【課題】 表面疎水化用組成物、表面疎水化方法、ならびに半導体装置およびその製造方法に関する。
【解決手段】 本発明の表面疎水化用組成物は、（Ａ）官能基を有するシラン化合物と、（Ｂ）炭素数４〜８のアルコール系溶媒とを含む。 （もっと読む）

多層配線構造は、第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁上に形成された第２の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜中に形成され第１のバリアメタル膜で側壁面および底面が覆われた配線溝と、前記第２の層間絶縁膜中に形成され第２のバリアメタル膜で側壁面と底面が覆われたビアホールと、前記配線溝を充填する配線パターンと、前記ビアホールを充填するビアプラグとよりなり、前記ビアプラグは前記配線パターンの表面にコンタクトし、前記配線パターンは前記表面に凹凸を有し、前記配線パターンは、前記配線パターン中において前記表面から前記配線パターン内部に向かって延在する結晶粒界に沿って、前記表面におけるよりも高い濃度で酸素原子を含むことを特徴とする。
（もっと読む）

【課題】 本発明は、低誘電率膜の疎水的性質を維持し、歩留まりを向上させることができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 半導体基板の上方に、炭素を含む層間絶縁膜５０を形成するステップと、表面付近における炭素濃度が低下した層間絶縁膜５０上に保護膜６０を形成するステップと、保護膜６０の表面から層間絶縁膜５０の底面まで貫通するように、層間絶縁膜５０及び保護膜６０のうち所望の領域を選択的に除去することにより、溝８０、１００を形成するステップと、層間絶縁膜５０と保護膜６０との界面に、炭素を供給するステップと、溝８０、１００に導電性材料を埋め込むことにより、導電層を形成するステップとを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 接続線と配線との接続部において、接続線周囲の配線幅の拡大や接続線個数の増大に伴う配線ピッチの増大によるレイアウト面積の損失を抑えつつ、かつ、エレクトロマイグレーションの発生を抑える。
【解決手段】 上層配線と下層配線と、上層配線と下層配線とを接続する接続線とを備える半導体装置において、接続線に対して電子の流れの下流側の配線の、少なくとも接続線に接続する接続部の直下又は直上部分、及び接続部から下流側の部分の膜厚を厚くして、厚膜化領域を設ける。 （もっと読む）

【課題】 表面疎水化用組成物、表面疎水化方法、ならびに半導体装置およびその製造方法に関する。
【解決手段】 本発明の表面疎水化用組成物は、（Ａ）官能基を有するシラン化合物と、（Ｂ）ケトン系溶媒とを含む。 （もっと読む）

多層配線構造を有する半導体装置は、第１の導電領域と、前記基板に対して前記第１の導電領域よりも高い位置に上面を有する第２の導電領域と、前記第１および第２の導電領域を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜中に、前記第２の導電領域を露出するように形成された配線溝と、前記絶縁膜中に前記第１の導電領域を露出するように形成されたコンタクトホールと、前記配線溝および前記コンタクトホールを充填する配線パターンとよりなり、前記配線パターンの上面は、前記絶縁膜の上面に一致する。
（もっと読む）

集積回路のための相互接続構造体における使用のための銅相互接続配線層（602）の表面上のキャッピング層（614）およびガスクラスタイオンビーム処理の適用による集積回路のための改良された集積相互接続構造体を形成する方法。低減された銅拡散と改善されたエレクトロマイグレーション寿命が結果として得られ、また選択的金属キャッピング技法の使用とそれらに付随する歩留まり問題とが回避される。 （もっと読む）

