コプレーナ線路のエアブリッジ構造
【課題】コプレーナ線路の信号線路とエアブリッジとの交差容量の影響を抑制しつつ、複数のエアブリッジを容易に使用できるようにする。
【解決手段】エアブリッジ構造１００のうち、下層配線層８に、接地線路２Ａ，２Ｂのうち信号線路１を挟んで互いに対向する位置を切り欠いて形成した空孔領域１２Ａ，１２Ｂをそれぞれ設けるとともに、上層配線層７に、空孔領域１２Ａの上部位置に下層配線層８の接地線路２Ａと電気的に接続された上層接地電極１３Ａと、空孔領域１２Ｂの上部位置に下層配線層８の接地線路２Ｂと電気的に接続された上層接地電極１３Ｂとを設け、エアブリッジ３で、上層接地電極１３Ａ，１３Ｂを介して接地線路２Ａ，２Ｂ間を電気的に接続する。
【解決手段】エアブリッジ構造１００のうち、下層配線層８に、接地線路２Ａ，２Ｂのうち信号線路１を挟んで互いに対向する位置を切り欠いて形成した空孔領域１２Ａ，１２Ｂをそれぞれ設けるとともに、上層配線層７に、空孔領域１２Ａの上部位置に下層配線層８の接地線路２Ａと電気的に接続された上層接地電極１３Ａと、空孔領域１２Ｂの上部位置に下層配線層８の接地線路２Ｂと電気的に接続された上層接地電極１３Ｂとを設け、エアブリッジ３で、上層接地電極１３Ａ，１３Ｂを介して接地線路２Ａ，２Ｂ間を電気的に接続する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波回路技術に関し、特にコプレーナ線路の接地電極間を接続するためのエアブリッジ構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路等の高誘電率基板上でコプレーナ(以下、ＣＰＷ線路という：Coplanar Waveguide)線路に用いるエアブリッジ構造は、ＣＰＷ線路の接地を良好に行うために不可欠な接続構造である。このＣＰＷ線路は、信号線の両側に２つの接地電極を持つ構造をなしており、これらの接地電極を等電位に保つためは何らかの方法で両者を接続する必要がある。これを行う簡便な方法がエアブリッジ構造である。通常のエアブリッジ構造は、ＣＰＷ線路、すなわち信号線路と接地電極を構成する配線層とは別の配線層で、２つの接地電極間をエアブリッジにより最短距離で接続する接続構造となっている。
【０００３】
このようなエアブリッジ構造では、信号線路とエアブリッジとが交差することから、両者の間に交差容量が生じ、しばしば問題となる。すなわち、エアブリッジは最寄りの接地電極に接続されていることから、信号線路とエアブリッジとの間の交差容量は、信号線に対し並列容量として振舞うことになる。このため、ＣＰＷ線路の特性インピーダンスはエアブリッジの部分で低下し、信号の伝播に遅延を生じさせる。また、局所的な特性インピーダンスの低下に起因して、エアブリッジのある箇所で信号の反射が起こる。
【０００４】
エアブリッジによるこれら作用が集積回路の動作に悪影響を及ぼす可能性がある場合、事前にエアブリッジの影響を考慮した回路設計を行わねばならない。ところが、現実にはエアブリッジが配置位置や個数は回路レイアウトの都合によって決まるため、回路設計の段階で正確に考慮することは困難である。そのため、回路設計とレイアウト作業を交互に行い、エアブリッジの配置を徐々に確定しながら回路設計へ反映する必要性があった。
【０００５】
このようなエアブリッジ構造における課題を解決するため、従来より幾つかの技術が提案されている。第１の従来技術として、配線を微細化することで寄生容量を減らす方法がある。これは、微細なＣＰＷ線路を用いると、エアブリッジの交差容量も必然的に減少させることができるからである。
【０００６】
また、第２の従来技術として、エアブリッジで生じる交差容量を補償する方法が考えられる。その１つとして、エアブリッジのある箇所だけＣＰＷ線路の信号線幅を細くすることで配線のインダクタンス成分を増加させる方法がある（例えば、特許文献１など参照）。配線の特性インピーダンスは、線路単位長さあたりのインダクタンス対容量比の平方根で与えられるため、交差容量の大きさに比例して信号線のインダクタンスを増加させれば特性インピーダンスは一定値に保たれ、信号の反射を防ぐことが可能になる。
【０００７】
また、第３の従来技術として、マイクロストリップ線路を一部導入してエアブリッジを不要にする方法がある。これは、マイクロストリップ線路は接地電極が１つしかなく本質的にエアブリッジが不要であるからである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特許第２５６９６９７号公報
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】相川 他、「モノリシックマイクロ波集積回路」, pp. 51, 電子情報通信学会, ISBN88552-145-9, 1997/01/25
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、このような従来技術では、コプレーナ線路の信号線路とエアブリッジとの交差容量の影響をある程度抑制であるものの、多数のエアブリッジを容易に使用できないという問題点があった。
例えば、第１の従来技術では、線路の微細化が線路損失とのトレードオフとなるため、線路の一部を選んで微細化する必要がある。このとき、ＣＰＷ線路のピッチ変換が必要となり、ピッチ変換に伴う新たな寄生効果を回路設計に反映しておく必要が生じる。また、大電力を扱う回路の場合、線路の微細化は電力定格によって制限があるため、線路の微細化には限界がある。
【００１１】
また、第２の従来技術では、コプレーナ線路における信号の伝播速度が低下してしまう。これは、信号の伝播速度は、伝播定数βにより決定され、その値は線路単位長さあたりのインダクタンス容量積の平方根に反比例するからである。このため、第２の従来技術で特性インピーダンスを補償すると、ＣＰＷ線路の遅延時間がさらに増加してしまう。
また、第３の従来技術では、ＣＰＷマイクロストリップ変換による寄生効果を別途考慮する必要があり（例えば、非特許文献１など参照）、エアブリッジの影響を回路設計に反映させるための設計負担と変わりのない結果となる。
【００１２】
