【課題】光の取出し効率を向上させた発光装置およびその製造方法を得る。
【解決手段】この発明に従った発光装置の製造方法では、まず発光装置を構成する窒化物半導体基板を準備する基板準備工程（Ｓ１０）、窒化物半導体基板の表面において電極を形成するべき領域上に保護膜を形成する保護膜形成工程（Ｓ２０）、保護膜が形成された状態で、窒化物半導体基板の表面に凹凸部を形成する非鏡面化処理工程（Ｓ３０）、加工工程の後、窒化物半導体基板の表面から前記保護膜を除去する保護膜除去工程（Ｓ４０）、窒化物半導体基板の表面において保護膜が除去された部分上に電極を形成する電極形成工程（Ｓ５０）、を実施する。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧が低く、且つ、１μＡでの順方向電圧の時間的な変化量が少なく、信頼性の高いＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造に有用なＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体の製造方法を提供すること。
【解決手段】ｐ型ドーパントを含むＩＩＩ族窒化物半導体の成長終了後降温する際に、該ＩＩＩ族窒化物半導体の（１０−１０）面のＸ線ロッキングカーブ半値幅が４００ａｒｃｓｅｃ以下になるように制御しつつ、成長終了から９０秒以内に窒素源の供給を停止することを特徴とするＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体の製造方法。 （もっと読む）

好適な材料の斜面上においてデバイスの活性層を成長させるステップを含み、斜面はファセット面である、光電子デバイスを加工する方法である。本発明はさらに、ファセット面を加工する方法を開示する。１つの加工プロセスは、好適な材料上におけるエピタキシャル層の成長ステップと、特定の結晶方位を有するファセットを形成するためのマスクによるエピタキシャル層のエッチングステップと、ファセット上における１つ以上の活性層の堆積ステップとを含む。その他の方法は、ファセット面を生成するための横方向拡散技術を用いた材料層の成長ステップと、ファセット面における１つ以上の活性層の堆積ステップとを含む。ファセット面は、典型的には半極性面である。
（もっと読む）

【課題】電源ラインの配線が容易で発光強度の面内均一性が良好な化合物発光素子を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を含んでそれぞれ構成された第１導電型クラッド層、活性層構造、第２導電型クラッド層を有し、前記第１導電型クラッド層と前記第２導電型クラッド層とによって活性層構造が挟まれた発光素子が提供される。発光素子は、第１導電型クラッド層にキャリアを注入する第１導電型側電極７と、第２導電型クラッド層にキャリアを注入する第２導電型側電極６とを備える。第１導電型側電極７は、開口部７ｐを有する。第２導電型側電極６は、第１導電型側電極７によって部分的に取り囲まれる主電極部６−０と、開口７ｐを通して主電極部６−０を第１導電型側電極７の外側に引き出す引出部６−１、６−２とを有する。主電極部６−０は、定幅図形の一部で構成され、主電極部６−０の外縁と第１導電型側電極７の内縁との間の間隔は、ほぼ一定である。 （もっと読む）

【課題】光抽出効率が改良されうる構造を有する窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に順次に積層されたｎ型クラッド層、活性層、およびｐ型クラッド層を備え、前記ｎ型クラッド層は、第１クラッド層と、第２クラッド層と、前記第１クラッド層と前記第２クラッド層との間に配置され、活性層内で発生する光を回折、散乱、または回折および散乱させるものであって、複数のナノ柱配列を含む光抽出層と、を備えることを特徴とする、窒化物半導体発光素子である。 （もっと読む）

【課題】半導体層間の格子歪を適切に緩和することが可能である半導体発光素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板１と、基板１に支持されたｎ−ＧａＮ層２と、ｎ−ＧａＮ層２よりも基板１に対して離間した位置に形成されたｐ−Ｇａｎ層７と、ｎ−Ｇａｎ層２およびｐ−ＧａＮ層７の間に形成されており、かつＩｎＧａＮを含む活性層４と、活性層４とｐ−ＧａＮ層７との間に形成されており、かつＩｎＧａＮを含む昇華防止層５と、昇華防止層５とｐ−ＧａＮ層７とに挟まれており、かつその厚さ方向においてＩｎの組成比が上記第２窒化物半導体層に近づくほど小となるように傾斜させられているＩｎ組成傾斜層６と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】発光効率の向上に有利な半導体部材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体部材の製造方法は、凸部１０ａを有する下地基板１０の凸部１０ａの上に複数の半導体層２１、２２、２３、２４を含む積層構造体２０を形成する積層工程と、積層構造体２０から下地基板１０を除去する除去工程とを含み、積層工程は、凸部１０ａの上に断面において末広がりに第１半導体を２１成長させる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 厚みの薄いｎ型半導体層を備え、発光性に優れた窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る窒化物半導体素子は、少なくともｎ電極、ｎ型半導体層、活性層、ｐ型半導体層を順に備える窒化物半導体素子であって、ｎ型半導体層は、電子濃度が、５×１０¹⁶ｃｍ^-3以上、５×１０¹⁸ｃｍ^-3以下のｎ型不純物ドープＧａＮからなるｎ型ＧａＮコンタクト層と、ｎ型ＧａＮコンタクト層の一方の主面上に設けられたｎ電極と、ｎ型ＧａＮコンタクト層の他方の主面上に設けられ、該ｎ型ＧａＮコンタクト層との界面に電子を蓄積する電子蓄積層を発生させるＡｌ_xＧａ_1-xＮ（０＜ｘ＜１）又はIn_xＧａ_1-xＮ（０＜ｘ＜１）の少なくともいずれか一方からなる発生層とを備える。 （もっと読む）

