Fターム[5F033QQ60]の内容
半導体集積回路装置の内部配線 (234,551) | パターン形成方法,基板,導電膜,絶縁膜の処理方法 (47,095) | 不純物導入、イオン注入 (1,611) | 導入、注入の対象 (894) | 絶縁膜 (83)
Fターム[5F033QQ60]に分類される特許
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基板への相互接続を有する集積回路およびその製造方法
ソース/ドレイン(20)とゲート(26)との間の接点(32)が、ゲート誘電体(46)の選択部分(35)へ埋設物を注入することによりゲート誘電体(46)の選択部分(35)を導電性にすることで行われる。ゲート材料は集積回路全体(10)の上の層に位置する。ゲート(26)がソース/ドレイン(20)に接続する領域(32)が識別され、この識別位置(35)においてゲート誘電体(46)が導電性となるよう埋設物が注入される。ソース/ドレイン(20)が導電性ゲート誘電体(35)のそのような導電性領域の下を延び、該位置で埋設物が注入されたゲート誘電体(35)がゲート(26)をソース/ドレイン(20)に短絡するように、ソース/ドレイン(20)は形成される。これによって集積回路(10)上のスペースが節約され、相互接続層の必要性が低減され、露出したシリコン基板上にポリシリコンを堆積およびエッチングさせることに付随する問題を回避することができる。
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相異なるチャネル領域に相異なるよう調整された内在応力を有するエッチストップ層を形成することによって、相異なる機械的応力を生成するための技術
コンタクトエッチストップ層(116)を設けることによって、異なるトランジスタ型(100N),(100P)のチャネル領域内の応力を効果的に制御することができる。その際、コンタクトエッチストップ層(116)の引張応力部分と圧縮応力部分は、ウェット化学エッチング、プラズマエッチング、イオン注入、プラズマ処理などの十分に確立されたプロセスによって得ることができる。このため、プロセスを著しく複雑にすることなく、トランジスタ(100N),(100P)の性能を大きく改善することができる。
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配線構造とその製造方法
【課題】 誘電率の低い有機物を主成分とする層間絶縁膜層に接して金属又は化合物の薄層からなる拡散障壁層の相互間の結合が強く、その界面で剥離・脱離が発生することのない配線構造及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 誘電率の低い有機物を主成分とする層間絶縁膜層に接して金属又は化合物の薄層からなる拡散障壁層を堆積・被覆し、該拡散障壁層に接して導電部分を配設することによって構成される配線構造であって、層間絶縁膜層(有機絶縁膜層)30と拡散障壁層との界面付近に高速粒子照射により両側の部材を構成する原子又は分子が互いにミキシングされた状態のミキシング領域(ミキシング層31)を形成した。
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