本発明はこのような課題を解決するためのものであり、コプレーナ線路の信号線路とエアブリッジとの交差容量の影響を抑制しつつ、複数のエアブリッジを容易に使用できるエアブリッジ構造を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
このような目的を達成するために、本発明にかかるエアブリッジ構造は、高誘電率基板上に形成された信号線路とこの信号線路を挟んで配置された第１および第２の接地線路とからなるコプレーナ線路を構成する下層配線層と、信号線路の上部を交差して第１および第２の接地線路間を電気的に接続するエアブリッジを構成する上層配線層とを備え、下層配線層は、第１および第２の接地線路のうち信号線路を挟んで互いに対向する位置を切り欠いて形成した第１および第２の空孔領域をそれぞれ有し、上層配線層は、第１の空孔領域の上部位置に下層配線層の第１の接地線路と電気的に接続された第１の上層接地電極と、第２の空孔領域の上部位置に下層配線層の第２の接地線路と電気的に接続された第２の上層接地電極とを有し、エアブリッジで、第１および第２の上層接地電極を介して第１および第２の接地線路間を電気的に接続するようにしたものである。
【００１４】
この際、第１の接地線路のうち第１の空孔領域と隣接する位置に、第１の接地線路と第１の上層接地電極とを電気的に接続するための第１のコンタクトをさらに備え、第２の接地線路のうち第２の空孔領域と隣接する位置に、第２の接地線路と第２の上層接地電極とを電気的に接続するための第２のコンタクトをさらに備えてもよい。
【００１５】
また、第１のコンタクトを、第１の接地線路のうち第１の空孔領域と隣接する位置に、第１の空孔領域を取り囲むように形成し、第２のコンタクトを、第２の接地線路のうち第２の空孔領域と隣接する位置に、第２の空孔領域を取り囲むように形成してもよい。
【００１６】
また、ＣＰＷ線路のうちエアブリッジ構造が形成されていない部分における、ＣＰＷ線路上方での信号線路と第１および第２の接地線路との間の線路間容量をＣａとするとともに、高誘電率基板内部での信号線路と第１および第２の接地線路との間の線路間容量をＣｂとし、ＣＰＷ線路のうちエアブリッジ構造が形成されている部分における、ＣＰＷ線路上方での信号線路と第１および第２の接地線路との間および信号線路とエアブリッジとの間の線路間容量をＣｃとするとともに、高誘電率基板内部での信号線路と第１および第２の接地線路との間の線路間容量をＣｄとし、信号線路と第１および第２の接地線路との間の距離をＬとした場合、Ｃｃ−Ｃａ（L）＝Ｃｂ−Ｃｄ（L）の式を満足する距離Ｌだけ、エアブリッジ構造における信号線路と第１および第２の接地線路とを離して形成してもよい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、ＣＰＷ線路の信号線路を細線化することなく信号線路とエアブリッジとの間に生じる交差容量の影響を抑制することができる。よって、エアブリッジ付近におけるＣＰＷ線路の特性インピーダンスや遅延時間の乱れを抑制することができ、優れたエアブリッジ構造を実現することができる。また、ＣＰＷマイクロストリップ変換による寄生効果など、複雑な回路設計を必要としないことから、複数のエアブリッジを容易に使用することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】一実施の形態にかかるエアブリッジ構造の構成を示す平面図である。
【図２】コプレーナ線路の形状を示す平面図である。
【図３】図１のIII−III断面図である。
【図４】図１のIV−IV断面図である。
【図５】複数のエアブリッジ構造を密集配置した例である。
【図６】略楕円形状からなる空孔領域を持つエアブリッジ構造の例である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
次に、本発明の一実施の形態について図面を参照して説明する。
［エアブリッジ構造］
まず、図１〜図４を参照して、本実施の形態にかかるコプレーナ(以下、ＣＰＷ線路という：Coplanar Waveguide)線路のエアブリッジ構造について説明する。図１は、一実施の形態にかかるエアブリッジ構造の構成を示す平面図である。図２は、コプレーナ線路の形状を示す平面図である。図３は、図１のIII−III断面図である。図４は、図１のIV−IV断面図である。
【００２０】
ＣＰＷ線路は、高誘電率基板９上に形成された、導電膜からなる信号線路１と、この信号線路１を挟んで配置された、導電膜からなる接地線路（第１の接地線路）２Ａおよび接地線路（第２の接地線路）２Ｂとから構成されている。これら信号線路１および接地線路２Ａ，２Ｂの一方の端部からなる入力端子４から入力された高周波信号が、信号線路１および接地線路２Ａ，２Ｂの他方の端部からなる出力端子５から取り出せるようにレイアウトされている。
【００２１】
ＣＰＷ線路のうち、信号線路１および接地線路２Ａ，２Ｂは、高誘電率基板９の表面に位置する下層配線層８によって構成されている。また、ＣＰＷ線路の中央には、信号線路１の上部を交差して接地線路２Ａ，２Ｂ間を電気的に接続する導電部材からなるエアブリッジ３が配置されている。このエアブリッジ３は、導電部材からなるコンタクト１１Ａ，１１Ｂを介して接地線路２Ａ，２Ｂと電気的に接続されている。これらエアブリッジ３およびコンタクト１１Ａ，１１Ｂは、下層配線層８の上部に位置する上層配線層７によって構成されている。
【００２２】
本実施の形態にかかるエアブリッジ構造１００は、このような下層配線層８において、接地線路２Ａ，２Ｂのうち信号線路１を挟んで互いに対向する位置を切り欠いて形成した空孔領域（第１の空孔領域）１２Ａと空孔領域（第２の空孔領域）１２Ｂとをそれぞれ有している。
【００２３】
また、上層配線層７において、空孔領域１２Ａの上部位置に、下層配線層８の接地線路２Ａと電気的に接続された上層接地電極（第１の上層接地電極）１３Ａを有し、空孔領域１２Ｂの上部位置に、下層配線層８の接地線路２Ｂと電気的に接続された上層接地電極（第２の上層接地電極）１３Ｂとを有しており、エアブリッジ３で、上層接地電極１３Ａ，１３Ｂを介して接地線路２Ａ，２Ｂ間を電気的に接続している。
図２の例では、空孔領域１２Ａ，１２Ｂは、接地線路２Ａ，２Ｂのうち信号線路１側の側部を矩形状に切り欠いて形成されている。
【００２４】