【課題】
新たに見出した経時的配線不良率の知見に基づき、長期間の高信頼性を実現できる銅配線を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】
半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板に形成され、多電圧で駆動される回路を含む複数の回路領域と、前記半導体基板上方に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に埋め込んで形成された銅配線であって、同一層内で隣接する配線間の最小配線間隔が、印加される電圧差によって配線間に生じる電界が０．４ＭＶ／ｃｍ以下になるように選定されている銅配線と、前記銅配線の上面を覆って、層間絶縁膜上に形成された銅拡散防止膜と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 大口径の半導体基板に対して、シードＣｕ膜が薄くても面内の膜厚均一性良く電解めっき成長を行うことができるめっき装置、めっき方法を提供する。
【解決手段】 めっき槽１１０内にはアノード電極１０４が、基板保持機構１０７には第１のカソード電極１０９と第２のカソード電極が設けられている。Ｃｕシード層（図示せず）とアノード電極１０４間に電流を流してめっき成長を行う際に、半導体基板の中心付近に接する第２のカソード電極からも電流を流す。これによって、Ｃｕシード層が６０ｎｍ以下の非常に薄膜になった場合においても、半導体基板の中心付近で得られるめっきＣｕ膜厚が薄くなることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】 高い膜強度と低い比誘電率を有するＣＭＰ犠牲膜やエッチング・ストッパー膜等の半導体加工用保護膜を形成するための塗布液、その調整方法および該塗布液より得られる半導体加工用保護膜に関する。
【解決手段】 （ａ）テトラアルキルオルソシリケート(TAOS)およびアルコキシシラン(AS)をテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（TMAOH）および水の存在下で加水分解して得られるケイ素化合物、またはテトラアルキルオルソシリケート(TAOS)をテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（TMAOH）および水の存在下で加水分解または部分加水分解した後、アルコキシシラン(AS)またはその加水分解物もしくは部分加水分解物と混合し、さらに必要に応じてこれらの一部または全部を加水分解して得られるケイ素化合物、（ｂ）有機溶媒、および（ｃ）水を含む液状組成物であり、しかも該液状組成物中に含まれる水の量が３５〜６５重量％の範囲にあることを特徴とする半導体加工用保護膜形成用塗布液。 （もっと読む）

【課題】非晶質化のために必要な電流（リセット電流）を低減した相変化メモリを提供する。
【解決手段】相変化膜で構成されるメモリセル３０と、メモリセル３０の下主面にその一端が直接に接続され、他端がＭＯＳトランジスタ１０の一方のソース・ドレイン層３に接続されて、当該ソース・ドレイン層３とメモリセル３０とを電気的に接続するとともに、メモリセル３０の下部電極となるプラグ電極ＣＰ１と、メモリセル３０の上主面にその一端が直接に接続され、他端がメモリセル３０を覆うように配設された層間絶縁膜９上に配設されたビット配線層ＷＲに接続されて、当該ビット配線層ＷＲとメモリセル３０とを電気的に接続するとともに、メモリセル３０の上部電極となるプラグ電極ＣＰ１０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ドレインコンタクトプラグに電気的に接続される金属配線とソースコンタクトプラグ間のブリッジによる短絡が発生することを防止する。
【解決手段】第１層間絶縁膜をパターニングし、ドレインコンタクトプラグを形成する段階と、第１エッチング工程によって前記第１層間絶縁膜をリセスさせて前記ドレインコンタクトプラグを突出させる段階と、前記ドレインコンタクトプラグを含む全体構造上の段差に沿って窒化膜を蒸着する段階と、前記窒化物上に第２層間絶縁膜を形成する段階と、前記ドレインコンタクトプラグの突出部位に形成された前記窒化膜が露出するように前記第２層間絶縁膜をパターニングしてトレンチを形成する段階と、第２エッチング工程によって、前記トレンチを介して露出する前記窒化膜を除去して前記ドレインコンタクトプラグを露出させる段階と、前記トレンチが埋め立てられるように金属配線を形成する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】銅配線の拡散防止膜としての機能を有し、誘電率が大きくない層間絶縁膜を形成する。
【解決手段】低誘電率層間絶縁膜１４を形成し、層間絶縁膜１４に銅配線用溝２２を形成し、溝２２に露出する層間絶縁膜１４を窒素系ガスによるプラズマにより窒化してプラズマによる窒素拡散層１５を形成し、溝２２に銅配線１７を形成し、低誘電率層間絶縁膜２０とシリコン酸化膜１２を形成し、シリコン酸化膜１２と層間絶縁膜２０をにエッチングしてヴィアホール１８を形成し、ヴィアホール１８に露出する層間絶縁膜２０および下層銅配線１７を窒素系ガスによるプラズマにより窒化してプラズマによる窒素拡散層１５および銅配線窒化膜２１を形成し、ヴィアホール１８に銅配線１９を形成する。 （もっと読む）

集積回路配置の電気的に接続を、カーボンナノチューブにより容易にする。様々な実施例により、カーボンナノチューブ材料（１２０、１３５）は、金属のような他の材料（１３０、１２５）と関連する。カーボンナノチューブ材料は、異なる回路素子間の電気的に接続を容易にする。
（もっと読む）

【課題】 アライメントずれが生じる場合に、配線にダメージを与えることがなく、また、AirGapと接続孔とが貫通することがない半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、第１の絶縁膜１０１中に複数の下層配線１０３を形成する工程と、下層配線１０３間に存在する部分を除去して配線間ギャップ１０６を形成する工程と、下層配線１０３と配線間ギャップ１０６が形成された第１の絶縁膜１０１との上に、エアギャップ１０８が形成されるように、第２の絶縁膜１０７を形成する工程と、第２の絶縁膜１０７中に、下層配線１０３と接続するビア１０９を形成すると共に、ビア１０９と接続する上層配線１１０を形成する工程とを備える。ビア１０９は、エアギャップ１０８が隣り合って形成されていない下層配線１０３と接続するように形成される。 （もっと読む）

