【課題】昇圧の際の消費電流を削減する。
【解決手段】チャージポンプ回路１４が、クロックジェネレータ１２から出力されたクロック信号ＣＬＫ、ＣＬＫＢに同期して動作し、電源電圧Ｖｃｃを昇圧した昇圧電圧Ｖｐｐを出力し、昇圧電圧の電圧値がリミッタ回路１６に設定された設定電圧値Ｖｔｎを超えた場合に、リミッタ回路１６が導通して昇圧電圧Ｖｐｐが設定電圧値Ｖｔｎを超えないように制限し、電流検出回路１８が、リミッタ回路１６を流れる電流Ｖｐｐｉが設定電流値を超えている期間、クロック信号ＣＬＫ、ＣＬＫＢの出力を停止するためのローレベルの停止信号ＣＬＫＥＮをクロックジェネレータ１２へ出力する。 （もっと読む）

【課題】バイナリコードのビット数を増大させてもステップ幅ΔＶＰＧＭのばらつきが少ない電圧制御回路を提供する。
【解決手段】電圧制御回路は、ブースタと、電圧設定部とを備え、電圧設定部は、バイナリコード型設定部とサーモメータ型設定部とを含み、サーモメータ型設定部は、バイナリコード型設定部内のいずれかの抵抗素子とほぼ等しい抵抗を有する複数の抵抗素子を並列に接続した複数の抵抗体と、複数の抵抗体のそれぞれに対応しサーモメータコードにより制御される複数のトランジスタとを含み、複数の抵抗体と該抵抗体に対応する複数のトランジスタとをそれぞれ直列に接続した複数の第２の構造体を互いに並列に接続した構成を有し、サーモメータコードに応じて選択された少なくとも１つのトランジスタに接続された抵抗体に電流を流すことによって帰還抵抗に流れる電流を制御し、ブースタから出力される電圧を段階的に設定する。 （もっと読む）

【課題】ヒューズ素子のレイアウト面積を増大させることなく確実にヒューズを溶断するとともに、ヒューズ銅原子の拡散を防止する防護壁の配線層数を低減する。
【解決手段】ヒューズ（ＦＵ）を複数のメタル配線層のうちの上層のメタル配線層（Ｍ４）の配線を用いて形成する。ヒューズの直上および直下部においては、少なくとも２層の配線層をおいて配線が配置される。上層においては、電源電圧（ＶＤＤ）を伝達する電源線（１０２）をヒューズ直上の防護壁構造の蓋部分として利用する。 （もっと読む）

【課題】一半導体基板上で寄生構造を改良し、昇圧動作起動時に突入電流を十分に抑制でき、常時安定して昇圧動作する高性能なＤＣ−ＤＣコンバータを提供すること。
【解決手段】このＤＣ−ＤＣコンバータの場合、各昇圧用トランジスタＴｒ５〜Ｔｒ８を形成するための各Ｐ−拡散領域部は、それらの全体を囲うように一領域部として配設されたＮ−ウエル領域部により素子分離されていると共に、電源電圧Ｖ_DDの印加されるＰ−型半導体基板上の電荷伝送用トランジスタＴｒ１、Ｔｒ３を形成するためのＮ−拡散領域部から電気的に遮蔽された状態となるため、電源を投入した昇圧動作起動時に各昇圧用トランジスタＴｒ５〜Ｔｒ８の寄生バイポーラ構造に電流トリガが流れても、電源電圧Ｖ_DD用入力端子と入力電圧Ｖ_IN用端子との間で過大電流の流れが阻止される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、少ないチップ部品で給電系の広帯域低インピーダンス化を実現することができる技術を提供する。
【解決手段】メモリＬＳＩ３の動作に応じて、メモリＬＳＩ３の給電系に接続された容量値可変のデカップリングコンデンサ部品５の容量値を動的に制御することにより、少ないチップ部品でメモリＬＳＩ３の給電系の広帯域低インピーダンス化を実現する。 （もっと読む）

【課題】回路の小規模化を図れ、効率的なレイアウトが可能な集積回路装置等の提供。
【解決手段】集積回路装置１０は、第１の方向（Ｄ１）に沿って配置される第１〜第Ｎのデータドライバブロックを含み、第１〜第Ｎのデータドライバブロックの各データドライバブロックは、第１〜第Ｍのサブドライバブロック（ＳＤＢ０〜ＳＤＢ５）を含む。各サブドライバブロック（ＳＤＢ０）は、画像データ（ＩＤ０）を受け、画像データのＤ／Ａ変換を行うＤ／Ａ変換回路（ＤＡＣ０）と、Ｄ／Ａ変換回路の第２の方向（Ｄ２）において第１の方向に沿って配置され、Ｄ／Ａ変換回路を共用する第１〜第Ｌのデータ線駆動回路（ＧＲ０、ＧＧ０、ＧＢ０）を含む。 （もっと読む）

