半導体ウェハなどのワークピースおよびそのウェハを支持するチャックの温度を制御する装置および方法が、説明される。この装置は、温度制御用流体の温度の制御に使用される熱交換器を含む。第１の流体搬送経路により温度制御用流体は、熱交換器から排出口に搬送される。排出口はワークピースチャックに連結されており、温度制御用流体がワークピースチャックに搬送されるようになっている。第２の流体搬送経路により温度制御用流体は、導入口から熱交換器に搬送される。導入口はワークピースチャックに接続されており、温度制御用流体がワークピースチャックから温度制御装置に搬送されるようになっている。二重流量方式を用いて、チャックの温度を変化させているときには、温度制御用流体を相対的に大流量で循環させてチャックの温度変化が高速で行われるようにする。チャックの温度を所定の設定点温度に保持しているときには、流体の流量を減じて、摩擦電気効果等の流体の動きがもたらす電気的ノイズが低減されるようにする。毛細管が、第１および第２の流体搬送経路の間に連結される。第１および第２のバルブを第１および第２の流体搬送経路に連結して、チャックが高温状態のときに流体がチャックに流れ込まないようにすることで流体の沸騰がひき起こす動きを無くしている。
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半導体ウェハが加工される際、その保護をする保護ディスクは、半導体ウェハに接着するよう構成された接着層と、半導体ウェハが加工される際、それに強度と剛性を与えるために、加工中半導体ウェハを支持するよう構成された、接着層に結合した支持層とを有する。本発明の特徴の一つとして、保護ディスクは弱アルカリ性溶液、または弱酸性溶液に溶性である。別の特徴として、接着層は高分子重合体から構成される。別の特徴として、支持層はポリマーと充てん剤から成る。本発明は、半導体ウェハを１５０μｍ以下に薄化する処理、およびそれ以降に続くストレス除去、ダイ切り出しのためのダイシング枠への移送、などの処理において堅牢な、費用効率の高い、大量、自動化処理を実現する。さらに、本発明は、従来達成可能であった厚みよりもさらに薄い素地を、既存のツール一式や処理を利用して生成することができる。

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本発明は、ウエハより接着剤付きＩＣチップを作成し、キャリアに固着する電子部材の製造方法及び接着材付きＩＣチップに関し、ボイドの発生を防ぎＩＣチップと接着材間の接着力を確保しつつ、ダイシングフィルムにウエハを接着する熱硬化型の接着材をキャリアへ電子部材を固着する際の接着材としても利用することで、安価でかつ工程の簡略化を図るものである。
ベースフィルム上に設けられた熱硬化型の接着材に対して、ウエハを貼り付ける接着材貼り付け工程と、ベースフィルムをダイシングフィルムに貼り付けるダイシングフィルム貼り付け工程と、ウエハと熱硬化型の接着材を切断しＩＣチップに分離するＩＣチップ分離工程と、熱硬化型の接着材が貼り付いたＩＣチップをキャリアに貼り付けるマウント工程と、を含み、接着材貼り付け工程の貼り付け温度において、熱硬化型の接着材の粘度が２０，０００Ｐａ・ｓ以下とする。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】接着層１２によってキャリアテープ１３に接着されたウェーハ基板１１が、キャリアテープを最大限でもスクライビングするようにウェーハ基板を貫通し接着層を貫通してレーザ加工され、接着層１２とキャリアテープ１３の大幅な積層剥離や接着層１２からのバリの大量発生もなく、個片化された接着層が貼付された個片化されたダイ１５を形成する、ダイボンディング方法及び装置。キャリアテープ１３は、キャリアテープから接着層を外すために好ましくは紫外線光によって硬化される。個片化されたダイは掴み上げられダイパッド上に配置されて、ダイをダイパッドに接着するために、接着層１２が好ましくは熱によって硬化される。 （もっと読む）

【課題】 厚さ１００μｍ以下のウエハを用いた半導体集積回路の製造方法において、ウエハまたはチップ部品に割れや欠けが生じないようにする。
【解決手段】 厚さ１００μｍ以下のウエハ１の裏面と表面に、ＵＶ硬化型樹脂２を塗布した伸展性シート３と、表面に熱硬化型樹脂４を塗布したダイシングシート５を貼り合わせて均一に加圧し、ダイシングブレード６により、チップ部品１ａを分離し、ＵＶ光線を照射してＵＶ硬化型樹脂２の接着性を低下させ、突き上げ手段７によって伸展性シート３からチップ部品１ａを剥離し、チップ部品１ａを吸着手段８により吸着し、加熱手段７上に載置したリードフレームのダイスパッド１１の面に接着剤９を介して一定の時間押し付け、チップ部品１ａをダイボンドすると共に、熱硬化型樹脂４の接着性を低下させ、ダイシングシート５をチップ部品１ａの表面から剥離する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、複数の半導体素子が連なった状態で封止され、画像認識により位置決めされて試験に供される半導体装置、半導体装置の試験製造方法及び半導体装置の試験方法に関し、既存のウェーハプローバで認識可能なアライメントマークを容易に形成することを課題とする。
【解決手段】 半導体チップ１４の電極を所定の位置に配置された電極パッドに接続するための再配線層１８を半導体チップ１４上に形成する。ハンダボール２２が形成されるメタルポスト１６を再配線層の電極パッド上に形成する。再配線１８上に、メタルポスト１６と所定の位置関係で配置されたアライメントマークを提供するマーク部材２４を形成する。マーク部材２４はメタルポスト１６と同じ材質で形成される。 （もっと読む）