【課題】システムが要求するスペクトル形状に容易に制御することが可能となるＳＤ−ＯＣＴシステムの駆動制御方法を提供する。
【解決手段】スーパールミネッセントダイオードであるＳＬＤ、および該ＳＬＤを駆動制御する駆動制御手段を有する光源と、
ラインセンサを有する分光器と、を備え、
前記光源から出射され、参照光学系および照射光学系を経由した戻り光を前記分光器で分光処理し、該分光処理により得られた光のスペクトル情報に基づいて光断層画像を取得するＳＤ−ＯＣＴシステムの駆動制御方法であって、
前記駆動制御手段によって、３つ以上の電流値を持つ駆動波形を発生させて該電流値の間を周期的に変動させる際に、その周期を前記ラインセンサが前記スペクトル情報を取得する周期の整数倍として、前記ＳＤ−ＯＣＴシステムが要求するスペクトル形状に制御する。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子と光学素子との高い位置合わせ精度を有し、かつ、半導体発光素子の出射部へのダメージを抑制できる光源モジュールを提供する。
【解決手段】本発明に係る光源モジュール１００は、出射部１１を有する半導体発光素子１０と、出射部１１から出射される光Ｌ１が入射する光学素子２０と、を含み、光学素子２０は、出射部１１を避けて、半導体発光素子１０に接合されている。 （もっと読む）

【課題】効率良く射出し、複数の射出面の間隔が大きい発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１００の第１利得領域１６０は第１面１３０の垂線Ｐに対して一方側に傾いて第１面１３０と接続し、第２利得領域１７０は垂線Ｐに対して他方側に傾いて第１面１３０と接続し、第１利得領域１６０の第１面１３０側の第１端面１８０と、第２利得領域１７０の第１面１３０側の第３端面１８４とは、第１面１３０において重なり、第１利得領域１６０及び第２利得領域１７０は、同じ傾きで第２面１３２と接続する。曲線形状の第１利得部分１６２及び第２利得部分１７２と、直線形状の第３利得部分１６４及び第４利得部分１７４とは、第５利得部分１６６及び第６利得部分１７６を介して接続され、第５利得部分１６６及び第６利得部分１７６と接する場所の絶縁層１１６の屈折率がスロープ形状もしくは階段形状である第１接続部分１４０及び第２接続部分１５０を有する。 （もっと読む）

【課題】射出光量の分布にばらつきが少なく、偏光がそろった発光装置を提供する。
【解決手段】対向する２方向から光を射出する導波路３０と光３４の進行方向を変える光路変更部２０とを発光半導体基板１０に備える。光射出部３１の第１場所及び第２場所には光３４を偏光させる偏光部４０を有し、第１場所と第２場所から射出する光３４はそれぞれ直交した偏光にする。第１場所と第２場所との距離を第１距離とし、隣り合う発光素子の第１場所と第２場所との距離のうち短い方の距離を第２距離とする。第２距離が第１距離より短い距離となるように配置する。また、第１場所及び第２場所の片方に１／２波長板５０を設置する。 （もっと読む）

【課題】複数の光出射部の間隔を大きくすることができ、発光装置がライトバルブの直下に配置された方式のプロジェクターに適用できる発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００は、第１領域１５０と第２領域１６０とは、第１層の側面１３２に設けられる第１反射部１８１，１８３にて接続され、第１領域１５０と第３領域１７０とは、第１層の側面１３３に設けられる第２反射部１８２，１８５にて接続され、第２領域１６０と第３領域１７０とは、出射面となる第１層の側面１３１に接続され、第１領域１５０は、第１領域１５０の長手方向が出射面１３１に対して平行になるように設けられ、出射面１３１において第２領域１６０から出射される第１の光２０と、出射面１３１において第３領域１７０から出射される第２の光２２とは、同じ方向に出射される。 （もっと読む）