上層接地電極１３Ａ，１３Ｂは、上層配線層７のうちエアブリッジ３と同じ高さ位置であって、これら空孔領域１２Ａ，１２Ｂの上部位置に、これら空孔領域１２Ａ，１２Ｂを覆うように配置されている。これら上層接地電極１３Ａ，１３Ｂは、エアブリッジ３とは別個の導電部材で形成した後、エアブリッジ３と電気的に接合してもよく、エアブリッジ３と同一の導電部材で一括形成してもよい。
【００２５】
コンタクト１１Ａ，１１Ｂは、接地線路２Ａ，２Ｂのうち、空孔領域１２Ａ，１２Ｂ、すなわち切り欠き部と隣接する位置に配置されており、上層接地電極１３Ａ，１３Ｂを空孔領域１２Ａ，１２Ｂの上部位置に支持するとともに、下層配線層８の接地線路２Ａ，２Ｂと上層接地電極１３Ａ，１３Ｂの周部とを電気的に接続している。
また、コンタクト１１Ａは、接地線路２Ａのうち空孔領域１２Ａと隣接する位置に、空孔領域１２Ａを取り囲むように形成し、コンタクト１１Ｂは、接地線路２Ｂのうち空孔領域１２Ｂと隣接する位置に、空孔領域１２Ｂを取り囲むように形成してもよい。
これらＣＰＷ線路およびエアブリッジ構造１００については、例えばモノリシックマイクロ波集積回路技術など、既存の半導体製造プロセス技術を用いて製造すればよい。
【００２６】
次に、空孔領域１２Ａ，１２Ｂの作用について詳細に説明する。
図３に示すように、ＣＰＷ線路のうちエアブリッジ構造１００が形成されていないIII−III断面付近では、ＣＰＷ線路上方の容量として、信号線路１と接地線路２Ａ，２Ｂとの間に線路間容量２１（Ｃａ）が生じるとともに、高誘電率基板９内部の容量として、信号線路１と接地線路２Ａ，２Ｂとの間に線路間容量２２（Ｃｂ）が生じる。通常、誘電体基板の比誘電率は、１より少なくとも何倍か大きな値を持つことから、ＣｂはＣａより何倍か大きな値になる。
【００２７】
また、図４に示すように、ＣＰＷ線路のうちエアブリッジ構造１００が形成されているIV−IV断面付近には、信号線路１および接地線路２Ａ，２Ｂのほかに、エアブリッジ３、空孔領域１２Ａ，１２Ｂ、およびコンタクト６が存在する。したがって、IV−IV断面付近では、ＣＰＷ線路上方の容量として、信号線路１と接地線路２Ａ，２Ｂとの間、および信号線路１とエアブリッジ３との間に、線路間容量２３（Ｃｃ）が生じるとともに、高誘電率基板９内部の容量として、信号線路１と接地線路２Ａ，２Ｂとの間に線路間容量２４（Ｃｄ）が生じる。通常、誘電体基板の比誘電率は、１より少なくとも何倍か大きな値を持つことから、ＣｃはＣｄより何倍か大きな値になる。
【００２８】
ここで、ＣａとＣｃとを比較すると、信号線路１とエアブリッジ３との交差部分で生じる交差容量の影響でＣｃはＣａより大きな値を持ち、その交差容量の値は２つの容量の差Ｃｃ−Ｃａで表される。
【００２９】
一方、空孔領域１２の大きさを変えることで、図３の信号線路１と接地線路２Ａ，２Ｂとの距離Ｌは任意の大きさまで増やすことができる。言い換えると、線路間容量Ｃｄは、信号線路１と接地線路２Ａ，２Ｂとの間の距離Ｌの関数で表され、距離Ｌを増加させて線路間容量Ｃｄを減少させることが可能である。この際、線路間容量Ｃａも同時に減少するが、既に述べた誘電率の違いからその変化量は小さい。
【００３０】
したがって、交差容量の影響を取り除くための条件は、次の式（１）を満たす距離Ｌまで、信号線路１と接地線路２Ａ，２Ｂとの間を離せばよいことが分かる。
Ｃｃ−Ｃａ（L）＝Ｃｂ−Ｃｄ（L） …（１）
交差容量が極度に大きい場合を除けば、ＣｃとＣａは、ＣｂやＣｄより小さな値であることから、式（１）を満たす距離Ｌを見つけることは容易である。つまり、本実施の形態にかかるエアブリッジ構造１００においては、エアブリッジ３の近傍で信号線路１の形状を変えることなく、交差容量が補正されることがわかる。
【００３１】
また、空孔領域１２Ａ，１２Ｂは、上層接地電極１３Ａ，１３Ｂを構成する上層配線層７によって覆われている。すなわち、空孔領域１２Ａ，１２Ｂに元々存在していた接地線路２Ａ，２Ｂが、上層接地電極１３Ａ，１３Ｂとしてコンタクト１１Ａ，１１Ｂにより、空孔領域１２Ａ，１２Ｂの上部の上層配線層７へ持ち上げられたことになる。そのため、空孔領域１２Ａ，１２Ｂに元々存在していた接地線路２Ａ，２Ｂによる働きは上層接地電極１３Ａ，１３Ｂによって代替されている。つまり、ＣＰＷ線路のギャップ（信号線路１と接地線路２Ａ，２Ｂとの間の距離）は、入力端子４と出力端子５との間で実効的に一定に保たれており、空孔領域１２による影響が最小に抑えられていることも理解できる。
【００３２】
［本実施の形態の効果］
このように、本実施の形態は、エアブリッジ構造１００のうち、下層配線層８に、接地線路２Ａ，２Ｂのうち信号線路１を挟んで互いに対向する位置を切り欠いて形成した空孔領域１２Ａ，１２Ｂをそれぞれ設けるとともに、上層配線層７に、空孔領域１２Ａの上部位置に下層配線層８の接地線路２Ａと電気的に接続された上層接地電極１３Ａと、空孔領域１２Ｂの上部位置に下層配線層８の接地線路２Ｂと電気的に接続された上層接地電極１３Ｂとを設け、エアブリッジ３で、上層接地電極１３Ａ，１３Ｂを介して接地線路２Ａ，２Ｂ間を電気的に接続するようにしたものである。
【００３３】
より具体的には、接地線路２Ａのうち空孔領域１２Ａと隣接する位置に、接地線路２Ａと上層接地電極１３Ａとを電気的に接続するためのコンタクト１１Ａを設けるとともに、接地線路２Ｂのうち空孔領域１２Ｂと隣接する位置に、接地線路２Ｂと上層接地電極１３Ｂとを電気的に接続するためのコンタクト１１Ｂを設けたものである。
また、コンタクト１１Ａは、接地線路２Ａのうち空孔領域１２Ａと隣接する位置に、空孔領域１２Ａを取り囲むように形成し、コンタクト１１Ｂは、接地線路２Ｂのうち空孔領域１２Ｂと隣接する位置に、空孔領域１２Ｂを取り囲むように形成したものである。
【００３４】
これにより、ＣＰＷ線路の信号線路１を細線化することなく信号線路１とエアブリッジ３との間に生じる交差容量の影響を抑制することができる。よって、本実施の形態によるエアブリッジ構造１００によれば、エアブリッジ３付近におけるＣＰＷ線路の特性インピーダンスや遅延時間の乱れを抑制することができ、優れたエアブリッジ構造を実現することができる。また、ＣＰＷマイクロストリップ変換による寄生効果など、複雑な回路設計を必要としないことから、複数のエアブリッジを容易に使用することが可能となる。
