【課題】紫外線キュアの効率を向上させ、キュア済みの低誘電率膜の膜特性を改善する。
【解決手段】低誘電率材料を半導体処理中に処理チャンバ内でキュアする方法が与えられる。該低誘電率材料は紫外線が照射されてキュアされる。処理チャンバ内の雰囲気は、紫外線の照射中、２５から１００００ppmの酸素濃度を有する。酸素は、低誘電率材料中の-Si-H基及び-Si-OH基の形成を制限し、それにより、低誘電率材料中の吸湿及び酸化が減少する。 （もっと読む）

【課題】従来の方法では、疎水化処理時間が短縮され、かつ、比誘電率の上昇が抑制された疎水化多孔質膜をえることができない。
【解決手段】 基板１上に有機シリカ絶縁膜２を形成する工程と、有機シリカ絶縁膜２が形成された基板１が配置された装置内で基板１の温度をシリル化ガスの露点温度以上気化温度以下として、装置内へシリル化ガスと不活性ガスとからなる混合ガス３を導入する工程と、装置内への混合ガス３の導入を停止する工程と、有機シリカ絶縁膜２が形成された基板１を加熱する工程と、を含むことによって、有機シリカ絶縁膜２の表面および細孔の表面が疎水化され、比誘電率の上昇が抑制された疎水化有機シリカ絶縁膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、トンネル酸化膜の形成時に酸化膜に窒素を蓄積させた後、後続で酸素を注入するための工程を行ってＳｉ−Ｎ結合をＳｉ−Ｏ−Ｎ結合に変更することにより、窒素プロファイル(Ｎ profile)の変化による特性劣化の防止、電気的ストレスの緩和及び酸素密度の増加などを通じてサイクリング(cycling)及び電荷保存(retention)特性などの素子特性を向上させることができる半導体素子の製造方法を提供するものである。
【解決手段】 半導体基板上に第１の絶縁膜を形成する段階と、前記半導体基板と前記第１の絶縁膜の界面に窒素を蓄積させて第２の絶縁膜を形成する段階と、前記第２の絶縁膜に酸素を注入して第３の絶縁膜に変更させる段階とを含む構成としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造方法に関し、トレンチ形成層或いはビア形成層の低誘電率性と機械的強度を確保するとともに、膜剥がれを防止する。
【解決手段】 基体上に所定の原料ガスを用いてＳｉＯＣを主成分とする第１の多孔質絶縁膜２を予め定めた所定の膜厚まで気相成長させたのち、同一チャンバー内において連続して所定の原料ガスにポロジェン前駆体を添加してポロジェン４を包含するＳｉＯＣを主成分とする第２の多孔質絶縁膜３を気相成長させ、次いで、第１及び第２の多孔質絶縁膜３に２００ｎｍ〜４００ｎｍの波長の紫外線５を照射する。 （もっと読む）

【課題】ルテニウム含有膜と銅含有膜とを含む銅配線の低抵抗化を図り、その信頼性を向上させた半導体装置の製造方法、及び半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】一般式（１）で示される有機ルテニウム錯体を含む原料と、還元性ガスとを用いるＣＶＤ法によって、凹部が形成された基板の上にＲｕ膜を形成する（ステップＳ１２）。そして、一般式（２）で示される有機銅錯体を含む原料と、還元性ガスとを用いるＣＶＤ法によって、Ｒｕ膜の上にＣｕ膜を形成し、凹部に銅配線を形成する（ステップＳ１４）。 （もっと読む）

【課題】ルテニウム含有膜と銅含有膜とを含む銅配線の低抵抗化を図り、その信頼性を向上させた半導体装置の製造方法、及び半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】一般式（１）で示される有機ルテニウム錯体を含む原料と、還元性ガスとを用いるＣＶＤ法によって、凹部が形成された基板の上にＲｕ膜を形成する（ステップＳ１２）。そして、一般式（２）で示される有機銅錯体を含む原料と、還元性ガスとを用いるＣＶＤ法によって、Ｒｕ膜の上にＣｕ膜を形成し、凹部に銅配線を形成する（ステップＳ１４）。 （もっと読む）

