電磁ビーム（１９）を主ビーム方向（１５）に放射するアクティブ層（７）と、主ビーム方向（１５）においてアクティブ層（７）の後段に配置されている第１の窒素化合物半導体材料からなる電流拡散層（９）と、主ビーム方向（１５）に放射されたビーム（１９）を出力結合する主面（１４）と、主面（１４）上に配置されている第１のコンタクト層（１１，１２，１３）とを備えた薄膜ＬＥＤにおいて、電流拡散層（９）の横方向導電性が二次元の電子ガスまたはホールガスの形成により高められている。二次元の電子ガスまたはホールガスの形成は有利には、第２の窒素化合物半導体材料からなる少なくとも１つの層（１０）を電流拡散層（９）に埋め込むことによって行われる。
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窒化ガリウム（ＧａＮ）ベースの発光ダイオード（ＬＥＤ）で、光はＬＥＤの窒素面（Ｎ面）（４２）を介して取り出される。また、Ｎ面（４２）の表面は１つ以上の六角形状円錐に粗くされる。表面を粗くすると、ＬＥＤ内部で繰り返し起こる光の反射が減り、そのため、より多くの光をＬＥＤから取り出せる。Ｎ面（４２）の表面は、異方性エッチングによって粗くされる。この異方性エッチングとしては、乾式エッチング、ＰＥＣエッチングが挙げられ得る。
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【課題】ベアチップの周囲のみに蛍光体膜を配した状態で、プリント配線板等に設けられた凹部底部に実装可能な半導体発光装置等を提供すること。
【解決手段】ＳｉＣ基板４の上面に結晶成長によって形成された発光層１４を含む半導体多層膜８〜１８からなるＬＥＤ６ａ，６ｂ，…，６ｃ，６ｄがブリッジ配線３０によって直列に接続されてＬＥＤアレイチップが構成されている。各ＬＥＤ６ａ〜６ｄを覆うように蛍光体膜４８が配されている。ＳｉＣ基板４の下面には、電気的に互いに独立した２個の給電端子３６、３８が形成されていて、直列接続されたＬＥＤ６ａ〜６ｄの内の、低電位側末端のＬＥＤ６ａのカソード電極３２と給電端子３６とがブリッジ配線４０およびスルーホール４２によって接続され、高電位側末端のＬＥＤ６ｄのアノード電極３４と給電端子３８とがブリッジ配線４４およびスルーホール４６によって接続されている。 （もっと読む）

【課題】 量子井戸混合（ＱＷＩ）方法に関し、光半導体デバイス生成時にエネルギーバンドギャップを変更して、ＱＷＩ処理を空間的に制御し、複数のバンドギャップをウエハ上と、デバイスと、基板表面に生成する。
【解決手段】 半導体基板表面の第１領域を、ＱＷＩ開始材料を利用してパターニングし、基板に第１の熱処理サイクルを行い、第１領域に第１のバンドギャップを生成し、基板の表面の、第１領域と異なる第２領域を、ＱＷＩ開始材料を利用してパターニングし、基板に第２の熱処理サイクルを行い、第２領域に第２のバンドギャップを生成し、累積バンドギャップを前記第１領域に生成し、累積バンドギャップでは前記第１および第２熱処理サイクルの結果が累積されている。
さらなる工程で累積バンドギャップを追加する。 （もっと読む）

窒化物半導体発光素子は、対向する一対の主面を有する基板１１と、基板１１の一方の主面上に積層される第１の伝導型窒化物半導体層と、第１の伝導型窒化物半導体層上に積層される第２の伝導型窒化物半導体層と、第１の伝導型窒化物半導体層と第２の伝導型窒化物半導体層との間に形成される活性層１４と、第２の伝導型窒化物半導体層上に形成され、活性層１４から第２の伝導型窒化物半導体層に向かう光を反射させるための反射層１６とを備える。この窒化物半導体発光素子は、上記基板１１の他方の主面を主光取出し面として配線基板に実装可能である。さらに、反射層１６と第２の伝導型窒化物半導体層との間に透光性導電層１７が形成されており、透光性導電層１７と反射層１６との界面に凹凸面２２が形成されている。 （もっと読む）

空洞共振発光素子を製作する方法では、窒化ガリウム種結晶（１４）及び供給源材料（３０）を、多ゾーン炉（５０）内に配設される密封容器（１０）内に配設される窒素含有過熱流体（４４）内に配置する。窒化ガリウム種結晶（１４）上で窒化ガリウム材料を成長させて、単結晶窒化ガリウム基板（１０６、１０６’）が得られる。成長は、窒化ガリウム種結晶（１４）と供給源材料（３０）の間に時間的に変化する熱勾配（１００、１００’、１０２、１０２’）を適用して、この成長の少なくとも一部の間、成長速度を速くすることを含む。単結晶窒化ガリウム基板（１０６、１０６’）上に、第ＩＩＩ族窒化物層のスタック（１１２）を堆積させる。スタック（１１２）は、１以上の空洞共振発光素子（１０８、１５０、１６０、１７０、１８０）が製作されるように適合された第１ミラーサブスタック（１１６）及び活性領域（１２０）を含む。 （もっと読む）

