【課題】発光ダイオードを用いたディスプレイのコストを低減する。
【解決手段】基板と、基板上に設けられた電流供給線３３０および複数の画素電極３２と、複数の画素電極３２の各々の上にランダムに散布された複数の粒子状発光ダイオードと、複数の粒子状発光ダイオードを覆う対向電極とを備えている。電流供給線３３０と画素電極３２の間には、過電流により導通が絶たれるヒューズ部３３１を有している。この結晶性半導体の外周面は、複数の平坦な結晶格子面からなる。活性層は第１半導体の周囲の一部に形成されている。第２半導体は活性層の周囲を覆っている。第１半導体は対向電極と電気的に接続されている。第２半導体は、画素電極３２と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】パターン形成基板を具備した半導体発光素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板、第１導電型窒化物半導体層、活性層及び第２導電型窒化物半導体層を具備した発光素子において、上記基板には一表面上に複数の凸部を有するパターンが形成され、上記パターンは、上記複数の凸部のうちいずれか一つの第一凸部とその隣接した凸部間の離隔距離と、上記複数の凸部のうちいずれか一つの第２凸部とその隣接した凸部間の離隔距離とが相異なって形成されたことを特徴とするパターン形成基板を具備した窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】従来のＧａＮ薄膜は基板から剥離しやすく、ＧａＮ薄膜の結晶性は低下してしまう。そのためＧａＮ薄膜を有する発光素子の発光輝度は低かった。
【解決手段】第１電極と、前記第１の電極に対向する位置に設けられた第２電極と、前記第１電極及び前記第２電極の間に設けられ、前記第１電極及び前記第２電極と電気的に接続された、ＧａＮを含む窒化物半導体からなる発光層と、前記発光層と前記第１電極とに囲まれた空洞部と、を備える発光素子。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオードを用いた光源や照明装置のコストを低減する。
【解決手段】基板３０と、基板３０上に設けられた第１電極３１と、第１電極３１の上にランダムに散布された複数の粒子状発光ダイオード２０と、複数の粒子状発光ダイオード２０を覆う第２電極３２とを備え、複数の粒子状発光ダイオード２０の各々は、ＩＩＩ族−Ｖ族窒化物からなる結晶性半導体からなると共に、第１導電型の第１半導体２１ｎ、活性層２１ｉ、および第２導電型の第２半導体２１ｐからなり、活性層２１ｉは第１半導体２１ｎの周囲の一部に形成されており、第２半導体２１ｐは活性層２１ｉの周囲を覆っており、第１半導体２１ｎは第２電極３２と電気的に接続されており、第２半導体２１ｐは、第１電極３１と電気的に接続されており、結晶性半導体は、外周面が複数の平坦な結晶格子面からなる多面体形状を有している、発光装置。 （もっと読む）

【課題】良好な界面特性をもつ強磁性薄膜、絶縁性薄膜、及び化合物半導体からなる強磁性積層構造を得る。
【解決手段】この磁性体積層構造１０においては、化合物半導体１上に絶縁性薄膜２及び強磁性薄膜３が順次形成されている。絶縁性薄膜２は、蛍石型構造をもつフッ化化合物からなる。強磁性薄膜３は、Ｆｅ又はＦｅＣｏ合金からなる強磁性体である。この強磁性積層構造１０は、強磁性薄膜３から絶縁性薄膜２を通して化合物半導体１にスピン偏極電子が注入されて使用される。例えば、この強磁性積層構造１０をスピンＬＥＤに用い、化合物半導体１を発光層としても用いることができる。この場合には、この構造における各界面の結晶欠陥が少ないために、スピン偏極電子の発光層への高い注入効率が得られるため、高効率のスピンＬＥＤを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】基板の表面を有効に利用すると共に、極性面及び非極性面の両特性を兼ね備える窒化物系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】第１導電型窒化ガリウム系半導体層、活性層及び第２導電型窒化ガリウム系半導体層が支持基体１３上に順に配置されている。表面１３ａのステップ２１における第１及び第２の面２１ａ、２１ｂは、Ｚ軸に対して傾斜しており、また異なる結晶面からなる。窒化ガリウム系半導体領域１５の表面１５ａは複数のステップ２５を有しており、各ステップ２５は主要な構成面して第１の面２５ａ及び第２の面２５ｂを有する。これらの面２５ａ、２５ｂは、Ｚ軸に対して傾斜しており、また互いに異なる結晶面からなる。ステップ２５の配列上に形成された活性層１７の第１及び第２の部分１７ａ、１７ｂは、それぞれ、ステップ２５の面２５ａ、２５ｂ上に成長され、また異なる発光波長の光を発生する。 （もっと読む）

