スループットを最適化するためにプロセス加工システムを動作させるための方法およびシステムを記載する。本プロセス加工システムは化学的酸化物除去のために構成され、本プロセス加工システムは、基材を化学処理するように構成された下部チャンバ部分、基材を熱処理するように構成された上部チャンバ部分、および下部チャンバ部分と上部チャンバ部分との間で基材を移動させるように構成された基材昇降アセンブリを有するプロセスチャンバを備える。
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化学的酸化物処理のための処理システムおよび方法が提供される。処理システムは、第１処理チャンバと第２処理チャンバを備えている。これらのチャンバは互いに接続されている。第１処理チャンバは、温度制御されたチャンバと、独立して温度制御されるとともに、化学処理される基材を支持する基材ホルダとを備えている。基材は、表面温度およびガス圧力等の制御された条件下で、HF/NH₃といったガス状化学反応雰囲気に曝される。第２処理チャンバは、熱処理チャンバを備えている。熱処理チャンバは、化学処理チャンバから断熱され、温度制御されたチャンバを備えている。熱処理チャンバは、化学的に処理された基材上の表面を熱処理するために、基材の温度を制御するための基材ホルダを備えている。 （もっと読む）

化学的酸化物処理（COR）のための処理システムが提供される。COR処理システムは、第１処理チャンバと第２処理チャンバを備えている。これらのチャンバは互いに接続されている。第１処理チャンバは、保護バリアを有する温度制御されたチャンバとされる化学処理チャンバを備えている。第2処理チャンバは、保護バリアを有する温度制御されたチャンバとされる熱処理チャンバを備えている。
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【解決手段】プラズマ処理装置の炭化シリコン部品、その部品の製造方法、半導体基板を処理してその基板のパーティクル汚染を減少させるようにする処理におけるその部品の使用方法が提供される。その炭化シリコン部品は、内部に遊離炭素を生成させるようなプロセスにより製造される。その炭化シリコン部品は、少なくとも表面からその遊離炭素が除去されるように処理される。
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イオン注入後、約１００から７６０トルの圧力及び７００℃より低温の高濃度酸素中で、レジストを除去するサーマルアッシングを行う。この処理はかなりの量の酸素によってレジストが完全に酸化され得るため、基板に残滓またはその他の汚染物が何ら残留しない。
【課題】基板のダメージが減少し、レジストが除去された基板に残存する残滓及びパーティクルの量が減少し、アッシング処理のスループットが増加するアッシング方法を提供する。
【解決手段】約９００℃から約１２００℃の内部環境の処理室に、レジスト層を有するウエハをローディングし、概ね純粋な酸素によりレジストを酸化させ、レジストを除去するサーマルアッシングに続けて、レジストが除去されたウエハを定常状態のアニーリング温度まで加熱し、被注入部分を活性化させるようにインプラントアニールさせる。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓを含むＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}Ａｓ_ｚＰ_１−ｚ層表面に、自然に形成されているＡｓ_２Ｏ_３、Ａｓ_２Ｏ、Ｇａ_２Ｏ等の表面酸化膜を予め除去する必要性がなく、また、複雑で微細化された回路パターンを形成するためのドライエッチング用マスクを形成することなく、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}Ａｓ_ｚＰ_１−ｚ層表面に、量子デバイスに用いられる微細な回路パターンをその場で形成する電子ビーム微細加工方法を提供する。
【解決手段】単体のＧａＡｓ及びＩｎＰ基板を含む、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}Ａｓ_ｚＰ_１−ｚ（０≦ｘ、ｙ、ｚ≦１）層表面に、任意の電子ビーム径、電流密度に制御した電子ビームを照射し、前記Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}Ａｓ_ｚＰ_１−ｚ層表面に形成されている自然酸化膜を選択的にＧａ_２Ｏ_３又はＧａ_２Ｏに置換又は生成させた後、前記Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}Ａｓ_ｚＰ_１−ｚ層表面を臭素化物により一原子層単位でドライエッチングし、前記Ｇａ_２Ｏ_３又はＧａ_２Ｏに置換した部分以外の前記自然酸化膜及びＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}Ａｓ_ｚＰ_１−ｚ基板を除去する。 （もっと読む）