【課題】低損失で差動信号を伝送することができるリドライバＩＣ、半導体装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本実施の形態に係る半導体装置は、差動信号が伝送される差動配線が形成された配線基板１０と、配線基板１０に搭載され、外部機器に対して差動信号を送受信するコネクタ１１と、配線基板１０に搭載され、コネクタ１１から受信した差動信号を中継する受信系のリドライバＩＣ２１と、受信系のリドライバＩＣ２１と離間した位置において配線基板１０に搭載され、コネクタ１１に送信する差動信号を中継する送信系のリドライバＩＣ２０と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】差動伝送方式を採用した半導体装置の試験で行われるＴＤＲタイミング測定の校正精度の低減を抑制すること。
【解決手段】複数のプローブ針を有し、プローブ針を半導体装置の電極パッドと接続させて所定の試験を行うためのプローブカードであって、互いに異なる電極パッドＰ１及びＰ２に接続するよう配置され、対となっている差動信号入力用の第１及び第２のプローブ針１ａ及び２ａと、互いに異なる電極パッドＰ１及びＰ２に接続するよう配置された第３及び第４のプローブ針１ｂ乃至２ｂ´と、第３及び第４のプローブ針１ｂ乃至２ｂ´各々と接続して、第３及び第４のプローブ針１ｂ乃至２ｂ´を導通させる配線３及び抵抗部材ＲＴと、を有し、第３及び第４のプローブ針１ｂ乃至２ｂ´、配線３及び抵抗部材ＲＴは電気的にフローティングな状態となっている。 （もっと読む）

【課題】伝送線路を接続するビア層の周囲のグラウンドを強化することができると共に、ビア部の特性インピーダンスを調整することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁層１４を介して積層された第１の半導体基体１１及び第２の半導体基体２１と、第１の半導体基体１１に形成され、信号線１２とグラウンド１３とを含む第１の伝送線路と、第２の半導体基体２１に形成され、信号線２２とグラウンド２３とを含む第２の伝送線路と、第１の伝送線路の信号線１２及び第２の伝送線路の信号線２２に接続された信号線用のビア層と、第１の伝送線路のグラウンド１３及び第２の伝送線路のグラウンドに接続された、グラウンド用の第１のビア層と、第２の伝送線路のグラウンド２３に接続され、かつ、信号線用のビア層に対向して形成された帯状のビア層を含む、グラウンド用の第２のビア層１６を有する半導体装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】規格により規定された速度による信号の転送を実現し、半導体装置やそれを内蔵した電子機器の誤動作を防止する。
【解決手段】第１の半導体素子１０１の導体配線層１０６に、パッケージ基板１００の信号端子１０３と第２の半導体素子１０２の信号端子１１７とを接続する信号線導体１１３ａと、パッケージ基板１００の電源端子１０４と第２の半導体素子１０２の電源端子１１８とを接続する電源導体１１４とを、信号線導体１１３ａが導体配線層１０６において、信号線導体１１３ａとの間に水平方向に一定の間隔をあけて隣接する電源導体１１４に挟まれるように形成する。 （もっと読む）

【課題】複数のトランジスタを均一に動作させ、低消費電力及び良好な歪特性を実現する。
【解決手段】高周波信号を増幅する電力増幅器１００であって、上部電極１２０ａ及び下部電極１２０ｂを有し、高周波信号が入力される整合容量１２０と、整合容量１２０の下部電極１２０ｂから出力される高周波信号を増幅する複数のトランジスタ１１０が所定の方向に並んで配置されているトランジスタ列とを備え、トランジスタ列に隣り合う領域において、トランジスタ列の両端から略等しい距離には、接地されたビアホール１７０が形成され、下部電極１２０ｂは、ビアホール１７０を挟んで高周波信号が均等に分配されるように配置されたマイクロストリップ線路であり、複数のトランジスタ１１０のベース端子に接続される。 （もっと読む）

