【課題】金属配線層同士のショートを防止することの可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜２２Ｄがポジ型の材料からなる場合には、層間絶縁膜２２Ｄのうち金属配線層２３，２４との対向部分の残膜率がゼロとなる露光感度よりも低い露光量で上記対向部分の所定の領域を露光したのち層間絶縁膜２２Ｄを現像する。一方、層間絶縁膜２２Ｄがネガ型の材料からなる場合には、露光感度よりも高い露光量で上記所定の領域を露光すると共にその露光量よりも高い露光量で層間絶縁膜２２Ｄのうち上記所定の領域を除く領域を露光する。次に、層間絶縁膜２２Ｄを含む表面全体に対して金属酸化処理を行ったのち、酸化反応を利用したアッシングを行うことにより層間絶縁膜２２Ｄのうち上記所定の領域に対応する部分（残膜２２Ｅ）を除去する。 （もっと読む）

【課題】
１つ以上の凹凸パターンが形成されたシリコーン・エラストマー・スタンプについて、印刷解像度が大幅に高められるようにその構造を工夫すること。
【解決手段】
上記課題を解決するための手段は、少なくとも１つ以上の凹凸パターンが形成されたシリコーン・エラストマー・スタンプについて、その凸部に隣接する箇所に支持パターンを設けることであり、
また、支持される凸部の線幅ａ、スタンプの凸部の高さｂとしたアスペクト比ｂ／ａが１以上の箇所に前記支持パターンを設けることであり、
また、前記支持パターンが支持される凸部の線幅ａよりも大きいことである。
さらにまた、前記シリコーン・エラストマー・スタンプが、ポリジメチルシロキサンからなること。 （もっと読む）

【課題】ビアの断線不良の発生を防止することができる、半導体装置を提供する。
【解決手段】第２層間絶縁膜７およびＳｉＣ膜６を挟んで、Ｃｕからなる下層配線４および上層配線１１ａ，１１ｂが形成されている。下層配線４と上層配線１１ａとは、Ｃｕからなるビア１２ａにより電気的に接続されている。また、下層配線４と上層配線１１ｂとは、Ｃｕからなるビア１２ｂにより電気的に接続されている。そして、下層配線４には、Ｃｕからなり、下層配線４と上層配線１１ａ，１１ｂとの電気接続に寄与しないダミービア１３が接続されている。ダミービア１３は、ビア１２ａ，１２ｂよりも小さなビア径を有している。 （もっと読む）

【課題】 インクジェット装置を用いた描画配線方法において、速やかに実用的な回路を描画する手法を提供することである。
【解決手段】 本発明は、基板の描画領域に、金属微粒子を含むインクに対して親液性と撥液性の領域を形成し、インク乾燥時に発生するバルジを抑制することで、基板もしくはインクジェットヘッドを１度駆動して描画配線を行い、焼結することによって配線を形成する手法を提供する。 （もっと読む）

【課題】配線の低抵抗化を図り、電圧ドロップを抑制できる配線構造を備えた半導体集積回路を提供する。
【解決手段】半導体集積回路の電源配線構造は、第１の方向に延伸して形成された複数の配線１Ｄ及び１Ｓからなる配線層１と、配線層１の上に、第１の方向に対して垂直な方向である第２の方向に延伸して形成された複数の配線２Ｄ及び２Ｓからなる配線層２と、配線層２の上に、第２の方向と同じ方向に延伸して形成された複数の配線４Ｄ及び４Ｓからな配線層４とを備える。 （もっと読む）

