例示的な一実施形態に従って、導体におけるジュール加熱とこの導体における電流密度間の関係を確立するための方法がウェーハレベル測定（５００）を実行することによって実装される。この実施形態に従って、導体（１１８，）における抵抗の温度係数を得るためにウェーハレベル測定が実行される（ステップ５０２）。本方法は、又、導体の熱抵抗を判断することを含む（ステップ５１０）。この熱抵抗は、その後導体におけるジュール加熱と導体における電流密度間の関係を確立するために利用される（ステップ５１２）。そのようにして得られた関係は、その後、信頼性のある半導体デバイス設計において補助するために設計ルール、平均故障時間、及び他の情報を判断するために利用される（ステップ５１４）。もう１つの実施形態に従って、ウェーハレベル測定システム（１００）が導体におけるジュール加熱と導体における電流密度間の関係を確立するために利用される。
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【課題】 導電膜が正常にパターニングされて配線が形成されていることを、少ない労力で確認することができるようにする。
【解決手段】 層間絶縁膜８上に導電膜を形成する工程と、前記導電膜をパターニングすることにより、チップ領域１ａに配線１０ａ〜１０ｃを形成すると共に、スクライブライン１ｂ上に、複数のダミー配線３１〜３３を互いに平行に形成する工程と、複数のダミー配線３１〜３３相互間の抵抗値を測定する工程とを具備する。最外側に位置するダミー配線３１，３３それぞれに接続するパッド３４，３５を形成し、このパッド３４，３５に抵抗計の端子を接触させてもよい。 （もっと読む）

【課題】 少ない労力でビアホール等を形成するときのエッチング条件が適切か否かを確認できるようにする。
【解決手段】 基準部、該基準部より低地である低地部、及び前記基準部より高地である高地部を有する半導体基板１上に、導電膜２及び層間絶縁膜３を形成し、層間絶縁膜３の表面を平坦化する。層間絶縁膜３をエッチングすることにより、低地部の上方に位置する第1及び第２の接続孔３ａ、前記基準部の上方に位置する第３の接続孔３ｂ、及び高地部の上方に位置する第４の接続孔３ｃを同時に形成する。第１〜第４の接続孔３ａ〜３ｃそれぞれに、第1〜第４の導電体４ａ〜４ｃを埋め込む。層間絶縁膜３上に、第1の導電体３ａ、第３の導電体４ｂ及び第４の導電体４ｃを互いに接続する上部電極５ｂを形成し、上部電極５ｂと、第１の導電体３ａとの間の抵抗を測定する。 （もっと読む）

本発明は、ボンディングパッドで発生する応力に対する強度を向上させることが可能な半導体装置を提供することを目的とする。本発明に係る半導体装置においては、半導体チップ上にボンディングパッド（１）が複数個設けられる。それぞれのボンディングパッド（１）においては、最上層の配線層を用いて形成された第１メタル（１１）の下に、ライン状の第２メタル（１２）が複数個設けられる。そして、上記目的を達成するために、ボンディングパッド（１）は、第２メタル（１２）の長手方向に並べて配設される。つまり、第２メタル（１２）の長手方向（Ｌ１）と、ボンディングパッド（１）の配列方向（Ｌ２）とが同じ方向になるように、ボンディングパッド（１）を並べて配設する。 （もっと読む）

本発明は、薄膜トランジスタ表示板とこれを含む液晶表示装置及びその製造方法に関し、薄膜トランジスタ表示板は液晶表示装置や有機ＥＬ（ｅｌｅｃｔｒｏ ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置などで、各画素を独立的に駆動するための回路基板において、画素電極またはゲート線及びデータ線の拡張部を外部回路と接続させるコンタクト補助部材を、ＩＺＯ及びＩＴＯの２重層で形成することに対する発明であって、ＩＺＯで形成された下部層とＩＴＯで形成された上部層を有するように形成する。前記のように画素電極またはコンタクト補助部材を二重層で形成することによって、エッチング過程で下部配線が損傷されることを防止し、グロステストの際に探針とコンタクト補助部材とのコンタクト抵抗の均一性を良好に確保することができる。また、コンタクト補助部材のみをＩＺＯとＩＴＯ二重層で形成することによって、グロステストの際に探針とコンタクト補助部材とのコンタクト抵抗の均一性を確保することができ、ＩＴＯの使用を減らすことによって製造単価を下げることができる。
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