【課題】低コストで製造できて、高精細な表示が可能な表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、絶縁性フレキシブル基板１と、絶縁性フレキシブル基板１上に形成され、絶縁性フレキシブル基板１の横方向に沿って延びる複数の行配線２，２，…と、絶縁性フレキシブル基板１上に形成され、絶縁性フレキシブル基板１の縦方向に沿って延びる複数の列配線３，３，…と、絶縁性フレキシブル基板１上にマトリクス状に配置された棒状赤色ＬＥＤ素子６Ａ、棒状緑色ＬＥＤ素子６Ｂおよび棒状青色ＬＥＤ素子６Ｃとを備えている。棒状赤色ＬＥＤ素子６Ａ、棒状緑色ＬＥＤ素子６Ｂおよび棒状青色ＬＥＤ素子６Ｃは、それぞれ、幅に対する長さの比が５以上かつ４００以下であり、かつ、その長さが０．５μｍ以上２００μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】装置への実装の自由度が高くかつ光の取り出し効率が高い微細な棒状構造発光素子を提供する。
【解決手段】サファイア基板１１上に、成長穴１２aを有する成長マスク１２を形成する工程と、成長マスク１２の成長穴１２aにより露出したサファイア基板１１の露出領域上に、ｎ型ＧaＮからなる棒状の半導体コアを形成する工程と、半導体コアの被覆部分を覆うようにｐ型ＧaＮからなる半導体層を形成する半導体層形成工程と、その半導体層形成工程の後、半導体コアの露出部分を露出するように成長マスク１２をエッチングにより除去する成長マスク除去工程と、成長マスク除去工程の後に露出部分および被覆部分を含む半導体コアを、サファイア基板１１から切り離す切り離し工程を備える。上記成長マスク１２の成長穴１２aの内周側かつサファイア基板１１側に、サファイア基板１１側に向かって内径が小さくなるように絞り部１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で電極接続が容易にできる発光効率の高い微細な棒状構造発光素子を提供する。
【解決手段】棒状のｎ型ＧaＮからなる半導体コア１１と、半導体コア１１の一端側の部分を覆わないで露出部分１１aとするように、半導体コア１１の露出部分以外の被覆部分１１bを覆うｐ型ＧaＮからなる半導体層１２とを備える。上記半導体コア１１の半導体層１２に覆われていない露出部分１１aの外周面と、半導体コア１１の半導体層１２に覆われた被覆部分１１bの外周面との間に段差部１１cを設ける。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体デバイスを有する電子的な基板を得るための方法および装置。
【解決手段】ナノワイヤ薄膜が、基板上に形成される。ナノワイヤ薄膜は、動作電流レベルを達成するのに十分なナノワイヤの密度を有するように形成される。複数の半導体領域が、ナノワイヤ薄膜に画定される。コンタクトが、半導体デバイス領域において形成され、それによって、電気的な接続を複数の半導体デバイスに提供する。さらに、ナノワイヤを製造するための様々な材料、ｐ型ドーピングナノワイヤおよびｎ型ドーピングナノワイヤを含む薄膜、ナノワイヤヘテロ構造、発光ナノワイヤヘテロ構造、ナノワイヤを基板上に配置するためのフローマスク、ナノワイヤを成膜するためのナノワイヤ噴霧技術、ナノワイヤにおける電子のフォノン散乱を減少または除去するための技術、および、ナノワイヤにおける表面準位を減少させるための技術が、説明される。 （もっと読む）

【課題】なし
【解決手段】一次元のナノ構造は、約２００ｎｍ未満の均一な直径を有する。“ナノワイヤー”と呼ばれる、かかる新規のナノ構造は、異なる化学的な構成を有する少なくとも２つの単結晶の物質のヘテロ構造と同様に、単結晶のホモ構造を含む。単結晶の物質がヘテロ構造を形成するために使用されるので、結果となるヘテロ構造は、同様に単結晶となるであろう。ナノワイヤーのヘテロ構造は、一般的に、異なる物質を含むワイヤーを生成する、ドーピング及び構成が縦若しくは放射方向の何れかで制御されるか、又は両方向で制御される、半導体ワイヤーに基づく。結果となるナノワイヤーのヘテロ構造の例は、縦のヘテロ構造のナノワイヤー（ＬＯＨＮ）及び共軸のヘテロ構造のナノワイヤー（ＣＯＨＮ）を含む。 （もっと読む）

