【課題】作業効率の低下を防止する基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板処理を実行する基板処理装置と、前記基板処理装置から、前記基板処理装置に関する情報を一括取得する群管理装置と、前記群管理装置を介して、前記基板処理装置に関する情報を取得する端末装置とからなる基板処理システムであって、前記端末装置の操作者に関する情報と、前記端末装置における前記基板処理装置に関する情報の表示に関する情報とを記憶する記憶手段と、前記記憶手段に記憶された、前記端末装置の操作者に関する情報と、前記端末装置における前記基板処理装置に関する情報の表示に関する情報とに基づいて、前記端末装置における前記基板処理に関する情報の表示を制御する制御手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】処理済みウエハを効率よく冷却し、高スループット化と省スペース化の相反する条件の両立を実現できる半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】複数の基板を処理する処理室と、前記複数の基板を前記処理室へ搬入し、前記複数の基板を保持する基板保持具と、を有し、前記基板保持具は、処理後の複数の基板と、前記処理後の複数の基板の間に処理前の複数の基板とが載置される保持部を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の搭載のためにホルダーが装着されるバッチ型半導体の製造装置のボートにおいて、製造が簡単な半導体基板ホルダーの製造方法及びこのホルダーを通じてよりコンパクトな半導体基板のボート搭載を遂行してその生産性が向上するバッチ式ボートとそれを用いた半導体基板のローディング／アンローディング方法並びにこれらが含まれた半導体の製造装置を提供する。
【解決手段】半導体基板の底部が安着される外周と内周大きさを有するパイプ形状のホルダー基材１０を成形し、ホルダー基材１０を半導体基板のローディング用ボートで半導体基板の配置間隔に合わせてリング形状に切断してホルダーリング１２を製作する。 （もっと読む）

【課題】300mm径以上、特に、450mm径の半導体シリコン基板を熱処理する際に発生が懸念されるスリップを低減させ、かつ基板上のパーティクルを抑制することができる半導体シリコン基板の熱処理治具およびその治具を用いた熱処理方法を提供する。
【解決手段】厚さが10〜50μm、かつ表面粗度Raが0.5〜2μmのクリストバライト化させた酸化膜を形成した熱処理治具を用いて、熱処理用のシリコン基板を支持し、熱処理をする。 （もっと読む）

【課題】石英治具とその製造方法、及び半導体装置の製造方法において、半導体ウエハに欠けが発生するのを防止すること。
【解決手段】
鉛直上向きに開口した複数の溝１０ａの各々に半導体ウエハWを立てて保持する石英治具の製造方法１０であって、粒度の下限値と上限値とが予め定められたビーズを用いて、溝１０ａの底面に対してブラスト処理を行う石英治具の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】比較的重量に富み、脆弱な板状部材を損傷することなく、位置決め搬送する方法及び装置を提供する。
【解決手段】搬送ロボットＢによって位置決め部１２の第１ガラス基板受け部２０Ａ、２０Ｂを構成する溝にガラス基板１００を載置位置決めする。第１ガラス基板受け部２０Ａ、２０Ｂは緩衝部材で構成されているために衝撃なくガラス基板１００を受け止める。次いで、リフター７４が搬送処理部１４を上方へと変位させると、前記ガラス基板１００は搬送処理部１４の第２ガラス基板受け部５０Ａ、５０Ｂに移載され、且つガラス基板側部受け部３２Ａ〜３２Ｄ、３４Ａ〜３４Ｄによって横方向への変位を阻止されながら、トランスファーマシンＥによりセレン化処理炉Ｆへと搬送される。 （もっと読む）

【課題】スループットや熱応答性の低下を防止しつつ、低温で熱処理を施す。
【解決手段】複数枚のウエハ１を一括して処理する処理室内に複数枚のウエハ１を保持して搬入するボート５０に、ウエハ１を１枚ずつ保持するヒータプレート６０を複数枚設け、各ヒータプレート６０はウエハ１よりも大径の円盤形状に形成する。ヒータプレート６０には第一発熱線６１および第二発熱線６２を設け、第一発熱線６１および第二発熱線６２は炭化シリコン、ポリシリコン、石英等で形成したカバー６３で被覆する。第一発熱線６１および第二発熱線６２は抵抗発熱体で直径１０ｍｍ以下の線形状に形成し、電力制御装置６５をそれぞれ設ける。各ヒータプレート６０上に各ウエハ１を一枚ずつ載置して、ウエハ１を熱伝導によって加熱することで、熱応答やスループットを高める。 （もっと読む）

