【課題】絶縁膜及び銅を材料とする構成要素と封止樹脂との密着性を強固にし、耐湿信頼性を増加させる。
【解決手段】ＢＴ樹脂系基板と、エポキシ樹脂系基板とを含む群から選択される基板３０上に絶縁膜４０を形成する。絶縁膜上に、配線４２を含む、銅配線及び銅ポストを形成する。半導体基板上に設けられている絶縁膜、銅配線及び銅ポストの露出面に対して、窒素系ガスを用いて、プラズマ処理する。この露出面を覆って封止する封止部４４を形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板上に形成された低誘電率膜のマイクロポア構造やその他の物理特性を変化させることなく、上記低誘電率膜のアニーリングを良好かつ安全に行う。
【解決手段】 液体供給手段２０からの温度制御用液体の供給によって温度が制御されるホットプレート１８により低真空下で半導体基板を加熱するプレキュア部１２と、電気炉２２により高真空下で半導体基板を加熱する本キュア部１６と、プレキュア部１２から本キュア部１６に半導体基板を移送する移送手段とを具備するアニーリング装置を用いる。 （もっと読む）

【課題】 低い内部応力および．８以下の誘電率を有する熱的に安定な低誘電率材料を提供する。
【解決手段】 低誘電体材料は、Ｓｉ、Ｃ、ＯおよびＨからなるマトリックスと、複数のナノメートル・サイズの孔と、２．８以下の誘電率とを有し、ＦＴＩＲスペクトルが、１０００ｃｍ^−１から１１００ｃｍ^−１の間でＳｉ−Ｏの吸収帯が２つのピークに分かれており、２１５０ｃｍ^−１から２２５０ｃｍ^−１の間でＳｉ−Ｈの吸収ピークを持たない。 （もっと読む）

【課題】 第１導電膜／絶縁膜／第２導電膜の積層構造を有する素子基板を製造する方法において、絶縁膜の界面付近でのリーク特性を向上させる。
【解決手段】 本発明の素子基板製造方法は、基体１０上に、第１導電膜２０を形成する工程と、第１導電膜２０上に絶縁膜３０を形成する工程と、絶縁膜３０上に第２導電膜４０を形成する工程とを有する。絶縁膜３０の形成工程では、絶縁膜３０における界面付近３２，３５と内部３６との間で処理条件が異なる。 （もっと読む）

【課題】 コンタクト底寸法のばらつきを抑え、かつコンタクト上部はリソグラフィでの開口径を拡大させることなくテーパとなるコンタクトを得る。
【解決手段】 半導体基板１１と、その上に形成された層間絶縁膜１３と、層間絶縁膜１３の中に形成されたコンタクトホール１３Ｄとを有する半導体装置であって、コンタクトホール１３Ｄは、層間絶縁膜１３の表面から半導体基板１１へ向かって次第に小さくなる径を有し且つ、コンタクトホール１３Ｄの側壁は３つ以上のテーパ領域１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃからなり、半導体基板１１に最も近接するテーパ領域１３Ａでの側壁と半導体基板１１の表面との成す第１の角度θＡは約９０度であり、他のテーパ領域１３Ｂ，１３Ｃでの側壁と半導体基板１１の主面との成す角度θＢ、θＣは鋭角であり且つ第１の角度θＡよりも小さい。 （もっと読む）

【課題】深さの異なるコンタクトプラグ形成方法において、コンタクトプラグの抵抗増加を防止し、半導体基板のエッチングされる量を最小にする方法を提供する。
【解決手段】相異なるエッチングターゲットｔ１，ｔ２を有する、均一でない厚さの反射防止膜３４およびゲートを露出させるコンタクトプラグが形成される領域と半導体基板を露出させるコンタクトプラグが形成される領域に、反射防止膜の厚さの不均一を利用した第１エッチング工程、エッチング停止膜２６をエッチング停止膜として利用した第２エッチング工程、およびＷＳｉ１８をエッチング停止膜として利用した第３エッチング工程を行う。 （もっと読む）