集積回路の熱管理のための構造および方法である。集積回路の熱管理構造は、共に接合された第一および第二基板を含み、第一および第二基板のうち少なくともひとつは少なくともひとつの回路要素、第一基板および第二基板の少なくともひとつの厚さにわたって延在する長さを有する入口スルーホール、第一基板および第二基板の少なくともひとつの厚さにわたって延在する長さを有する出口スルーホール、第一および第二基板の間の封止を形成し、かつ第一および第二基板の間の空間を形成しているボンディング要素、および第一および第二基板の間の空間に形成された冷却剤チャネを含み、入口スルーホールに入る流体は、冷却剤チャネルおよび出口スルーホールを流れ回路要素を冷却する。方法は、入口スルーホールを通る流体を供給し、流体は第一基板および第二基板の間の冷却剤チャネルを通って流れ、かつ流体を出口スルーホールに通して冷却剤チャネルから除去する。
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【課題】半導体チップに発生するクラックを検知することができ、さらに設計の自由度が向上するとともに配線のレイアウトの自由度やＬＳＩのレイアウト効率およびパッケージ基板のレイアウト効率が向上した半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、多層配線構造を有する半導体チップ１０と、半導体チップ１０上面において、半導体チップ１０の外周縁に沿って形成された複数の電極パッド１２と、複数の電極パッド１２から選択された２つの第１電極パッド１２ａおよび第２電極パッド１２ｂに接続するとともに、平面視において、半導体チップ１０の全外周縁に沿って設けられた配線１８とを備え、配線１８は異なる層に形成された第１配線部１４と第２配線部１６とを含み、第１配線部１４と第２配線部１６とは接続プラグを介して直列に接続されている。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ等の後処理工程を必要としない埋め込み成膜方法及び装置を提供する。
【解決手段】ラジカルＣｌ^*で、Ｃｕを含む被エッチング部材をエッチングして前駆体ＣｕＣｌを形成する一方、バリアメタル膜２５が形成された基板３に形成した凹部３ａにＣｕＣｌを吸着させ、その後ＣｕＣｌをＣｌ^*で還元してＣｕ膜２６を形成する成膜反応と、このＣｕ膜２６をＣｌ^*でエッチングするエッチング反応とを共存させるとともに、成膜反応の速度がエッチング反応の速度よりも大きくなるように制御することにより凹部３ａにその底部から順にＣｕ膜２６を積層して埋め込みを行なうとともに、Ｃｕ膜２６が基板３における凹部３ａの開口部よりも若干突出するまで成膜し、その後エッチングモードとすることにより開口部より突出したＣｕのエッチングを行なうとともに基板３の表面のバリアメタル膜２５も除去し、Ｃｕ膜２６と基板３の表面とが面一になるように制御する。 （もっと読む）

【課題】貫通配線１６ａ〜１６ｃが基板１８から剥離することを抑制し、且つ貫通孔４４の内壁面に均一な膜厚の絶縁膜を膜厚制御性良く形成する。
【解決手段】シリコンからなる基板１８の表裏面を貫通孔４４が貫通し、貫通孔４４の内部に熱酸化膜４５を介して配線金属４７からなる貫通配線１６が充填され、基板１８の表面に緩衝膜１７が積層され、貫通配線１６は緩衝膜１７を貫通して緩衝膜１７上に延長されている貫通配線付基板を製造する方法であって、基板１８をエッチングして貫通孔４４を形成する第１の工程と、基板１８を加熱することにより第１の工程で形成された貫通孔４４の内壁に熱酸化膜４５を成膜する第２の工程と、第２の工程の後に基板１８の表面に緩衝膜材料４８を塗布及び熱硬化させて緩衝膜１７を形成する第３の工程と、第３の工程の後に貫通孔４４の内部に配線金属４７を充填して貫通配線１６ａ〜１６ｃを形成する第４の工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】対向配置されたウエハ間において電極部同士の接続されない部分が発生しにくい半導体装置を提供する。
【解決手段】貫通配線部９とバンプ２６とが電気的に接続されることにより複数のウエハ間接続部３０ｃが形成されて所望の半導体回路が形成されている半導体装置において、ウエハ間接続部３０ｃが、隣接する別のウエハ間接続部３０ｃと絶縁されたものであり、バンプ２６の貼り合わせ面３０ｂにおける平面形状が、貼り合わされるウエハ同士の位置合わせを行う際の位置合わせマージン寸法の幅で、ウエハ１ＷＡに設けられた貫通配線部９の貼り合わせ面３０ａにおける面積の半分が重なり合う平面形状を取り囲んでなる位置合わせマージン形状よりも大きいものである半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】 多層配線を有する半導体装置において配線層内の水分の有無を直接評価することができる配線構造及び多層配線を有する半導体装置の水分検出方法を実現する。
【解決手段】 半導体装置１の多層配線構造において、第３配線層３３より腐食されやすい材料により形成された薄膜抵抗体２０ａ、２０ｂが第３配線層３３に配置され、薄膜抵抗体２０ａ、２０ｂの抵抗値を測定可能に構成されているため、水分の侵入などにより第３配線層３３内に水分が存在する場合には、水分が第３配線層３３内を移動して薄膜抵抗体２０ａ、２０ｂに到達し、薄膜抵抗体２０ａ、２０ｂが腐食されて抵抗が急増するので、薄膜抵抗体２０ａ、２０ｂの抵抗値を測定することにより第３配線層３３内の水分の有無を直接検出することができる。 （もっと読む）