【課題】光り取り出し面とは逆の面に２つの電極を有する発光ダイオードにおいて、光取り出し効率が高く、高輝度の発光ダイオードを提供することを目的とする。
【解決手段】組成式（Ａｌ_XＧａ_1-X）_YＩｎ_1-YＰ（０≦Ｘ≦１，０＜Ｙ≦１）から成る発光層を含む発光部を有し、該発光部を含む化合物半導体層を透明基板と接合された発光ダイオードである。この発光ダイオードの主たる光取り出し面とは逆の面に第1の電極と、第１の電極と極性の異なる第２の電極とを有し、第１の電極側の表面には反射金属膜が形成され、第２の電極は第１電極と対向する側に露出させた化合物半導体層上の角の位置に形成されている。透明基板の側面は、発光層に近い側では発光層の発光面に対して略垂直である第１の側面と、発光層に遠い側では発光面に対して傾斜している第２の側面からなる。 （もっと読む）

半導体材料の活性領域と、該活性領域の対向する側にある、１対の、半導体材料の、反対極性にドープされた層とを有する発光体構造を備えた固体発光デバイスを提供する。活性領域は、ドープされた層の両端に印加された電気的バイアスに応じて所定の波長で発光する。発光体構造と集積化され、少なくとも１つの希土類または遷移金属元素がドープされた、半導体材料の吸収層が含まれている。吸収層は、活性領域からの発光の少なくともいくらかを吸収し、少なくとも１つの異なる波長の光を再放出する。基板が含まれ、その上に発光体構造と吸収層とが配置されている。
（もっと読む）

【課題】外部量子効率を向上させた半導体発光素子およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体発光素子は、基板１上に設けられ、光を生成する活性層３を含む半導体多層膜と、半導体多層膜上に形成されたｐ電極７と、プラズモン発生層８とを備えている。半導体多層膜のうち少なくとも活性層３を含む部分は、複数の柱状体を構成しており、プラズモン発生層８は各柱状体間を埋めている。プラズモン発生層８は、発光波長における誘電率が負である材料により構成される。複数の柱状体は、周期的に配置されている。 （もっと読む）

【課題】電極による光の遮蔽問題を原理的に完全になくすことができ、しかも界面での全反射も効果的に抑えることのできるIII-V族化合物半導体発光ダイオードを提供すること。
【解決手段】複数の結晶面を有する基板1上にエピタキシャル成長させた成長層に少なくとも障壁層および活性層を有するIII-V族化合物半導体発光ダイオードにおいて、前記成長層が、該成長層の少なくとも前記活性層が面内方向においてバンドギャップエネルギーの異なる複数の結晶面を有し、該複数の結晶面のうち前記バンドギャップエネルギーのより高い結晶面に電流注入のためのオーミック電極4が形成されていることを特徴とするIII-V族化合物半導体発光ダイオードである。 （もっと読む）

【課題】本発明は光取り出し面とは逆の面に２つの電極を有する発光ダイオードにおいて、光の取り出し効率が高く、高輝度の発光ダイオードを提供することを目的とする。
【解決手段】組成式（Ａｌ_XＧａ_1-X）_YＩｎ_1-YＰ（０≦Ｘ≦１，０＜Ｙ≦１）から成る発光層を含む発光部を有し、該発光部を含む化合物半導体層を透明基板と接合された発光ダイオードである。発光ダイオードの主たる光取り出し面とは逆の面に第1の電極と、第１の電極と極性の異なる第２の電極とを有し、第１の電極側の表面には反射金属膜が形成されている。第２の電極は第１の電極と対向する側に露出させた化合物半導体層上に形成されている。透明基板の側面は、発光層に近い側では発光層の発光面に対して略垂直である第１の側面と、発光層に遠い側では発光面に対して傾斜している第２の側面を有している。 （もっと読む）

