【課題】エネルギー変換素子並びにその製造及び動作方法を提供する。
【解決手段】エネルギー変換素子並びにその製造及び動作方法に係り、該エネルギー変換素子は、複数のドーピング領域を含むモノリシック単結晶シリコン層、単結晶シリコン層に内在し、複数のドーピング領域のうち１つのドーピング領域３０にのみ連結された振動体３２、３４、振動体３２、３４に印加される入力信号が経由するＰＮ接合ダイオード（第１ダイオード）、及び振動体３２、３４から出力される信号が経由するＰＮ接合ダイオード（第２ダイオード）を含み、単結晶シリコン層は、内部に密閉された空間６０を含み、振動体３２、３４は、空間６０に備えられてもよい。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングにより微細加工を行った場合に、エッチング残渣が少なく、後工程における信頼性が高い非鉛の圧電体膜素子の製造方法、圧電体膜素子及び圧電体デバイスを提供する。
【解決手段】圧電体膜素子１の製造方法は、基板２上に、組成式（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）ＮｂＯ_３で表されるペロブスカイト構造を有する非鉛のアルカリニオブ酸化物系化合物からなる圧電体膜５を形成する工程と、圧電体膜５を、フッ素系反応ガスを含む雰囲気中で低圧プラズマを用いてエッチングを行う工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 回路の小型化と消費電力の低減が可能な可変容量装置を提供する。
【解決手段】 容量検出回路３１は、可変容量素子２の駆動容量Ｃ1のキャパシタンス値に応じた検出信号Ｓxと、基準となる基準信号Ｓyとを出力する。駆動電圧制御回路２１は、検出信号Ｓxと基準信号Ｓyとを比較し、この比較結果に応じて駆動電圧Ｖcontを制御し、駆動容量Ｃ1を増加または減少させる。駆動容量Ｃ1の一端側には駆動電圧Ｖcontが印加され、他端側には容量検出回路３１の検出用電流回路３３から検出用電流Ｉcontが周期的に入力される。このため、駆動容量Ｃ1が検出用電流回路３３に接続されると、駆動容量Ｃ1のキャパシタンス値と検出用電流Ｉcontの大きさとに応じて、駆動容量Ｃ1の他端側の電圧が上昇し、この電圧に応じた検出信号Ｓxが出力される。 （もっと読む）

【課題】スティッキングによる可変容量素子の動作不良を防ぎ、また、特性ばらつきを抑える。
【解決手段】可変容量素子１は、固定板２と可動板３と誘電体膜８と電極４Ａ，４Ｂ，５Ａ，５Ｂ，６，７Ａ，７Ｂとを備える。電極５Ａ，５Ｂ，７Ａ，７Ｂは対向し、駆動電圧が印加される。誘電体膜８は、電極５Ａ，５Ｂ，７Ａ，７Ｂに対向する領域８Ｃが周囲よりも薄肉で、領域８Ｃを挟むように周囲から突出する２列のストッパ８Ａを備える。ストッパ８Ａの間隔は狭く、可動板３のヤング率は高く、可動板３の厚みは厚く、駆動電圧は低く、ストッパ高さは高いことが望ましい。 （もっと読む）

【課題】基板とＭＥＭＳ素子との間の寄生容量、および基板の反りを抑えたＭＥＭＳ装置を提供する。
【解決手段】
実施の形態のＭＥＭＳ装置は、表面に開口する凹部と凹部内に、絶縁物、エアギャップ、または絶縁物およびエアギャップが形成された基板と、基板上の絶縁層と、絶縁層上に形成された信号線を有するＭＥＭＳ素子とを有し、上記基板の表面に平行な方向の信号線の位置と上記平行な方向の凹部の位置に重なりがある。 （もっと読む）

【課題】 ICないしLSIの標準電源電圧用のトランジスタ構成部分ないしはプロセス技術を活用して高電圧動作電界効果トランジスタを該ICないしLSI中に作りこむ。
【解決手段】 電界効果トランジスタの動作電圧を大きくするために、ゲートを分割してドレインにより近い分割ゲートへドレイン電位により近い電位でかつドレイン電位に応じて変化する電位を供給する手段をとる。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳキャパシタとその制御用集積回路を反りの抑えられた１枚の基板上に有する半導体装置を提供する。
【解決手段】貫通孔を含む貫通孔領域を有する基板と、前記基板の上方のＭＥＭＳキャパシタと、前記ＭＥＭＳキャパシタの下方の前記ＭＥＭＳキャパシタの制御用集積回路とを有する半導体装置を提供する。前記制御用集積回路は、前記基板上のトランジスタを含む。前記ＭＥＭＳキャパシタの真下の前記基板上の領域と前記貫通孔領域とは、少なくとも一部において重なる。 （もっと読む）

