【課題】スループットを低下させることなく電子デバイスに欠陥を生じさせる酸化物層を完全に除去することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、ウエハＷにＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理を施す第２のプロセスシップ１２を備え、第２のプロセスシップ１２は、ＣＯＲ処理を施す第２のプロセスモジュール３４と、ＰＨＴ処理を施す第３のプロセスモジュール３６とを有し、第３のプロセスモジュール３６は、チャンバ５０内の揮発ガスを含む窒素ガス等を排気する第３のプロセスモジュール排気系６７を備え、第３のプロセスモジュール排気系６７は、チャンバ５０とＡＰＣバルブ６９の間の本排気管６８と連通する分析ユニット２００を有し、分析ユニット２００は、排気ガス中の揮発ガスの濃度の測定を行い、ＰＨＴ処理の終点を検出する。 （もっと読む）

【課題】ハードマスクの除去を必要としない構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】 酸化ケイ素を有する構造体の製造方法である。基板上に、有機ＳＯＧからなる第一の層を形成する工程と、この第一の層の上に、無機ＳＯＧからなる第二の層を形成する工程を有する。その後、第二の層に形成された前記パターンをマスクとして、第一の層をエッチングし、第一の層と第二の層とを焼成することにより、酸化ケイ素を有する構造体を作製する。 （もっと読む）

【課題】有機化合物ガスによる基板処理を清浄に行うことが可能となる基板処理方法と、当該基板処理方法を用いた半導体装置の製造方法、有機化合物ガスによる基板処理を清浄に行うことが可能となる基板処理装置、および当該基板処理装置を動作させるプログラムが記載された記録媒体を提供する。
【解決手段】金属層が形成された被処理基板を第１の温度に設定し、有機化合物を含む処理ガスを前記金属層に吸着させて金属錯体を形成する第１の工程と、前記被処理基板を前記第１の温度よりも高い第２の温度となるように加熱して、前記金属錯体を昇華させる第２の工程と、を有することを特徴とする基板処理方法。 （もっと読む）

【課題】パターニングされた有機半導体層を有する有機半導体素子において、有機半導体層の製膜後のプロセスによる劣化に対して、劣化した半導体特性を回復させる。
【解決手段】有機半導体を用いた電子素子を製造する時に、劣化した有機半導体と溶媒とを接触させ、前記有機半導体の半導体特性を回復させる半導体特性回復工程を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施例に係る半導体素子は、所定の金属層が形成されている基板と、所定の最小線幅に対して１／２以下の最小線幅を有し、前記金属層に形成される第１空間と、前記第１空間と異なる高さに前記１／２以下の最小線幅を有し、前記金属層に形成される第２空間と、を含む。前記第２空間は、前記第１空間から前記１／２以下の最小線幅の距離を置いて形成されていると好適である。 （もっと読む）

【課題】シリコンを含む基板に対して、フッ素と炭素とを含む処理ガスを用いてプラズマ処理を行った後に、アンモニアガスを用いてプラズマ処理を行う際、基板上に毒性と吸水性を有するケイフッ化アンモニウムが生成すること。
【解決手段】アンモニアガスを用いてプラズマ処理を行った後に、プラズマ処理を行った処理室内あるいはプラズマ処理を行った処理室に接続され、クリーンルーム雰囲気と隔絶された処理容器内において、基板をケイフッ化アンモニウムの分解温度以上の温度に加熱して、ケイフッ化アンモニウムを分解させる。 （もっと読む）

【課題】 微細な接続孔内等に発生した酸化膜をドライエッチングにより効率良く除去できる表面処理方法及びその装置を提供する。
【解決手段】 表面に酸化膜が発生している被処理体Ｗは、処理容器１０内に搬入され、該処理容器内は真空に維持され、Ｎ₂ とＨ₂ との混合ガスがプラズマ発生部３０に導入され、プラズマ化され、それぞれの活性ガス種が形成される。活性化ガス種は被処理体に向けてフローされ、これにＮＦ₃ ガスが添加され、活性化されたガスが形成される。被処理体は所定温度以下に冷却手段２２により冷却され、活性化されたＮＦ₃ ガスに曝され、該ガスと反応し、酸化膜は変質して反応膜が被処理体Ｗの表面に形成される。Ｎ₂ 、Ｈ₂ 及びＮＦ₃ ガスの供給が停止され、加熱手段１９で被処理体は所定の温度に加熱され、反応膜が昇華して除去される。 （もっと読む）

