶縁膜形成工程を実施する。その後、真空槽１１内に供給されるエッチングガスを真空槽１１内に配設された下部電極１３への高周波電力の供給によってプラズマ化して真空槽１１内に搬入された基板Ｓを該プラズマによってエッチングするエッチング工程を実施する。 （もっと読む）

【目的】マスクの厚さを所定の値にし、後退量とエッチング量の比を所定の値にしてトレンチの開口部の端部を丸めることで、ゲート酸化膜形成温度を９５０℃未満の低い処理温度にした場合でもゲート酸化膜の良好な耐圧特性と長期信頼性が得られる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】マスクであるシリコン酸化膜２の端部１０をトレンチ８の開口部９の端部Ａから後退させる量Ｘと、等方性ドライエッチングによるエッチング量Ｙとの比（Ｘ／Ｙ）を２以上５以下に設定することで、Ｑｂｄの値を高くすることができて、良好なトレンチ８の開口部９の端部Ａと段差１２の端部Ｂの形状を丸めることができる。その結果、その後形成するゲート酸化膜１４の熱処理温度を、９５０℃未満、あるいは、９００℃以下で行った場合でも、ゲート酸化１４の良好な耐圧特性と長期信頼性を得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】Ｄ−ＲＡＭのキャパシタを形成するシリンダのドライエッチ加工において、従来技術の製造方法ではアスペクト比が高いシリンダやコンタクトの形状がボーイング形状となり隣接するホール間ショートの問題やホール内に形成する電極成膜のカバレッジ異常などの問題が発生する。
【解決手段】本発明ではシリコン酸化膜４ａにコンタクトホールを形成する際にボーイングが発生する部分にＬｏｗ−ｋ膜の炭化シリコン酸化膜５を挿入して積層構造とし、ドライエッチでシリコン酸化膜４ａのエッチング速度に対し、炭化シリコン酸化膜５のエッチング速度が１／５〜１／１０と遅い条件にすることでボーイング形状の抑制を可能にした。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板裏面をソース電極として使用するＬＤＭＯＳＦＥＴにおいて、出力効率向上のため、基板抵抗を下げようとして高濃度ボロンドープ基板を用いると、ソースドレイン間のリーク不良が、多発することが、本願発明者等によって明らかにされた。更に、この不良解析の結果、ソース不純物ドープ領域からＰ型エピタキシ層を貫通してＰ型基板に至るＰ型ポリシリコンプラグに起因する不所望な応力が、このリーク不良の原因であることが明らかにされた。
【解決手段】本願発明は、ＬＤＭＯＳＦＥＴを含む半導体装置であって、ＬＤＭＯＳＦＥＴのソース不純物ドープ領域の近傍の上面から下方に向けてエピタキシ層内をシリコン基板の近傍まで延び、前記エピタキシ層内にその下端があるシリコンを主要な成分とする導電プラグを有する。 （もっと読む）

【課題】マスク選択比を大きくでき、異方性に優れ、深くエッチングすることのできるエッチング方法及び装置を提供する。
【解決手段】エッチング装置は、真空チャンバ１内に設けた基板電極６に対向して電位的に浮遊状態に維持された浮遊電極を設け、この浮遊電極の基板電極に対向した側に、エッチング保護膜を形成する材料１３を設け、浮遊電極に高周波電力を間欠的に印加させる制御手段１４を設けて構成される。エッチング方法は、基板電極に対向して設けた浮遊電極の基板電極に対向した側に設けた、エッチング保護膜を形成する材料をターゲット材として用い、主ガスとして希ガスのみを用い、浮遊電極に高周波電力を印加して基板上にスパッタ膜を形成し、その後、浮遊電極への高周波電力の印加を止め、真空チャンバにエッチングガスを導入して基板をエッチングし、基板上におけるスパッタ膜の形成とエッチングとを予定のシーケンスで繰り返すように構成される。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールをより微細に形成することができる薄膜のパターニング方法及び表示パネルの製造方法を提供する。
【解決手段】所定の段差部を有した絶縁層２５を形成する工程と、スパッタ法により前記段差部を覆うようにして前記絶縁層２５上に犠牲層２８を成膜する工程と、前記段差部に対応する領域における前記犠牲層２８のうちの少なくとも一部の除去と、前記除去により前記犠牲層２８から露出された領域における前記絶縁層２５の除去とを、ドライエッチングにより連続して行う工程と、前記ドライエッチングで残存した前記犠牲層２８の少なくとも一部をウェットエッチングにより除去する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチングチャンバ内でデュアルドープゲート構造をエッチングするための方法を提供する。
【解決手段】エッチングされるポリシリコンフィルムを保護するパターンを設ける工程、次いで、プラズマが点火され、保護されていないポリシリコンフィルムのほぼすべてがエッチングされる。次いで、シリコン含有ガスを導入しつつポリシリコンフィルムの残りをエッチングする。また、エッチング処理中にシリコン含有ガスを導入するよう構成されたエッチングチャンバ。 （もっと読む）