【課題】コプレーナ線路の信号線路とエアブリッジとの交差容量の影響を抑制しつつ、複数のエアブリッジを容易に使用できるようにする。
【解決手段】エアブリッジ構造１００のうち、下層配線層８に、接地線路２Ａ，２Ｂのうち信号線路１を挟んで互いに対向する位置を切り欠いて形成した空孔領域１２Ａ，１２Ｂをそれぞれ設けるとともに、上層配線層７に、空孔領域１２Ａの上部位置に下層配線層８の接地線路２Ａと電気的に接続された上層接地電極１３Ａと、空孔領域１２Ｂの上部位置に下層配線層８の接地線路２Ｂと電気的に接続された上層接地電極１３Ｂとを設け、エアブリッジ３で、上層接地電極１３Ａ，１３Ｂを介して接地線路２Ａ，２Ｂ間を電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】超高周波帯におけるシリコン基板による損失を低減すると共に、貫通配線のインダクタンス成分の影響を小さくした半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、回路素子１０５が形成された半導体基板１００と、半導体基板１００の主面の上に形成された第１の誘電体層１２１と、第１の誘電体層１２１の上に形成された第２の誘電体層１３１と、第１の誘電体層１２１を貫通し、回路素子１０５と接続された第１の貫通配線１２２と、第２の誘電体層１３１を貫通し、第１の貫通配線１２２と接続された第２の貫通配線１３２とを備えている。第２の貫通配線１３２は、第１の貫通配線１３２よりもインダクタンスが小さい。 （もっと読む）

【課題】コモンモードノイズを減衰することができ、通常のシリコン半導体製造プロセスにおいて実現でき、シリコン半導体回路と一体化するよう同一のチップ内に実装可能なコモンモードノイズフィルタとして機能する伝送線路および伝送装置を実現する。
【解決手段】第１の仮想平面ＶＰ１の面内方向に沿って既定の間隔で並行に設けられた２本の信号線１０１，１０２と、第１の仮想平面ＶＰ１と並行な第２の仮想平面ＶＰ２の面内方向に沿って２本の信号線１０１，１０２を第２の仮想平面ＶＰ２に投影したときの投影像の延長方向と直交する方向に互いに所定の間隔で平行に配置された各所定長の複数の導体である各フローティングシールド片１１０−１〜１１０−ｎを含むシールド体１１０と、を備え、２本の信号線およびシールド体はシリコン半導体製造プロセスにより形成されていることを特徴とする伝送線路および伝送装置。 （もっと読む）

【課題】出力特性が優れた高周波スイッチを提供する。
【解決手段】本発明の実施形態の高周波スイッチは、入力端子ＡＮＴ１と複数のスイッチング素子と複数の高周波信号線と複数の出力端子ＲＦ１〜ＲＦ８とからなる高周波スイッチ回路部を有する高周波スイッチＩＣチップ１０を備える。前記入力端子ＡＮＴ１と前記複数の出力端子の各出力端子ＲＦ１〜ＲＦ８は、それぞれ等しい長さの高周波信号線Ｈ１〜Ｈ８で接続される。前記複数の出力端子ＲＦ１〜ＲＦ８は、前記高周波スイッチＩＣチップの外周の表面上に配置される。前記入力端子ＡＮＴ１は、前記高周波スイッチ回路部の中心に配置される。 （もっと読む）

シールド構造体は、集積回路上の第１金属化層に形成された櫛状構造体が複数の歯を備え櫛状構造体の歯は他方の櫛状構造体に向かって延びる第１、第２櫛状構造体と、第１櫛状構造体から上方に延びる複数の第１導電性ビアと、第２櫛状構造体から上方に延びる複数の第２導電性ビアと、第１金属化層の上方の第２金属化層に配置された第１、第２平面構造体と、第１平面構造体から複数の第１導電性ビアに向かって下方に延びる複数の第３導電性ビアと、第２平面構造体から複数の第２導電性ビアに向かって下方に延びる複数の第４導電性ビアとを備え、第１、第２櫛状構造体、第１、第２平面構造体及び第１〜第４導電性ビアは全て同電位であり接地されることが好ましい。ある実施形態では１つ以上の信号線が第１、第２平面構造体間の第２金属化層に配置され、他の実施形態では１つ以上の信号線が第１、第２平面構造体間の第３金属化層に配置される。 （もっと読む）