【課題】放熱性と光取出し効率とが改善されると共に、メタルワイヤーの影が被照射面に生じにくい半導体発光装置等を提供すること。
【解決手段】ＬＥＤベアチップ（半導体発光装置）２は、ｐ−ＧａＮ層１２、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ多重量子井戸発光層１４、ｎ−ＧａＮ層１６からなる多層エピタキシャル構造６を有している。ｐ−ＧａＮ層１６にはｐ側電極１８が、ｎ−ＧａＮ層１６にはｎ側電極２０が形成されている。ｐ側電極１８側にあって、多層エピタキシャル構造６を支持すると共に、前記発光層１４からの熱を伝導するＡｕメッキ層４が設けられている。Ａｕメッキ層４は、ポリイミド部材１０を介して、電気的に２分割されている。分割された一方のＡｕメッキ層４Ａは、ｐ側電極１８と接続されアノード給電端子として構成されており、他方のＡｕメッキ層４Ｋは、配線２２を介して接続されカソード給電端子として構成されている。 （もっと読む）

基板上に発光デバイスを製造する方法であり、発光デバイスは、複数のエピタキシャル層および基板の反対側にあるエピタキシャル層上に存在するオーミック接触層を備えるウェーハを有する。本発明による方法は、（ａ）熱伝導性の金属からなる種層をオーミック接触層に付加するステップと、（ｂ）熱伝導性の金属からなる比較的に厚い層を種層上に電気メッキするステップと、（ｃ）基板を除去するステップとを含む。また、それに対応する発光デバイスが、開示される。発光デバイスは、ＧａＮ発光ダイオードまたはＧａＮレーザダイオードである。 （もっと読む）

バンドキャップの大きい無機のヘテロ構造内にエレクトロルミネッセンス層として量子ドットを採用した光電子デバイスが提供される。量子ドットは、デバイスの光学的活性部品として機能し、多重量子ドット層の実施形態では、格子不整合基板を有するヘテロ構造におけるナノスケールのエピタキシャル横方向成長（ＮＥＬＯＧ）を支援する。こうしたデバイスの量子ドットは、光学的に励起されて、フォトルミネッセンスを生じるのとは対照的に、電気的に励起され、エレクトロルミネッセンスを発する。エレクトロルミネッセンスには、本質的に「ストークス損失」が存在しないので、本発明のデバイスは、光学的に励起された量子ドットデバイスより高い効率を有する。さらに、本発明で得られたデバイスによれば、量子ドットの大きさと組成を調製し、製造プロセスを制御することにより、深い緑色の可視光を得ることができるとともに、白色光を含む可視スペクトル中の任意の他の色を得ることができる。

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本発明は高輝度の窒化物マイクロ発光ダイオード（ＬＥＤ）及びその製造方法に関するものである。本発明はマイクロサイズの複数の発光チップ１０を形成し、そのチップ間のギャップをＳｉＯ_２、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＤＢＲ（ＺｒＯ_２／ＳｉＯ_２、ＨｆＯ_２／ＳｉＯ_２）、ポリアミドなどの充填材５で埋め込むと共に、発光チップアレイと充填材の上面１１をＣＭＰ加工により平坦化した後、大面積の透明電極６を形成する。それによって、全ての発光チップが同時に作動するように構成したことを特徴とする高輝度の窒化物マイクロＬＥＤ及びその製造方法を提供する。また、フリップチップ構造を採用してマイクロサイズ発光チップアレイの電極形成の均一度が向上した高輝度の窒化物マイクロＬＥＤを提供する。
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【課題】異なる色の発光素子の組み合わせからなる半導体発光装置において、色むらの低減を図ること。
【解決手段】ＬＥＤチップアレイ（２）は、青色ＬＥＤ（６）と赤色ＬＥＤ（８）を有する。青色ＬＥＤ（６）は、ＳｉＣ基板（４）上に結晶成長によって形成されている。ＳｉＣ基板（４）上には、半導体プロセスによるボンディングパッド（４６）、（４８）が形成されている。赤色ＬＥＤ（８）は、青色ＬＥＤ（６）とは別途に作製され、前記ＳｉＣ基板（４）上の前記ボンディングパッド（４６）、（４８）にフリップチップ実装されている。 （もっと読む）

大型の窒化ガリウム発光ダイオードにおいて熱放散を改善する方法は、サファイアをより良い熱伝導体に代えることにより、結果として熱エネルギをより効果的に除去することを含む。ＧａＮエピタキシャル層と支持ウエハとの間に信頼性があり、強力な仮のボンディングを達成する方法。成長基板から二次基板にエピタキシャル膜を転写する方法。エキシマ・レーザが成長基板からの膜の剥離を開始する。このレーザ・ビームはシャドー・マスクによって成形され、成長基板にある既存のパターンと位置合わせされる。白色スペクトル光を放射するＬＥＤを製造する方法。ダイを分割およびパッケージングする前にＧａＮエピタキシャル・ウエハ上に青色またはＵＶスペクトルを励起後に白色スペクトルを放射する蛍光体。ＧａＮエピタキシャル層上に金属基板を堆積させる方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光効率を高く維持しながら、基板に対して優れた接合性を有する半導体発光装置とその製造方法、およびこれを備える照明装置、さらには表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】このために、本発明に係る半導体発光装置は、発光層を有するものであって、その発光層の出射側に、表面に凹凸構造が設けられた光透過部が形成されているとともに、当該凹凸構造の上にさらに透光性を有した被膜が形成された構成を有することを特徴とする。 （もっと読む）

