【課題】 自然酸化膜を含む付着物を確実に除去し，次の成膜処理によって被処理基板に形成される膜の密着性をより向上させる。
【解決手段】 基板処理装置１００は，処理室１０４Ａ〜１０４Ｄに共通に連結され，各処理室に対してウエハの搬出入を行う共通搬送室１０２を備える。各処理室１０４Ａ〜１０Ｄはそれぞれ，ウエハ上の自然酸化膜を含む付着物とガス成分とを化学反応させて生成物を生成するための生成物生成処理室（ＣＯＲ処理室），ウエハ上に形成された付着物の生成物を熱処理により除去するための生成物除去処理室（ＰＨＴ処理室），ウエハにＴｉ膜を成膜するＴｉ膜成膜処理室，Ｔｉ膜上にＴｉＮ膜を成膜するＴｉＮ膜成膜処理室として構成した。 （もっと読む）

【課題】 エッチング装置の利用効率を低下させずにエッチングレートの温度依存性を利用可能な半導体の製造方法、及び製造装置を提供する。
【解決手段】 基板の表面に露出している薄膜をエッチングする工程において、上記薄膜に対するエッチング能力を殆んど有しないガスのプラズマの印加により加熱する第１の工程と、上記基板の表面に露出している薄膜をプラズマの印加によりエッチングする第２の工程と、を含む。それにより、エッチング装置を構成する部材からの熱伝導で加熱するよりも短時間で、基板温度を上昇させることができる。したがって、処理時間をあまり増加させずにエッチングレートの温度依存性を利用できる。また、上記部材の冷却に要する時間が短縮されるので、一台の装置を異なる基板温度を必要とする各種の工程に適用する際の装置利用効率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 当初の有機膜パターンがエッチングによるダメージや露光を受けていたりするような場合であっても、現像処理の後の有機膜パターンを所望の寸法・形状にすることが可能な基板処理方法を提供する。
【解決手段】 基板９０１上に形成された有機膜パターン９０１ａを加工する有機膜パターン加工処理を備える基板処理方法である。有機膜パターン加工処理では、有機膜パターン９０１ａを上方から加熱する加熱処理と、有機膜パターン９０１ａの少なくとも一部を縮小するか又は有機膜パターン９０１ａの一部を除去する本処理とをこの順に行う。 （もっと読む）

【課題】 工程数の増加を可及的に抑制し、サイドエッチの進行を防止して、複数の被処理層を所望の形状に形成することができる被処理層の処理方法を提供する。
【解決手段】 第１エッチング処理工程の後に、被覆処理工程を行うことによって、サイドエッチによって形成される被処理層Ａ３の側面をレジスト層１によって被覆することができる。これによって、第２エッチング処理工程において、被処理層Ａ３が前記側面からエッチングされることを防止することができる。第１エッチング処理工程と第２エッチング処理工程との間に、被覆処理工程を設けることによって、エッチング処理工程を複数回行わなくても、サイドエッチを防止することができ、少ない工数で、複数の被処理層を所望の形状に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ処理装置用部材からの発塵を抑制することができる、プラズマ処理装置用部材の表面処理方法、及びプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 プラズマ処理装置用部材の表面部の元素組成比を、当該部材のバルク部の元素組成比と略同一にする処理を行う。また、当該処理には、例えば、熱処理、研磨処理、あるいは、プラズマエッチング処理を用いることができる。
このように、部材表面部から、不完全な元素組成を有する領域をなくすことにより、当該部材から生じるパーティクル数を減少させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】材料表面からの脱ガスによって加工特性に大きな影響が生じる被エッチング膜の水分吸収によるエッチング加工精度の面内ばらつきを防止し、寸法精度の面内均一性の向上を図ることが可能なエッチング方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】低誘電率膜（被エッチング膜）１０３の上部に無機マスク層１０４やレジストパターン１０５などのマスクパターン層が形成された状態で、低誘電率膜１０３から水分を除去するための脱ガス処理を行う。この脱ガス処理は減圧雰囲気内において前記被エッチング膜の周縁を加熱することによって行われる。その後、連続してマスクパターン層上から低誘電率膜１０３をドライエッチング処理する。脱ガス処理とドライエッチング処理とは、減圧雰囲気内において連続して行われる。 （もっと読む）