【課題】複数の光出射部の間隔を大きくすることができ、発光装置がライトバルブの直下に配置された方式のプロジェクターに適用できる発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００は、電極により得られる光の導波路は、帯状の第１領域１６０および帯状の第２領域１６２を有し、第１領域１６０は曲率を備える第１部分１６２を有し、第２領域１７０は曲率を備える第２部分１７２を有し、第１領域１６０と第２領域１７０とは、第１層の側面１３０に設けられる反射部１８０，１８４にて接続され、反射部１８０，１８４が設けられる側面１３０に対向し、出射面となる第１層の側面１３２において第１領域１６０から出射される第１の光２０と、出射面１３０において第２領域１７０から出射される第２の光２２とは、同じ方向に出射される。 （もっと読む）

【課題】スペックルノイズを低減でき、かつ高出力である新規な発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００は、第１クラッド層１０６と、第１クラッド層１０６の上方に形成された活性層１０８と、活性層１０８の上方に形成された第２クラッド層１１０と、を含み、活性層１０８は、第１側面１０７と、第１側面１０７に平行な第２側面１０９と、を有し、活性層１０８のうちの少なくとも一部は、利得領域１８０を構成し、利得領域１８０は、第１側面１０７側に設けられた第１端面１４０と、第２側面１０９側に設けられた第２端面１４２と、を有し、平面的に見て、第１端面１４０から第２端面１４２まで、第１側面１０７の垂線に対して傾いた方向に向かって延びており、第２端面１０９は、平面的に見て、利得領域１８０の延びている方向に対して直交し、第２端面１０９には、反射部１５０が設けられ、利得領域で生じる光１０の一部は、第２端面１４２に設けられた反射部１５０において反射して、第１端面１４０から出射される。 （もっと読む）

【課題】容易なプロセスで作製することができ、かつ、曲線光導波路の光導波ロスを低減する構造を有する窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】段差１０１ｂを有する基板１０１と、基板上に積層された、ｎ型クラッド層１０２、活性層１０４およびｐ型クラッド層１０７を有する積層構造体とを備え、積層構造体は、曲線の光導波路である曲線光導波路１１を含む光導波路部１０を有し、曲線光導波路１１の近傍であって曲線光導波路１１の曲線の外側領域は、段差１０１ｂの上方に形成されている。 （もっと読む）

【課題】発光効率の高い半導体発光装置を得られるようにする。
【解決手段】半導体発光装置は、基板１の上に形成され、発光層４を含む複数の半導体層からなる積層構造体を備えている。積層構造体は、その上部に設けられたリッジ構造を含む光導波路１４を有し、光導波路１４は、積層構造体の前端面１２から後端面１３まで延伸するように設けられ、積層構造体の前端面１２の法線に対して傾斜して該前端面１２から延伸している直線導波路部１４ａと、積層構造体の後端面１３に垂直に到達する曲線導波路部１４ｂとを含み、曲線導波路部１４ｂは、光導波路１４の中心よりも積層構造体の後端面１３側に形成されている。 （もっと読む）

【課題】発光効率の高い発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００では、第５層は、光を発生させ、かつ光を導波させる層であり、第３層１１４および第４層１１６は、第５層で発生した光を導波させる層であり、第１層１０４および第２層１０６は、第５層で発生した光の漏れを抑制する層であり、第５層で発生した光が伝播する導波路１１９は、第１面１０４ａの垂線方向から平面視して、第１微細壁状部材１１２および第２微細壁状部材１１３と交差し、第１微細壁状部材１１２および第２微細壁状部材１１３の、導波路１１９の延伸方向Ａの長さは、λ／２ｎ_１であり、半導体部材１１８の、導波路１１９の延伸方向Ａの長さは、λ／２ｎ_２である。ただし、λは、第５層で発生する光の波長であり、ｎ_１は、第１微細壁状部材１１２および第２微細壁状部材１１３における有効屈折率であり、ｎ_２は、半導体部材１１８における有効屈折率である。 （もっと読む）