集積回路(10)上のメモリ(14)のための電力供給電圧は、メモリを作動する間、動的に調整される。メモリを作動することは、供給電圧（V_DD1）でメモリに給電することを含む。メモリの作動中、集積回路のテストメモリ(16)は並行して電力を供給される。テストメモリおよびメモリは、各々第１のビットセル構成タイプのビットセルを含む。テストメモリのテストに基づいてメモリを作動させながら、供給電圧の電圧レベルが、調整される（30）。電圧レベルが、メモリの失敗した作動を保証しないだけでなく、供給電圧を正確に最小化した値とみなすように、外部の変化によって調整される。システム及び方法は、いかなる種類ものメモリでも実装されうる。メモリ(14)およびテストメモリ(16)は、分離されるか、または、集積回路上に散在して物理的に実装されうる。
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【課題】負荷状態に関係なく一定周期でチャージポンプの昇圧動作を行う。
【解決手段】チャージポンプ１０を制御するレギュレータ３０は、昇圧クロックの２倍周期の分周クロックを生成する分周回路３１、電圧値が異なる複数の分圧電圧を生成する分圧回路３３、それぞれの分圧電圧と基準電圧とを比較し、複数の比較結果信号を出力する比較回路３４、分周クロックのエッジに同期して各比較結果信号の論理を読み込み、選択信号を出力する選択信号生成回路３５、オンデューティが異なる複数のクロックを出力するＤＵＴＹ変換回路３２、選択信号に基づいて複数のクロックのいづれかまたは"Ｈ"レベルの論理をＰＷＭ信号として選択するセレクタ３６、および分周クロックとＰＷＭ信号とを論理積して直並列切換の制御信号を生成するゲート回路３７を有する。 （もっと読む）

【課題】パッケージング後であっても、端子容量を調整することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】入出力回路１０は、外部ピンと初段回路（入力バッファ２００又は入出力バッファ３００）間の信号配線に接続された端子容量調整回路１００を備え、入力された命令をデコードし端子容量の調整のコマンドを検出するコマンドデコーダ２０と、端子容量を制御するための情報を保持する端子容量調整レジスタ４００を有し端子容量調整レジスタ４００の情報を基に、端子容量調整回路１００の容量値を制御する端子容量制御回路３０を備え、コマンドデコーダ２０からの出力に基づき、端子容量調整レジスタ４００で保持する前記情報が設定される。 （もっと読む）

【課題】 スリムな細長の集積回路装置及びこれを含む電子機器の提供。
【解決手段】集積回路装置１０は、第１及び第２の電源線の間にプッシュプル接続され、チャージポンプ動作によりその接続ノードＮＤに第１及び第２の電源線のいずれかの電圧を出力するための第１及び第２のトランジスタＮＴｒ１、ＰＴｒ１と、接続ノードＮＤと電気的に接続されると共に、その一端に所与の電圧が印加されるフライングコンデンサの他端と電気的に接続されるパッドＰＤとを含む。第１及び第２のトランジスタＮＴｒ１、ＰＴｒ１の少なくとも一方の一部又は全部と重なるように、該第１及び第２のトランジスタＮＴｒ１、ＰＴｒ１の少なくとも一方の上層にパッドＰＤが配置される。 （もっと読む）

【課題】 低電力で動作する半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】 半導体集積回路装置は、論理ブロックと、論理ブロックに供給される電力を制御する電力制御回路と、を含み、電力制御回路は、データ保持モード時に論理ブロックに格納されたデータを保持するのに必要な最小の動作電圧を供給するように構成される。 （もっと読む）

【課題】広範囲の検出結果を得ることが可能な半導体集積回路およびそれを備えた電子機器を提供する。
【解決手段】半導体集積回路１０１は、検出素子Ｘ１の検出結果に基づいて検出素子Ｘ１に電流を出力する第１のトランジスタＭ１と、第１のトランジスタＭ１の出力電流のｎ倍の電流を出力する第２のトランジスタＭ２と、検出素子Ｘ１から受けた電流を検出信号として出力するか、あるいは第２のトランジスタＭ２から受けた電流を検出信号として出力するかを切り替える切り替え回路ＳＷ１とを備える。但し、ｎは０＜ｎ＜１または１＜ｎを満たす実数である。 （もっと読む）

【課題】 多様な機能を搭載する低消費電力型の半導体集積回路を提供すること。
【解決手段】 半導体集積回路の一例として、システムＬＳＩ１は、クリティカルパスを含まない第一回路ブロック４１〜４８と、前記クリティカルパスを含む第二回路ブロック５１〜５４と、第一回路ブロック４１〜４８に第一電源を供給する第一電源配線２５と、第二回路ブロック５１〜５４に前記第一電源に比べて高電圧の第二電源を供給する第二電源配線２６と備え、第二回路ブロック５１〜５４それぞれは、配線領域６１〜６４によって第二電源配線２６と接続され、第二電源が供給される。
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集積回路の静的リークを最小化するため、チャージポンプは、前記集積回路の論理ゲートと縦続接続された「スリープ」トランジスターに印加されるべき負電圧を生成する。適応型リーク制御部は、負電圧を調整し静的リークを最小化するかどうかを連続的又は周期的に決定する。負電圧調整器は、負電圧を当該決定に従い調整する。いくつかの実施例は、前記スリープトランジスターの１つ以上のパラメーターを監視することにより、負電圧を調整するかどうかを決定する。いくつかの実施例は、エミュレートされたスリープトランジスターの１つ以上のパラメーターを監視することにより、負電圧を調整するかどうかを決定する。
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本発明は、ＮＰＮトランジスタを通過する電流を駆動することにより、集積回路内に情報を電気的に、かつ永久的にプログラムするための集積回路に関する。この集積回路は、抵抗器を介して前記ＮＰＮトランジスタに接続された出力端、第１供給電圧に接続可能な供給ポイントおよび前記ＮＰＮトランジスタのプログラミングを制御するための制御入力端を有する第１電流供給回路を備える。更にこの集積回路は前記第１電流供給回路の供給ポイントに接続された出力端と、供給電圧に接続可能な供給ポイントと、前記ＮＰＮトランジスタのプログラミングを制御するための制御入力端を有する少なくとも１つの第２電流供給回路を備える。最後にこの集積回路は、前記ＮＰＮトランジスタをプログラムするのに必要な電圧を前記第１電流供給回路と少なくとも第２電流供給回路の両端に分割するよう設けられた第１電圧レベルコントローラを備える。
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