【課題】セラミック基板上にIII族窒化物系化合物半導体層を接合する。
【解決手段】窒化ガリウム基板１０は、ガリウム極性のｃ面１０_Gaと窒素極性のｃ面１０_Nを有する（１．Ａ）。１０_N側から水素イオンを注入して変質層（変質領域）１９を形成した。変質層（変質領域）１９を有する窒化ガリウム基板１０’は、変質層（変質領域）１９により薄膜部１０ｆと残部である厚膜部１０ｒとに分けられた（１．Ｂ）。セラミック焼結体から成り、表面２０ａの平均粗さが０．１μｍであるセラミック基板２０を用意した（１．Ｃ）。支持基板となるセラミック基板２０−１を加熱と共に加圧接合した（１．Ｄ）。更に加熱して、変質層（変質領域）１９を破壊し、厚膜部１０ｒが分離され、支持基板であるセラミック基板２０とその上に接合した厚さ薄膜部１０ｆの構成の、ウエハ（テンプレート基板）１００が得られた。 （もっと読む）

【課題】改善された発光効率を有する発光ダイオードチップを提供する。
【解決手段】発光ダイオード（ＬＥＤ）チップ１００は、基板１０１と、上記基板上に順次積層された第１導電型半導体層（ｎ型半導体層）１０３、活性層１０５及び第２導電型半導体層（ｐ型半導体層）１０７を備える発光構造物とを含み、上記基板の長さをＬとし上記基板の幅をＷとする場合、Ｌ／Ｗ＞１０である。さらに、ｐ型半導体層上にｐ側電極１０８を含み、ｎ型半導体層上にはｎ側電極１１０を含む。第１導電型半導体層（ｎ型半導体層）１０３、活性層１０５及び第２導電型半導体層（ｐ型半導体層）１０７は発光構造物１５０を構成している。ｎ側電極１１０はＬＥＤチップの長さＬ方向に延長された直線状の２つのライン部１１１とこれらを連結するパッド部１１２で構成することができる。 （もっと読む）

【課題】電流狭窄構造内におけるフォトニック結晶構造形成領域で発光した光を効率良く取り出し、輝度が高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１Ａを、基板１と、基板１の片面に形成されたＧａＮ半導体層２と、ＧａＮ半導体層２の表層部分に高エネルギを照射することによって形成された電流注入阻止層３と、電流注入阻止層３の内端部をもって形成された電流狭窄構造４と、ＧａＮ半導体層２の表面に形成された透明導電膜５と、透明導電膜５の表面からＧａＮ半導体層２の内部にまで形成された微細な凹凸の規則的な集合からなるフォトニック結晶構造形成領域６と、透明導電膜５の表面を覆う絶縁膜７と、絶縁膜７の開口部に形成され、ＧａＮ半導体層２のｎ型クラッド層及びｐ型クラッド層にそれぞれ接続されたｎ側電極８及びｐ側電極９をもって構成する。 （もっと読む）

第１及び第２の半導体層（１４、１６）と、半導体層（１４、１６）の間の発光層（１８）とが配列されて発光ダイオードを形成し、一方の半導体層にあるギャップと、ギャップの内部に位置するメタルと、を有し、メタルは、発光層に十分に近接して、メタルと発光層との間の表面プラズモンカップリングを可能とする発光装置。