【課題】反応生成物の除去に要する時間を短縮し、シリコン酸化物を効率良くエッチングできるエッチング方法及び記録媒体を提供する。
【解決手段】シリコン酸化物をエッチングする工程において、シリコン酸化物に対してハロゲン元素を含むガス及び塩基性ガスを供給し、シリコン酸化物とハロゲン元素を含むガス及び塩基性ガスとを化学反応させ、シリコン酸化物を変質させて反応生成物を生成させる変質工程と、反応生成物を除去する除去工程とを行い、前記除去工程は、反応生成物の昇温を促進させる第一の工程Ｓ３ｂと、前記反応生成物の気化を促進させる第二の工程Ｓ３ｄとを有することとした。 （もっと読む）

【課題】フッ酸に起因する残留物を容易に除去することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】熱酸化膜６１及びＢＰＳＧ膜６３を有するウエハＷに向けてＨＦガスを供給して、ＢＰＳＧ膜６３を選択的にエッチングし、次いで、ウエハＷに向けてＮＨ_３ガスを供給して、ＳｉＯ_２とフッ酸との反応に基づいて発生する残留物６４のＨ_２ＳｉＦ_６とＮＨ_３ガスとを反応させてＮＨ_４Ｆ及びＳｉＦ_４を発生させ、さらに、ＮＨ_４Ｆを昇華させる。 （もっと読む）

【課題】 誘電体空隙を有する相互接続構造体を提供する。
【解決手段】 多相フォトレジスト材料を用いて誘電体層内部に空隙を形成することにより改善された性能及びキャパシタンスを有する相互接続構造体が提供される。相互接続構造部は、相互接続構造部の周りの誘電体層の部分の中に円柱状空隙構造体を有する誘電体層内に埋め込まれる。相互接続構造部はまた、生成される異なる誘電率を有する２つ又は複数の相を有する誘電体内に埋め込むこともできる。この相互接続構造体は現行の後工程プロセスに適合する。 （もっと読む）

【課題】処理が中止された基板を処理室内から取り出すことなく処理が中止された基板に対して最適な処理を再実行することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０において、システムコントローラのＥＣ８９は、第１のプロセスユニット２５においてウエハＷのレシピに対応したＲＩＥ処理の途中でエラーの発生を検知する（ステップＳ１００５）と、第１のプロセスユニット２５におけるＲＩＥ処理を中断し（ステップＳ１００６）、操作者によるレシピの修正入力があるときは（ステップＳ１００７でＹＥＳ）、レシピの修正入力に応じて修正されたレシピを第１のプロセスユニット２５において展開し（ステップＳ１００８）、操作者による再実行指定ステップがあるときは（ステップＳ１０１０でＹＥＳ）、修正されたレシピの再実行指定ステップに対応したＲＩＥ処理をウエハＷに対して実行する（ステップＳ１０１２）。 （もっと読む）

【課題】基板の効率的な処理を行うことが可能な基板表面処理装置および基板表面処理方法を提供するとともに、フットプリントを増加させることなく基板の効率的な処理を行うことが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗ上に形成された酸化膜のエッチング処理において、流体傘ノズル２２によりフッ酸蒸気が基板Ｗの表面に供給される。エッチング処理後のリンス処理を行うために、回転される基板Ｗの表面に向かってリンス液として温水または水蒸気を供給するリンスノズル４３が設けられている。リンスノズル４３により供給される温水または水蒸気の温度は、ホットプレート２１により加熱される基板Ｗとほぼ同じ温度（例えば３０℃以上９０℃以下）である。基板Ｗの乾燥処理の際には、流体傘ノズル２２および回転軸２５の空間４１の一方または両方を介して高温の窒素ガスが供給される。 （もっと読む）

【課題】基板の温度を適切に調節可能で、十分な乾燥が可能な信頼性の高い基板表面処理装置および基板表面処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの酸化膜をフッ酸蒸気によりエッチング処理する際には、基板Ｗの温度を適切に調節することが重要である。基板Ｗの表面にフッ酸蒸気が供給されている間、以下のようにして基板Ｗの温度を適切に調節する。裏面流体供給管２６内にバルブ４０ｄを介して温水を供給することにより、流体傘ノズル２７の複数の流体噴出口から当該温水をスピンチャック２１に保持された基板Ｗの裏面に向けて供給する。基板Ｗの裏面が疎水性である場合には、基板Ｗの裏面と流体傘ノズル２７との間に、供給された温水からなる温水層ＨＬを生成する。エッチング処理後、リンス処理を行い、その後、スピンチャック２１の高速回転による基板Ｗの乾燥処理を行う。 （もっと読む）