【００３５】
図５は、複数のエアブリッジ構造を密集配置した例である。前述した本実施の形態によるエアブリッジ構造１００の効果から、図５に示すように、エアブリッジ３を密集させたＣＰＷ線路も特性変動少なく構成できる。高密度のエアブリッジ３は、ＣＰＷ線路から電磁波が放射されるのを防ぐ働きがある。よって、線路から電磁波が放射されやすい高周波ほど本発明によるエアブリッジ構造は有用になる。
【００３６】
図６は、略楕円形状からなる空孔領域を持つエアブリッジ構造の例である。本実施の形態では、空孔領域１２Ａ，１２Ｂが矩形状の切り欠き部から構成されている場合を例として説明したが、この切り欠き部の形状については、矩形状に限定されるものではなく、多角形状、円形状、楕円形状、略円形状、半円形状、略半円形状、半楕円形状、略半楕円形状など、他の形状であってもよい。
【００３７】
また、本実施の形態において、ＣＰＷ線路のうちエアブリッジ構造１００が形成されていない部分における、ＣＰＷ線路上方での信号線路１と接地線路２Ａ，２Ｂとの間の線路間容量をＣａとするとともに、高誘電率基板９内部での信号線路１と接地線路２Ａ，２Ｂとの間の線路間容量をＣｂとし、ＣＰＷ線路のうちエアブリッジ構造１００が形成されている部分における、ＣＰＷ線路上方での信号線路１と接地線路２Ａ，２Ｂとの間および信号線路１とエアブリッジ３との間の線路間容量をＣｃとするとともに、高誘電率基板９内部での信号線路１と接地線路２Ａ，２Ｂとの間の線路間容量をＣｄとし、信号線路１と接地線路２Ａ，２Ｂとの間の距離をＬとした場合、Ｃｃ−Ｃａ（L）＝Ｃｂ−Ｃｄ（L）の式を満足する距離Ｌだけ、エアブリッジ構造１００における信号線路１と接地線路２Ａ，２Ｂとを離して形成するようにしてもよい。
【００３８】
これにより、エアブリッジ構造１００における信号線路１とエアブリッジ３との間の交差容量の影響を完全に取り除くことができ、極めて優れたエアブリッジ構造を実現することができる。
【００３９】
［実施の形態の拡張］
以上、実施形態を参照して本発明を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。本発明の構成や詳細には、本発明のスコープ内で当業者が理解しうる様々な変更をすることができる。
【符号の説明】
【００４０】
１００…エアブリッジ構造、１…信号線路、２Ａ…接地線路（第１の接地線路）、２Ｂ…接地線路（第２の接地線路）、３…エアブリッジ、４…入力端子、５…出力端子、７…上層配線層、８…下層配線装置、９…高誘電率基板、１１Ａ…コンタクト（第１のコンタクト）、１１Ｂ…コンタクト（第２のコンタクト）、１２Ａ…空孔領域（第１の空孔領域）、１２Ｂ…空孔領域（第２の空孔領域）、１３Ａ…上層接地電極（第１の上層接地電極）、１３Ｂ…上層接地電極（第２の上層接地電極）、Ｃａ，Ｃｂ，Ｃｃ，Ｃｄ…線路間容量、Ｌ…距離。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波回路技術に関し、特にコプレーナ線路の接地電極間を接続するためのエアブリッジ構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路等の高誘電率基板上でコプレーナ(以下、ＣＰＷ線路という：Coplanar Waveguide)線路に用いるエアブリッジ構造は、ＣＰＷ線路の接地を良好に行うために不可欠な接続構造である。このＣＰＷ線路は、信号線の両側に２つの接地電極を持つ構造をなしており、これらの接地電極を等電位に保つためは何らかの方法で両者を接続する必要がある。これを行う簡便な方法がエアブリッジ構造である。通常のエアブリッジ構造は、ＣＰＷ線路、すなわち信号線路と接地電極を構成する配線層とは別の配線層で、２つの接地電極間をエアブリッジにより最短距離で接続する接続構造となっている。
【０００３】
このようなエアブリッジ構造では、信号線路とエアブリッジとが交差することから、両者の間に交差容量が生じ、しばしば問題となる。すなわち、エアブリッジは最寄りの接地電極に接続されていることから、信号線路とエアブリッジとの間の交差容量は、信号線に対し並列容量として振舞うことになる。このため、ＣＰＷ線路の特性インピーダンスはエアブリッジの部分で低下し、信号の伝播に遅延を生じさせる。また、局所的な特性インピーダンスの低下に起因して、エアブリッジのある箇所で信号の反射が起こる。
【０００４】
エアブリッジによるこれら作用が集積回路の動作に悪影響を及ぼす可能性がある場合、事前にエアブリッジの影響を考慮した回路設計を行わねばならない。ところが、現実にはエアブリッジが配置位置や個数は回路レイアウトの都合によって決まるため、回路設計の段階で正確に考慮することは困難である。そのため、回路設計とレイアウト作業を交互に行い、エアブリッジの配置を徐々に確定しながら回路設計へ反映する必要性があった。
【０００５】
このようなエアブリッジ構造における課題を解決するため、従来より幾つかの技術が提案されている。第１の従来技術として、配線を微細化することで寄生容量を減らす方法がある。これは、微細なＣＰＷ線路を用いると、エアブリッジの交差容量も必然的に減少させることができるからである。
【０００６】
また、第２の従来技術として、エアブリッジで生じる交差容量を補償する方法が考えられる。その１つとして、エアブリッジのある箇所だけＣＰＷ線路の信号線幅を細くすることで配線のインダクタンス成分を増加させる方法がある（例えば、特許文献１など参照）。配線の特性インピーダンスは、線路単位長さあたりのインダクタンス対容量比の平方根で与えられるため、交差容量の大きさに比例して信号線のインダクタンスを増加させれば特性インピーダンスは一定値に保たれ、信号の反射を防ぐことが可能になる。
【０００７】
また、第３の従来技術として、マイクロストリップ線路を一部導入してエアブリッジを不要にする方法がある。これは、マイクロストリップ線路は接地電極が１つしかなく本質的にエアブリッジが不要であるからである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特許第２５６９６９７号公報