【課題】基板を処理する処理システムおよび方法。
【解決手段】 化学的酸化物除去（ＣＯＲ）のための処理システムおよび方法であって、この処理システムは、互いに結合された第１の処理チャンバおよび第２の処理室を含む。第１の処理チャンバは、化学処理のために、温度制御されるチャンバ、独立して温度制御される基板を支持する基板ホルダを提供する化学処理チャンバを具備する。基板は、表面温度およびガス圧を含む制御された状態下で、ガス化学（例えばＨＦ／ＮＨ_３）にさらされる。第２の処理チャンバは、化学的処理チャンバから熱的に絶縁された温度制御されるチャンバを提供する熱処理チャンバを具備する。熱処理チャンバは、基板上の化学的に処理された表面を熱的に処理するように基板の温度を制御する基板ホルダを提供する。
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【課題】パターン側壁に堆積したプラズマ重合膜の剥離性に優れた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板をトレンチ加工する半導体装置の製造方法において、表面にエッチングマスクを設けた半導体基板の露出表面をドライエッチングしてトレンチ構造を形成するエッチングステップと、トレンチ側壁のエッチングを抑制するための保護膜を堆積させる堆積ステップとを交互に繰り返して、上記半導体基板をトレンチ加工処理する工程と、上記トレンチ加工処理の直後の上記半導体基板を、所定の温度で加熱処理する工程とを含む。例えば、トレンチ加工処理直後に、３００〜５００［℃］の温度範囲内で加熱処理した後、プラズマアッシング処理する。 （もっと読む）

本発明は、高誘電体材料からなるゲート絶縁膜を有する半導体装置の製造において、前記ゲート絶縁膜のエッチングの制御性を良好とすることを目的とする。 そのため、本発明ではＳｉ基板上に素子が形成されてなる半導体装置の製造方法であって、前記Ｓｉ基板上にＺｒまたはＨｆの酸化物を含む絶縁膜を形成する第１の工程と、前記絶縁膜上にゲート電極膜を形成する第２の工程と、前記ゲート電極膜をエッチングする第３の工程とを有し、前記第３の工程の後にハロゲンを含む処理ガス雰囲気中で前記絶縁膜を加熱処理する第４の工程と、前記加熱処理された前記絶縁膜を除去する第５の工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法を用いた。
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【課題】キャパシタの金属酸化物層の側面に酸化アルミニウム膜を残しつつ、酸化アルミニウム膜の一部を容易に除去すること。
【解決手段】半導体基板上に下部Ｐｔ電極３１、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ₃ 膜３２、上部Ｐｔ電極３３を積層する。上部Ｐｔ電極３３上にハードマスク層３４を形成し、上部Ｐｔ電極３３及びＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ₃ 膜３２をパターニングする。下部Ｐｔ電極３１をパターニングする。Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ₃ 膜３２、及び上部Ｐｔ電極３３の積層構造の側面及び上面に酸化アルミニウム膜３５を形成する。反応ガスに高周波を印加することによって生成されたプラズマにより、前記酸化アルミニウム膜を異方性エッチングする。前記エッチング時、プラズマの発光強度又は前記高周波のインピーダンスを測定する。測定された発光強度又はインピーダンスに応じて、前記エッチングを停止する。 （もっと読む）

【目的】幅が１〜２μｍ以下に微細化されたトレンチを形成する際にも、トレンチ内部のエッチング残渣を充分に除去でき、しかも同時にトレンチの角部の丸めも適正に形成できる半導体装置の製造方法の提供。
【構成】半導体基板の主面に垂直方向に深さを有するトレンチを形成する工程を含む半導体装置の製造方法において、トレンチを形成する工程が、半導体基板の主面に所望のパターンに形成された絶縁膜をマスクとしてトレンチエッチングする工程と、この工程の後に、少なくとも、ハロゲン系ガスによるエッチング工程と非酸化性かつ非窒化性雰囲気にて熱処理する工程とをこの順に行うこと半導体装置の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】 基板上に、成長の核となる微結晶を作製し、その粒径と密度を制御し、大粒径多結晶Si薄膜を作製できるGe微結晶核付き基板の作製方法及びGe微結晶核付き基板を提供する。
【解決手段】 電子工業用ガラス基板、石英ガラス基板、熱酸化したSiウェーハ又はSiO₂膜付き基板の上に固相成長法により島状に独立したGe微結晶を形成し、次いで酸素エッチングによってGe微結晶の粒径と密度とを、３００〜６００℃の範囲のエッチング温度とエッチング時間とで制御する。前記基板の上に粒径が１〜４０ｎｍのGe微結晶を、密度が１×１０⁵〜１×１０⁷個／ｃｍ²となるように分散配置した。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理時における被処理体の熱変形を防止することができ、被処理体の全体に渡って均一なプラズマ処理を施すことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】本発明のプラズマ処理装置１は、ワーク２を搬送する第１のコンベア３および第２のコンベア４と、ワーク２に対しプラズマ処理を施すプラズマ処理部５と、ワーク２をプラズマ処理するのに先立ってワーク２を予熱するヒータ６１が設けられた予熱部６とを備える。プラズマ処理部５でプラズマ処理されているときのワーク２の最高温度とほぼ同等またはそれ以上の温度になるまでワーク２を予熱部６にて予熱した後、ワーク２をプラズマ処理する。 （もっと読む）