【課題】 短時間で安定してレジスト膜等の有機膜を化学的機械的に研磨する方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板上に堆積された有機膜を化学的機械的に研磨する方法である。研磨布上にスラリーを供給する工程と、研磨ヘッドに保持され、有機膜を有する半導体基板を前記研磨布に当接させる工程と、研磨布および研磨ヘッドを回転させる工程と、研磨布および研磨ヘッドを停止させる工程とを含み、前記研磨布および研磨ヘッドの回転および停止を繰り返して前記有機膜を化学的機械的に研磨することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ゲートパターン形成後に行うライト酸化時に、タングステンシリサイド膜などのシリサイド膜の側面が膨出する現象を防止することができる半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板２１上にゲート絶縁膜２３を形成するステップと、ゲート絶縁膜２３上にポリシリコン膜２４、シリサイド膜２５及びハードマスク形成用膜の順に積層するステップと、ハードマスク２６を形成するステップと、ハードマスク２６をエッチングバリアとしてシリサイド膜２５をエッチングし、側面にアンダーカット状凹部２５Ａを形成するステップと、ハードマスク２６をエッチングバリアとして、ポリシリコン膜２４をエッチングして、ゲートラインを形成するステップと、ライト酸化により、ポリシリコン膜２４及びシリサイド膜２５の側面を酸化するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 品質劣化や新たな追加投資を招くことなく、所望の不純物濃度に制御されたシリコン薄膜を均一、かつ、均質に形成してドープトポリシリコンからなる配線層を形成する。
【解決手段】 半導体基板１上の絶縁膜２上に、ＣＶＤ法により不純物を含む第１シリコン層３ａと、不純物を含まない第２シリコン層３ｂとを同一反応炉内で連続的に各１回堆積して所望の膜厚とするシリコン成膜工程と、熱処理により第１シリコン層３ａから第２シリコン層３ｂへ不純物を均一に拡散させる不純物拡散工程と、このようにして不純物が均一に拡散されたシリコン薄膜３ｃを配線パターンに加工する工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】ハードマスクとして用いられる窒化膜とその下部にＩＬＤ膜として用いられる酸化膜との間の応力差により発生するリフティング現象を防止して、半導体素子の特性を改善させ得る半導体素子のコンタクト孔の形成方法を提供すること。
【解決手段】下地層（１０〜１６）が形成された基板を提供するステップと、下地層（１０〜１６）を覆う絶縁膜（１７）を形成するステップと、絶縁膜（１７）上にＳＲＯＮ膜でハードマスク（１８）を形成するステップと、ハードマスク（１８）上にフォトレジストパターンを形成するステップと、フォトレジストパターンを利用した第１エッチング工程により、ハードマスク（１８）をエッチングするステップと、フォトレジストパターンを利用した第２エッチングにより、絶縁膜（１７）をエッチングし、下地層の一部を露出させるコンタクト孔（１９）を形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 より低誘電率で耐熱性のよいアモルファスカーボンの絶縁膜を形成する。
【解決手段】 絶縁膜形成装置３２において，処理容器５０内のプラズマ生成領域Ｒ１には，プラズマ生成用のガスとしてＡｒガスを供給し，基板Ｗ側の成膜領域Ｒ２には，原料ガスとして多重結合を有するブチンガスを供給する。基板Ｗにバイアス電圧を印加しない状態で，ラジアルラインスロットアンテナ６２から処理容器５０内にマイクロ波を供給する。こうすることにより，プラズマ生成領域Ｒ１にプラズマが生成され，当該プラズマにより成膜領域Ｒ２のブチンガスが活性化されて，基板Ｗ上にアモルファスカーボンの絶縁膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】 低温下で、ステップカバレッジのよいシリコン酸化膜を形成することができるシリコン酸化膜の形成方法、シリコン酸化膜の形成装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】 まず、反応管２内にＨＣＤを供給し、半導体ウエハＷにＨＣＤと反応した反応物を形成する。次に、反応管２内に水素ラジカルを供給してこの反応物と反応させ、反応物に含まれる塩素を除去する。続いて、反応管２内に酸素ラジカルを供給する。これにより、酸素ラジカルと反応物とが反応して、半導体ウエハＷにシリコン酸化膜が形成される。この処理を複数回繰り返すことにより所望のシリコン酸化膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】エッチング能力およびエッチング均一性に優れた平行平板型プラズマエッチング方法を提供すること。
【解決手段】このプラズマエッチング装置は、下部電極１６を電気的にカソードカップリング配置としている。下部電極１６には、それぞれ第１および第２の整合器３６，３８を介して第１および第２の高周波電源４０，４２が電気的に接続されている。第１の高周波電源４０は、主としてプラズマの生成に寄与するための好ましくは１０ＭＨｚ〜３０ＭＨｚの周波数を有する第１の高周波ＲＦ_sを所望のパワーで出力する。第２の高周波電源４２は、主として自己バイアスＶ_dcの調整に寄与するための好ましくは２ＭＨｚ〜６ＭＨｚの周波数ＲＦ_bを所望のパワーで出力する。 （もっと読む）