【課題】抵抗値の調整が容易な半導体装置及びその製造方法を得る。
【解決手段】シリコン基板上に所定間隔で形成された配線層と、前記シリコン基板上及び前記両配線層上に形成されたパッシベーション膜と、前記両配線間の前記パッシベーション膜上に形成された抵抗体層と、前記抵抗体層上に形成された、各配線層と抵抗体層とを導通する電極層とを備え、前記抵抗体層上に、前記両電極層間における該抵抗体層の平面的な大きさを決める絶縁バリア層を形成した。 （もっと読む）

【課題】 半導体プロセスに対してコンタミの影響のない信号伝送装置の製造方法を提供
する。
【解決手段】 支持基板２上に所定の空隙をもって配置された第１のコイル８と、第１の
コイル８と絶縁層１０を介して対向配置された第２のコイル１１とを形成した後、軟磁性
体を第１のコイル８、第２のコイル１１および絶縁層１０の周囲に形成する。その後、第
１のコイル８および第２のコイルを送信回路３および受信回路４と電気的に接続し、信号
伝送装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】 電気信号により抵抗値を連続的に変化させることが可能な小型の可変抵抗を提供する。
【解決手段】 電極Ｂは電極Ｃと間隙を挟んで対向するように一端が固定されている。電極Ｃにおける電極Ｂとの対向面には複数の突起状の抵抗体ｒが面状に配列されている。電極Ｄは、電極Ｃとの間に絶縁層２０４を挟んで電極Ｃに固定されている。電極Ａは、電極Ｂとの間に絶縁層２０９を挟み、電極Ｄと対向している。電極ＡおよびＤ間には、制御電圧が与えられる。制御電圧を大きくすると、電極ＡおよびＤ間の吸引力が大きくなって電極Ｂが電極Ｃに向かって撓み、電極Ｂと電極Ｃの抵抗体ｒとの接触面積が増加し、電極ＢおよびＣ間の抵抗値が低下する。 （もっと読む）

【課題】寄生ＬＣＲが小さく、小型な可変容量素子を提供する。
【解決手段】可変容量素子は、基板１０に設けられた信号線路１と、前記信号線路１を跨ぐように設けられ、両端が基板１０に対して固定された可動電極３ａ、３ｂ、３ｃと、可動電極３ａ、３ｂ、３ｃの両端のうち少なくとも一端と基板１０との間に設けられる固定容量４ａ、４ｂ、４ｃを有する。 （もっと読む）