【課題】 エッチング処理が困難な材料に対しても適用可能であり、サイドエッチングを抑制し、且つエッチング処理面が平滑である良好なパターン形状を得ることができるミストエッチング装置及びミストエッチング方法を提供すること。
【解決手段】 エッチング液をミスト化するミスト生成部と、エッチング対象物をエッチングするエッチング部とを備えており、前記ミスト生成部は、エッチング液が収容され且つミスト化されるミスト生成容器と、前記エッチング液をミスト化するミスト生成機構と、生成された前記ミストを前記ミスト生成容器外へ排出するミスト排出口とからなり、前記エッチング部には、前記ミストが導入されるミスト導入口と前記エッチング対象物とが備えられ、該エッチング部で前記ミストが蒸気化されることを特徴とするミストエッチング装置とする。 （もっと読む）

【課題】より安価に超微細な加工が可能な微細加工方法を提供する。
【解決手段】
基板の微細加工方法は、薄膜形成過程と、Ｖ字溝形成過程と、薄膜エッチング過程と、基板エッチング過程と、薄膜除去過程と、からなる。薄膜形成過程は、基板１よりも軟性を有し、基板１に対して選択エッチングが可能であり、且つ可塑性を有する薄膜２を基板１上に形成する。Ｖ字溝形成過程は、薄膜２よりも硬性を有する少なくとも断面がＶ字形状のＶ字工具４を薄膜に押圧させ、基板１まで達さない少なくとも断面がＶ字形状のＶ字溝３を薄膜２に形成する。薄膜エッチング過程は、Ｖ字溝３の先端が開孔して基板１が露出するように薄膜２をエッチングする。基板エッチング過程は、薄膜２をマスクとして基板１をエッチングする。薄膜除去過程は、基板１上から薄膜２を除去する。 （もっと読む）

ＩＩ−ＶＩ及びＩＩＩ−Ｖ半導体などの半導体材料を異方的にエッチングする方法が提供される。本方法は、エッチングマスクを通した非反応性ガスによる半導体材料のプラズマスパッタエッチングと、その後に続く、ポリマーフォーマーを使用したプラズマ重合による側壁の不動態化の繰り返しサイクルを含む。この手順を用いて、下方変換発光ダイオードデバイスの微細な画素を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチングにより基板に貫通孔を形成する方法を提供すること。
【解決手段】基板上にマスクパターンを形成し、バイアス電力５００〜１０００Ｗの条件で、プラズマエッチングによりホール又はトレンチを形成する際に、ホール又はトレンチの底部周囲にマイクロトレンチを形成し、基板に貫通孔を形成する。 （もっと読む）

【課題】ｐ型半導体領域、ｎ型半導体領域を有する半導体基板から成る半導体素子のｐｎ接合部における耐圧性の向上を可能にする。
【解決手段】本発明の半導体素子の製造方法では、ｐ型半導体領域、ｎ型半導体領域を有する半導体基板から半導体素子を形成する。本発明の製造方法では、プラズマ処理装置１を用いて前記半導体基板の表面をプラズマエッチングすることによって前記半導体素子を取り囲む溝を形成する。そして、プラズマ条件を適宜に設定することにより、溝の内側壁のうちｐ型半導体領域とｎ型半導体領域の境界部分に横穴状の溝を形成する。この結果、形成される半導体素子は、側壁のうちｐ型半導体領域とｎ型半導体領域の境界部分に横穴構造を有することになり、ｐｎ接合部における耐圧性が向上する。 （もっと読む）

【課題】高い光閉じ込め効果を有する太陽電池を、簡単にかつ安価に製造する。
【解決手段】太陽電池は、基板上（１）に背面電極層（２）を形成するステップと、背面電極層（２）上に光電変換層（３）を形成するステップと、光電変換層（３）の上面に複数の開口（５）を有するパターン膜を形成するステップと、このパターン膜を介して異方性エッチングを行い、開口（５）下の光電変換層（３）に縦長の第１の孔部（５ａ）を形成するステップと、第１の孔部（５ａ）の形成後に、パターン膜を介して等方性エッチングを行って、第１の孔部（５ａ）下方に、最大幅が第１の孔部（５ａ）の開口幅よりも大きい湾曲した側面を有する第２の孔部（５ｂ）を形成するステップと、パターン膜を除去して光電変換層（３）上に透明導電被膜（４）を形成するとともに第１、第２の孔部中に透明導電被膜を埋め込むステップとによって製造される。 （もっと読む）