【課題】半導体集積回路に含まれる終端抵抗の抵抗値を４端子法によって測定をするためには、必要となる端子が増加し、半導体集積回路のチップサイズが増加するという問題がある。そのため、半導体集積回路のチップサイズ増加を抑制しつつ、終端抵抗の抵抗値を高精度で測定可能な半導体集積回路が、望まれる。
【解決手段】半導体集積回路は、第１乃至第４のパッドと、第２のパッドと第４のパッドの間に接続される第１の抵抗と、第３のパッドと第４のパッドの間に接続される第２の抵抗と、第１のパッドと第２のパッドの間に接続される第１のスイッチと、第１のパッド及び第３のパッドを４端子法における電圧測定端子として、第２のパッド及び第４のパッドを４端子法における電流供給端子として、それぞれ使用し第１の抵抗の抵抗値を測定するテストモードへの遷移指示を含む制御信号に基づき、第１のスイッチをオンする制御回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】スキャンチェーンを構成する回路でバーンイン試験を行う際に、シフトモードとキャプチャモードを切り替えるスキャンモードコントロール信号が接続された回路に対してもストレス印加を可能にする半導体テスト回路を提供する。
【解決手段】半導体テスト回路は、シフトモードとキャプチャモードを交互に切り替える内部スキャンモードコントロール信号と、スキャンチェーンのスキャンフリップフロップ回路に供給する内部クロック信号を生成するスキャンチェーン制御信号生成部を備える。スキャンチェーン制御信号生成部は、スキャンフリップフロップ回路の出力を遷移させる内部クロック信号のエッジのタイミングにおいて、内部スキャンモードコントロール信号がシフトモードになるように、内部スキャンモードコントロール信号と内部クロック信号の相互のタイミングを制御する。 （もっと読む）

【課題】
実施形態は、解析が簡便な半導体装置を提供する。
【解決手段】
本実施形態の半導体装置は、内部信号を伝送可能な第１配線１０１と、第１配線１０１
と電気的に接続された測定電極１００と、測定電極１００と隣接するように配置され、内
部信号を計測するときに接地電位ＶＳＳが印加され、内部信号を計測する以外のときに所
望の電圧が印加されたダミー電極１０２，１０３とを備える。
例えば、測定電極１００は、環状に形成されており、ダミー電極は、第１電極１０２と
第２電極１０３とを有し、第１電極１０２は、測定電極１００の内側に形成された空間に
隣接するように配置され、第２電極１０３は、測定電極１００の外側に隣接するように配
置される。 （もっと読む）

【課題】外部端子数の増加を抑えつつ、半導体集積回路のテスト時間を短縮する。
【解決手段】テスト回路は、入力されるリファレンスクロック１０９を逓倍して、テスト対象回路１０６をテスト動作させるための実動作クロック１１２及びサンプリングクロック１０５を生成するＰＬＬ１０８と、入力されるテストコマンドに従い、テスタ同期クロック１０３に同期してテスト対象回路１０６のテスト結果を出力するテスト結果出力回路１０７と、を備えるテスト回路であって、テストコマンドを含むテスト入力信号１０４とサンプリングクロック１０５とに基づきテスタ同期クロック１０３を生成するテスタ同期クロック生成回路１００を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】クロックゲーティング回路を搭載した半導体集積回路の回路規模の増大を抑制しながら、テスト時の消費電力を低減する。
【解決手段】本発明による半導体集積回路は、第１フリップフロップ回路５、第２フリップフロップ回路７、制御回路３、及びクロックゲーティング回路２を具備する。第１フリップフロップ５は、スキャンシフトによって第１データを格納する。第２フリップフロップ７は、スキャンシフトによって第２データを格納する。第３制御回路３は、第１データとスキャンイネーブル信号ＳＭＣとの論理演算結果と、第２データと組合せ回路９からの第１イネーブル信号ＥＮ１との論理演算結果との論理演算結果をゲート制御信号Ｃ１として出力する。クロックゲーティング回路２は、ゲート制御信号Ｃ１に応じて次段のフリップフロップ回路１へのクロック信号ＣＬＫの伝播を制御する。 （もっと読む）