【課題】消費電力を抑制することができる半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】半導体集積回路装置１００は、差動信号を送信する差動信号送信素子１１、差動信号を伝送する一対の第１の差動伝送線路１２Ａ、１２Ｂ、差動信号送信素子１１と一対の第１の差動伝送線路１２Ａ、１２Ｂとの間に接続された一対の結合コンデンサ１４Ａ、１４Ｂ、一対の第１の差動伝送線路１２Ａ、１２Ｂの終端間に接続された終端抵抗１３を備えた第１の半導体集積回路素子１と、一対の第１の差動伝送線路１２Ａ、１２Ｂと容量性結合及び誘導性結合するように一対の第１の差動伝送線路１２Ａ、１２Ｂに予め定めた距離を離して対向配置された一対の第２の差動伝送線路２２Ａ、２２Ｂ、一対の第２の差動伝送線路２２Ａ、２２Ｂの終端に接続され且つ差動信号を受信する差動信号受信素子２１を備え、第１の半導体集積回路素子１に積層された第２の半導体集積回路素子２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】隣接信号の間に発生するクロストークノイズ(Crosstalk Noise)による信号の品質低下を防止するための半導体装置及びその信号伝送方法を提供する。
【解決手段】複数の同種信号を伝送するための複数の伝送ラインを具備する半導体装置１００において、第１信号ＩＮ１を伝送する伝送区間全体の間に第１信号ＩＮ１の位相を同一に維持して伝送するための第１伝送ライン１５０と、第１伝送ライン１５０に隣接して配置されて第２信号ＩＮ２を伝送する伝送区間全体のうちで一部区間の間に第２信号ＩＮ２の位相を反転させて伝送するための第２伝送ライン１６０a、１６０bが具備される。 （もっと読む）

【課題】インダクタンス値を変えることができ、インダクタ素子が占める基板上でのスペースを小さくしつつ、インダクタ素子を簡便な構成により実現可能とした可変スパイラルインダクタを提供する。
【解決手段】接地導体７を設けた半絶縁性の基板２と、この基板２に形成され、平面スパイラル状のパターンを有し、一端から入力された高周波信号を他端へ通過させるスパイラル導体５と、このスパイラル導体５に対し基板面に直交する方向で間隔を介して設けられたマイクロストリップライン導体６と、このマイクロストリップライン導体６の電位を接地電位又は開放電位にするための駆動バイアスを印加される電極４と、を備え、この電極４へ印加される駆動バイアスのオンオフ駆動により、マイクロストリップライン導体６の状態を高周波信号に対して等価的に接地状態又は短絡状態にし、高周波信号に対して値の異なるインダクタンスを生成する。 （もっと読む）

【課題】誘電損を回避でき、挿入損失を小さくすることが可能なスパイラルインダクタを提供する
【解決手段】接地導体を設けた半絶縁性の基板２と、この基板２上に形成された誘電体膜３と、それぞれこの誘電体膜３上に形成された複数の支持体４と、これらの支持体４によって支持され、基板２上でスパイラル形状の導体パターンを有し、一方の端部７ａから入力された信号を他方の端部７ｂへ通過させるマイクロストリップライン導体５と、を備え、このマイクロストリップライン導体５は、それぞれ導体パターンの形状に沿って設けられた複数の支持体４によってパターン裏面を支持される架橋構造を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の伝送線路の信号伝達効率を高くする
【解決手段】本発明は、多層配線４００内に形成され、信号線３４２下にあり、トランジスタ領域上に形成された第１導体パターン３１２を有する、半導体装置に関する。第１導体パターン３１２はグラウンドまたは電源に接続し、トランジスタ領域と重なる。また、信号線３４２は第１導体パターン３１２と重なっている。第１導体パターン３１２は複数のトランジスタ形成領域と重なっていてもよい。第１導体パターン３１２の下にトランジスタ形成領域を複数有していていもよい。 （もっと読む）

