【課題】 演色性がよく小型化、経済的な混光発光素子、白色発光装置及びバックライトモジュールを提供する。
【解決手段】 それぞれ波長領域が異なる光を発する２以上の半導体発光層が形成された発光チップと、前記発光チップが発光する光の一部により励起され前記光の波長領域と異なる蛍光を生じさせる励起発光体を備え、前記発光チップの光と前記励起発光体の生じさせる光を混合してそれぞれの光を含んだ混色光を発する。 （もっと読む）

色光源装置が提供される。装置は、フォトニック結晶構造の欠陥により規定される活性領域に対応する光源を含み、フォトニック結晶構造は周期的な構造に基づく。装置は、導波路、第１の電極及び第２の電極を更に含む。第１の電極と第２の電極との間の電気特性を変更することにより活性領域の放射発生を誘導し、放射は、導波路に少なくとも部分的に結合され且つ導波路により導かれる。
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【課題】 光取り出し効率がより大きく改善され、小さい電力で高い発光強度を得ることができる高性能な発光素子を提供する。
【解決手段】 発光層１ａを含むエピタキシャル成長させた窒化ガリウム系化合物半導体層１と、この窒化ガリウム系化合物半導体層１の一方主面１ｂ１の中央部に形成され、発光層１ａを貫通した凹部７と、この凹部７の底部７ａにおいて窒化ガリウム系化合物半導体層１の他方主面１ｃ１側の層に電気的に接続された導電性反射層３と、窒化ガリウム系化合物半導体層１の一方主面１ｂ１の凹部７を除く領域に形成された透光性導電層２とを具備しており、導電性反射層３は、発光層１ａと対抗する側面を有しており、この側面は発光層１ａから入射した光を反射する斜面３ａとなっている発光素子Ｌ１である。 （もっと読む）

本発明は、エネルギバンドギャップが可逆的に変化されることができる半導体装置に関する。本発明の発想は、例えば、相変化材料３０７のような、適切にアドレス指定された場合に体積の可逆的変化を呈する材料３０７と機械的に接触状態にある半導体材料３０６に基づく装置を提供することにある。前記装置は、例えば、発光、スイッチ及びメモリの用途において実施されることができる。前記半導体材料は、前記相変化材料に局所的な体積の変化を生じさせることにより、可逆的に歪まされることができる。前記半導体材料の得られるバンドギャップの変化は、例えばＬＥＤ又はレーザから、発せられる光の色を調整するのに利用されることができる。他の分野の用途においては、半導体接合における接触抵抗が制御されることができ、このフィーチャは、メモリ及びスイッチにおいて非常に有利である。
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【課題】量子ドット層を多数層積層した場合であっても、良好なデバイス特性を実現し得る発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ形半導体より成る基板１０と、基板上に形成され、Ｓ−Ｋモードにより自己形成された三次元成長島より成る量子ドット層１８を複数層積層して成る活性層２０と、活性層上に形成されたｎ形半導体層２２とを有している。ｐ形半導体に活性層が形成されており、活性層上にｎ形半導体が形成されているため、活性層のうちで良質な量子ドットが形成される領域である下層側の領域は、活性層のうちのｐ形半導体に近い領域となる。このため、正孔と電子との発光再結合は、良質な量子ドットが形成されている領域において主に起こることとなる。このため、量子ドット層を多数層積層した場合であっても、良好なデバイス特性を得ることができる。 （もっと読む）

高いフィルファクターを有するテクスチャード発光ダイオード構造体は、エピタキシャル横方向成長（ＥＬＯＧ）によってパターニングされた基板（１）に成膜されたドープＩＩＩ−Ｖ族若しくはドープＩＩ−ＶＩ族化合物半導体又はその合金を含む第１のテクスチャードクラッド／コンタクト層（２）と、ＩＩＩ−Ｖ族若しくはＩＩ−ＶＩ族化合物半導体又はその合金を含み、電子と正孔の放射再結合又はサブバンド間遷移が発生するテクスチャード非ドープ又はテクスチャードドープ活性層（３）と、ドープＩＩＩ−Ｖ族若しくはドープＩＩ−ＶＩ族化合物半導体又はその合金を含む第２のテクスチャードクラッド／コンタクト層（４）と、を含む。
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基板に対して垂直な側壁を備えた複数の半導体フィンガー部材を有する固体発光装置。多量子井戸が側壁上に基板に対して垂直に形成される。各多量子井戸は、フィンガー部材の側壁とフィンガー部材の導電型とは反対の第２半導体部材との間に挟まれる。電圧を受け入れるために、オーミックコンタクトが、フィンガー部材及び第２半導体部材に取り付けられる。装置は、放出された光がＵＶ領域となるようにＧａＮベースである。 （もっと読む）

