実施例はエッチング材料の供給（２１０）、水素を含む混合ガスの適用（２３０）、プラズマの発生（２４０）、エッチング材料のエッチング（２５０）を含むエッチング方法（２００及び１６００）を含む。エッチング材料は低ｋ誘電性材料を含み得る。混合ガスは水素ガス、水素非含有フルオロカーボン、窒素ガスを含み得る。また、１つ以上のハイドロフルオロカーボンガス、不活性ガス、及び/又は一酸化炭素を含み得る。水素ガスとしては、Ｈ_２、ＣＨ_４、Ｃ_２Ｈ_４、ＮＨ_３、及び／又はＨ_２Ｏガスを含む、二原子水素、炭化水素、シラン、及び／又はフッ素非含有水素ガスであってもよい。水素非含有フルオロカーボンガスはＣ_ｘＦ_ｙガス（ｘ≧１、ｙ≧１）、ハイドロフルオロカーボンガスはＣ_ｘＨ_ｙＦ_ｚガス（ｘ≧１、ｙ≧１、ｚ≧１）であってもよい。混合ガスは酸素非含有であってもよい。実施例は減圧、低流量水素、１つ以上のプラズマ周波数を含み得る。

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ｉＰＶＤシステム（２００）は、真空チャンバー（３０）内で突出部（１４）を最小化または除去しながら、フィールド（１０）と底部（１５）被覆と比較して側壁（１６）被覆性を向上させる処理を用いて、障壁層材料（９１２）のような均一な材料を半導体基板（２１）上の高いアスペクト比のナノサイズの開口部（１１）に蒸着するために調整される。そのｉＰＶＤシステム（２００）は、そのターゲットから材料をスパッタするために、低いターゲットパワーと５０ｍＴより高い圧力で動作される。ＲＦエネルギーは、高密度プラズマを生成するそのチャンバーに連結される。小さなＲＦバイアス（数ボルト未満）は、特に、底部における被覆性を高めることを助けるために印加されることができる。
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本発明は、基板と基板上に配される回路部を含む構成本体を有する電子装置に関する。一実施例は、少なくとも１つの応力緩和エレメント（４）と、上面及び側壁を有する基板（１）と、この基板（１）上に配される少なくとも１つの回路部（２）と、基板（１）上に配される少なくとも１つのパッシベーション層（３）とを含み、アイソレート層（３）は、少なくとも１つの回路部（２）及び／又は基板（１）を被覆し、頂面と基板の側壁に向けて配される少なくとも１つの外部側面とその頂面及び少なくとも１つの外部側面により形成される少なくとも１つの外部エッジとを含み、少なくとも１つの応力緩和エレメント（４）は、延性材料により形成され、パッシベーション層（３）上で、延性材料が基板（１）の上面と接触する。
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【課題】
【解決手段】露出された導電材料を不動態化するシステムおよび方法は、処理チャンバ内に基板を配置する工程と、処理チャンバ内に水素種を注入する工程とを備える。処理チャンバ内で、水素種のプラズマが形成される。基板の上面から、表面層の種が還元される。還元された表面層の種は、処理チャンバから取り除かれる。 （もっと読む）

下層配線（１０１）と不図示の上層配線とを接続するためのビア孔（１０２）を絶縁膜（１０３）にエッチングストッパー膜（１０４）及びハードマスク（１０５）を用いて形成した後、本発明の１ステップの低パワー・バイアス・スパッタ法によりビア孔（１０２）の内壁を覆うように絶縁膜（１０３）上にＴａからなる下地膜（１０６）を形成する。ここで、ビア孔（１０２）の内壁面から絶縁膜（１０３）上にわたって薄く均一な膜厚の下地膜（１０６）が得られる。このように、比較的簡素な工程により、配線形成上の不都合を生ぜしめることなく、開口の内壁面、即ち側壁面から底面にかけて薄く均一に下地膜を成膜することを可能とし、信頼性の高い極微細な配線構造を実現する。

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【課題】基板上の誘電体レイヤにおいてトレンチ深さまでトレンチをエッチングする方法を提供する。
【解決手段】ＡＲＣが前記誘電体レイヤ上に設けられる。厚さを有するフォトレジストマスクが前記ＡＲＣ上に形成される。前記ＡＲＣがエッチングされる。１：１および２：１の間であるフォトレジストに対する誘電体のエッチング選択性で、トレンチが前記誘電体レイヤ中へエッチングされる。 （もっと読む）

半導体材料（１０２）のウエハ（１００）上に貫通ビア（１１６、１１８）をエッチングするための方法（１０）であって、ウエハ（１００）が前側表面（１１０）と裏側表面（１０６）を有する方法を記載する。フォトレジスト材料の層（１０４）を裏側表面（１０６）に施用する。その後、フォトレジストの層（１０４）を、予め選択されたパターンを有するマスクを介して光源に暴露し、ここにおいて、現像されたフォトレジストを除去して、残存フォトレジスト層（１０４’）に少なくとも１つのビア（１１２、１１４）を形成させる。その後、残存フォトレジスト層（１０４’）を焼き付けて、硬化した残存フォトレジスト層（１０４’）を形成させる。その後、少なくとも１つのビア（１１２、１１４）に隣接する半導体材料（１０２）をガスプラズマエッチングして、裏側表面（１０６）と前側表面（１１０）の間に貫通ビア（１１６、１１８）を形成させる。その後、硬化した残存フォトレジスト層（１０４’）を除去し、続いて伝導性材料の層（１２０）を貫通ビア（１１６、１１８）の表面に施用して、裏側表面（１０６）と前側表面（１１０）の間に電気接続性を確立する。 （もっと読む）

本発明は、被加工物の不良品化を招くと考えられるピットの発生を効果的に防止することができるようにした電解加工装置及び電解加工方法を提供する。この電解加工装置は、被加工物を加工する加工電極（２１０）と、被加工物に給電する給電電極（２１２）と、加工電極（２１０）と給電電極（２１２）との間に電圧を印加する電源（２３２）と、加工電極（２１０）及び給電電極（２１２）を内部に収納した耐圧容器（２００）と、耐圧容器（２１０）内に高圧液体を供給する高圧液体供給系（２０４）を有する。
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窒化タンタル／タンタルバリア層を堆積させるための方法および装置が、集積処理ツールでの使用のために提供される。遠隔発生プラズマによる洗浄ステップの後、窒化タンタルは原子層堆積法で堆積され、タンタルはＰＶＤで堆積される。窒化タンタル／タンタルは、堆積された窒化タンタルの下の導電性材料を露呈するために、誘電体層の部材の底部から除去される。場合によって、さらなるタンタル層が、除去ステップの後に物理気相堆積法で堆積されてもよい。場合によって、窒化タンタル堆積およびタンタル堆積は同一の処理チャンバで生じてもよい。シード層が最後に堆積される。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＧ膜のＳｉ原子と有機基（例えばＣＨ３基）やＨ基の結合がアッシング時に切れるのを抑制して誘電率を低く抑える。
【解決手段】低誘電率の有機又は無機ＳＯＧ膜にパターン化レジスト膜をマスクとしてエッチングを行って配線溝を形成し、この後、枚葉式ダウンストリーム型のプラズマアッシング装置を用いて、酸素ガスプラズマによるアッシング処理を例えば１．２Ｔｏｒｒの圧力雰囲気下で施してレジスト膜を除去し、この後配線溝にバリヤメタル形成後、Ｃｕを電界メッキ法にて埋設して配線を形成する。 （もっと読む）