【課題】絶縁膜中に、内壁面で画成された開口部を形成する工程と、前記内壁面をＣｕ−Ｍｎ合金層により、前記Ｃｕ−Ｍｎ合金層が、前記内壁面に直接に接するように覆う工程と、前記Ｃｕ−Ｍｎ合金層上に第１のＣｕ層を堆積する工程と、前記第１のＣｕ層上に第２のＣｕ層を堆積し、前記第２のＣｕ層により前記開口部を充填する工程と、前記内壁面上に、前記Ｃｕ−Ｍｎ合金層中のＭｎ原子と前記絶縁膜との反応により、バリア層を形成する工程と、前記Ｃｕ−Ｍｎ層中の未反応Ｍｎ原子を前記第２のＣｕ層の表面より、前記第１および第２のＣｕ層を介して除去する工程と、含む半導体装置の製造方法において、形成されるＣｕ配線層の抵抗を低減する。
【解決手段】前記Ｃｕ−Ｍｎ合金層の形成の後、大気に露出することなく、前記Ｃｕ−Ｍｎ合金層上に前記第１のＣｕ層を堆積する工程を設ける。 （もっと読む）

半導体素子（１０，２０）を形成する方法は、第１の主要表面と第２の主要表面とを有する半導体基板（１２）上に第１の能動回路（１４）を形成する工程を含む。第１の能動回路（１４）は第１の主要表面上に形成される。第１の半導体基板内には、第１の能動回路から第１の半導体基板の第２の主要表面まで延びるビア（１６，１８）が形成される。第２の主要表面上には第１のビアに隣接して誘電体層（２４）が形成される。誘電体層（２４）は窒素とシリコンを含んでよく、低圧プラズマ、低温プラズマ、または両方のプラズマプロセスにより形成され得る。
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【課題】半導体装置に好適に使用できる、低誘電率である第１の絶縁膜とＣｕの拡散防止やエッチング時のストッパーに好適に使用できる第２の絶縁膜との密着性に優れた積層構造体を製造する方法、その製造方法により製造された積層構造体、及び積層構造体を用いてなる半導体装置を提供する。
【解決手段】ケイ素を含む第１の絶縁膜を形成する工程（Ａ）と、該第１の絶縁膜の上に第２の絶縁膜に積層する工程（Ａ）と、非酸化雰囲気下で紫外線を照射する工程（Ｂ）と、を順次含むことを特徴とする積層構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】多層配線構造において、配線容量を低減しつつ、高いエレクトロマイグレーション耐性を有する半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】銅配線の最上部に金属キャップ膜１２ｄを堆積し、ガルバニック反応を利用して金属キャップ膜１２ｄを溶解させる。このようにすると、銅配線の最上部に空間領域１２ｃを形成し、従来のＥＭ発生箇所であった銅配線と絶縁性のバリア膜１３界面を形成しないため、ＥＭ耐性を大幅に向上させることができる。また、銅配線の最上部に位置する空間領域１２ｃは、みかけ上、比誘電率１の絶縁膜が堆積されていると考えることができ、配線トータル容量が大幅に低減し、電子デバイスの実効誘電率を下げることができる。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で、所定の形状のタンタルと炭素を固相拡散接合を可能とし更に、タンタルと炭素を固相拡散接合を行う場所以外のタンタ表面に炭化物を形成することを可能とする。
【解決手段】タンタル若しくはタンタル合金と炭素基板とを真空熱処理炉内に設置し、前記タンタル若しくはタンタル合金表面に形成されている自然酸化膜であるＴａ₂Ｏ₅が昇華する条件下で熱処理を行い、前記Ｔａ₂Ｏ₅を除去した後、前記真空熱処理炉内に炭素源を導入して熱処理を行い、前記タンタル若しくはタンタル合金表面と炭素基板表面を固相拡散接合させると同時に、タンタルと炭素を固相拡散接合を行う場所以外のタンタル表面に炭化物を形成する。 （もっと読む）

【課題】ウェハ間や同一ウェハ内において、配線抵抗の増加や、コンタクト抵抗の増加等を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に第１絶縁膜と第２絶縁膜とを含む積層膜が形成された被処理基板を、エッチング装置内に配置し、前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜を同一エッチング装置内においてエッチングする工程を有し、
前記第１絶縁膜が窒素含有膜からなり、前記第２絶縁膜がＳｉＯＣＨ膜等からなり、前記工程において、前記第１絶縁膜のエッチングガスおよび前記第２絶縁膜のエッチングガスとしていずれも、ＣｘＦｙで表されるフルオロカーボンを含むガスを用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の導電パターンを形成するための研磨工程の後に実施する洗浄工程における洗浄効率の向上、生産コストの軽減、及び研磨装置の活用性の改善を可能にする半導体素子の導電パターン形成方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体素子の導電パターン形成方法は、トレンチが形成された層間絶縁膜（１１）を提供するステップと、前記トレンチを埋め込むように導電物質を形成するステップと、前記層間絶縁膜（１１）が露出するように導電物質を研磨するステップと、混合洗浄液（ＢＯＥ＋有機酸）を用いて導電物質を含む構造物全体を洗浄するステップ（１６）とを含む。 （もっと読む）