【課題】熱処理中に発生する基板のスリップ転位欠陥発生を少なくし、高品質な半導体装置を製造することができる熱処理方法、基板の製造方法及びＳＩＭＯＸ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】処理室内に基板６８を搬入する工程と、前記処理室内でシリコン製の板状部材５８から構成され少なくとも前記基板６８が載置される基板載置面７２にアモルファス状の酸化珪素膜７０が設けられた支持部５８により前記基板６８を支持した状態で酸素を用いて熱処理する工程と、熱処理後の前記基板６８を前記処理室内より搬出する工程とを有し、前記支持部５８の前記基板載置面７２に設けられた前記アモルファス状の酸化珪素膜７０は前記熱処理により形成される。 （もっと読む）

【課題】ウェーハを安定状態で正確に保持しながら、シャドーイングおよび汚染を低減するウェーハ処理用シリコン・タワーを提供する。
【解決手段】複数のウェーハを支持するためのシリコン・タワーであって、複数のウェーハを取外し可能に支持するよう構成され、非円形の断面脚部形状に従って形成されたシリコンからなる複数の脚部と、シリコンからなり、前記脚部を収納し固定するために前記非円形形状を有する孔部を備えた２つのベースとを備えることを特徴とするシリコン・タワー。 （もっと読む）

【課題】ウエハに傷やスリップの発生をより確実に抑制し、かつパーティクル汚染を生じさせない縦型ウエハボートを提供する。
【解決手段】ウエハを搭載するための棚部が形成された複数本の支柱と、前記支柱の上下端部を固定する天板及び底板とを備えた、ＳｉＣ質基材の表面にＳｉＣ被覆膜が形成された縦型ウエハボートにおいて、前記棚部におけるウエハ当接部が第１のＳｉＣ被膜形成後に研磨によるフラット化処理を行い、その上面に第２のＳｉＣ被膜が形成され、かつその表面の表面粗さＲａが０．１μｍ以上０．９μｍ以下であって、前記ウエハ当接部を除く部分が、第１のＳｉＣ被膜形成後にその上面に第２のＳｉＣ膜が形成され、かつその表面粗さＲａが１．０μｍ以上８．０μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】高温の半導体プロセスシステムにおける使用に適している加熱型アルミニウム基板支持体と、このような基板支持体を製造する方法とを提供する。
【解決手段】一実施形態においては、加熱型アルミニウム基板支持体は、アルミニウム本体と、本体に結合されている脚部と、本体内に配置されている加熱素子とを含むことができる。本体は約２５０μｍ未満の平均粒径を有する。いくつかの実施形態においては、脚部と本体との継手は十分に侵入した重ね溶接であり、基板支持体の耐用年数が増大する。 （もっと読む）

【課題】縦型熱処理炉により被処理基板を熱処理する際、個々の支持部の傾きを起因とするスリップの発生を防止でき、安価で改良が容易な縦型熱処理用ボートを提供する。
【解決手段】少なくとも、複数の支柱と、各支柱の両端部に連結した一対の板状部材とを有し、前記各支柱に、被処理基板を水平に支持するための複数の支持部が形成されており、該複数の支持部に、前記被処理基板が各々一枚ずつ載置される支持補助部材が着脱可能に装着されている縦型熱処理用ボートであって、前記支持補助部材は、各々の支持部の形状に合わせて、前記支持部に装着している面に加工を施すか、前記支持部と前記支持補助部材との間にスペーサを介在させることによって、前記被処理基板が載置される面の傾きが各々の支持部ごとに調整されているものである縦型熱処理用ボート。 （もっと読む）

【課題】複雑な形状の炭化ケイ素部材を、従来に比し容易に、精度良くかつ短い加工時間で、歩留を低下させることなく製造することができる炭化ケイ素部材の製造方法およびこれにより得られる炭化ケイ素部材を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素を主成分とする第一の部材１と、炭化ケイ素を主成分とする第二の部材２とが接合されてなる炭化ケイ素部材の製造方法である。第一の部材１を加工形成する第一の加工工程と、第二の部材２を加工形成する第二の加工工程と、第一の部材１と第二の部材２とを組み立てる組立工程と、組み立てられた第一の部材１および第二の部材２の表面の、少なくとも接合部付近に、化学気相成長法（ＣＶＤ）により炭化ケイ素被膜３を形成する被膜形成工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】製造できる肉厚に制限があるガラス状炭素を使用し、複数枚のウェハを保持するのに十分な強度と剛性が得られるガラス状炭素製ウェハボートを提供する。
【解決手段】ウェハ外周部の一部が挿入されるウェハ保持用の溝が列設されている複数本の支柱と、これらの支柱と直交する方向に配置され上記各支柱を固定する複数枚の固定板とから構成されるウェハボートにおいて、上記固定板および支柱がガラス状炭素製からなり、上記固定板６は、その固定板６の厚さ方向に向けて、または厚さ方向と交差する方向に向けて、少なくとも一方端が開口している通路ｉが多数形成されている中空構造からなり、上記支柱は、その長手方向に溝状通路が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】熱膨張による亀裂が生じ難く、また支持柱を天板及び底板に確実に固定できる縦型ウエハボートを提供する。
【解決手段】本発明にかかる縦型ウエハボート１は、半導体ウエハＷを搭載するウエハ支持部を有する複数本の支持柱２と、前記支持柱２の上下端部に取付けられる天板４及び底板３とを具備する縦型ウエハボート１において、前記支持柱２の下端部には、支持柱の横断面積より大きな底面積を有する足部２ｂが形成され、前記足部２ｂがボルト５，６で底板３に固定されると共に、前記天板４には径方向に延設された複数個の貫通部４ｂが形成され、前記支持柱２の上端部２ｆが前記貫通部４ｂの内周側側壁と隙間Ｓを形成して、天板４に係止されている。 （もっと読む）