（もっと読む）

【課題】ＥＬ発光パターンを改善することにより、発光効率を向上させることが可能な窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体レーザ素子１００（窒化物半導体素子）は、ｍ面に対してａ軸方向にオフ角度を有する面を成長主面１０ａとするｎ型ＧａＮ基板１０と、ｎ型ＧａＮ基板１０の成長主面１０ａ上に形成された窒化物半導体層２０とを備えている。上記ｎ型ＧａＮ基板１０は、成長主面１０ａから厚み方向に掘り込まれた凹部２（掘り込み領域３）と、掘り込まれていない領域である非掘り込み領域４とを含んでいる。また、ｎ型ＧａＮ基板１０上に形成された窒化物半導体層２０は、凹部２（掘り込み領域３）に近づくにしたがって層厚が傾斜的に減少する層厚傾斜領域５と、層厚変動の非常に小さい発光部形成領域６とを有している。そして、上記発光部形成領域６にリッジ部２８が形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、片面光バンドギャップを備えた発光デバイスおよび導波体デバイスを提供する。
【解決手段】発光デバイスは、高濃度ドープシリコン（Ｓｉ）下部電極と、下部電極の上に配置された、Ｓｉナノ粒子が埋め込まれたＳｉ含有誘電体層とによって構成されている。透明酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）上部電極がＳｉ含有誘電体層の上に配置されており、光バンドギャップ（ＰＢＧ）ブラッグ反射器がＳｉ下部電極の下に配置されている。ＰＢＧブラッグ反射器は、異なる屈折率を有する２つの膜からなる周期的な二層膜を少なくとも１つ含んでいる。片面光バンドギャップ平面導波体のインターフェースは、平面導波体、および、平面導波体の下に配置されたＰＢＧ反射器によって構成されている。 （もっと読む）

【課題】発光効率を向上させつつ多様な発光プロファイルを実現する構造体を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、活性層１６を有する。活性層１６は、Ｉｎ_ｘＧａ_yＡｌ_{１−（x＋y）}Ｎ（０≦x，y≦１、０≦x＋y≦１）から構成されている。活性層１６は、第一の障壁層２３と、第一の障壁層２３に積層され、島状の孔２９が設けられた第二の障壁層２４と、島状の孔２９に埋め込まれた第一の井戸層２５と、第二の障壁層２４の上面に積層されている第二の井戸層２６と、第一及び第二の井戸層２５、２６の上面に積層された第三の障壁層２７と、を備える。第一の井戸層２５及び第二の井戸層２６が、いずれもインジウムを含む。 （もっと読む）

【課題】 印加する電界の強度変化に対して発光波長の変化が小さい発光素子を提供する。
【解決手段】 発光素子は、障壁層２ａ１と量子井戸層２ａ２とが積層された発光層２ａと、発光層２ａの主面上に設けられた第１導電型の半導体層２ｂと、第１導電型の半導体層２ｂが設けられた主面と同一の主面上に設けられ、第１導電型の半導体層２ｂとともに発光層２ａを発光させる第２導電型の半導体層２ｃと、を具備する。 （もっと読む）

【課題】 量子もつれあい光子対を発生させ、効率よく取り出すことが可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 半導体発光素子１は、超伝導の第１電極１３と絶縁層１４とに跨って埋め込まれた第１半導体層１７と、第１半導体層１７と接するとともに、絶縁層１４と超伝導の第２電極１５とに跨って埋め込まれた第２半導体層１８と、第１半導体層１７と第２半導体層１８との接合面に設けられた半導体量子ドット領域１９とを備えている。第１電極１１と第２電極１６との間に順バイアス電圧を印加することによって、量子ドット領域１９に、超電導の第１電極１３から電子クーパ対が注入されるとともに超伝導の第２電極１５から正孔クーパ対が注入され、電子クーパ対と正孔クーパ対との再結合により量子もつれあい光子対が発生する。発生した光子対は開口部２０のみから効率よく取り出せる。 （もっと読む）

【課題】なし
【解決手段】一次元のナノ構造は、約２００ｎｍ未満の均一な直径を有する。“ナノワイヤー”と呼ばれる、かかる新規のナノ構造は、異なる化学的な構成を有する少なくとも２つの単結晶の物質のヘテロ構造と同様に、単結晶のホモ構造を含む。単結晶の物質がヘテロ構造を形成するために使用されるので、結果となるヘテロ構造は、同様に単結晶となるであろう。ナノワイヤーのヘテロ構造は、一般的に、異なる物質を含むワイヤーを生成する、ドーピング及び構成が縦若しくは放射方向の何れかで制御されるか、又は両方向で制御される、半導体ワイヤーに基づく。結果となるナノワイヤーのヘテロ構造の例は、縦のヘテロ構造のナノワイヤー（ＬＯＨＮ）及び共軸のヘテロ構造のナノワイヤー（ＣＯＨＮ）を含む。 （もっと読む）