【課題】部品点数を増加させることなく、低コストでかつ効率的に半導体集積回路装置の高信頼性化を実現させる。
【解決手段】ユーザプログラムの実行時において、周期タイマ２からタイマカウンタ信号が出力されると、ＣＰＵコア６，７はＡＳＥメモリ３に格納されたテスト用プログラムを実行し、そのチェック結果をトレースメモリ１１に格納する。デバッグ回路１０は、トレースメモリ１１に格納されたチェック結果のコンペア処理を行い、ＣＰＵコア６，７が正常か否かを判定する。正常の場合、ＣＰＵコア６，７は、再びユーザプログラムを実行する。異常の場合、デバッグ回路１０は、状態信号をシステム停止回路１２に出力する。この状態信号を受けると、システム停止回路１２は、動作制御信号をＣＰＵコア６，７にそれぞれ出力し、半導体集積回路装置１の再起動処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】誤ってテストモードにエントリされたとしても、正常に動作させる。
【解決手段】半導体装置は、内部回路をテストするテスト回路２に対してテストを開始させるテストモードエントリ信号が入力されたことに応じて、内部のラッチ１０をセットすることにより、テスト回路２に対し、テスト回路２の駆動を許可するテストイネーブル信号をラッチ１０から出力するテスト信号発生回路１を備える。テスト信号発生回路１が、ラッチ１０がテストイネーブル信号を出力している場合、テストイネーブル信号を遅延させて、ラッチ１０をリセットするリセット信号を生成するリセット信号生成回路３０と、ラッチ１０がテストイネーブル信号を出力している場合に、外部から供給されるトグル信号に基づいて、リセット信号生成回路３０によるリセット信号を生成する動作を初期化する遅延初期化信号を出力する遅延初期化回路４０と、を有している。 （もっと読む）

【課題】ヒューズ開口部の端部に必ず切断すべきヒューズを配設することにより、レーザー照射後のその切断／未切断をもって、端部のポリイミド膜の膜厚の良否を容易に判定する。
【解決手段】ヒューズ回路は、ヒューズ開口部ＦＡの、ポリイミド膜の厚さが不本意に厚く残りやすい端部に配設された２つの切断確認用ヒューズ１ａ，１ｂと、ポリイミド膜の厚さ変動が端部に比べ少ない領域ＲＡに配設された複数の実使用ヒューズ７ａ〜７ｄと、２つの切断確認用ヒューズ１ａ，１ｂからの信号を入力して当該ヒューズ１ａ，１ｂが確実に切断されているかを判定するヒューズ未切断判定回路２と、を備えている。なお、ヒューズ未切断判定回路２は、更にテストモード信号を入力すると共に、出力回路（例えばＤＱ回路）に判定結果を出力している。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の外部端子としてＴＲＳＴがなくても、論理シミュレーションの際に、タップコントローラのステートを確定する。
【解決手段】タップコントローラ２は、リセット端子（端子ｐ４）を有し、回路部３は、タップコントローラ２における状態遷移を制御するステート制御信号と、クロック信号を入力し、ステート制御信号とクロック信号に応じて、リセット端子ｐ４にリセット信号を供給することで、タップコントローラ２のステートを確定する。 （もっと読む）

【課題】大規模な被測定素子の測定を短時間で行うことができ、且つ、高抵抗状態の短絡不良が発生した場合でも、不良の発生箇所を容易に特定することができるようにする。
【解決手段】直列接続された第１の被評価パターン１０１、及び該第１の評価パターンと隣接して配置された第２の被評価パターン１０２と、第２の被評価パターンとそれぞれ電気的に接続可能に設けられたノード情報伝達回路１０５とを備えている。第１の被評価パターンと第２の被評価パターンとは、互いに対向する領域により被測定素子１０３が構成されている。複数の第１の被評価パターンには、外部から所定の電圧が印加され、第２の被評価パターンとノード情報伝達回路とが電気的に接続されることにより、被測定素子の評価結果である第２の被評価パターンの電位がノード情報伝達回路に入力される。ノード情報伝達回路は入力された第２の被評価パターンの電位を外部へ順次出力する。 （もっと読む）