【課題】発光効率の高い発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００では、微細壁状部材１１２，１１３は、第１面１０４ａに隣接した第３層１１４と、第２面１０６ａに隣接した第４層１１６と、第３層１１４と第４層１１６とに挟まれた第５層と、を有し、半導体部材１１８は、微細壁状部材１１２，１１３に挟まれており、第１層１０４および第２層１０６の材質は、ＧａＮであり、第３層１１４、第４層１１６、第５層、および半導体部材１１８の材質は、Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）であり、第５層のｘの値は、第３層１１４のｘの値、第４層１１６のｘの値、および半導体部材１１８のｘの値より大きく、第５層は、光を発生させ、かつ光を導波させる層であり、第３層１１４および第４層１１６は、第５層で発生した光を導波させる層であり、第１層１０４および第２層１０６は、第５層で発生した光の漏れを抑制する層である。 （もっと読む）

【課題】従来よりも簡便な工程により、横モードが安定した窒化物半導体からなる半導体発光素子を製造できるようにする。
【解決手段】半導体発光素子は、第１のクラッド層１１１、活性層１１３及び第２のクラッド層１１６を有する窒化物半導体層１０１と、活性層１１３に選択的に電流を注入する電流ブロック層１２１とを備えている。第２のクラッド層１１６は、ストライプ状のリッジ部１１６ａ有している。電流ブロック層１２１は、リッジ部１１６ａの両側方の領域にそれぞれ形成され、結晶構造を有する酸化亜鉛からなる。 （もっと読む）

【課題】破壊耐性が高く、波長スペクトルの形状を制御することができ、高出力を得ることが可能となるスーパールミネッセントダイオードを提供する。
【解決手段】光導波路を構成する活性層を備え、該光導波路を伝播しながら増幅された自然放出光を、該光導波路の出射側より出力するスーパールミネッセントダイオードであって、
前記光導波路に外部からレーザ光を照射し、前記活性層を励起状態にするためのレーザ光照射手段と、
前記光導波路を伝播する自然放出光の形状を変化させるために構成された、それぞれが異なる波長の光を発光する複数のＬＥＤと、
前記光導波路の出射端面と反対方向の光導波路の端部側の領域に形成された戻り光を減衰するための光吸収領域と、を有している。 （もっと読む）

【課題】ＴＥ／ＴＭ偏光比を高くして光の利用効率を向上できる半導体発光素子を実現し、該半導体発光素子をバックライト光源に用いた、偏光板が不要となる液晶表示装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体発光素子は、基板１０１の上に形成された活性層１０４及び該活性層１０４の上に形成されたリッジ導波路１０７ａを含み、前端面及び後端面の少なくとも一方から光を放射する半導体積層体を有している。リッジ導波路１０７ａは、前端面及び後端面との間に少なくとも１つの非接続部となる溝部１１３を有し、該溝部１１３によって隔たれた複数の導波路部１０７ａ１、１０７ａ２及び１０７ａ３から形成されている。 （もっと読む）

