【課題】スルーホールの底部における突起の形成を防止して、半導体装置の品質を安定させる手段を提供する。
【解決手段】配線層と、配線層上に形成された金属窒化膜と、配線層と金属窒化膜とを覆う層間絶縁膜とを形成した半導体ウェハに、層間絶縁膜を貫通し金属窒化膜に達するスルーホールを形成する工程を備えた半導体装置の製造方法において、スルーホールを形成する工程は、半導体ウェハを第１の温度として異方性エッチングにより前記層間絶縁膜をエッチングする第１のエッチング工程と、半導体ウェハを第１の温度より高い第２の温度として、異方性エッチングにより金属窒化膜の上表面をエッチングする第２のエッチング工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁層の剥離を抑制し、製品の歩留まりが向上するとともに製品信頼性が向上した半導体装置を得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に形成された第１配線膜１５と、反射防止膜１７および第１レジスト膜１８からなる積層体から、第１レジスト膜１８を除去する工程と、前記工程において反射防止膜１７表層に形成された変質膜２２を除去する工程と、前記工程後に第１配線膜１５に電気的に接続するビアプラグと、前記ビアプラグに電気的に接続する第２配線膜とを形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】タングステンからなる電極や配線の表面に形成された酸化物を、アンモニアガスをプラズマにより活性化させた活性種で確実に還元処理することができ、しかもタングステン表面に窒化タングステン膜が形成されないようにする技術を提供すること。
【解決手段】縦型の処理容器内の処理雰囲気から径方向に外れかつ当該処理雰囲気に臨む領域に、前記処理雰囲気に沿って形成されたプラズマ発生領域と、このプラズマ発生領域に沿って伸びるようにかつ当該プラズマ発生領域を挟んで対向して配置されるプラズマ電極と、を備えた縦型熱処理装置を用いて還元処理するにあたって、プラズマ発生領域に供給するアンモニアの供給量を５００ｓｃｃｍ以上１００００ｓｃｃｍ以下、プラズマ電極に印加する高周波を２０Ｗ以上５００Ｗ以下、処理雰囲気の圧力を１３．３×１０^２Ｐａ以下、処理時間を１秒以上１０分以下とする。 （もっと読む）

【課題】ルテニウム膜の低抵抗化を図り信頼性を向上させた半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置に関するものである。
【解決手段】ＲｕチャンバＦ１は、基板Ｓを還元性ガス雰囲気の下で加熱するとともに、その還元性ガス雰囲気にビス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）（１，５−ヘキサジエン）ルテニウム錯体を含む原料を供給して基板Ｓにルテニウム膜を形成する。そして、熱処理チャンバＦ２は、ＲｕチャンバＦ１から搬送される基板Ｓをさらに加熱する。 （もっと読む）

【課題】処理工程で変化した多孔質誘電体層の初期特性を回復させ保持する方法を提供する。
【解決手段】処理された多孔質誘電層であって少なくとも部分的に露出した多孔質誘電層１０を上部に有する基板を提供する工程と、処理された多孔質誘電層１０の少なくとも露出した部分に薄い水性膜を形成する工程と、表面に水性膜を有する露出した多孔質誘電体膜１０を、少なくとも１のシリル化剤と濃縮ＣＯ_２を含む混合物を含む雰囲気に接触させる工程とを含み、これにより多孔質誘電体１０の初期特性を回復させる。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板上に引っ張り応力を有する層間絶縁膜や配線用金属膜等の形成された半導体装置において、ウェハの反りを抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体素子が形成された半導体基板１０と、半導体基板１０上に堆積された１または複数層の配線用金属膜１６ａ、１６ｂ、１８を備えてなる半導体装置であって、１または複数層の配線用金属膜の内、１つの配線用金属膜の堆積によって生じるウェハ反り量の絶対値が最大となる第１配線用金属膜１８の下層側及び上層側の少なくとも何れか一方側に、ウェハ反り量を緩和する応力緩和膜１７を備え、応力緩和膜１７が圧縮応力を有し、第１配線用金属膜１８が引っ張り応力を有し、応力緩和膜１７の堆積によって生じるウェハ反り量の絶対値が、第１配線用金属膜１８の堆積によって生じるウェハ反り量の絶対値より小さい。 （もっと読む）

【課題】耐熱性および機械的強度に優れ、かつ、アッシング後の残渣が少ない膜を形成することができる導電層間の空洞形成用組成物、ならびに、前記重合体を用いた導電層間の空洞形成用犠牲膜および導電層間の空洞形成方法を提供することを提供する。
【解決手段】導電層間の空洞形成用組成物は、（Ａ）芳香族ポリアリーレンおよび芳香族ポリアリーレンエーテルもしくはいずれか一方である重合体、ならびに（Ｂ）有機溶剤を含有する。 （もっと読む）