【課題】最新のＬｏｗ−ｋ材料のための紫外線硬化法の提供。
【解決手段】改善された弾性率及び材料硬度を有する低誘電率材料。このような材料の製造方法は、誘電材料を準備すること、及び、該材料を紫外線（ＵＶ）硬化させて、ＵＶ硬化誘電材料を製造することを含む。ＵＶ硬化は、改善された弾性率及び材料硬度を有する材料をもたらす。改善は、それぞれ、典型的には、５０％より大きいか、又は約５０％である。ＵＶ硬化誘電材料は、所望により、ＵＶ後処理され得る。ＵＶ後処理は、ＬＩＶ硬化誘電材料と比べて、材料の誘電率を低下させ、更に、改善された弾性率及び材料硬度を維持する。ＵＶ硬化誘電体は、更に、炉での硬化法よりも、硬化において、より低い総熱量を示し得る。 （もっと読む）

本発明には、ケイ化ニッケルおよびケイ化コバルトをエッチングする方法ならびに導電線を形成する方法が含まれる。一実施形態では、ケイ化ニッケルを含む基板は、その基板からケイ化ニッケルをエッチングするために効果的な、少なくとも５０の温度および３５０トル〜１１００トルの圧力でＨ_３ＰＯ_４およびＨ_２Ｏを含む流体に曝露される。一実施形態では、ケイ化ニッケルまたはケイ化コバルトのうちの少なくとも一方が、基板からケイ化ニッケルまたはケイ化コバルトのうちの少なくとも一方をエッチングするために効果的な、５０以上の温度および３５０トル〜１１００トルの圧力で、Ｈ_２ＳＯ_４、Ｈ_２Ｏ_２、Ｈ_２Ｏ、およびＨＦを含む流体に曝露される。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの保護層に形成された溝のアスペクト比が０．５以上である場合においても、再配線を形成する際のレジスト膜に破壊が生じることを防止する手段を提供する。
【解決手段】半導体ウェハが、集積回路を形成した複数の能動領域と、隣合う能動領域間に設けられたダイシング領域と、能動領域の縁部に形成されたシールリングと、シールリングの内側に接近して形成された配線と、能動領域を覆う保護層と、能動領域の保護層上に形成された保護膜と、保護膜上に形成され、集積回路に電気的に接続する再配線とを備え、シールリングと配線との間の保護層に形成された溝のアスペクト比が０．５以上の場合に、この溝を保護膜で覆うようにする。 （もっと読む）

【課題】 ビア表面への金属の析出を抑制して、ウェハにおける配線間のショートを防止する。
【解決手段】 ビアメタルの機械的化学的研磨後にウェハ２００の表面をブラシ１０２のスクラビングにより洗浄する方法であって、ブラシ１０２のウェハ２００の表面への押し付け量を約１．５ｍｍ以下としてスクラビングを行うようにし、ウェハ２００表面がマイナス側にチャージすることを防止して、金属の研磨屑と金属イオンのビア表面への析出を抑制した。 （もっと読む）

【課題】素子の動作特性及び信頼性を向上させることができる半導体素子の導電配線形成方法を提供することである。
【解決手段】導電層及びハードマスク層を備えた半導体基板の上部に導電配線領域を定義する感光膜パターンを形成する段階と、前記感光膜パターンをマスクとして前記ハードマスク層をエッチングしてハードマスク層パターンを形成する段階と、前記感光膜パターンを取り除く段階と、前記ハードマスク層パターンをマスクとして導電層をエッチングする段階とを含み、これらの段階は、インサイチュー（In-situ）工程で進める。 （もっと読む）

【課題】ＳＰＥ方式及び後続熱処理を用いてコンタクト物質をエピタキシャルシリコンとして形成する場合に発生する後続ＣＭＰ工程でのディッシング現象を最小化させること。
【解決手段】 接合層が形成された半導体基板の上部に層間絶縁膜を形成するステップと、前記層間絶縁膜をエッチングして前記接合層を露出させるコンタクトホールを形成するステップと、前記コンタクトホールの底面の自然酸化膜を除去するための表面洗浄ステップと、固相エピタキシー方式を用いて前記コンタクトホールを埋めるコンタクト層を形成するが、前記接合層とのコンタクト領域ではエピタキシャル層に成長させ、前記コンタクトホールの残りの領域及び前記層間絶縁膜の表面では非晶質層に成長させるステップと、前記コンタクト層の非晶質層を選択的に平坦化させ、セルランディングプラグコンタクトを形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率膜(Low-k膜、例えばSiOCH)において、膜ダメージを発生せず、高選択比で高精度なエッチングを実現可能な処理条件を提供する。
【解決手段】 CxHyFzガスを用い、低圧力(1.0Pa以下)にてエッチングを行う。 （もっと読む）