【課題】接点電極の形状を工夫することで信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】集積回路が形成された半導体装置とアンテナに代表されるような外部回路を接続するために、半導体装置に形成する接点電極の形状を工夫し、外部回路と接点電極の接続不良を起こし難く、高い信頼性を有する接点電極を提供する。接点電極の形成には角部が面取りされた形状を有するスキージ又はくさび形状のスキージを用いたスクリーン印刷法を適用する。接点電極は周辺部と中央部に大別できる。周辺部は中央部から端部にかけて膜厚がなだらかに減少するテーパ部を有し、中央部はテーパ部から連続した形状の突起部を有する。 （もっと読む）

【課題】 電界効果トランジスタを被覆して、その中の電荷又は正孔の移動度を向上させる窒化物膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の実施形態は、基板上に製造された複数のｐ型電界効果トランジスタゲート構造体を被覆する、高密度プラズマ堆積プロセスによる圧縮窒化物膜の形成方法を提供する。実施形態は、少なくともシラン、アルゴン及び窒素のガス源を用いて高密度プラズマで満たされた環境を生成するステップと、基板に０．８Ｗ／ｃｍ^２と５．０Ｗ／ｃｍ^２との間の範囲で変化する密度の高周波数電力のバイアスをかけるステップと、圧縮応力窒化物フィルムを形成するために複数のゲート構造体に高密度プラズマを堆積させるステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】基材の内部に空隙を形成するための方法を提供する。
【解決手段】基材を用意する工程；少なくとも１つの犠牲材料前駆体の堆積によって犠牲材料を堆積する工程；複合層を堆積する工程；該複合層中のポロゲン材料を除去して多孔質層を形成する工程；及び積層基材を除去媒体と接触させて前記犠牲材料を実質的に除去し、前記基材の内部に空隙を与える工程を含み、前記少なくとも１つの犠牲材料前駆体が、有機ポロゲン、シリコン、極性溶媒に可溶な金属酸化物、及びそれらの混合物からなる群より選択される方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】半導体記憶装置のキャパシタ形成に際して、下部電極に接続するランディングパッドを簡易に形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜のコンタクト孔内に金属プラグを形成した後に、選択ＣＶＤ技術を用いて、タングステン膜を金属プラグと自己整合的に成長することにより、金属プラグに対応してランディングパッドを形成する。その上に下部電極、容量絶縁膜、及び、上部電極を順次に形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造歩留りを向上する。
【解決手段】半導体ウエハ１にウエハ・プロセスを施した後に再配線を施してから、半田印刷用のマスク３２を用いて半導体ウエハ１の端子２３上に半田ペースト３１を印刷法で供給する。その後、半田リフロー処理により半田バンプを形成してから、半導体ウエハ１をダイシングして、半導体チップを製造する。半田印刷に用いるマスクは、半導体ウエハ１に接する側の主面３２ａの表面粗さを０．３μｍ以下とし、マスク３２のテンションを７００μｍ〜９００μｍとしている。 （もっと読む）

【課題】 構造底部のバリア材料厚と比べると、構造側壁においてより厚いバリア材料被覆範囲を有する相互接続構造体、及び、そのような相互接続構造体を製造する方法を提供すること。
【解決手段】 構造底部のバリア材料厚と比べると、構造側壁においてより厚いバリア材料被覆範囲を有する相互接続構造体、及び、そのような相互接続構造体を製造する方法が提供される。本発明の相互接続構造体は、従来のＰＶＤプロセス、従来のイオン化プラズマ堆積、ＣＶＤ、又はＡＬＤによってバリア材料が形成される従来技術の相互接続構造体と比べると、半導体業界のための改善された技術拡張性を有する。本発明によると、構造底部のバリア材料厚（ｈ_ｔ）より厚い、構造側壁のバリア材料厚（ｗ_ｔ）を有する相互接続構造体が提供される。すなわち、本発明の相互接続構造体において、ｗ_ｔ／ｈ_ｔ比は、１００％に等しいか又はそれより大きい。 （もっと読む）