【課題】フッ素添加カーボン膜をダメージを生じさせずにかつ良好な加工形状でエッチングすることができるエッチング方法を提供すること。
【解決手段】基板上に形成されたフッ素添加カーボン膜をプラズマによりエッチングするエッチング方法は、酸素を含む処理ガスのプラズマによりエッチングを行う第１段階と、フッ素を含む処理ガスのプラズマによりエッチングを行う第２段階とを有する。 （もっと読む）

【課題】窒化シリコン膜の成膜工程において、ポリメタルゲートの一部を構成する高融点金属の酸化物による基板の汚染を低減する半導体集積回路装置の製造技術を提供する。
【解決手段】タングステン膜を含むゲート電極７Ａ、７Ｂ、７Ｃ上に窒化シリコン膜１１を形成する際、ＣＶＤ装置のチャンバ内をタングステンの酸化物が還元される雰囲気にし、チャンバ内にアンモニアを供給し続けながら、ウエハ１を６００℃以上の温度で昇温する。次に、チャンバ内にアンモニアとモノシランとを供給し、これらのガスを反応させることによって窒化シリコン膜１１を堆積する。次に、モノシランの供給を止め、チャンバ内にアンモニアのみを供給し続けながらウエハ１を４００℃まで降温した後、チャンバ内を窒素で置換し、ウエハをアンロードする。 （もっと読む）

【課題】１個の処理容器内でスパッタによって厚さ方向に濃度勾配を有するように添加金属を含んだ合金層を被処理体上に容易に形成することができる技術を提供すること。
【解決手段】添加金属と主金属とを含む合金からなる金属ターゲットを備えた処理容器内にプラズマ発生用のガスを供給すると共にこのガスに電力を供給してプラズマ化し、そのプラズマによりスパッタされた金属ターゲット粒子により第１の合金膜を被処理体に成膜する第１の成膜工程と、処理容器内の圧力及び前記電力の少なくとも一つを異ならせてプラズマを発生させ、スパッタされた前記金属ターゲットの粒子により、添加金属の濃度が第１の合金膜の添加金属の濃度とは異なる第２の合金膜を第１の合金膜に積層する第２の成膜工程と、を含むようにスパッタ成膜を行い、主金属に対する添加金属の濃度が厚さ方向に異なる膜を成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】段差被覆性に優れた銅シード層の製造方法を提供する。
【解決手段】同じスパッタチャンバ内で実行される堆積された銅のスパッタエッチング１６２が、銅のスパッタ堆積１６０の後に続いて実行される。これにより、特に銅の電気めっきの前に、狭いビア内に銅シード層を形成するのに有用な銅堆積プロセスとなる。該堆積は、高い銅イオン化割合及び銅イオンを該ビア内に引き付ける強力なウェーハバイアスを促進する条件下で実行される。該エッチングは、好ましくは、該チャンバの周りのＲＦコイルによって誘導励起されたアルゴンイオンによって、又は、高いターゲット電力及び極めて強いマグネトロンで形成することができる銅イオンによって、あるいは、ＲＦコイルの使用によって行うことができる。堆積／エッチングの２つ以上のサイクルを実行することができる。最後の瞬時堆積１６８は、高い銅イオン化及び低いウェーハバイアスで実行することができる。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストマスクパターンより下層の積層化された薄膜をプラズマ処理する方法において、形成されたパターン側面の凹凸を改善し、ＬＥＲ、ＬＷＲを低減する。
【解決手段】半導体基板２０６の上に積層化された薄膜（ゲート絶縁膜２０５、導電膜２０４、マスク層２０３、反射防止膜２０２）と、該反射防止膜上に形成されたフォトレジストマスクパターン２０１を有する被処理材をゲート電極を形成するためにエッチング処理するにあたって、前記マスクパターン２０１のエッチング処理する前に、窒素ガスまたは、窒素ガスと堆積性ガスとの混合雰囲気をプラズマ化することによって該マスクパターン２０１にプラズマキュア処理を行い、該マスクパターン２０１の表面と側面の凹凸を減少させた後、該マスクパターン２０１より下層の積層化された薄膜２０２、２０３、２０４をプラズマエッチング処理する。 （もっと読む）