【課題】物理長の異なる複数の伝送線路において、電気長を等しくする。
【解決手段】半導体基板１上の薄膜絶縁体上に形成された物理長の異なる複数の伝送線路Ａ、Ｂのうち、物理長の長いほうの伝送線路において、伝送線路を構成する信号線メタルと半導体基板１との間に低誘電率絶縁膜３を挟むことによって信号伝搬速度を速くした領域を設け、この低誘電率絶縁膜３を挟んだ領域の長さを伝送線路Ａの物理長に応じて調整することによって、すべての伝送線路の電気長を等しくする。 （もっと読む）

【課題】簡便な構成で半導体基板上にその伝播特性が可変な右手系材料、左手系材料による伝送線路を構成可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板等の半導体基板１１上に、メタマテリアル構造体の所謂左手系の伝送線路１２を形成する。この伝送線路１２は、キャパシタ部１３、インダクタ部１４およびＭＳＭ接合部１５を含み、ハイパスフィルタを構成する。そして、ＭＳＭ接合部１５に外部から電圧Ｖ１を印加し、当該電圧Ｖ１の電圧値をコントロールすることによって伝播特性を可変とする。 （もっと読む）

【課題】差動信号の伝送特性に優れ、かつ、簡易な構成の半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１００、一対の差動伝送線路２６を含む配線層１２と、電位が固定された導電層であって、電気的に連続した導体によって形成された連続領域を有する導電層１６と、半導体基板２４と、半導体基板２４と導電層１６との間に設けられ、電気的に浮いている導体を有する阻止層２０と、配線層１２と導電層１６と阻止層２０と半導体基板２４との間に設けられた絶縁層と、を備える。一対の差動伝送線路２６は、積層方向から見て導電層１６の導体と交差し、阻止層２０は、導電層１６の導体と交差する複数の間隙が形成されている。 （もっと読む）

【課題】伝送ラインや分布増幅器などの分配電子回路を開示する。
【解決手段】本発明は、インプットターミナル（２）と、アウトプットターミナル（３）と、電力供給ライン（４、５）と、インプットターミナル（２）とアウトプットターミナル（３）との間に設けられ一つのセクションから別のセクションへ電気信号を伝送するように配置された一連セクション（６１、６２、６３、６４、６５）とを含み、個々のセクション（６１、６２、６３、６４、６５）は、電子放電静電（ＥＳＤ）イベントの発生の際に対応するＥＳＤ電流を電力供給ライン（４、５）に運ぶように構成されたＥＳＤ保護（９）を含み、個々のセクション（６１、６２、６３、６４、６５）のＥＳＤ保護要素（９）は、ＥＳＤイベントの発生の際に、最初のセクション（６１）の前に後続のセクション（６２、６３、６４、６５）が起動されるように選択されている分配電子回路である。 （もっと読む）

【課題】専有面積の小さいトランス素子を提供すること。
【解決手段】トランス素子１は、半導体基板上において上下方向に平行な第１及び第２の配線層を使って形成され、第１のインダクタンス２及び第２のインダクタンス３を備える。第１及び第２のインダクタンス２及び３は、鉛直上方向及び鉛直下方向の一方から第１の配線層及び第２の配線層の一方に投影した時に、投影された外形線が予め定められた基準面を基準として対称な形状を有し、かつ投影された外形線が第１の配線層及び第２の配線層の一方上で交差し合う部分については、第１の配線層及び第２の配線層を使って交差しないよう構成される。 （もっと読む）