ｎ型ドーピングされる閉じ込め層（１４）と、ｐ型ドーピングされる閉じ込め層（２２）と、これらのｎ型ドーピングされる閉じ込め層（１４）とｐ型ドーピングされる閉じ込め層（２２）との間に配置され光子を放出する活性層（１８）とを含む層構造を備えた発光半導体素子において、本発明によれば、高い活性ドーピングとシャープなドーピングプロファイルを形成するため、ｎ型ドーピングされる閉じ込め層（１４）は第１のｎ型ドーパント（または互いに異なる２つのｎ型ドーパント）によりドーピングされ、活性層（１８）の層品質を改善させるため活性層（１８）は第１のドーパントとは異なる第２のドーパントによりドーピングされる。
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【課題】 本発明は、１回のワイヤボンディングで済み、位置合わせの容易な実装が可能で、工数の低減につながるチップを作製することを課題とする。
【解決手段】 基板11の一面上に、ｎ型半導体薄膜層13と、活性層と、ｐ型半導体薄膜層17とを積層形成し、このｐ型半導体薄膜層17上面に一方の電極32を基板11の他面上に他方の電極33aを設ける化合物半導体発光素子の製造方法において、基板11の他面側から電極33aと接続されるｎ型半導体薄膜層13に到達する深さの縦穴20を波長が５００ｎｍ以下の短波長レーザを照射して設け、基板11の他面に設けた電極33aとｎ型半導体薄膜層13を縦穴20に形成した導電性材料30を介して電気的に接続し、電極32を基台100の第１のリード電極101に接続し、電極33aを第２のリード電極103にワイヤボンド線104で接続する。 （もっと読む）

ドープ化材料から活性領域内へのドーパントの移動を抑制すべく組成されたドープ化材料、活性領域、およびバリア材料を含むＩＩＩ族窒化物電子素子構造において、当該バリア材料は高Ａｌ含量Ａｌ_ＸＧａ_ｙＮを含み、ここで、ｘ＋ｙ＝１かつｘ≧０．５０である。特定の態様において、ＡｌＮを厚さ約５〜約２００オングストロームの移動／拡散バリア層として用いて、例えばＵＶ−ＬＥＤ光電子素子等のＩＩＩ族窒化物電子素子の活性領域内へのマグネシウムおよび／またはシリコン・ドーパント材料の流入を抑制する。

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発光素子、及び関連部品、システム及び方法を開示する。 （もっと読む）

発光素子、及び関連部品、システム及び方法を開示する。
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【課題】発光効率の良好な赤みを帯びた暖色系の白色の発光装置を提供すること、青色発光素子等と組み合わせて使用する黄から赤領域に発光スペクトルを有する蛍光体を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｂが１ｐｐｍ以上１００００ｐｐｍ以下含まれている、一般式Ｌ_ＸＭ_ＹＮ_{（（２／３）Ｘ＋（４／３）Ｙ）}：Ｒ若しくはＬ_ＸＭ_ＹＯ_ＺＮ_{（（２／３）Ｘ＋（４／３）Ｙ−（２／３）Ｚ）}：Ｒ（Ｌは、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等の群から選ばれる第ＩＩ族元素である。Ｍは、Ｓｉ、Ｇｅ等の群から選ばれる第ＩＶ族元素である。Ｒは、Ｅｕ等の群から選ばれる希土類元素である。Ｘ、Ｙ、Ｚは、０．５≦Ｘ≦３、１．５≦Ｙ≦８、０＜Ｚ≦３である。）で表される窒化物蛍光体。青色発光素子１０からの光の一部を波長変換し、黄から赤色領域にピーク波長を有する前記窒化物蛍光体と、から構成される発光装置。 （もっと読む）

【課題】 電力効率のよい窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】 基板上に、ｎ側コンタクト層、ｎ側クラッド層及びｎ側光ガイド層が積層されたｎ型窒化物半導体層領域と、ｎ側光ガイド層上に形成された窒化物半導体からなる活性層と、その活性層上に形成された、ｐ側光ガイド層、ｐ側クラッド層及びｐ側コンタクト層が積層されたｐ型窒化物半導体層領域とを有し、ｐ側クラッド層を、１０オングストローム以上で１００オングストローム以下の膜厚を有し、Ａｌを含まない窒化物半導体からなる第１の層と、該第１の層と組成が異なりかつ１０オングストローム以上で１００オングストローム以下の膜厚を有し、Ａｌを含む窒化物半導体からなる第２の層とが積層された超格子層とした。 （もっと読む）