【課題】抵抗率が改善された、共形性の高い拡散バリアの、インシチュウによる構築を遂行する。
【解決手段】本発明の一態様では、処理チャンバと、シャワーヘッドと、ウエハ支持体と、ＲＦシグナル手段とを有していてもよい。シャワーヘッドを具備することにより、処理チャンバ内にガスを供給する。ウエハ支持体は、処理チャンバ内でウエハを支持するために具備される。シャワーヘッドに第１のＲＦシグナルを供給しまたウエハ支持体に第２のＲＦシグナルを供給するために、ＲＦシグナル手段がシャワーヘッドとウエハ支持体の両方に結合していてもよい。あるいは、ＲＦシグナル手段は、ウエハ支持体にＲＦシグナルを供給するためにウエハ支持体だけに結合していてもよい。本発明の態様を実施することによりアルミニウムや銅等のコンタクトメタルの拡散を防止する拡散バリアの能力を、向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】集積回路のためのアルミニウム相互接続部メタライゼーションを、所望によりアルゴンが追加されてもよい純粋な酸素雰囲気中で制御可能に酸化させる。
【解決手段】ウエハ３２をアルミニウムスパッタリング中に生じる３００℃を超える温度からアルミめっきを施したウエハをプラスチックカセット３４に装填させることを可能にする１００℃未満まで冷却させるので有利に行われる。酸化は高真空搬送チャンバ６２と低真空搬送チャンバ４０の間の通過チャンバ５６、８０内で制御可能に行うことができる。酸素分圧は有利には０.０１〜１トール、好ましくは０.１〜０.５トールである。１トールを超える全圧にアルゴンを添加すると、ウエハが水冷却ペデスタル上に載置された場合にウエハ冷却が促進される。スパッタチャンバへの酸素逆流を防止するために冷却チャンバは冷却中に真空ポンプで排気されず最初にアルゴンが次に酸素が冷却チャンバにパルスされる。 （もっと読む）

【課題】基板から銅含有層の少なくとも一部を除去する方法であって、基板が少なくとも銅含有表面層を含む方法を提供する。
【解決手段】この方法は、第１反応チャンバ中で、銅含有表面層４の少なくとも一部を、ハロゲン化銅表面層５に変える工程と、第２反応チャンバ中で、光子含有雰囲気６に晒して、ハロゲン化銅表面層５の少なくとも一部を除去して、揮発性のハロゲン化銅生成物８の形成を始める工程とを含む。光子含有雰囲気６に晒す間に、この方法は、更に、第２反応チャンバから揮発性のハロゲン化銅生成物８を除去し、第２反応チャンバ中で揮発性のハロゲン化銅生成物８の飽和を避ける工程を含む。具体例にかかる方法は、銅含有層のパターニングに用いられる。例えば、本発明の具体例にかかる方法は、半導体デバイス中に銅含有相互接続構造を形成するのに使用される。 （もっと読む）

【課題】メタルゲートのドライエッチング時に、下地ＨｆＳｉＯＮ膜の突き抜けを防止しながら、ｐ−ｎ差の無いエッチング形状を得る。
【解決手段】シリコン基板の表面に形成された下地ＨｆＳｉＯＮ膜１６と、この上に形成されたＴａＳｉＮ膜１４とＴｉＮ膜１５からなるメタルゲートと、この上に形成されたＷ膜１３と、ＳｉＮ膜１２と、反射防止膜１１と、レジスト膜１０とを有するウェハのドライエッチング方法において、メタルゲート１４、１５のドライエッチング時に、下地ＨｆＳｉＯＮ膜１６に対する選択比が高い、ＣＦ系ガス（ＣＨＦ_３、ＣＦ_４など）と塩素と窒素ガスとの混合ガスを用いて０．５Ｐａ以下の圧力でエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比を有する銅含有アルミニウム膜及びバリアメタル膜のドライエッチングにおいて、良好な加工形状を実現する。
【解決手段】絶縁膜上に、高融点金属を含有する金属導電膜と、銅含有アルミニウム膜と、マスク層を順次形成し、ドライエッチングによってこの金属導電膜及び銅含有アルミニウム膜の配線パターンを形成するドライエッチング方法を前提とする。そして、このようなドライエッチング方法において、炭化水素系ガスを含まない塩素系ガスを用いて上記銅含有アルミニウム膜をエッチングする工程と、炭化水素系ガスを含む塩素系ガスを用いて上記金属導電膜をエッチングする工程とを備える。即ち、銅含有アルミニウム膜の側壁保護に効果のあるメタンガスを、銅含有アルミニウム膜のドライエッチングが終了した後に添加することで、サイドエッチングを防止するのである。 （もっと読む）

【課題】下地層との密着性に優れた銅膜を製造する方法の提供。
【解決手段】成膜対象物上に下地層を形成した後、この下地層を水素ガス雰囲気中で熱処理し、次いでその上に銅膜を作製する。このように銅膜を作製した後、さらに水素ガス雰囲気中で熱処理を行なう。 （もっと読む）

【課題】コンタクトプラグの形成のための平坦化工程で障壁層が損傷することを防止することができる半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体素子の製造方法は、半導体基板上に複数の導電性構造物間の空間を埋め立てて上面が平坦化された絶縁膜を形成し、絶縁膜を部分的に除去して基板の一部を露出する開口を形成する。その後、開口の下部側壁及び底面に沿って形成された残留金属膜と開口の上部側壁及び残留金属膜の表面に沿って形成された金属窒化膜とを含む障壁層を形成する。障壁層を含む開口を埋め立てて金属プラグを形成する。 （もっと読む）