【課題】耐酸化した金属の確実かつ効率的な還元方法、該金属の還元方法を用い、配線間の寄生容量が低減可能で配線抵抗が低い多層配線、及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法の提供。
【解決手段】本発明の金属の還元方法は、カルボン酸エステル化合物を少なくとも含む蒸気を、水蒸気により加水分解させ、酸化金属を還元する。また、本発明の多層配線の製造方法は、被加工表面に、被膜形成工程と、配線形成工程と、本発明の金属の還元方法を用いた還元工程とを少なくとも含む。本発明の多層配線は、本発明の多層配線の製造方法により形成される。本発明の半導体の製造方法は、被膜形成工程と、パターニング工程と、配線形成工程と、本発明の金属の還元方法を用いた還元工程とを少なくとも含む。本発明の半導体は、本発明の多層配線を少なくとも有し、本発明の半導体の製造方法により形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上の絶縁膜に設けられた凹部にＣｕ合金が埋め込まれた半導体配線を製造するに当たり、凹部にＣｕ合金を埋め込むことができ、しかも配線の電気抵抗率を上げることなく絶縁膜とＣｕ配線の界面にバリア層を形成することができる配線の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上の絶縁膜に設けられた、最小幅が０．１５μｍ以下で、該最小幅に対する深さの比［深さ／最小幅比］が１以上である凹部の表面に、Ｔｉを０．５〜３原子％とＮを０．４〜２．０原子％含有するＣｕ合金を形成した後、２００℃以上、５０ＭＰａ以上に加熱加圧して前記凹部内に前記Ｃｕ合金を埋め込むことによって半導体配線を形成すればよい。 （もっと読む）

イン・サイチュでの裏側ポリマー除去のプラズマエッチングプロセスは、多孔性又は非多孔性カーボンドープされた酸化ケイ素誘電体層とフォトレジストマスクを表面に有するワークピースで開始される。ワークピースは、エッチングリアクタチャンバにおいて静電チャック上にクランプされる。このプロセスには、フルオロ−カーボンベースのプロセスガスを導入し、ＲＦバイアス電力を静電チャックに、ＲＦソース電力をオーバーヘッド電極に印加して、誘電体層の露出した部分をエッチングし、一方で、保護フルオロ−カーボンポリマーをフォトレジストマスク上に堆積することが含まれる。このプロセスには、フルオロ−カーボンベースのプロセスガスを除去し、水素ベースのプロセスガスを導入し、ＲＦソース電力をオーバーヘッド電極に印加することが更に含まれる。静電チャックのリフトピンを伸ばして、静電チャックの上にワークピースを上昇し、ワークピースの裏側をリアクタチャンバのプラズマに露出して、ポリマーが裏側から除去されるまで、裏側に以前に堆積したポリマーを還元する。
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【課題】気相原料分散システムにおけるパーティクル汚染を低減する方法およびシステムを提供する。
【解決手段】気相原料分散システム３０は、膜前駆体の気相原料を成膜システム１のプロセスチャンバ１０へ導入するよう構成される複数の開口を備える気相原料分散ヘッド３４と、ハウジングとを備える。ハウジングと気相原料分散ヘッド３４により、膜前駆体蒸発システム５０と結合され、蒸発システム５０からの膜前駆体５２の気相原料を受けてこの気相原料を複数の開口を通してプロセスチャンバ１０へ分散するよう構成されるプレナム３２が形成される。パーティクル汚染を低減するため、気相原料分散システム３０は、プレナム３２の圧力と成膜システムの圧力との差または比を低減するよう構成される。たとえば、プレナム３２の圧力は、プロセス空間３３の圧力の２倍未満、または、プロセス空間３３の圧力よりも５０ｍＴｏｒｒ、３０ｍＴｏｒｒもしくは２０ｍＴｏｒｒ低い。 （もっと読む）