【課題】低コストでありながら、耐久性の高いウェハ裏面のパーティクル及び傷を低減するプラズマ処理方法、及び、この方法を適用したプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理するウェハ１６を静電チャック１８上に載置した後、不活性ガスを供給し、不活性ガスにＲＦパワーを掛けることでプラズマを形成し、プラズマからの輻射熱を用いて処理前にウェハ１６を加熱し、ウェハ１６の温度がプラズマ処理時のウェハ熱平衡温度に達したときに、静電チャック１８にウェハ１６を吸着させて保持し、プラズマ処理ガスを導入してプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】インプリント法におけるモールド破壊や転写パターン欠陥の原因になりうるモールドの微小欠陥を修正するモールドの修正方法、及び修正されたモールドを提供する。
【解決手段】
モールドの表面のみをレーザアニールすることでモールドの微小欠陥を修正する。比較的低温プロセスであるレーザアニールを用いることで、モールド表面の微小欠陥のみをアニールが可能となり、モールドのパターン形状を変形させることなく、微小欠陥のみを修復することが出来る。これにより、インプリントによるモールド破壊や転写パターン欠陥の原因になるモールドの微小欠陥を低減できるため、モールドの長寿命化と欠陥の少ない良好な転写パターン形成が可能となる。また、モールドの長寿命化によるインプリント法の大幅なコストダウンと、高品質の転写パターンが期待出来る。 （もっと読む）

【課題】自然酸化膜を除去する際に他の絶縁膜を大幅に後退させない自然酸化膜の除去方法と、これを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板（１０ａ）の表面にゲート絶縁膜２０ａを介してゲート電極２１ａを形成し、ゲート電極２１ａの両側部において半導体基板にリセスＡを形成し、さらにリセスの内壁面に形成された自然酸化膜２７をエッチング処理で除去し、自然酸化膜が除去されたリセスに導電体を埋め込んで、ゲート電極の両側部に一対のソース・ドレイン領域を形成する。ここで、自然酸化膜２７を除去する上記のエッチング処理において、第１処理として自然酸化膜２７の表面をアンモニア及びフッ化水素を含むエッチングガスで処理し、第２処理として、第１処理で形成された生成物（錯体の層２７ｃ）を分解及び蒸発させる。 （もっと読む）

【課題】シリコン系材料、例えばシリコン基板、多結晶シリコンパターン等をドライエッチングする際の前処理のエッチングに、フッ化水素とアンモニアとからなるエッチングガスを用いることで、自然酸化膜を選択的に除去することを可能とする。
【解決手段】酸化シリコン（素子分離領域１２、サイドウォール１８、１９等）と表面に自然酸化膜２１、２２が形成されたシリコン系材料（シリコン基板１１）とが露出された状態で自然酸化膜２１、２２を除去する工程と、自然酸化膜２１、２２が除去されたシリコン系材料（シリコン基板１１）をエッチング加工する工程とを備えた半導体装置の製造方法であって、自然酸化膜２１、２２を除去する工程は、エッチングガスにフッ化水素とアンモニアとを用いたドライエッチングにより行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 設備の大型化を招くことなく、基板に残存する塩素系ガスを効率良く取り除くことが可能なエッチング後処理方法及びエッチング装置を提供する。
【解決手段】 塩素系ガスによりエッチングを行い基板上の信号線加工を行った後、ランプヒータにより基板を加熱し、残存する塩素系ガスを除去する。ランプヒータによる加熱は、エッチング後の基板の搬送の際に行う。あるいは、高温ガスを導入して基板に残存する塩素系ガスを除去する。高温ガスの導入により、レジストのアッシングと残存する塩素系ガスの除去を同時に行う。高温ガスは、例えば酸素ガスである。 （もっと読む）

【課題】 被加工膜の加工に際して、パーティクルの発生を無くし、欠陥の発生を抑制する。
【解決手段】 基板上に溶剤を含む塗布膜形成用薬液２０６を供給して基板主面に液膜２０４を形成する工程と、液膜２０４中に含まれる溶剤の一部を除去することにより被加工膜２０７を形成する工程と、被加工膜２０７の加工領域に加工光を選択照射して、被加工膜２０７を選択除去する工程と、加工光照射後に、被加工膜２０７中に含まれる溶剤をほぼ完全に除去する本加熱処理を行う工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】水素を主成分とした還元性ガスを用いた熱還元処理および還元性ガスを用いたプラズマ処理を併用して行うことで、自然酸化膜の除去を可能とする。
【解決手段】基板１０に形成された層間絶縁膜１１に、表面が露出する様に銅を含む導電層１５を形成する工程と、前記導電層１５表面に対して水素を主成分とした還元性ガスを用いた熱還元処理を行う工程と、前記導電層１５表面に対して還元性ガスを含むプラズマ処理を行うことによって前記導電層１５表面に対して還元処理を行うとともに前記熱還元処理により吸着された水素を脱離させる工程と、前記プラズマ処理後の前記導電層１５表面が酸素を含む雰囲気にさらされることなく前記導電層１５表面を被覆する酸化防止膜１７を形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）