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】相川 他、「モノリシックマイクロ波集積回路」, pp. 51, 電子情報通信学会, ISBN88552-145-9, 1997/01/25
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、このような従来技術では、コプレーナ線路の信号線路とエアブリッジとの交差容量の影響をある程度抑制であるものの、多数のエアブリッジを容易に使用できないという問題点があった。
例えば、第１の従来技術では、線路の微細化が線路損失とのトレードオフとなるため、線路の一部を選んで微細化する必要がある。このとき、ＣＰＷ線路のピッチ変換が必要となり、ピッチ変換に伴う新たな寄生効果を回路設計に反映しておく必要が生じる。また、大電力を扱う回路の場合、線路の微細化は電力定格によって制限があるため、線路の微細化には限界がある。
【００１１】
また、第２の従来技術では、コプレーナ線路における信号の伝播速度が低下してしまう。これは、信号の伝播速度は、伝播定数βにより決定され、その値は線路単位長さあたりのインダクタンス容量積の平方根に反比例するからである。このため、第２の従来技術で特性インピーダンスを補償すると、ＣＰＷ線路の遅延時間がさらに増加してしまう。
また、第３の従来技術では、ＣＰＷマイクロストリップ変換による寄生効果を別途考慮する必要があり（例えば、非特許文献１など参照）、エアブリッジの影響を回路設計に反映させるための設計負担と変わりのない結果となる。
【００１２】
本発明はこのような課題を解決するためのものであり、コプレーナ線路の信号線路とエアブリッジとの交差容量の影響を抑制しつつ、複数のエアブリッジを容易に使用できるエアブリッジ構造を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
このような目的を達成するために、本発明にかかるエアブリッジ構造は、高誘電率基板上に形成された信号線路とこの信号線路を挟んで配置された第１および第２の接地線路とからなるコプレーナ線路を構成する下層配線層と、信号線路の上部を交差して第１および第２の接地線路間を電気的に接続するエアブリッジを構成する上層配線層とを備え、下層配線層は、第１および第２の接地線路のうち信号線路を挟んで互いに対向する位置を切り欠いて形成した第１および第２の空孔領域をそれぞれ有し、上層配線層は、第１の空孔領域の上部位置に下層配線層の第１の接地線路と電気的に接続された第１の上層接地電極と、第２の空孔領域の上部位置に下層配線層の第２の接地線路と電気的に接続された第２の上層接地電極とを有し、エアブリッジで、第１および第２の上層接地電極を介して第１および第２の接地線路間を電気的に接続するようにしたものである。
【００１４】
この際、第１の接地線路のうち第１の空孔領域と隣接する位置に、第１の接地線路と第１の上層接地電極とを電気的に接続するための第１のコンタクトをさらに備え、第２の接地線路のうち第２の空孔領域と隣接する位置に、第２の接地線路と第２の上層接地電極とを電気的に接続するための第２のコンタクトをさらに備えてもよい。
【００１５】
また、第１のコンタクトを、第１の接地線路のうち第１の空孔領域と隣接する位置に、第１の空孔領域を取り囲むように形成し、第２のコンタクトを、第２の接地線路のうち第２の空孔領域と隣接する位置に、第２の空孔領域を取り囲むように形成してもよい。
【００１６】
また、ＣＰＷ線路のうちエアブリッジ構造が形成されていない部分における、ＣＰＷ線路上方での信号線路と第１および第２の接地線路との間の線路間容量をＣａとするとともに、高誘電率基板内部での信号線路と第１および第２の接地線路との間の線路間容量をＣｂとし、ＣＰＷ線路のうちエアブリッジ構造が形成されている部分における、ＣＰＷ線路上方での信号線路と第１および第２の接地線路との間および信号線路とエアブリッジとの間の線路間容量をＣｃとするとともに、高誘電率基板内部での信号線路と第１および第２の接地線路との間の線路間容量をＣｄとし、信号線路と第１および第２の接地線路との間の距離をＬとした場合、Ｃｃ−Ｃａ（L）＝Ｃｂ−Ｃｄ（L）の式を満足する距離Ｌだけ、エアブリッジ構造における信号線路と第１および第２の接地線路とを離して形成してもよい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、ＣＰＷ線路の信号線路を細線化することなく信号線路とエアブリッジとの間に生じる交差容量の影響を抑制することができる。よって、エアブリッジ付近におけるＣＰＷ線路の特性インピーダンスや遅延時間の乱れを抑制することができ、優れたエアブリッジ構造を実現することができる。また、ＣＰＷマイクロストリップ変換による寄生効果など、複雑な回路設計を必要としないことから、複数のエアブリッジを容易に使用することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】一実施の形態にかかるエアブリッジ構造の構成を示す平面図である。
【図２】コプレーナ線路の形状を示す平面図である。
【図３】図１のIII−III断面図である。
【図４】図１のIV−IV断面図である。
【図５】複数のエアブリッジ構造を密集配置した例である。
【図６】略楕円形状からなる空孔領域を持つエアブリッジ構造の例である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
次に、本発明の一実施の形態について図面を参照して説明する。
［エアブリッジ構造］
まず、図１〜図４を参照して、本実施の形態にかかるコプレーナ(以下、ＣＰＷ線路という：Coplanar Waveguide)線路のエアブリッジ構造について説明する。図１は、一実施の形態にかかるエアブリッジ構造の構成を示す平面図である。図２は、コプレーナ線路の形状を示す平面図である。図３は、図１のIII−III断面図である。図４は、図１のIV−IV断面図である。
【００２０】
ＣＰＷ線路は、高誘電率基板９上に形成された、導電膜からなる信号線路１と、この信号線路１を挟んで配置された、導電膜からなる接地線路（第１の接地線路）２Ａおよび接地線路（第２の接地線路）２Ｂとから構成されている。これら信号線路１および接地線路２Ａ，２Ｂの一方の端部からなる入力端子４から入力された高周波信号が、信号線路１および接地線路２Ａ，２Ｂの他方の端部からなる出力端子５から取り出せるようにレイアウトされている。