【課題】導体材料がキャパシタ電極材料に到達するのを抑制可能な半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の第１の態様に係る半導体装置は、半導体基板と；前記半導体基板上に形成される下部電極と、前記下部電極上に形成される容量絶縁膜と、前記容量絶縁膜上に形成される上部電極より構成されるキャパシタと；前記上部電極及び下部電極上に形成されるコンタクトホールと；前記コンタクトホール内に形成される、酸素を含有したバリア層と；内面に前記バリア層が形成された前記コンタクトホールに充填される導体層とを備える。 （もっと読む）

【課題】銅配線のバリア界面調整のための方法および装置
【解決手段】バリア層と銅層との間の接着性は、銅の堆積前にバリア層を金属リッチにすることおよび銅の堆積前にバリア層が曝露される酸素の量を制限することによって向上させることができる。あるいは、バリア層と銅層との間の接着性に優れた方式で銅配線内に銅層を堆積させることを可能にするために、バリア層の上に機能化層を堆積させることができる。方法は、統合システム内において、銅配線構造を被覆するために金属バリア層を堆積させることを含み、金属バリア層を堆積させた後、基板は、金属バリア酸化物の形成を阻止するために制御環境内において搬送され処理される。方法は、また、統合システム内において金属層の上に機能化層を堆積させることも含む。エレクトロマイグレーションの問題を阻止するために、方法は、さらに、金属バリア層の上に機能化層が堆積された後に、統合システム内において銅配線構造内に銅層を堆積させることを含む。 （もっと読む）

【課題】銅とバリア層との間の接着性を向上させるための自己組織化原子層
【解決手段】実施形態は、エレクトロマイグレーション耐性に優れなおかつ銅配線のストレス誘起ボイドのリスクを低下させた方式で薄い共形バリア層と、銅層とを銅配線内に堆積させることを可能にすることによって、必要性を満たすものである。エレクトロマイグレーションおよびストレス誘起ボイドは、バリア層と銅層との間の接着性に影響される。銅配線内に銅層を堆積させることを可能にするために、バリア層の上に機能化層が堆積される。機能化層は、バリア層と銅層との間の接着性を向上させるために、バリア層および銅と強い結合を形成する。銅配線のエレクトロマイグレーション耐性を向上させるたために、銅配線の金属バリア層の上に機能化層を堆積させ、銅配線内における銅層の堆積を助けるための、基板の基板表面を調整する方法が提供される。方法は、統合システム内において、銅配線構造を被覆するために金属バリア層を堆積させることと、金属バリア層の表面を酸化させることとを含む。方法は、また、金属バリア層の酸化表面の上に機能化層を堆積させることと、金属バリア層の上に機能化層が堆積された後に、銅配線構造内に銅層を堆積させることとを含む。 （もっと読む）

【課題】基板のスルーホールを通る電気コンタクトの製造方法を簡便にする。
【解決手段】上記スルーホールは少なくとも部分的に液体導電性材料によって充填されており、凝固後の上記液体導電性材料は上記スルーホールを通って電気コンタクトを形成する。第１基板と第２基板とを積層する工程、スルーホールに第１圧力を加える工程、スルーホールに液体導電性材料を供給する工程、液体導電材料に第２圧力を加える工程、基板の積層を液体導電材料から分離する工程を含む製造工程からなる。 （もっと読む）

【課題】動作による発熱及び外部の温度変化等によって熱膨張又は熱収縮が起こっても、低誘電率絶縁層が剥離したり破壊したりすることを抑制し、高い信頼性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、シリコン基板１と、このシリコン基板１上に形成され比誘電率が二酸化珪素の比誘電率４．２よりも小さい低誘電率絶縁層３と、この低誘電率絶縁層３内に相互に絶縁されて形成された複数個の配線４及び６と、低誘電率絶縁層３内に形成され配線４及び６間を接続する複数個のビア５と、低誘電率絶縁層３の端部に接するようにシリコン基板１上に設けられ低誘電率絶縁層３よりも大きい弾性率を有する剥離防止層１２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】強誘電体層の特性が劣化する防止することができる強誘電体メモリの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明にかかる強誘電体メモリ１２０の製造方法は、基板１０側から下部電極８２、強誘電体層８４、および上部電極８６を順に積層して強誘電体キャパシタ８０を形成する工程と、前記強誘電体キャパシタを被覆するように第１の絶縁層１００を形成する工程と、第１の絶縁層にコンタクトホールを形成して前記上部電極を露出させる工程と、３５０℃以上に加熱する工程と、コンタクトホール内に導電層を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】多層レジストを用いたエッチングにおいて、被エッチング膜に所望のパターンを形成する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、絶縁膜に形成する配線パターンの中で配線ピッチが最も小さい配線パターンの配線ピッチが所定値以下か否かを判断する工程（Ｓ１００）と、配線ピッチが所定値以下か否かを判断する工程において、配線ピッチが所定値以下であると判断された場合、当該配線ピッチに応じて下層レジスト膜の膜厚を決定する工程（Ｓ１０４）と、絶縁膜上に、ステップＳ１０４で決定された膜厚の下層レジスト膜を形成する工程（Ｓ１０６）とを含む。 （もっと読む）