本発明によると、ナノ構造デバイスは、基板から突き出した第１ナノワイヤ群を有し、第１ナノワイヤ群に含まれるナノワイヤのそれぞれは少なくとも一つのＰＮ又はＰＩＮ接合を有する。第１接触は、前記第１ナノワイヤ群に含まれるナノワイヤのそれぞれが有する前記ＰＮ又はＰＩＮ接合の第１側面を少なくとも部分的に取り囲んで、前記第１側面へと電気的に接続されている。第２接触手段は、前記基板から突き出した第２ナノワイヤ群を含み、前記ＰＮ又はＰＩＮ接合の第２側面との電気的な接続を提供するように設けられている。
（もっと読む）

【課題】 ｐ型半導体層とｎ型半導体層との間のリーク電流を抑制し、ｐ型半導体層とｎ型半導体層とのｐｎ分離を十分に確保して発光強度を向上させる発光素子を提供する。
【解決手段】 発光素子は、凹部２ａを有し、絶縁性を有する基板２と、凹部２ａ内に設けられ、ｎ型半導体層１ｃと発光層１ｂとｐ型半導体層１ａとから構成された積層体１であって、発光層１ｂが凹部１ａの内面と接触している積層体１と、を具備する。 （もっと読む）

窒化物化合物半導体をベースとする半導体積層体３を備えているオプトエレクトロニクス半導体コンポーネントであって、半導体積層体３が、ｎ型ドープ領域４と、ｐ型ドープ領域８と、これらｎ型ドープ領域４とｐ型ドープ領域８との間に配置されている活性ゾーン５と、を含んでいる、オプトエレクトロニクス半導体コンポーネント、を開示する。ｐ型ドープ領域８は、Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）からなるｐ型コンタクト層７を備えている。ｐ型コンタクト層７は、金属、金属合金、または透明導電性酸化物からなる接続層９に隣接しており、ｐ型コンタクト層７は、接続層９との界面に、Ｇａ面方位を有する第１のドメイン１と、Ｎ面方位を有する第２のドメイン２とを有する。
（もっと読む）

【課題】発光ダイオードを用いた光源や照明装置のコストを低減する。
【解決手段】基板３０と、基板３０上に設けられた第１電極３１と、第１電極３１の上にランダムに散布された複数の粒子状発光ダイオード２０と、複数の粒子状発光ダイオード２０を覆う第２電極３２とを備え、複数の粒子状発光ダイオード２０の各々は、ＩＩＩ族−Ｖ族窒化物からなる結晶性半導体からなると共に、第１導電型の第１半導体２１ｎ、活性層２１ｉ、および第２導電型の第２半導体２１ｐからなり、活性層２１ｉは第１半導体２１ｎの周囲の一部に形成されており、第２半導体２１ｐは活性層２１ｉの周囲を覆っており、第１半導体２１ｎは第２電極３２と電気的に接続されており、第２半導体２１ｐは、第１電極３１と電気的に接続されており、結晶性半導体は、外周面が複数の平坦な結晶格子面からなる多面体形状を有している、発光装置。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮおよびＩｎＧａＮを用いた発光ダイオードは、電流（Ｉ）−電圧（Ｖ）特性のバラツキが大きく、複数の粒子状発光ダイオード素子を同一電極上に配置し同時に駆動する際には、全ての粒子状発光ダイオード素子が電極に対して並列に接続される為、Ｉ−Ｖ特性のバラツキによって素子毎に流れる電流量にバラツキが生じるという大きな課題を有していた。
【解決手段】本発明においては、各粒子状発光ダイオード素子の第２電極１１９と第２半導体２１ｐの間に抵抗層１２０を直列に接続した構成を用いることによって、粒子状発光ダイオード素子間のＩ−Ｖ特性のバラツキによる特定の素子への電流集中を抑制し、最もＶｄの低い素子への電流集中による破壊を防ぐのみならず、各素子への負荷が低減されるため発光装置全体の劣化も抑制することを可能とし、輝度のバラツキの無い優れた発光装置を実現する。 （もっと読む）