本発明は、配向されたカーボンナノチューブアレイから形成される層を利用するスピントロニックデバイスと、該デバイスを含むエレクトロニックデバイス（スピンバルブやスピントンネルジャンクション、スピントランジスタ等）とに関する。スピントロニックデバイスは、底部電極と、第一の強磁性層と、ＣＮＴアレイと、第二の強磁性層と、上部電極とを含む。 （もっと読む）

放射線を放出する半導体装置およびかかる装置の製造方法。本発明は、シリコンを含む半導体本体（１）と基板（２）とを備える放射線を放出する半導体装置（１０）であって、半導体本体（１）が絶縁層（７）上に配置された横方向の半導体ダイオードを備え、絶縁層（７）がダイオードを基板（２）から分離する放射線を放出する半導体装置（１０）に関する。横方向の半導体ダイオードは、第１のドーピング濃度を有する第１の導電型の第１の半導体領域（３）と、第１のドーピング濃度よりも低い第２のドーピング濃度を有する第１の導電型または第１の導電型と反対の第２の導電型の第２の半導体領域（４）と、第２のドーピング濃度よりも高い第３のドーピング濃度を有する第２の導電型の第３の半導体領域（５）とを備え、前記第１および第３の半導体領域（３，５）にはそれぞれ接続領域（６，８）が設けられ、動作中、前記第１および第３の半導体領域から前記第２の半導体領域（４）中に注入される荷電粒子の再結合により第２の半導体領域（４）で放射線（Ｓ）が生成される。本発明において、第２の半導体領域（４）は更なる部分（４Ｂ）によって取り囲まれる中央部分（４Ａ）を備え、更なる部分（４Ｂ）のバンドギャップは中央部分（４Ａ）のバンドギャップよりも大きい。このようにすれば、更なる部分（４Ｂ）の価電子帯および伝導帯のバリアに起因して、比較的寿命が長い荷電粒子の非放射再結合中心に向かう並進が制限されるため、中心部分（４Ａ）におけるシリコン等の間接半導体材料で放射線生成率が高められる。更なる部分（４Ｂ）の厚みが小さいために更なる部分（４Ｂ）で量子サイズ効果が生じること、および中央部分（４Ａ）が大きい厚みを有していることために、そのような効果が全く生じないか、或いは実質的に生じないという点で、前記更なる部分（４Ｂ）のバンドギャップが大きく形成されることが好ましい。
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【課題】 従来、サファイア基板を用いてＧａＮを成長させる以上、転位の発生は避けられない。マスク層を用いれば転位が横方向に流れるとはいえ、隣接する領域から横方向に成長してきた半導体層とがぶつかるため、転位を完全になくすことはできない。そのため、より転位が少なく形成された半導体層による優れた特性の窒化化合物系の半導体発光素子が望まれていた。
一方、この活性層は半導体層の表面全面に形成されるため、その面積は半導体層の表面面積よりも大きくすることができず、発光面積が限定されてしまう。そのため、より活性層の面積を大きくした半導体発光素子が望まれていた。
【解決手段】 上記課題を解決するために、本願発明は、二段の半導体層で選択横方向成長させることにより転位の少ない半導体層を得る。また、このような半導体層を利用して発光面積の拡大を図る。 （もっと読む）

本発明は、ＰＮ接合を形成する半導体へテロ構造と導波路とを備えた超発光ダイオード（ＳＬＥＤ）に関する。半導体へテロ構造は、ゲイン領域であって、その活性ゾーンからの誘導放出を含む光放出を発生させるようにＰＮ接合にバイアスをかけるコンタクト手段を備えたゲイン領域、および活性ゾーン内に、それぞれが複数の量子ドットよりなる複数の量子ドット層と、それぞれが量子ドット層の１つに隣接する複数の隣接層とを備えている。少なくとも２つの隣接層の材料組成または堆積パラメータが異なる。これにより放出スペクトル幅が確実に向上する。
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