【００２１】
ＣＰＷ線路のうち、信号線路１および接地線路２Ａ，２Ｂは、高誘電率基板９の表面に位置する下層配線層８によって構成されている。また、ＣＰＷ線路の中央には、信号線路１の上部を交差して接地線路２Ａ，２Ｂ間を電気的に接続する導電部材からなるエアブリッジ３が配置されている。このエアブリッジ３は、導電部材からなるコンタクト１１Ａ，１１Ｂを介して接地線路２Ａ，２Ｂと電気的に接続されている。これらエアブリッジ３およびコンタクト１１Ａ，１１Ｂは、下層配線層８の上部に位置する上層配線層７によって構成されている。
【００２２】
本実施の形態にかかるエアブリッジ構造１００は、このような下層配線層８において、接地線路２Ａ，２Ｂのうち信号線路１を挟んで互いに対向する位置を切り欠いて形成した空孔領域（第１の空孔領域）１２Ａと空孔領域（第２の空孔領域）１２Ｂとをそれぞれ有している。
【００２３】
また、上層配線層７において、空孔領域１２Ａの上部位置に、下層配線層８の接地線路２Ａと電気的に接続された上層接地電極（第１の上層接地電極）１３Ａを有し、空孔領域１２Ｂの上部位置に、下層配線層８の接地線路２Ｂと電気的に接続された上層接地電極（第２の上層接地電極）１３Ｂとを有しており、エアブリッジ３で、上層接地電極１３Ａ，１３Ｂを介して接地線路２Ａ，２Ｂ間を電気的に接続している。
図２の例では、空孔領域１２Ａ，１２Ｂは、接地線路２Ａ，２Ｂのうち信号線路１側の側部を矩形状に切り欠いて形成されている。
【００２４】
上層接地電極１３Ａ，１３Ｂは、上層配線層７のうちエアブリッジ３と同じ高さ位置であって、これら空孔領域１２Ａ，１２Ｂの上部位置に、これら空孔領域１２Ａ，１２Ｂを覆うように配置されている。これら上層接地電極１３Ａ，１３Ｂは、エアブリッジ３とは別個の導電部材で形成した後、エアブリッジ３と電気的に接合してもよく、エアブリッジ３と同一の導電部材で一括形成してもよい。
【００２５】
コンタクト１１Ａ，１１Ｂは、接地線路２Ａ，２Ｂのうち、空孔領域１２Ａ，１２Ｂ、すなわち切り欠き部と隣接する位置に配置されており、上層接地電極１３Ａ，１３Ｂを空孔領域１２Ａ，１２Ｂの上部位置に支持するとともに、下層配線層８の接地線路２Ａ，２Ｂと上層接地電極１３Ａ，１３Ｂの周部とを電気的に接続している。
また、コンタクト１１Ａは、接地線路２Ａのうち空孔領域１２Ａと隣接する位置に、空孔領域１２Ａを取り囲むように形成し、コンタクト１１Ｂは、接地線路２Ｂのうち空孔領域１２Ｂと隣接する位置に、空孔領域１２Ｂを取り囲むように形成してもよい。
これらＣＰＷ線路およびエアブリッジ構造１００については、例えばモノリシックマイクロ波集積回路技術など、既存の半導体製造プロセス技術を用いて製造すればよい。
【００２６】
次に、空孔領域１２Ａ，１２Ｂの作用について詳細に説明する。
図３に示すように、ＣＰＷ線路のうちエアブリッジ構造１００が形成されていないIII−III断面付近では、ＣＰＷ線路上方の容量として、信号線路１と接地線路２Ａ，２Ｂとの間に線路間容量２１（Ｃａ）が生じるとともに、高誘電率基板９内部の容量として、信号線路１と接地線路２Ａ，２Ｂとの間に線路間容量２２（Ｃｂ）が生じる。通常、誘電体基板の比誘電率は、１より少なくとも何倍か大きな値を持つことから、ＣｂはＣａより何倍か大きな値になる。
【００２７】
また、図４に示すように、ＣＰＷ線路のうちエアブリッジ構造１００が形成されているIV−IV断面付近には、信号線路１および接地線路２Ａ，２Ｂのほかに、エアブリッジ３、空孔領域１２Ａ，１２Ｂ、およびコンタクト６が存在する。したがって、IV−IV断面付近では、ＣＰＷ線路上方の容量として、信号線路１と接地線路２Ａ，２Ｂとの間、および信号線路１とエアブリッジ３との間に、線路間容量２３（Ｃｃ）が生じるとともに、高誘電率基板９内部の容量として、信号線路１と接地線路２Ａ，２Ｂとの間に線路間容量２４（Ｃｄ）が生じる。通常、誘電体基板の比誘電率は、１より少なくとも何倍か大きな値を持つことから、ＣｃはＣｄより何倍か大きな値になる。
【００２８】
ここで、ＣａとＣｃとを比較すると、信号線路１とエアブリッジ３との交差部分で生じる交差容量の影響でＣｃはＣａより大きな値を持ち、その交差容量の値は２つの容量の差Ｃｃ−Ｃａで表される。
【００２９】
一方、空孔領域１２の大きさを変えることで、図３の信号線路１と接地線路２Ａ，２Ｂとの距離Ｌは任意の大きさまで増やすことができる。言い換えると、線路間容量Ｃｄは、信号線路１と接地線路２Ａ，２Ｂとの間の距離Ｌの関数で表され、距離Ｌを増加させて線路間容量Ｃｄを減少させることが可能である。この際、線路間容量Ｃａも同時に減少するが、既に述べた誘電率の違いからその変化量は小さい。
【００３０】
したがって、交差容量の影響を取り除くための条件は、次の式（１）を満たす距離Ｌまで、信号線路１と接地線路２Ａ，２Ｂとの間を離せばよいことが分かる。
Ｃｃ−Ｃａ（L）＝Ｃｂ−Ｃｄ（L） …（１）
交差容量が極度に大きい場合を除けば、ＣｃとＣａは、ＣｂやＣｄより小さな値であることから、式（１）を満たす距離Ｌを見つけることは容易である。つまり、本実施の形態にかかるエアブリッジ構造１００においては、エアブリッジ３の近傍で信号線路１の形状を変えることなく、交差容量が補正されることがわかる。
【００３１】
また、空孔領域１２Ａ，１２Ｂは、上層接地電極１３Ａ，１３Ｂを構成する上層配線層７によって覆われている。すなわち、空孔領域１２Ａ，１２Ｂに元々存在していた接地線路２Ａ，２Ｂが、上層接地電極１３Ａ，１３Ｂとしてコンタクト１１Ａ，１１Ｂにより、空孔領域１２Ａ，１２Ｂの上部の上層配線層７へ持ち上げられたことになる。そのため、空孔領域１２Ａ，１２Ｂに元々存在していた接地線路２Ａ，２Ｂによる働きは上層接地電極１３Ａ，１３Ｂによって代替されている。つまり、ＣＰＷ線路のギャップ（信号線路１と接地線路２Ａ，２Ｂとの間の距離）は、入力端子４と出力端子５との間で実効的に一定に保たれており、空孔領域１２による影響が最小に抑えられていることも理解できる。
【００３２】
［本実施の形態の効果］