【目的】 ＣｏＷＰ形成に伴う配線間リーク電流の増大或いはショートを抑制する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】 絶縁膜の開口部に形成されたＣｕ膜をエッチングするエッチング工程（Ｓ１２０）と、前記エッチングされたＣｕ膜上に触媒となるＰｄ膜を形成する置換めっき工程（Ｓ１２２）と、前記Ｐｄ膜がめっきされた後、前記絶縁膜表面を研磨する研磨工程（Ｓ１２４）と、前記Ｐｄ膜を触媒として、前記Ｃｕ膜上にＣｕの拡散を防止するＣｏＷＰ膜を形成する無電解めっき工程（Ｓ１２８）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 金属間誘電体として用いられる低ｋ及び極低ｋ有機シリケート膜の疎水性の回復方法を提供する。
【解決手段】 集積回路におけるＲＣ遅延を低減するためにしばしば使用されるのは、多孔質有機シリケートの誘電体膜であり、これはシリカ様の骨格とその網目構造中のＳｉ原子に直接結合したアルキルまたはアリール基を（材料に疎水性を与え、空隙を生成するために）有する。Ｓｉ−Ｒ結合は加工処理において通常用いられるプラズマへの暴露又は化学処理に耐えて残存することはほとんどなく、このことはとくに開放気孔構造を有する材料の場合に当てはまる。Ｓｉ−Ｒ結合が破壊されると、その材料は親水性のシラノールの形成のために疎水性を失い、低誘電率が損なわれる。一般式（Ｒ_２Ｎ）_ＸＳｉＲ’_Ｙを有し、ここでＸ及びＹは、それぞれ、１から３まで及び３から１までの整数であり、Ｒ及びＲ’は水素、アルキル、アリール、アリル及びビニル部分から成る群から選択される、新規な種類のシリル化剤を用いて、材料の疎水性を回復する方法が開示される。シリル化処理の結果、多孔質有機シリケートの機械的強度も向上する。 （もっと読む）

【課題】 リフレッシュ動作を必要とせず、かつ、高集積化・大容量化を実現する半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板１上に形成されたメモリセルと、第１電荷保持部と、第２電荷保持部と、第１アクセストランジスタと、第１リークトランジスタ５２２Ａと、第２アクセストランジスタと、第２リークトランジスタと、層間絶縁膜１６と、層間絶縁膜１６上に形成され、第１電荷保持部に接続されたメモリセル内の第１ＭＩＳＦＥＴ５６Ａ（Metal-Insulator-Semiconductor Field Effect Transistor）と、層間絶縁膜１６上に形成され、第２電荷保持部と接続されたメモリセル内の第２ＭＩＳＦＥＴ（Metal-Insulator-Semiconductor Field Effect Transistor）とを備える。 （もっと読む）

【課題】銅配線と低誘電率層間絶縁膜とを組み合わせた配線構造において、配線間容量を低減すると共に、配線金属の低誘電率膜への拡散を防止する半導体装置及びその製造方法を提供。
【解決手段】半導体装置は、第１の凹部１ａを有する第１の低誘電率膜１と、第１の凹部１ａの壁部及び底部に形成されていると共に、上部が第１の低誘電率膜１の上面よりも突出するように形成されている、第２の凹部２ｂを有する第１のバリアメタル層２と、第２の凹部２ｂの内部に形成された第１の配線３と、第１の配線３と第１のバリアメタル層２とにおける第１の低誘電率膜１の上面よりも突出している部分を覆うように、第１の配線３の上面、第１のバリアメタル層２の上面、及び第１のバリアメタル層２における第１の低誘電率膜１の上面よりも突出している部分の側壁に選択的に形成された第２のバリアメタル層４とを備えている半導体装置及び製造方法。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線および低誘電率絶縁膜を有する半導体装置において、低誘電率絶縁層中に拡散するＣｕのイオン化、並びにＣｕ⁺イオンのドリフトを抑制する。
【解決手段】半導体装置１０は、素子領域を有する半導体基板１１上に形成された低誘電率絶縁層１７と、低誘電率絶縁層１７で絶縁されたＣｕ配線１８、２０とを有する。低誘電率絶縁層１７とＣｕ配線１８、２０との間には、単体の仕事関数が3eV未満の元素を含み、Ｃｕ濃度が10原子％未満であるイオン化抑制層２２が配置されている。 （もっと読む）