【課題】基板上にＧａＮ系半導体を形成してなる積層体に導電性基板を接合し、その後積層体側の基板を除去してＧａＮ系半導体発光素子を製造する際に、接合強度を高くできかつ接合界面の抵抗成分も十分に低くできるようにする。
【解決手段】本発明は、ＧａＮ系半導体からなる各層を備えるＧａＮ系半導体発光素子１において、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層のＧａＮ系半導体からなる各層１２が順に積層され、最上層に金属からなる第１の接合層１４を有する積層体１０Ａと、導電性基板３１上に形成されているとともに、その導電性基板３１が形成されている側とは反対側の面が第１の接合層１４と接合しその第１の接合層１４とは実質的に同一物質からなりかつ接合面直方向の結晶方位が互いに同一である第２の接合層３３と、を有するものである。 （もっと読む）

【課題】活性層にＭｇ等の不純物が拡散することなく、結晶性を向上させる窒化物系半導体素子を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体素子は、ｎ−ＧａＮ層１０３と、ｎ−ＧａＮ層１０３上に形成された活性層１０４と、活性層１０４上に、ドーピング濃度５×１０¹⁹〜２×１０²⁰個／cm³でＭｇをドーピングし、９００〜１２００℃の範囲の成長温度で形成された第１のＡｌＧａＮ層１０５と、第１のＡｌＧａＮ層１０５上に、９００〜１２００℃の範囲の成長温度で形成された第２のＡｌＧａＮ層１０６と、第２のＡｌＧａＮ層１０６上に形成された、ｐ−ＧａＮ層１０７とを備える。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオード部品用ハウジングおよび発光ダイオード部品の提供。
【解決手段】具体的に開示されるのは、発光ダイオードチップ用チップ実装部が少なくとも一つ配置され、出力開口１２を有するハウジング穴１１からなる発光ダイオード部品用ハウジングについてである。具体例の１つに従うと、ハウジングは、チップ実装部３３から少なくとも垂直方向に内壁を備え、前記内壁は、横方向にハウジング穴１１を区切り、チップ実装部３３からの最大横方向距離が５００μｍ以下である。さらに具体的に開示されるのは、ハウジング穴１１の両側を横方向に区画するハウジング材１７によって、横方向に覆われる部分領域１３を少なくとも一つ備えるハウジングについてである。さらに、特に、自動車ヘッドライト用の発光ダイオード部品について述べる。 （もっと読む）

【課題】発光素子の光自己吸収を低減し、優れた光取り出し効率を有する発光装置を提供すること。
【解決手段】基板、該基板上にサブマウントを介してまたは介さずに設けられた半導体発光素子、該半導体発光素子を封止するキャップおよび該キャップの周囲に設けられたリフレクターからなり、該キャップは該半導体発光素子の上面と平行な上面および下面を有し、該上面および下面の間隔が該半導体発光素子の最長の対角線または径の１〜３倍である発光装置。 （もっと読む）

【課題】基板材料の制約或いは発光強度低下やばらつき等が生じることなく、発光点ピッチを小さくでき、且つ、発光サイズを小さくすることが可能な発光素子及び発光素子アレイを提供する。
【解決手段】発光層１、発光層１の一方の面側に形成されたｐ型電流拡散層２、発光層の他方の面側に形成されたｎ型電流拡散層３、ｐ型電流拡散層の一部に形成されたｐ型電極４、ｎ型電流拡散層の一部に形成されたｎ型電極５を具備する。そして、ｐ型電極とｎ型電極とを互いに位置をずらして配置し、ｐ型電極とｎ型電極との選択パターンによって発光層２における発光点を制御する。そうすることで、発光点ピッチを小さくでき、発光点サイズを小さくできる。 （もっと読む）

【課題】転位密度が低い窒化物系半導体基板を安価かつ生産性良く製造する方法、及び低転位密度の窒化物系半導体基板、並びに当該基板を用いて形成した発光出力の高い窒化物系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】サファイア基板上に、第１のＧａＮ層を成長速度が５００μｍ／時以下で膜厚が１０μｍ以上になるように成長させた後、第１のＧａＮ層上に、第２のＧａＮ層を成長速度が６００μｍ／時以上で成長させて窒化物系半導体基板を製造し、この基板を用いて、窒化物系半導体発光素子を作製する。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜のエッチングの際に半導体に与える悪影響を低減し、発光部から発生する光を効率的に外部に取り出すことを可能とした半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の発光素子は、発光部を介して第一導電型層と第二導電型層を配してなる積層体と、該積層体上に設けた透明導電性基板とを備え、前記透明導電性基板は、透明基材と、該透明基材上に形成された透明導電膜とから構成され、前記透明導電性基板は、透明導電性高分子を介して、前記透明導電膜側が前記積層体に対向するように配設されていることを特徴とする。 （もっと読む）