このように、本実施の形態は、エアブリッジ構造１００のうち、下層配線層８に、接地線路２Ａ，２Ｂのうち信号線路１を挟んで互いに対向する位置を切り欠いて形成した空孔領域１２Ａ，１２Ｂをそれぞれ設けるとともに、上層配線層７に、空孔領域１２Ａの上部位置に下層配線層８の接地線路２Ａと電気的に接続された上層接地電極１３Ａと、空孔領域１２Ｂの上部位置に下層配線層８の接地線路２Ｂと電気的に接続された上層接地電極１３Ｂとを設け、エアブリッジ３で、上層接地電極１３Ａ，１３Ｂを介して接地線路２Ａ，２Ｂ間を電気的に接続するようにしたものである。
【００３３】
より具体的には、接地線路２Ａのうち空孔領域１２Ａと隣接する位置に、接地線路２Ａと上層接地電極１３Ａとを電気的に接続するためのコンタクト１１Ａを設けるとともに、接地線路２Ｂのうち空孔領域１２Ｂと隣接する位置に、接地線路２Ｂと上層接地電極１３Ｂとを電気的に接続するためのコンタクト１１Ｂを設けたものである。
また、コンタクト１１Ａは、接地線路２Ａのうち空孔領域１２Ａと隣接する位置に、空孔領域１２Ａを取り囲むように形成し、コンタクト１１Ｂは、接地線路２Ｂのうち空孔領域１２Ｂと隣接する位置に、空孔領域１２Ｂを取り囲むように形成したものである。
【００３４】
これにより、ＣＰＷ線路の信号線路１を細線化することなく信号線路１とエアブリッジ３との間に生じる交差容量の影響を抑制することができる。よって、本実施の形態によるエアブリッジ構造１００によれば、エアブリッジ３付近におけるＣＰＷ線路の特性インピーダンスや遅延時間の乱れを抑制することができ、優れたエアブリッジ構造を実現することができる。また、ＣＰＷマイクロストリップ変換による寄生効果など、複雑な回路設計を必要としないことから、複数のエアブリッジを容易に使用することが可能となる。
【００３５】
図５は、複数のエアブリッジ構造を密集配置した例である。前述した本実施の形態によるエアブリッジ構造１００の効果から、図５に示すように、エアブリッジ３を密集させたＣＰＷ線路も特性変動少なく構成できる。高密度のエアブリッジ３は、ＣＰＷ線路から電磁波が放射されるのを防ぐ働きがある。よって、線路から電磁波が放射されやすい高周波ほど本発明によるエアブリッジ構造は有用になる。
【００３６】
図６は、略楕円形状からなる空孔領域を持つエアブリッジ構造の例である。本実施の形態では、空孔領域１２Ａ，１２Ｂが矩形状の切り欠き部から構成されている場合を例として説明したが、この切り欠き部の形状については、矩形状に限定されるものではなく、多角形状、円形状、楕円形状、略円形状、半円形状、略半円形状、半楕円形状、略半楕円形状など、他の形状であってもよい。
【００３７】
また、本実施の形態において、ＣＰＷ線路のうちエアブリッジ構造１００が形成されていない部分における、ＣＰＷ線路上方での信号線路１と接地線路２Ａ，２Ｂとの間の線路間容量をＣａとするとともに、高誘電率基板９内部での信号線路１と接地線路２Ａ，２Ｂとの間の線路間容量をＣｂとし、ＣＰＷ線路のうちエアブリッジ構造１００が形成されている部分における、ＣＰＷ線路上方での信号線路１と接地線路２Ａ，２Ｂとの間および信号線路１とエアブリッジ３との間の線路間容量をＣｃとするとともに、高誘電率基板９内部での信号線路１と接地線路２Ａ，２Ｂとの間の線路間容量をＣｄとし、信号線路１と接地線路２Ａ，２Ｂとの間の距離をＬとした場合、Ｃｃ−Ｃａ（L）＝Ｃｂ−Ｃｄ（L）の式を満足する距離Ｌだけ、エアブリッジ構造１００における信号線路１と接地線路２Ａ，２Ｂとを離して形成するようにしてもよい。
【００３８】
これにより、エアブリッジ構造１００における信号線路１とエアブリッジ３との間の交差容量の影響を完全に取り除くことができ、極めて優れたエアブリッジ構造を実現することができる。
【００３９】
［実施の形態の拡張］
以上、実施形態を参照して本発明を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。本発明の構成や詳細には、本発明のスコープ内で当業者が理解しうる様々な変更をすることができる。
【符号の説明】
【００４０】
１００…エアブリッジ構造、１…信号線路、２Ａ…接地線路（第１の接地線路）、２Ｂ…接地線路（第２の接地線路）、３…エアブリッジ、４…入力端子、５…出力端子、７…上層配線層、８…下層配線装置、９…高誘電率基板、１１Ａ…コンタクト（第１のコンタクト）、１１Ｂ…コンタクト（第２のコンタクト）、１２Ａ…空孔領域（第１の空孔領域）、１２Ｂ…空孔領域（第２の空孔領域）、１３Ａ…上層接地電極（第１の上層接地電極）、１３Ｂ…上層接地電極（第２の上層接地電極）、Ｃａ，Ｃｂ，Ｃｃ，Ｃｄ…線路間容量、Ｌ…距離。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高誘電率基板上に形成された信号線路とこの信号線路を挟んで配置された第１および第２の接地線路とからなるコプレーナ線路を構成する下層配線層と、
前記信号線路の上部を交差して前記第１および第２の接地線路間を電気的に接続するエアブリッジを構成する上層配線層とを備え、
前記下層配線層は、前記第１および第２の接地線路のうち前記信号線路を挟んで互いに対向する位置を切り欠いて形成した第１および第２の空孔領域をそれぞれ有し、
前記上層配線層は、前記第１の空孔領域の上部位置に前記下層配線層の前記第１の接地線路と電気的に接続された第１の上層接地電極と、前記第２の空孔領域の上部位置に前記下層配線層の前記第２の接地線路と電気的に接続された第２の上層接地電極とを有し、
前記エアブリッジは、前記第１および第２の上層接地電極を介して前記第１および第２の接地線路間を電気的に接続する
ことを特徴とするエアブリッジ構造。
【請求項２】
請求項１に記載のエアブリッジ構造において、
前記第１の接地線路のうち前記第１の空孔領域と隣接する位置に、前記第１の接地線路と前記第１の上層接地電極とを電気的に接続するための第１のコンタクトをさらに備え、
前記第２の接地線路のうち前記第２の空孔領域と隣接する位置に、前記第２の接地線路と前記第２の上層接地電極とを電気的に接続するための第２のコンタクトをさらに備える
ことを特徴とするエアブリッジ構造。
【請求項３】
請求項２に記載のエアブリッジ構造において、
前記第１のコンタクトは、前記第１の接地線路のうち前記第１の空孔領域と隣接する位置に、前記第１の空孔領域を取り囲むように形成されており、