【課題】ウエハ間の電気的な接続において優れた信頼性および安定性が得られる貫通配線構造を提供する。
【解決手段】対向する電気信号接続部９２、２６同士のうち一方が、ウエハの一方の面と他方の面とを導通させる貫通配線部９２であり、貫通配線部９２が、貼り合わせ面３０ａから突出する貫通突出部９２ａを有し、貫通突出部９２ａが、対向配置されて貼り合わせ面３０ａから別のウエハに向かって延びる配線側壁対９２ｂを有し、対向する電気信号接続部同士９２、２６のうち他方が、バンプ２６であり、貫通配線部９２の端部９２ｃが、バンプ２６内に食い込んでおり、配線側壁対９２ｂの間に、バンプ２６が挟み込まれている貫通配線構造とする。 （もっと読む）

【課題】インクのはみ出しを最小限に抑えて形成された配線パターンを備える電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂フィルム３の表面に設けられた凸部５の側面は、凹部４の底に向かって傾斜した形状を有する。凸部５の側面は、水平方向に対して５度以上の傾斜角度θを有することが好ましい。配線は、インクジェット法を用いて金属超微粒子を含むインクを基板１の上に塗布した後、インクを加熱することによって形成される。インクは、基板１に撥液処理を行った後に塗布されることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】加工プロセス時の回路密着性と低反り性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】必要な回路が形成された半導体回路デバイス表面に、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤及び平均一次粒子径１μｍ以下の有機フィラーの成分を含む樹脂組成からなる絶縁層を１層又は複数層備え、かつ同一層内及び層間接続の配線導体として銅を用いた回路を任意の箇所に形成してなる半導体装置。 （もっと読む）

【課題】配線間におけるリーク電流の発生を防止することができる、半導体装置を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜１は、ＳｉＯ₂からなる。層間絶縁膜１には、その上面から掘り下がった溝２ａ，２ｂが形成されている。この溝２ａ，２ｂには、ＣｕＭｎからなる配線４ａ，４ｂが埋設されている。層間絶縁膜１および配線４ａ、４ｂ上には、ＳｉＯ₂からなるバリア形成用膜５が積層されている。バリア形成用膜５上には、パッシベーション膜６が積層されている。また、配線４ａ，４ｂと層間絶縁膜１およびバリア形成用膜５との間には、ＭｎＳｉＯからなるバリア膜３ａ，３ｂが介在されている。このバリア膜３ａ，３ｂによって、配線４ａ，４ｂの全面が被覆されている。 （もっと読む）