【課題】湾曲を軽減し上下比を改善するためにアドバンスドパターニングフィルム（ＡＰＦ）を用いてウェハをエッチングする方法である。
【解決手段】ＡＰＦ層を有するウェハを約１６２ＭＨｚで作動する電源を備えた処理チャンバ内に設置し、処理ガスをチャンバに供給し、１６２ＭＨｚ電源を用いてソース電力を印加し、バイアス電力をウェハに印加することを含む。処理ガスは水素ガス（Ｈ_２）、窒素ガス（Ｎ_２）、及び一酸化炭素ガス（ＣＯ）を含む。Ｈ_２：Ｎ_２の比は約１：１である。加えて、ウェハ温度を調節してエッチング特性を改善する。 （もっと読む）

【課題】バリアメタルが薄い場合でもＡｌ配線のモフォロジ及びエレクトロマイグレーションを改善することができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】まず、半導体基板１１上にＳｉＯ_２層間膜１３（酸化膜）を形成する。次に、ＳｉＯ_２層間膜１３上にＴｉ膜１８を形成する。次に、Ｔｉ膜１８上にＴｉＮ膜３２を形成する。次に、ＴｉＮ膜３２上にＡｌ配線３３を形成する。ここで、Ｔｉ膜１８を形成する工程において、圧力が０．３Ｐａ以下の雰囲気中で物理気相成長法を用いる。これにより、Ｔｉ膜１８とＳｉＯ_２層間膜１３との間にＴｉＯ_２膜３１が形成される。 （もっと読む）

【課題】 周辺表面を殆ど汚染又は乱さずに、スパッタリングされたキャリア／バリヤ層を堆積させて所望の形状に刻設する方法を提供する。
【解決手段】 堆積層のイオンの衝突により浸食・汚染されないように、刻設された層の適用された表面が保護される、イオン堆積スパッタリング法を用いて刻設された材料層を半導体の特徴表面に適用する方法であり、刻設された層の第１の部分を、その層の適用される表面が浸食又は汚染されない程度に基板バイアスを十分低くして適用するステップと、刻設された層の次の部分を、さらなる層材料を堆積させながら、第１の部分からの形状を刻設可能な程度に基板バイアスを十分高くして適用するステップとを含む。この方法は、半導体の特徴表面上にバリヤ層、ウェッティング層及び導電層等を刻設するのに特に適しており、導電層が銅である場合は特に有益である。 （もっと読む）

【課題】低誘電率の材料の露出表面への損傷を最小化しながら、露出した低誘電率の材料を有する基板からマスキング材料を取り除く方法が提供される。
【解決手段】一実施形態において、基板からマスキング材料を取り除くための方法は、露出した低誘電率の材料及びマスキング材料を有する基板を提供し、第１の期間、還元化学反応物質から形成された第１のプラズマに前記マスキング材料を曝し、第２の期間、酸化化学反応物質から形成される第２のプラズマにマスキング材料を曝すことを含む。これらのステップは必要なだけ繰り返され、また、反対の順序に行われるかもしれない。選択的に、少なくとも１つの希釈ガスが酸化化学反応物質に追加されるかもしれない。 （もっと読む）

【課題】 犠牲酸化物層を形成し除去する方法を提供する。
【解決手段】 この方法は、最上部と側壁を持つ段差部を基板上に形成するステップであって、段差部が、前記ステップを含む。この方法は、また、分子酸素とＴＥＯＳの化学気相堆積によって段差部の周りに犠牲酸化物層を形成するステップであって、酸化物層が段差部の最上部と側壁上に形成される、前記ステップを含んでもよい。この方法は、また、酸化物層と段差部の最上部分を除去するステップと、段差部の除去によって暴露される基板の一部を除去して、エッチングされた基板を形成するステップと、エッチングされた基板から犠牲酸化物層全体を除去するステップとを含んでもよい。 （もっと読む）

【解決手段】化学機械研磨後に半導体ウェーハを洗浄するための方法を提供する。方法の一例では、ウェーハに酸化環境における熱処理を施し、その後、還元環境における熱処理を施す。酸化環境における熱処理では、残留物を除去すると共に、露出した銅を酸化して酸化銅層を形成する。還元環境における熱処理では、その後、酸化銅を元素銅へ還元する。これにより、露出した銅は清浄となり、無電解メッキ等、更なる処理のための状態となる。 （もっと読む）

【課題】電気抵抗率が低く、膜の緻密性や絶縁膜との密着性に優れているといった高品質を安定して発揮する信頼性の高い半導体装置用の配線の形成方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成された凹部３を有する絶縁膜２の表面に、ＡｌまたはＡｌ合金（以下「Ａｌ系金属」という）よりなる薄膜５をスパッタリング法で形成した後、高温高圧処理を施して該Ａｌ系金属を上記凹部内に充填して半導体装置の配線を形成する方法であって、上記スパッタリングを下記条件で行なうことを特徴とする半導体装置の配線形成方法。スパッタリングガス圧：０．５〜１．１ｍＴｏｒｒ、放電パワー密度：３〜１５Ｗ／ｃｍ²、基板温度：１００〜３００℃ （もっと読む）