【課題】低消費電力のスイッチ及びＥＳＤ保護素子を提供する。
【解決手段】本発明の例に関わるスイッチは、基板１０上に設けられた第１及び第２の電極１１，１２と、第１の電極１１上に設けられたアンカー１４と、アンカー１４に支持され、アンカー１４から第２の電極１２上方まで延在し、導電体が用いられ、第２の電極１２に対して上下方向に動く可動構造１５と、可動構造１５の端部に設けられ、第２の電極上方に配置される接点部１６と、可動構造１５上に設けられ、可動構造１５を構成する材料と応力差を有し、接点部１６を第２の電極１２に向かって反らせる調整膜１８と、可動構造１６の周囲を取り囲むように基板１０上に設けられ、調整膜１８に接触し、駆動電極として機能するキャップ２０と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】高いＱ値を持つ可変容量部を実現して、回路損失を減らすことができる高周波電気素子を提供する。
【解決手段】高周波電気素子である高周波ＭＥＭＳ１は、シリコン基板２と、シリコン基板２上に互いに交差するように形成された高周波信号ライン５とグランドライン４と、高周波信号ライン５とグランドライン４の梁８との交差する部分において高周波信号ライン５とグランドライン４の少なくとも一方に形成され、高周波信号ライン５とグランドライン４が接離方向に相対変位可能に支持される可変容量部１３を構成する誘電体膜８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 可動体の短絡を防止でき、可動電極と固定電極との間の容量値のばらつきを抑制できると共に、可動体の応答性を高める。
【解決手段】 可変容量素子１は、基板２と蓋体１４との間に可動体９を設けることによって形成する。基板２には、可動体９の可動電極１３と対面した位置に固定電極３を設ける。蓋体１４には、可動体９と対面した位置にｐ型高濃度層からなる駆動電極１５を設ける。また、ｐ型高濃度層にはｎ型領域からなる同電位電極１６を設けると共に、同電位電極１６は可動体９に電気的に接続する。さらに、同電位電極１６には可動体９との間に位置して絶縁酸化膜からなるストッパ部１７を設ける。これにより、ストッパ部１７の密着性、平坦性を高めることができると共に、駆動電極１５の寄生容量を小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】ＭＩＭキャパシタの面積を増大させることなく対破壊電圧性を向上でき、スティッキングを防止することができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体基板上に第１の下部電極１２−１、第１の誘電体薄膜１３、第１の上部電極１４が積層されキャパシタが形成されている。第１の接地用電極１５−１および第１の上部電極１４とは配線用電極１６により相互に接続されている。半導体基板上には、第１の下部電極１２−１に接続された第２の下部電極１７が形成され、この第２の下部電極１７は、表面の一部が第２の誘電体薄膜１８で覆われており、残部の表面には複数の突起体２３が形成され、これらの突起体２３の間には突起体２３より高く絶縁体２４が形成される。第２の誘電体薄膜１８上に第２の上部電極１９が積層形成される。この第２の上部電極１９にフレキシブル帯状導体２２の一端が接続される。このフレキシブル帯状導体２２の他端は第１の接地用電極１５−１に接続された第２の接地用電極２１−１に接続されている。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ構造体に対して外部空間からの圧力や振動信号を直接受信できるように構成し、かつ、ＭＥＭＳ構造体と集積回路とを形成した半導体チップをバンプ電極でモジュール基板にフェイスダウン実装することにより、小型化を実現できる技術を提供する。
【解決手段】半導体基板１の一方の面に集積回路が形成され、半導体基板１の他方の面にＭＥＭＳ構造体が形成されている。そして、集積回路上に形成されているバンプ電極ＢＰによって実装基板にフリップチップ接続する構造となっている。このとき、トランスデューサは外部空間に向いた状態で配置できる。このため、トランスデューサが外部空間と直接対話する機能を損なうことなく、半導体装置を小型化することができる。なお、集積回路とＭＥＭＳ構造体とは半導体基板１を貫通する貫通電極２０ａ、２０ｂにより電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】ギャップを更に狭小化することが可能なマイクロエレクトロメカニカルデバイスの構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るマイクロエレクトロメカニカルデバイスにおいては、共振子２２と電極２１が互いに対向し、その対向面には一対の熱酸化膜５、５が形成されて、両熱酸化膜間に狭小化されたギャップを有している。本発明に係るマイクロエレクトロメカニカルデバイスの製造工程においては、共振子２２と電極２１となるＳｉ層に対し、フォトリソグラフィとエッチングを用いた加工を施して、ギャップとなる溝２０を形成した後、該Ｓｉ層に対し、熱酸化処理を施して、溝２０の対向面に一対のＳｉ熱酸化膜５、５を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、少ないチップ部品で給電系の広帯域低インピーダンス化を実現することができる技術を提供する。
【解決手段】メモリＬＳＩ３の動作に応じて、メモリＬＳＩ３の給電系に接続された容量値可変のデカップリングコンデンサ部品５の容量値を動的に制御することにより、少ないチップ部品でメモリＬＳＩ３の給電系の広帯域低インピーダンス化を実現する。 （もっと読む）

【課題】単体でバンドエリミネーション機能を有するフィルタ素子を提供する。
【解決手段】一対の支持部１５によって梁部１６を介して中空に保持された振動部１６と、所定の間隙を介して振動部１６と対向配置された入力電極１１および出力電極１２とを備える。振動部１６は、単一構造からなり、入力電極１１に交流信号が印加されると、ねじれ振動により生じる共振モードと、たわみ振動により生じる共振モードとにより振動する。ねじれ振動により生じる共振モードは、共振周波数ｆ_１と、共振周波数ｆ_１よりも大きな周波数の反共振周波数ｆ_２とを有し、たわみ振動により生じる共振モードは、共振周波数ｆ_１よりも大きな周波数の共振周波数ｆ_３と、共振周波数ｆ_３よりも小さく、かつ共振周波数ｆ_１よりも大きな周波数の反共振周波数ｆ_４とを有する。 （もっと読む）

【課題】 １つの半導体チップに半導体集積回路部分と可動部を有する可動部分とを作り込んだＭＥＭＳ構造を有し、チップの縮小化が可能になると共に動作感知と動作方向検知とが可能になる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＭＥＭＳ部分の可動部１０は、半導体層１３上の梁２８の上に形成される。梁２８は絶縁膜２６及びポリシリコン膜２７から構成され、抵抗等を利用できる。可動部１０は、層間絶縁膜８、１４に形成された凹部６に配置され、下端が梁２８のポリシリコン膜２７に接合され、上端はフリーである。梁２８が形成された部分には空洞７が形成されており、更に梁部分は中空構造になっている。可動部１０は、チップの加速によって応力を受けて先端部が移動する。チップの移動により、可動部１０と各電極９１〜９８との間の空間の距離が変化し、各電極と可動部１０との間の容量の変化を検出することができる。 （もっと読む）