デュアルダマシン構造においてＢＡＲＣ層を２工程エッチングするための方法を提供する。一実施形態において、本方法は、基板上に配置されたＢＡＲＣ層で充填されたビアを有する基板をエッチングリアクタ内に配置し、第１ガス混合物をリアクタに供給してビアを充填しているＢＡＲＣ層の第１部位をエッチングし、ＮＨ_３ガスを含む第２ガス混合物をリアクタに供給してビア内のＢＡＲＣ層の第２部位をエッチングすることを含む。
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誘電性バリア層を誘電性バルク絶縁層に対して高い選択性でもってエッチングするための方法を提供する。一実施形態において、本方法は、誘電性バルク絶縁層を介してその一部が露出している誘電性バリア層を有する基板をリアクタ内に配置し、Ｈ_２ガス、フッ素含有ガス、少なくともインサートガスを含有するガス混合物をリアクタ内に流し、誘電性バリア層の露出部位を誘電性バルク絶縁層に対して選択的にエッチングすることを含む。
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【課題】絶縁膜上での抵抗が十分に高く、且つ銅配線上での抵抗が十分に低いキャップ層を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコン基板１上に第３の層間絶縁膜１０を形成する工程と、第３の層間絶縁膜１０に第１の配線溝１０ａを形成する工程と、第１の配線溝１０ａに銅を埋め込んで第１、第２の銅配線１２ａ、１２ｂにする工程と、第３の層間絶縁膜１０と第１、第２の銅配線１２ａ、１２ｂの上に、希ガスと窒素ガスとの混合ガスを用いる反応性スパッタ法により、キャップ層１３として窒化ジルコニウム層を形成する工程とを有し、第３の層間絶縁膜１０上に形成されるキャップ層１３は、比抵抗が１×１０⁹μΩ・ｃｍ以上となるように形成される半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】エッチングによって凹部の形成されたＳｉＯＣＨ膜を有するウェハに対してＳｉＯＣＨ膜の上方のレジスト膜のアッシングを行うにあたり、アッシングに用いられるプラズマによって前記凹部の露出面から炭素を脱離させないこと。
【解決手段】アッシングを行う前にＣＨ４ガスをプラズマ化し、そのプラズマによりＳｉＯＣＨ膜の凹部の露出部に堆積物を堆積させて、アッシングにおいて用いられるプラズマから前記ＳｉＯＣＨ膜の凹部の露出部を保護する保護膜を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】バリア層を介して高融点金属シリサイド層に接続するタングステンからなるプラグを有する半導体装置の信頼性を向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】半導体ウエハＳＷの主面上に形成されたコバルトシリサイド層を覆う層間絶縁膜を形成し、コバルトシリサイド層に達する接続孔を層間絶縁膜に形成した後、実質的に窒素を含まない雰囲気のチャンバ２２で、接続孔の内部を含む層間絶縁膜上にチタン膜をスパッタリング法により形成し、続いてチャンバ２３で、接続孔の内部を含むチタン膜上に窒化チタン膜をスパッタリング法により形成する。その後、チャンバ２４で半導体ウエハＳＷにアニール処理を施し、続いて接続孔の内部にタングステンを主導電材料とするプラグを形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ層と絶縁膜の界面に自己形成反応により、Ｍｎを含む拡散バリア膜を形成する際に、Ｃｕ層中に残留したＭｎの濃度を低減し、比抵抗を低減する。
【解決手段】拡散バリア膜を形成する自己形成反応の際に、Ｃｕ層表面を、Ｍｎと反応して気相反応生成物を形成する雰囲気に曝露する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に形成され、凹部が設けられた絶縁膜上に拡散バリア用下地膜を形成し、その上に第１の銅膜を形成し、当該第１の銅膜を電極とした電解メッキ法により第２の銅膜を形成する銅配線膜形成方法において、密着性の改善に有効なＣｕシード膜のアニール処理を行っても、半導体基板上のホールやトレンチパターンの上角部（開口部近傍）といった基板表面において、Ｃｕシード膜が弾かれその下の拡散バリア用下地膜が露出する現象を起こさずにアニール処理が行える方法と、これによる配線膜を提供する。
【解決手段】拡散バリア用下地膜の形成から前記第１の銅膜形成までの工程が、前記半導体基板を大気に晒すことなく真空一貫の状態で行われると供に、当該工程の間に、到達真空度で１×１０^-4Ｐａ以下の真空状態にしてから前記拡散バリア用下地膜が加熱される。 （もっと読む）

ドライプラズマエッチングシステム内で誘電体層をシリコン及びポリシリコンに対して選択的な均一エッチングを行う方法及びシステムが記載されている。エッチング用化学は、たとえばCH₂F₂やCHF₃のようなフルオロハイドロカーボンを有する。高いエッチング選択性及び受容可能な均一性は、CH₂F₂の流速やドライプラズマエッチングシステムと結合する出力を含むプロセス条件を選択することによって実現されて良い。それにより、エッチングプラズマ中での活性エッチングラジカルとポリマー生成ラジカルとの適切なバランスがとられる。
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【課題】制御された二軸応力を有する超低誘電率層と、該低誘電率層を形成するための方法を提供する。
【解決手段】ＰＥＣＶＤとスピン・コーティングとの一方によってＳｉ、Ｃ、ＯおよびＨを含む層を形成する工程と、それぞれ１０ｐｐｍ未満の非常に低い濃度の酸素および水を含む環境中で膜を硬化する工程とを組み込んだ、制御された二軸応力を有する超低誘電率層を形成するための方法を含む。この方法を用いて形成された２．８以下の誘電率を有する材料も含む。本発明は、４６ＭＰａ未満の低い二軸応力を有する膜を形成するための問題を克服する。 （もっと読む）

【課題】配線間のリーク電流の経時劣化（ＢＴＳ不良）を防止し、半導体装置の動作不良を低減することを目的とする。
【解決手段】層間絶縁膜中にＣｕ溝配線を有する半導体装置の製造方法において、表面のバリアメタル面の高さをＣｕ面よりも低くしてリセス１０１を形成し、リセス１０１を完全に埋め込むようにＣｕに対するバリア絶縁膜を堆積することで、配線表面のバリアメタル領域を除去した分、配線間のリークパス６が従来に比べ長く、かつリセス１０１部分の絶縁膜にはＣＭＰによるダメージが入っていないので、リークの原因となるような欠陥が少ないため、ＢＴＳ不良を防止し、半導体装置の動作不良を低減することができる。 （もっと読む）