【課題】テスト時の消費電力を低減することができる半導体集積回路を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる半導体集積回路１００は、フリップフロップＦＦ、制御回路１０及び排他的論理和ブロックを有する。フリップフロップＦＦは、テスト入力Ｔにテストデータ信号ＴＩＮが入力する。排他的論理和ブロック２０は、一方の入力がフリップフロップＦＦのテスト入力Ｔと接続され、他方の入力がフリップフロップＦＦの出力Ｑと接続される。制御回路１０は、排他的論理和ブロック２０の出力ＸＯＲとクロック信号ＣＬＫとが入力し、排他的論理和ブロックの出力ＸＯＲの値に応じてフリップフロップＦＦへのクロック信号ＣＬＫの出力を制御する。 （もっと読む）

【課題】小さな回路規模で複数のパラレルシリアル変換回路を確実にテストすることが可能な半導体集積回路等を提供する。
【解決手段】第１および第２のパラレルシリアル変換回路と、第１および第２のテスト用パラレルデータ列を生成するテスト用パラレルデータ列生成回路と、第１および第２のパラレルシリアル変換回路が変換した第１および第２のシリアルデータビットの一致／不一致を検出する検出回路とを備えた半導体集積回路において、テスト用のパラレルデータ列生成回路が共通のテスト用パラレルデータ列を構成するそれぞれのパラレルデータのビットを第１のビット数だけシフトして第２のテスト用パラレルデータ列を生成するパラレルビットシフト回路を含み、検出回路が第１のシリアルデータと第２のシリアルデータとの一方のビットをシフトして比較回路に入力されるタイミングをそろえるシリアルビットシフト回路とを含む。 （もっと読む）