【課題】貫通配線１６ａ〜１６ｃが基板１８から剥離することを抑制し、且つ製造工程を簡略化する。
【解決手段】シリコンからなる基板１８の表裏面を貫通孔４４が貫通し、貫通孔４４の内部に絶縁膜３２ａを介して配線金属４７からなる貫通配線１６ａが充填され、基板１８の表面に緩衝膜１７が積層され、貫通配線１６は緩衝膜１７を貫通して緩衝膜１７上に延長されている貫通配線付基板２を製造する方法であって、基板１８の表面に緩衝膜材料を塗布する第１の工程と、緩衝膜材料を選択的に除去して開口４６を形成する第２の工程と、緩衝膜材料を熱硬化させて開口４６を有する緩衝膜１７を形成する第３の工程と、緩衝膜１７をエッチングマスクとして用いて緩衝膜１７の開口から表出する基板１８を選択的にエッチングし、貫通孔４４を形成する第４の工程と、貫通孔４４の内部に配線金属４７を充填して貫通配線１６を形成する第５の工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】貫通配線基板を他基板に実装する際には圧力と熱が掛かる場合でも、貫通配線基板及び被実装物の耐久性を向上せしめた貫通配線基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板に設けられた貫通孔に貫通配線を備える貫通配線基板において、基板部材７に設けられた貫通孔３と、基板部材７の貫通孔３を除く両面および貫通孔３の内周面に形成された絶縁層９と、少なくとも前記貫通配線基板の一方の面において、基板部材７の貫通孔３を除く部分の絶縁層９上に形成される絶縁樹脂層１４と、貫通孔３内周面の絶縁層９上に設けられたバリアメタルシード層１２と、貫通孔３に充填されると共に、貫通孔３から所定距離離れた位置まで前記貫通配線基板の一方の面上の絶縁樹脂層１４上に伸延して形成される貫通伸延配線１３と、貫通孔３の位置を除く貫通伸延配線１３上に形成された導電性を有するバンプ１５と、を具備している。 （もっと読む）

【課題】ダミーパターンを配置した場合にも、視認性に優れた文字パターンを有する半導体集積回路、及び、該半導体集積回路に含まれる半導体集積回路パターンの設計方法の提供を目的とする。
【解決手段】半導体チップの回路領域に、回路を構成する回路素子を形成する複数層のパターンが配置されるとともに、前記半導体チップの前記回路領域を除く領域の少なくとも一部に、前記複数層の内の少なくとも１つの層の、前記回路の動作に寄与しないダミーパターンが、複数個配置されたダミー領域を有する半導体集積回路において、前記ダミー領域に、一定の形状および寸法を有する前記ダミーパターンが一定のピッチで配置され、前記複数個のダミーパターンの一部が、前記少なくとも１つの層の接続パターンによって互いに接続されることにより、識別符号が形成されている。 （もっと読む）

【課題】複数枚のウエハを貼り合わせる際に、貼り合わせ面から突出する電気信号接続部が損傷されにくく、電気的導通特性および信頼性に優れ、安定した性能の得られる半導体装置用ウエハの貫通配線構造を提供する。
【解決手段】素子の形成された基板からなる複数枚のウエハを貼り合わせてなる半導体装置のウエハとして用いられる半導体装置用ウエハの貫通配線構造であって、別のウエハと電気的に接続される貫通配線部９が、前記別のウエハとの貼り合わせ面３０ａに前記貼り合わせ面から突出して設けられ、ウエハ表面と平行な面で見た貫通配線部９の断面が、曲線を含む曲線含有形状または異なる方向に延びる２以上の直線を含む複直線含有形状である貫通配線構造とする。 （もっと読む）

【課題】ビア底の銅拡散バリア絶縁膜をドライエッチングで除去した後、ビア底にたまったポリマーをウエット・エッチングで除去すると、ロット内の一部のウエハで下層の銅配線が消滅する現象が起こる。
【解決手段】ビア底の銅拡散バリア絶縁膜をドライエッチングで除去した後、ビア底にたまったポリマーをウエット・エッチングで除去する間、非酸化性乾燥ガス雰囲気で保管することにより、ポリマーが雰囲気中の酸素や水分を取り込むことを防止するものである。 （もっと読む）