【課題】複数のゲートを有する有機発光トランジスタの構造をより簡素化すること。
【解決手段】基板(1)と、基板上に配置された第１ゲート電極(2)と、基板上に、第１ゲート電極と離間して配置された第２ゲート電極(3)と、第１ゲート電極及び第２ゲート電極の少なくとも一部を覆い、基板上に配置されたゲート絶縁膜(4)と、ゲート絶縁膜上に配置された第１ソース／ドレイン電極(5)と、第１ソース／ドレイン電極の少なくとも一部を覆い、かつ第１ゲート電極及び第２ゲート電極の各々と重畳してゲート絶縁膜上に配置された第１有機半導体層(6)と、第１有機半導体層上に配置された第２ソース／ドレイン電極と、第２ソース／ドレイン電極の少なくとも一部を覆い、かつ第１ゲート電極及び第２ゲート電極の各々と重畳して第１有機半導体層上に配置された第２有機半導体層(8)と、を備える有機発光トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】化学的、物理的に安定であり、使用に際しての外乱要因（例えば熱）に対しても性能が安定しており、更には、トランジスタとしての機能、発光素子としての機能、太陽電池として機能を融合し得る構成、構造を有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】２端子型の電子デバイスは、第１電極３１及び第２電極３２、並びに、第１電極３１と第２電極３２の間に設けられた能動層３３を備え、能動層２０は、保護層で被覆された無機半導体微粒子から構成された複合材料の集合から成り、保護層は、無機半導体微粒子に結合した官能基を一端に有するアルキル鎖、及び、アルキル鎖の他端に結合した有機半導体分子から成り、無機半導体微粒子はｎ型導電性を有し、有機半導体分子はｐ型導電性を有し、能動層２０への光の照射によって電力が生成する。 （もっと読む）

【課題】ピエゾ電界の悪影響を派生問題なく効果的に緩和若しくは最小化する。
【解決手段】各非縦方向成長部４の上面では、ｘｙ平面に平行にｒ面が結晶成長し、これらの個々のｒ面は、側壁面１ｂの近傍に若干のボイド５を形成しつつも、ストライプ溝Ｓを完全に覆い隠すまで結晶成長して、最終的には略一連の平坦面が形成される。この時以下の結晶成長条件下で５０分間、非縦方向成長部４のファセット成長を継続する。このファセット成長の条件設定は、継続的かつ順調なファセット成長を促進する上で重要である。また、下記の結晶成長速度は、ｒ面に垂直な方向の結晶成長速度である。
結晶成長温度 ： ９９０〔℃〕
結晶成長速度 ： ０．８〔μｍ／ｍｉｎ〕
供給ガス流量比（Ｖ／III 比）： ５０００ （もっと読む）

発光デバイス（１０）が、半導体材料からなるボディ（１２）を備える。ボディ内の、第１のドーピング・タイプをもつボディの第１の領域（１２．１）と第２のドーピング・タイプをもつボディの第２の領域（１２．２）との間に、第１の接合領域（１４）が形成される。ボディ内の、ボディの第２の領域（１２．２）と第１のドーピング・タイプをもつボディの第３の領域（１２．３）との間に、第２の接合領域（１６）が形成される。使用の際に、第１の接合領域（１４）に逆バイアスをかけて降伏モードにし、また第２の接合領域（１６）の少なくとも一部（１６．１）に順バイアスをかけて、第１の接合領域（１４）に向かってキャリアを注入するために、端子構成（１８）がボディに接続される。デバイス（１０）は、逆バイアスがかけられた第１の接合領域（１４）に関連する第１の空乏領域（２０）が、順バイアスがかけられた第２の接合領域（１６）に関連する第２の空乏領域にパンチスルーするように構成される。
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【課題】 発光面積が増加することによって光の取り出し効率が向上し、発光の出力も高い発光素子を提供すること。
【解決手段】 発光素子は、上面の端部に傾斜面が形成された基板２０と、基板２０の上面に順次形成された、第１導電型窒化ガリウム系化合物半導体層２１ａ、窒化ガリウム系化合物半導体から成る発光層２２ｂ及び第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層２１ｃを含む半導体層２１とを有する。 （もっと読む）

【課題】 ナノワイヤを用いた発光素子を有し、その側壁発光の基板への入射を簡易な構成により抑制することが可能な発光デバイスを提供する。
【解決手段】 基板１と、基板上に形成された絶縁膜２と、絶縁膜上に形成された第１導電型のＳｉＣ膜３と、ＳｉＣ膜上に形成された、第１導電型の半導体層５と、発光層６と、第２導電型の半導体層７とが順に積層されてなる複数の柱状結晶構造体８と、ＳｉＣ膜上に形成された第１導電型側電極１１と、複数の柱状結晶構造体の上に形成された第２導電型側電極９と、を有する発光素子１００と、を備え、絶縁膜２の屈折率がＳｉＣ膜３の屈折率と異なっており、絶縁膜２の厚さが、発光層６の発光波長を、絶縁膜２の屈折率の３倍以上かつ５倍以下の数値で割った厚さであり、ＳｉＣ膜３の厚さが、発光層６の発光波長を、ＳｉＣ膜３の屈折率の３倍以上かつ５倍以下の数値で割った厚さである。 （もっと読む）