【課題】 屈曲形状の導波路構造によりレーザ発振が抑制されており、かつ低損失で高出力である窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 活性層と、電流狭窄層１０８と、クラッド層とが、前記順序で積層され、
前記電流狭窄層１０８の一部に、開口埋め込み部が形成され、
前記開口埋め込み部は、少なくとも一部が屈曲した導波路形状を有し、かつ、前記クラッド層の少なくとも一部により埋め込まれていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】 ビーム品質を維持しながら、レーザ発振を抑制してインコヒーレントな光を高出力に得ることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体発光素子１００は、光導波路１１５を有し、前記光導波路１１５は、活性層１０４と、第１の端面１１１と、第２の端面１１２とを備え、前記第１の端面１１１は、前記光導波路１１５の一端に設けられ、前記第２の端面１１２は、前記光導波路１１５の他端に設けられ、出射光の波長域における前記第１の端面１１１の光反射率は、１％以下であり、出射光の波長域における前記第２の端面１１２の光反射率は、２０％以上であり、前記活性層１０４は、利得発生領域を有し、前記利得発生領域で発生する利得波長が、不均一であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】小型で且つ大きな出力を得ることが可能な低コヒーレンス光を放射する半導体発光素子を実現できるようにする。
【解決手段】半導体発光素子は、基板１０１の上に形成され、発光層１２４とストライプ状の光導波路１３１とを含み、前端面１０２Ａ側から光を放射する半導体層積層体１０２を備えている。光導波路１３１は、２つの光出射端面を有し且つ互いに間隔をおいて第１の方向に延びる第１の部分１３１Ａ及び第２の方向に延びる第２の部分１３１Ｂと、第１の部分１３１Ａと第２の部分１３１Ｂとを接続する第３の部分１３１Ｃとを含む。光導波路１３１の２つの光出射端は基板１０１の前端面１０２Ａ側に位置し、光導波路１３１の２つの光出射端の法線方向はそれぞれ第１の方向又は第２の方向とずれている。 （もっと読む）

【課題】高出力化および小型化を図ることができる発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１０００では、第１反射面２１２および第３反射面２
３２は、第１出射面１６２ａから第１反射面２１２までの第１出射光Ｌ１の光路長Ｄ１と
、第３出射面１６２ｂから第３反射面２３２までの第３出射光Ｌ３の光路長Ｄ３とが、等
しくなる位置に配置され、第２反射面２２２および第４反射面２４２は、第２出射面１６
４ａから第２反射面２２２までの第２出射光Ｌ２の光路長Ｄ２と、第４出射面１６４ｂか
ら第４反射面２４２までの第４出射光Ｌ４の光路長Ｄ４とが、等しくなる位置に配置され
、第１反射面２１２で反射された第１出射光Ｌ１の進行方向、第２反射面２２２で反射さ
れた第２出射光Ｌ２の進行方向、第３反射面２３２で反射された第３出射光Ｌ３の進行方
向、および第４反射面２４２で反射された第４出射光Ｌ４の進行方向は、同じである。 （もっと読む）

【課題】 出射ビーム形状の対称性が改善されており、かつ、レーザ発振抑制等が可能な端面発光型半導体発光素子を提供する。
【解決手段】
半導体層の一部が光導波路２０２を形成し、
光導波路２０２は、半導体層の主面方向に沿って形成され、光を出射可能な光出射端面２０３を有し、
光導波路２０２の光出射端面２０３近傍部分は、前記主面に垂直な方向から見た場合に、光出射端面２０３に向かって左右いずれかに傾斜した形状を有し、
光導波路２０２の光出射端面２０３近傍部分において、光出射端面２０３に向かって左右方向における光導波路２０２の等価屈折率分布は、光導波路２０２の右端部および左端部の一方が他方よりも前記分布が急峻であり、かつ、
前記分布が急峻な側の端部は、前記主面に垂直な方向から見た場合の傾斜方向と逆側の端部であることを特徴とする端面発光型半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】出射光を反射させる反射部の位置合わせを、高精度で行うことができる発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１０００は、ベース１４０と、ベース１４０の表面１４１に支持され、互いに反対方向に進行する第１出射光Ｌ１および第２出射光Ｌ２を出射する発光素子１００と、ベース１４０に形成された第１凹部１４２の第１内面１４３に支持され、第１出射光Ｌ１を反射させる第１反射部１７０と、ベース１４０に形成された第２凹部１４５の第２内面１４６に支持され、第２出射光Ｌ２を反射させる第２反射部１７４と、を含み、第１反射部１７０は、第１内面１４３に接続する第１開口部１４２の第３内面１４４に接し、第２反射部１７４は、第２内面１４６に接続する第２開口部１４５の第４内面１４７に接し、第１反射部１７０によって反射される第１反射光Ｌ１と、第２反射部１７４によって反射される第２反射光Ｌ２とは、同じ方向に進行する。 （もっと読む）