【課題】スリップの抑制、ウエハ裏面の傷の抑制、ガスの流れの滞留を抑制できる縦型ウエハボート用ウエハ支持部材を提供する。
【解決手段】縦型ウエハボートの溝部に載置され、ウエハを上面に載置、支持する、リング形状の縦型ウエハボート用ウエハ支持体１であって、前記ウエハ支持体１の上面内周部の角部ｃ及び上面外周部の角部ａが、曲面形状の面取りがなされ、ウエハ支持体の下面外周部の角部ｅが、平面形状の面取りがなされている。 （もっと読む）

【課題】品質にバラツキのない半導体ウエハー用治具の洗浄方法を提供すること。
【解決手段】半導体ウエハー用治具の材料切り出し後に、半導体ウエハー用治具の有機洗浄、強アルカリ洗浄及びフッ硝酸洗浄を行い、半導体ウエハー用治具の表面を強アルカリ洗浄、該フッ硝酸洗浄で剥離する第１の工程と、半導体ウエハー用治具の研磨、成形後に半導体用ウエハー用治具の有機洗浄、強アルカリ洗浄及びフッ硝酸洗浄を行い、半導体ウエハー用治具の表面を強アルカリ洗浄、フッ硝酸洗浄で剥離する第２の工程と、半導体ウエハー用治具の溝付け又は仕上げ加工後に半導体ウエハー用治具の有機洗浄、強アルカリ洗浄及びフッ硝酸洗浄を行い、半導体ウエハー用治具の表面を強アルカリ洗浄、フッ硝酸洗浄で剥離する第３の工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】貫通孔、切り欠きを有する脆性材料部材の製造方法において、熱処理工程で前記貫通孔、切り欠きに生じる熱応力を低減し、前記基体の破損を防止した脆性材料部材の製造方法を提供する。
【解決手段】基体の外形状を所定形状になすと共に、前記貫通孔または切り欠きの形成予定位置に、所定の深さを有する凹部を形成する工程（Ｓ１）と、前記基体を熱処理する工程（Ｓ２）と、前記熱処理された基体の凹部の底部を除去し、貫通孔または切り欠きを形成する除去工程（Ｓ３）とを含む。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶インゴットを切削加工して形成され、変形が抑制され、耐久性を有する半導体基板熱処理用部材を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶からなる半導体基板熱処理用部材において、部材に作用する応力方向を［００１］方向（Ａ＝０度、Ｄ＝０度）に働かせた場合の分解せん断応力の方位因子であるシュミット因子が最小になる角度、Ａ方向に４５度、Ｄ方向に５４．７度から±１５°の範囲以内になるように、シリコン単結晶インゴット２を切削加工した部材を用いた。 （もっと読む）

【課題】半導体シリコン基板を熱処理する際に発生するスリップ（結晶欠陥）を低減させることが可能な熱処理治具およびその製作方法を提供する。
【解決手段】半導体シリコン基板を接触保持する領域にクリストバライト化させた酸化膜が形成されている熱処理治具、または、この熱処理治具９ａと、前記クリストバライト化させた酸化膜に起因して発生するパーティクルの半導体シリコン基板への付着を抑制するための、前記熱処理治具よりも径が大きい遮蔽板９ｂとで構成される熱処理治具９。これらの治具は、クリストバライト化促進剤を熱処理治具の表面または表面近傍に導入し、１０００〜１３８０℃の温度範囲内で熱処理を施した後、更に、前記促進剤の導入および熱処理を繰り返すことにより製作することができる。クリストバライト化促進剤として、治具洗浄用の薬液中に混在する不純物の利用が可能である。 （もっと読む）