前記第２のコンタクトは、前記第２の接地線路のうち前記第２の空孔領域と隣接する位置に、前記第２の空孔領域を取り囲むように形成されている
ことを特徴とするエアブリッジ構造。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれか１つに記載のエアブリッジ構造において、
前記コプレーナ線路のうち前記エアブリッジ構造が形成されていない部分における、前記コプレーナ線路上方での前記信号線路と前記第１および第２の接地線路との間の線路間容量をＣａとするとともに、前記高誘電率基板内部での前記信号線路と前記第１および第２の接地線路との間の線路間容量をＣｂとし、前記コプレーナ線路のうち前記エアブリッジ構造が形成されている部分における、前記コプレーナ線路上方での前記信号線路と前記第１および第２の接地線路との間および前記信号線路と前記エアブリッジとの間の線路間容量をＣｃとするとともに、前記高誘電率基板内部での前記信号線路と前記第１および第２の接地線路との間の線路間容量をＣｄとし、前記信号線路と前記第１および第２の接地線路との間の距離をＬとした場合、Ｃｃ−Ｃａ（L）＝Ｃｂ−Ｃｄ（L）の式を満足する距離Ｌだけ、前記エアブリッジ構造における前記信号線路と前記第１および第２の接地線路とが離れて形成されていることを特徴とするエアブリッジ構造。
【請求項１】
高誘電率基板上に形成された信号線路とこの信号線路を挟んで配置された第１および第２の接地線路とからなるコプレーナ線路を構成する下層配線層と、
前記信号線路の上部を交差して前記第１および第２の接地線路間を電気的に接続するエアブリッジを構成する上層配線層とを備え、
前記下層配線層は、前記第１および第２の接地線路のうち前記信号線路を挟んで互いに対向する位置を切り欠いて形成した第１および第２の空孔領域をそれぞれ有し、
前記上層配線層は、前記第１の空孔領域の上部位置に前記下層配線層の前記第１の接地線路と電気的に接続された第１の上層接地電極と、前記第２の空孔領域の上部位置に前記下層配線層の前記第２の接地線路と電気的に接続された第２の上層接地電極とを有し、
前記エアブリッジは、前記第１および第２の上層接地電極を介して前記第１および第２の接地線路間を電気的に接続する
ことを特徴とするエアブリッジ構造。
【請求項２】
請求項１に記載のエアブリッジ構造において、
前記第１の接地線路のうち前記第１の空孔領域と隣接する位置に、前記第１の接地線路と前記第１の上層接地電極とを電気的に接続するための第１のコンタクトをさらに備え、
前記第２の接地線路のうち前記第２の空孔領域と隣接する位置に、前記第２の接地線路と前記第２の上層接地電極とを電気的に接続するための第２のコンタクトをさらに備える
ことを特徴とするエアブリッジ構造。
【請求項３】
請求項２に記載のエアブリッジ構造において、
前記第１のコンタクトは、前記第１の接地線路のうち前記第１の空孔領域と隣接する位置に、前記第１の空孔領域を取り囲むように形成されており、
前記第２のコンタクトは、前記第２の接地線路のうち前記第２の空孔領域と隣接する位置に、前記第２の空孔領域を取り囲むように形成されている
ことを特徴とするエアブリッジ構造。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれか１つに記載のエアブリッジ構造において、
前記コプレーナ線路のうち前記エアブリッジ構造が形成されていない部分における、前記コプレーナ線路上方での前記信号線路と前記第１および第２の接地線路との間の線路間容量をＣａとするとともに、前記高誘電率基板内部での前記信号線路と前記第１および第２の接地線路との間の線路間容量をＣｂとし、前記コプレーナ線路のうち前記エアブリッジ構造が形成されている部分における、前記コプレーナ線路上方での前記信号線路と前記第１および第２の接地線路との間および前記信号線路と前記エアブリッジとの間の線路間容量をＣｃとするとともに、前記高誘電率基板内部での前記信号線路と前記第１および第２の接地線路との間の線路間容量をＣｄとし、前記信号線路と前記第１および第２の接地線路との間の距離をＬとした場合、Ｃｃ−Ｃａ（L）＝Ｃｂ−Ｃｄ（L）の式を満足する距離Ｌだけ、前記エアブリッジ構造における前記信号線路と前記第１および第２の接地線路とが離れて形成されていることを特徴とするエアブリッジ構造。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１２−９０２０７（Ｐ２０１２−９０２０７Ａ）
【公開日】平成２４年５月１０日（２０１２．５．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２３７２０４（Ｐ２０１０−２３７２０４）
【出願日】平成２２年１０月２２日（２０１０．１０．２２）
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）平成２２年度独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構「ナノテク・先端部材実用化研究開発／ナノ構造テラヘルツデバイスによる透過型物体計測技術の研究開発」委託研究、産業技術力強化法第１９条の適用を受ける特許出願
【出願人】（０００００４２２６）日本電信電話株式会社 (13,992)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年５月１０日（２０１２．５．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１０月２２日（２０１０．１０．２２）
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）平成２２年度独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構「ナノテク・先端部材実用化研究開発／ナノ構造テラヘルツデバイスによる透過型物体計測技術の研究開発」委託研究、産業技術力強化法第１９条の適用を受ける特許出願
【出願人】（０００００４２２６）日本電信電話株式会社 (13,992)
【Ｆターム（参考）】
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