【課題】 表面疎水化用組成物、表面疎水化方法、ならびに半導体装置およびその製造方法に関する。
【解決手段】 本発明の表面疎水化用組成物は、（Ａ）下記一般式（１）で表される化合物と、（Ｂ）沸点が５０〜３５０℃である溶媒とを含む。
Ｓｉ（Ｒ^１）_２（Ｒ^２）_２ ・・・・（１）
（式中、Ｒ^１はアシルオキシ基、アルコキシ基またはヒドロキシ基を示し、Ｒ^２はアルキル基を示す。） （もっと読む）

【課題】 半導体装置等の電子デバイスに用いられるエッチング／アッシング後のシロキサン系絶縁層のダメージを修復することを目的とした表面疎水化用組成物、表面疎水化方法、ならびに半導体装置およびその製造方法を得る。
【解決手段】 （Ａ）ケイ素原子と炭素原子とが交互に連続してなる主鎖を有するポリカルボシラン化合物と、（Ｂ）有機溶媒とを含む表面疎水化用組成物。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造効率を向上させることができるようにした半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】 ウエーハ上に形成された層間絶縁膜をドライエッチングして半導体装置を製造する装置であって、層間絶縁膜が形成されたウエーハを収容し、当該層間絶縁膜をプラズマ雰囲気中でドライエッチングするための第２チャンバ２０と、レジストパターンをアッシングするための第３チャンバ３０と、アッシング後のウエーハを収容し、当該ウエーハを所定条件で熱処理するための第４チャンバ４０と、これら第２〜第４チャンバ２０，３０，４０間でウエーハを受け渡しする搬送アーム９を備えた搬送室７とを有するものである。 （もっと読む）

【課題】 高周波プラズマＣＶＤ法等の薄膜形成工程にて生成される不要な副生成物をクリーニング工程において除去する際に、真空室内の構成部材に付着する等して残留してしまうクリーニングガスに起因する生成物、特に塩素原子及び／又はフッ素を含む生成物を除去する方法を提供する。
【解決手段】 真空装置内に塩素原子を含むガスを導入してクリーニング処理を施した後、加水分解反応、加アルコール分解反応の少なくとも一つ以上の反応処理を装置内に施し塩化水素及び／又はフッ化水素を生成させる工程と、該塩化水素及び／又はフッ化水素を除去する工程とを有する。 （もっと読む）

磁気トンネル接合（ＭＴＪ）デバイスは、上側磁性層のプラズマ・オーバーエッチング中トンネル接合層が停止層として機能するストップ−オン−アルミナプロセスによって作製することができる。結果として得られたＭＴＪデバイスの側壁は、上側磁性層を下側磁性層から電気絶縁するように機能するトンネル接合層の近傍で非垂直である。プラズマ・オーバーエッチング中に使用されるガスは、ハロゲン含有化学種を含まず、これによりアルミナ・トンネル障壁層に比べて、高度に選択性のある磁性層のエッチングを提供する。ガス内に酸素を導入することで、オーバーエッチングの再現性を高めることができる。最後に、作製プロセス中のフォトレジストの除去に続いて、Ｈｅ及びＨ₂を用いてプラズマ処理した後に洗浄及び焼成することにより収率が高くなる。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率絶縁膜の比誘電率の増加を防止すると共にレジスト残渣を生じさせないレジスト除去を可能にする。
【解決手段】 ビアホール用開口３を有するレジストマスク４をエッチングマスクにして、第１キャップ層２ｃ、第１低誘電率膜２ｂを順次に反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）でドライエッチングしビアホール５を形成する。そして、レジストマスク４の除去では、はじめに、上記ＲＩＥでレジストマスク４表面部に形成された変質層４ａに対して、ホットプレートにより空気雰囲気、３００℃温度、３分程度の熱処理を施すことで、変質層４ａを少なくともその一部が酸素と反応した改質層４ｂに変換させる。その後に、この改質層４ｂおよびレジストマスク４に水素ラジカルを照射して残渣のないレジスト除去を行う。 （もっと読む）

基材上のＴＥＲＡ層を化学的に処理するための処理システムおよび方法。基材の化学処理は、基材上の露出表面を化学的に変更する。一実施形態では、ＴＥＲＡ層を処理するためのシステムは、ＴＥＲＡ層を基材上に蒸着するためのプラズマ促進化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）システムと、形状構成をＴＥＲＡ層の中に創出するためのエッチングシステムと、ＴＥＲＡ層中の形状構成のサイズを縮小するための処理サブシステムとを含む。
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