【課題】故障検査のために観測用フリップフロップ回路を配置することなく，故障検査を可能とする半導体集積回路，その検査方法を提供する。
【解決手段】第2の論理回路51の試験の際に試験モードを示す制御信号TSMが，故障検査用回路41に入力され，この試験モードに対応するテスト値が，論理回路51に入力されると，故障検査用回路41により，論理回路51の出力論理が，論理回路13に対応するフリップフロップ回路14に入力される。さらに，通常モード時に，論理回路13の出力論理が，故障検査用回路41により，論理回路13に対応するフリップフロップ回路14にそのまま入力される。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体チップが積層された構造を有する半導体装置において、パンプ電極ＢＰ＿０に接触せずに、かつ、貫通電極ＴＳＶ＿０の負荷容量を増やさずにテストできる半導体装置１０を提供する。
【解決手段】積層された複数の半導体チップ２１〜２４のそれぞれが、バンプ電極ＢＰ＿０と、テストパッドＰＡＤ＿０と、テストパッドから供給される信号を受け取りバンプ電極に供給するテストバッファＴＤ＿０と、テストバッファの活性状態と非活性状態とを制御する制御信号を供給するバッファ制御部ＢＣとを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路装置の入力端子数よりも少ない端子数のテスタを用いて半導体集積回路装置のテストを行うテスト方法を提供すること。
【解決手段】半導体集積回路装置のテスト方法は、半導体集積回路装置の複数の入力端子とテスタからのテスト信号を受信するテスタ端子とを、多対１に電気的に接続するテストボードを介して、該テスタから該半導体集積回路装置に所定のテストパタン信号を送信する工程と、前記半導体集積回路装置の出力端子から出力された出力信号と、前記所定のテストパタン信号に対応する期待値とを比較して、前記半導体集積回路装置の良否を判定する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ積層後に、チップごとにクラックの有無検出可能な半導体装置の提供。
【解決手段】積層半導体装置において、半導体チップ２１〜２４は、基板１０とこの表裏面の対向する位置に形成した対のテスト端子と配線６１を備える。これらは、一対の（表側）第１のテスト端子６２１ｈ、（裏側）第１のテスト端子６２１ｔ及び複数対の（表側）第２のテスト端子６２２〜６２５ｈ、（裏側）第２のテスト端子６２２〜６２５ｔで、貫通電極ＴＳＶＴ１が（表側）第１のテスト端子と（裏側）第１のテスト端子を接続し、貫通電極ＴＳＶＴ２〜５が対の（表側）第２のテスト端子と（裏側）第２のテスト端子同士を接続し、配線は、一端が第１のテスト端子と、他端が第２のテスト端子の一つに接続され、基板の外周に沿って延びる。また異なる半導体チップの上下に隣接する第２のテスト端子同士も接続する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の出力回路における試験時間を短縮する。
【解決手段】出力端子９に複数並列に接続されるｐＭＯＳ２−１〜２−４、ｎＭＯＳ３−１〜３−４において、各ゲート電極１１〜２６の一端に、選択されるドライブ能力に応じた制御信号が伝搬される制御信号線Ｐ１〜Ｐ４，Ｎ１〜Ｎ４を接続し、他端に試験配線ＯＰ１〜ＯＰ４，ＯＮ１〜ＯＮ４を接続する。これにより、試験配線ＯＰ１〜ＯＰ４，ＯＮ１〜ＯＮ４の信号から、ドライブ能力の切り換えが可能なように回路パターンが形成されているか検査でき、各ドライブ能力に対応する電流負荷を全てテスタで設定して試験するより、試験時間を短縮できる。 （もっと読む）

【課題】ヒューズメモリを利用したトリミングを行う半導体ウェハにおける各半導体チップの回路面積を小さくする。
【解決手段】半導体ウェハ１０におけるシリコン基板上は、複数個のチップ領域ＴＡＲとこの領域ＴＡＲを囲むスクライブ領域ＳＡＲとに区画されている。チップ領域ＴＡＲには、トリミング対象回路１１と、ヒューズ素子Ｆｍ（ｍ＝１〜２Ｍ）と、ヒューズ素子Ｆｍ（ｍ＝１〜２Ｍ）が断線状態であるか否かを検出する検出回路としての役割を果たす定電流源ＩＰｍ（ｍ＝１〜２Ｍ）及びインバータＩＮｍ（ｍ＝１〜２Ｍ）とが形成されている。スクライブ領域ＳＡＲには、制御信号に応じてＯＮ／ＯＦＦが切り換わり、ＯＮとなることによりヒューズ素子Ｆｍ（ｍ＝１〜２Ｍ）を断線させる電流を発生するＮチャネル電界効果トランジスタＴＳｍ（ｍ＝１〜２Ｍ）がある。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体チップの各々の信号端子が共通の外部端子に接続される場合であっても、半導体装置のオープン不良を検出する。
【解決手段】半導体装置は、複数の半導体チップと、外部と接続される電源端子、第１及び第２の外部端子と、を備え、複数の半導体チップのそれぞれは、第１の信号端子（第１の信号パッドＴ１）に供給される信号に基づくクロック信号によって計数を行うカウンタ部４２と、複数の半導体チップの中で自己の半導体チップを固定的に識別し、識別情報を出力する識別情報認識部と、カウンタ部４２の出力と識別情報を比較し、比較した比較結果に基づいて、第２の信号端子（第２の信号パッドＴ２）と電源端子との導通／非導通状態を制御する比較回路４３と、を有し、複数の半導体チップの各々の第１の信号端子は、共通の第１の外部端子に接続され、複数の半導体チップの各々の第２の信号端子は、共通の第２の外部端子に接続される。 （もっと読む）