【課題】ポリパッド処理を行うことなく、ストレージノードコンタクトプラグとランディングプラグ分離膜との間のオーバーラップマージンを確保し、かつ、ストレージノードコンタクトホールをエッチングする際のランディングプラグ分離膜のエッチング損失の防止に適した半導体素子のコンタクトプラグの製造方法を提供する。
【解決手段】ランディングプラグ２３が形成された半導体基板２１上に絶縁膜２９Ａを形成するステップと、絶縁膜２９Ａの所定領域上に非晶質カーボンハードマスク３０Ａを形成するステップと、ハードマスク３０Ａをエッチングバリアにして絶縁膜２９Ａをエッチングしてランディングプラグ２３を露出させるストレージノードコンタクトホール３３を形成するステップと、コンタクトホール３３に導電物質を埋め込んでストレージノードコンタクトプラグを形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】低誘電率膜の吸湿性に起因するドライエッチング加工の不均一性を改善することのできる技術を提供する。
【解決手段】レジストパターンをマスクとしたドライエッチングにより被処理体５２である低誘電率材料からなる絶縁膜を加工する際、エッチング装置５０の真空チャンバ５１内へ導入される各種ガスに３ｓｃｃｍの流量で水蒸気を添加することにより、低誘電率材料からなる絶縁膜から脱離する水蒸気の量に依存した、その絶縁膜のエッチング特性の変動を抑制する。 （もっと読む）

【課題】金属配線の速い電荷伝達を妨げる要因を除去し、また、金属配線の表面の損傷を防止し、半導体メモリ素子の高速動作を実現することができるＮＡＮＤフラッシュメモリ素子等の半導体メモリ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体メモリ素子の製造方法は、基板３０上にコンタクトプラグ４０、４２、４３、及びコンタクトプラグ４０、４２、４３を囲む第１の層間絶縁膜３９と第２の層間絶縁膜４１を形成するステップと、パターニングされたＴｉ／ＴｉＮ膜による拡散防止膜４６及びタングステン膜による金属配線４７を含み、コンタクトプラグ４０、４２、４３の上に重なる金属配線構造Ｍを形成するステップと、金属配線４７の表面を酸化させ、金属配線４７の表面に保護膜４９を形成するため、Ｈ２ＳＯ４、Ｈ２Ｏ２、脱イオン水及びＨＦを混合して得られた洗浄ケミカルを利用するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスのインダクタなどの１ミクロン以上の厚い金属層の形成において、金属欠陥の発生を低減する製造方法を提供する。
【解決手段】誘電体層の上に、厚いアルミニウムなどの金属層の２分の１の厚さを持つ第１部分１１５ａがスパッタ法により堆積される。この第１部分は圧縮応力または引張り応力を有する。次にＴｉＮ層などの応力補償層１２０がこの上に堆積される。この応力補償層は第１部分の応力とは逆向きの応力を持つ様に、窒素ガスを含む雰囲気中でスパッタする。次いで金属層の２分の１の厚さを持つ第２部分１１５ａが、第１部分と同様の方法でこの上に堆積される。この後パターン形成しインダクタ１１０とする。 （もっと読む）

【課題】反応生成物の除去に要する時間を短縮し、シリコン酸化物を効率良くエッチングできるエッチング方法及び記録媒体を提供する。
【解決手段】シリコン酸化物をエッチングする工程において、シリコン酸化物に対してハロゲン元素を含むガス及び塩基性ガスを供給し、シリコン酸化物とハロゲン元素を含むガス及び塩基性ガスとを化学反応させ、シリコン酸化物を変質させて反応生成物を生成させる変質工程と、反応生成物を除去する除去工程とを行い、前記除去工程は、反応生成物の昇温を促進させる第一の工程Ｓ３ｂと、前記反応生成物の気化を促進させる第二の工程Ｓ３ｄとを有することとした。 （もっと読む）

【課題】ポリメタルゲート配線のシリコン膜のパターニングに際して、ダミーウエハを用いずに、且つ、チャンバー内の下部電極のダメージを伴うことなく、チャンバーのドライクリーニングを行う半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ポリシリコン膜の表面にシリコン窒化膜を有するウエハをチャンバー内に搬送し（ステップＳ１）、下部電極上に搭載した後に、まず、チャンバーのドライクリーニングを行い（ステップＳ２）、チャンバー内壁に付着したシリコン系の反応生成物を除去する。次いで、ウエハのドライエッチングを行い、シリコン窒化膜およびポリシリコン膜をパターニングする（ステップＳ３）。パターニング後に下部電極からウエハを取り外し、チャンバー外に搬出する（ステップＳ４）。この処理をウエハ毎に繰り返す。 （もっと読む）