【課題】 光取出し効率の改善された高効率化合物半導体発光ダイオードを提供する。
【解決手段】 量子井戸活性層4および障壁層2、3、5、6は、面内方向において、一つの平坦面と少なくとも二つの傾斜面によって構成されるリッジ構造を備え、第2の障壁層3、量子井戸活性層4、第3の障壁層5の三つの層の前記平坦面部における合計膜厚および前記量子井戸活性層の前記平坦面の横幅がいずれも0.1μm〜1μmであることを特徴とする発光ダイオード。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効果の向上が期待できる光子結晶発光素子を提供すること。
【解決手段】基板と、上記基板上に相互離隔され形成され、第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層が順次に形成されてなる複数のナノロッド発光構造物及び上記第１及び第２導電型半導体層に夫々電気的に連結された第１及び第２電極を含み、上記複数のナノロッド発光構造物は上記活性層から放出された光に対して光子バンドギャップを形成することができる大きさと周期で配列され光子結晶構造をなすことを特徴とする光子結晶発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】格子定数差が大きな半導体基板上にボトムアップ的に制御性よくナノワイヤを作製する。
【解決手段】Ａｕ微粒子１２をＳｉ（１１１）基板１１上に形成し、ＧａＰナノワイヤ１３をＳｉ（１１１）基板１１上に成長させた後、ＩｎＰバッファ層１４をＧａＰナノワイヤ１３上に形成し、さらにＧａＩｎＡｓナノワイヤ１５をＩｎＰバッファ層１４上に成長させた後、ＧａＰナノワイヤ１３、ＩｎＰバッファ層１４およびＧａＩｎＡｓナノワイヤ１５の周囲が覆われるようにＩｎＰキャッピング層１６を形成する。 （もっと読む）

本発明の複数の実施の形態は、表面プラズモン増強による電磁波放射装置および装置の製造方法に関する。本発明の一実施の形態においては、電磁波放射装置（１００）は多層コア（１０６）、金属デバイス層（１０８）、および基板（１０４）を備える。多層コア（１０６）は内層（１１０）および内層の少なくとも一部を囲む外層（１１２）を有する。金属デバイス層（１０８）は外層の少なくとも一部を囲む。基板（１０４）は内層（１１０）と電気通信を行う下部導電層（１１８）および金属デバイス層（１０８）と電気通信を行う上部導電層（１２２）を有し、これにより、適切な電圧が下部導電層および上部導電層間に印加されると、露出部分が表面プラズモン増強による電磁波を放射する。
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【課題】優れた光の取り出し効率を有する半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】本発明は、基板１０上に設けられたＡｌＧａＮ／ＧａＮの多層膜からなる多層反射膜１２と、多層反射膜１２上に設けられたｎ型ＧａＮ層からなる第１半導体層１６と、第１半導体層１６上に設けられた２次元フォトニック結晶構造を有する、ＩｎＧａＮ／ＧａＮのＭＱＷからなる活性層１８と、活性層１８上に設けられた第１半導体層１６と反対の導電型のｐ型ＧａＮ層からなる第２半導体層２０と、第２半導体層２０上に設けられた光出射面２５と、を具備し、活性層１８はフォトニックバンドギャップを有する半導体発光素子である。 （もっと読む）

【課題】
ナノテクノロジー、特にナノスケールでのエレクトロニクス用途に適したナノスケールワイヤ及び関連デバイスをを提供することを目的とする。
【解決手段】
少なくとも10¹²バイト/cm²の密度をもつメモリ素子のアレイを含み、
少なくともひとつのメモリ素子は、自立型バルクドープ半導体を含む物品を含み、該自立型バルクドープ半導体は、500ナノメートル未満の最小幅をもつ少なくとも一つの部分
を含む、
デバイスを使用する。 （もっと読む）

【課題】電子や正孔などの電荷が窒化物半導体ナノカラム内へ効率よく注入できる発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、少なくとも一方が透明又は半透明である一対の電極と、前記一対の電極間に挟まれて設けられた発光層とを備え、前記発光層は、窒化物半導体からなる各カラムの長手方向が前記電極間に互いに平行に延在し、各カラムの平均半径及び間隙がナノサイズである複数のカラムで構成された窒化物半導体ナノカラムと、前記カラムの間隙を埋めるように設けられた電子輸送層とを有し、前記カラムと前記電子輸送層の界面の一部にナノサイズの金属ナノ構造体が析出している。 （もっと読む）

【課題】大面積での面発光が実現可能であり、またリーク電流による消費電力を抑えることを可能とする発光素子、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子は、電子輸送層と、前記電子輸送層と互いに対向すると共に、離間して設けられたホール輸送層と、前記電子輸送層と前記ホール輸送層との間に挟持された複数の半導体微粒子からなる層を有する発光層であって、前記半導体微粒子は、前記電子輸送層又は前記ホール輸送層の互いに対向する少なくとも一方の表面に設けられた溝部に一粒子ずつ格納されている、発光層と、前記電子輸送層に面して設けられ、電気的に接続された第１の電極と、前記ホール輸送層に面して設けられ、電気的に接続された第２の電極と
を備える。 （もっと読む）