【課題】改良されたランディングプラグを備えた半導体素子に関する。
【解決手段】半導体素子の製造方法は、ランディングプラグコンタクト領域を画成する半導体基板にリセスゲートを形成し、リセスゲートの側壁にゲートスペーサを形成し、ランディングプラグコンタクト領域の半導体基板をソフト食刻して丸いプロファイルと側壁を備えたリセスを形成し、ゲートスペーサとリセスの側壁に側壁スペーサを形成し、リセスゲート、リセスゲートスペーサ及びリセスを含む半導体基板の上部に層間絶縁膜を形成し、層間絶縁膜を選択的に食刻してランディングプラグコンタクトホールを形成し、ランディングプラグコンタクトホールに導電層を埋め込んでランディングプラグを形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスでＣｕ配線を用いる場合に、拡散バリア用下地膜とＣｕ配線膜との密着性を、簡易な構成と簡略な工程で向上させることができ、製作コストの低下と生産効率の向上を実現できるＣｕ配線膜形成方法を提供する。
【解決手段】拡散バリア用ＴｉＮ膜を下地膜として成膜し、この下地膜の上にＣｕ配線膜を成膜する方法であって、前記下地膜の成膜工程とＣｕ配線膜の成膜工程の間に、下地膜の成膜工程後大気にさらすことなく真空一貫の状態で前記下地膜を２００℃以上の温度で加熱するアニール工程を設ける。このアニール工程ではアンモニア単体またはアンモニアガスを含むガスを用い、該アニール工程の後、前記Ｃｕ膜をＣＶＤ法により成膜することで、前記下地膜とその後の成膜で堆積する上層のＣｕ膜との密着性を高くすることができる。アニール工程は、下地膜の成膜を行うチャンバと同じチャンバで実施することもできる。 （もっと読む）

【課題】本発明はフィーチャーからＢＡＲＣ層を除去する方法を提供する。
【解決手段】一実施形態において、本方法は、ＢＡＲＣ層で充填されたフィーチャーを有する基板を、エッチングチャンバに提供する工程と、ＮＨ_３ガスを含む第１のガス混合物を、チャンバに供給して、フィーチャーを充填しているＢＡＲＣ層の第１の部分をエッチングする工程と、Ｏ_２ガスを含む第２のガス混合物を、エッチングチャンバに供給して、フィーチャーに配置されたＢＡＲＣ層の残りの部分をエッチングする工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】集積回路素子の電気的接続構造物の形成方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１００上に第１絶縁層２００を形成し、第１絶縁層に開口を形成する。開口の側壁を不均一の窒素濃度を有する窒化第１金属層３１２でライニングする。開口の内部に導電パターン４１０が形成される。導電パターンと窒化第１金属層との間に第２金属窒化膜３２０が形成される。 （もっと読む）

【課題】 基板上の膜を処理する方法の提供。
【解決手段】 一態様において、方法は、シリコンと、炭素とを含み、所望により酸素及び/又は窒素を含んでもよい薄層を膜上に堆積させることによりフォトレジストが膜から除去された後のパターン形成された低誘電率膜を処理するステップを含む。薄層は、パターン形成された低誘電率膜に炭素を多く含む疎水性表面を与える。薄層は、また、続いての湿式洗浄プロセスと、低誘電率膜上に続いて堆積される層の前駆物質による浸透から低誘電率膜を保護する。 （もっと読む）

【課題】比誘電率を低く抑えながら、弾性率が高く、また熱収縮率が小さいアモルファスカーボン膜及びその膜を備えた半導体装置、並びにアモルファスカーボン膜を成膜する技術を提供する。
【解決手段】成膜時にＳｉ（シリコン）の添加量を制御しながらアモルファスカーボン膜を成膜しているので、比誘電率を３．３以下の低い値に抑えながら、弾性率が高く、また熱収縮率の小さいアモルファスカーボン膜を得ることができる。従ってこのアモルファスカーボン膜を、半導体装置を構成する膜として用いた場合に膜剥がれなどの不具合が抑えられ、その結果、低誘電率であり、かつＣｕなどの金属に対するバリア性を有するといった利点を生かすことができる。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置の製造方法では、デポジション膜の厚みの相違に起因して、第１の絶縁膜を加工した後の加工形状の面内均一性が悪くなる。
【解決手段】実施形態に係る製造方法は、低誘電率膜１０（第１の絶縁膜）と低誘電率膜１０上に設けられたキャップ膜２０（第２の絶縁膜）とを備える半導体装置を製造する方法である。まず、レジスト３０をマスクとして、第１のエッチング条件でキャップ膜２０を途中までエッチングする（第１のエッチング工程）。次に、第１のエッチング条件とは異なる第２のエッチング条件で、キャップ膜２０の残部２２と低誘電率膜１０とを一括してエッチングする（第２のエッチング工程）。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕ／誘電体の界面に沿ったエレクトロマイグレーション不良は、ＶＬＳＩ回路の用途において大きな信頼性の問題として認識されている。
【解決手段】 Ｃｕ／誘電体の界面におけるＣｕ移動および原子ボイド形成を低減させるために、Ｃｕ相互接続の上に高い引っ張り応力のキャッピング層を設ける。引っ張り応力の高い誘電膜は、薄い誘電体材料を多層に堆積することによって形成する。これらの層は各々、厚さが約５０オングストローム（５ｎｍ）未満である。各誘電体層にプラズマ処理を行った後に、これに続く各誘電体層を堆積することで、誘電体キャップが内部引っ張り応力を有するようにする。 （もっと読む）