【課題】大面積での面発光が実現可能であり、またリーク電流による消費電力を抑えることを可能とする発光素子、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子は、電子輸送層と、前記電子輸送層と互いに対向すると共に、離間して設けられたホール輸送層と、前記電子輸送層と前記ホール輸送層との間に挟持された半導体微粒子からなる層を有する発光層と、前記電子輸送層に電気的に接続された第１の電極と、前記ホール輸送層に電気的に接続された第２の電極とを備える。前記発光層は、前記半導体微粒子の一粒子層を有してもよい。前記半導体微粒子の平均粒子径は、前記ホール輸送層と前記電子輸送層との間の平均間隔よりも大きいことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】大面積での面発光が実現可能であり、またリーク電流による消費電力を抑えることを可能とする発光素子、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子は、電子輸送層と、前記電子輸送層と互いに対向すると共に、離間して設けられたホール輸送層と、前記電子輸送層と前記ホール輸送層との間に挟持された複数の半導体微粒子からなる層を有する発光層と、前記電子輸送層に面して設けられ、電気的に接続された第１の電極と、前記ホール輸送層に面して設けられ、電気的に接続された第２の電極とを備え、前記発光層を構成する前記半導体微粒子は、その内部にｐ型部分とｎ型部分とを有し、前記ｐ型部分と前記ｎ型部分との界面にｐｎ接合を持ち、前記ｐ型部分の一部が前記ホール輸送層に接すると共に、前記ｎ型部分の一部が前記電子輸送層に接するように配置されている。 （もっと読む）

【課題】電子や正孔などの電荷を、発光層を構成する窒化物半導体粒子内へ効率よく注入できる発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、少なくとも一方が透明又は半透明である一対の電極と、前記一対の電極間に挟まれて設けられた発光層とを備え、前記発光層は、窒化物半導体粒子で構成されており、前記窒化物半導体粒子の粒界には金属ナノ構造体が析出している。 （もっと読む）

【課題】活性層にダメージを与えることなく、動作電圧を低下させることを可能にする。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族半導体からなり、＜１−１００＞方向への傾斜角度が０°以上４５°以下であってかつ＜１１−２０＞方向への傾斜角度が０°以上１０°以下である｛０００１｝ｎ型半導体基板１と、ｎ型半導体基板上に設けられたＩＩＩ−Ｖ族半導体からなるｎ型層２と、ｎ型層上に設けられたＩＩＩ−Ｖ族半導体からなるｎ型ガイド層３と、ｎ型ガイド層上に設けられたＩＩＩ−Ｖ族半導体からなる活性層４と、活性層上に設けられたＩＩＩ−Ｖ族半導体からなるｐ型第１ガイド層５と、ｐ型第１ガイド層上に設けられたＩＩＩ−Ｖ族半導体からなるｐ型コンタクト層９と、ｐ型第１ガイド層とｐ型コンタクト層との間に設けられて上面が凹凸形状を有し、ｐ型不純物濃度がｐ型コンタクト層のｐ型不純物濃度より低いＩＩＩ−Ｖ族半導体からなる凹凸層８と、を備えている。 （もっと読む）

本発明は、発光ダイオード（ＬＥＤ）に関する。特に本発明は、ナノワイヤを活性部分として有するＬＥＤに関する。本発明にかかるナノ構造のＬＥＤは、基板と、該基板から突出した直立したナノワイヤとを含む。活性領域(120)に光を生成する能力を与えるｐｎ接合は、この構造内に存在する。前記ナノワイヤ(110)、または、前記ナノワイヤから構成される構造は、前記活性領域で生成された光の少なくとも一部を、前記ナノワイヤ(110)により与えられる方向に向ける導波管(116)を形成する。
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【課題】素子の信頼性を損なうことなく、光取り出し効率を向上できる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の主面とこれに対向する第２の主面とを有し、かつ発光層を含む半導体積層膜と、半導体積層膜における第２の主面に金属膜を介して貼り合わせられた支持基板とを備え、半導体積層膜における第２の主面及び支持基板における半導体積層膜に貼り合わせられる面にそれぞれ第１の凹凸及び第２の凹凸が設けられ、半導体積層膜と支持基板とは、第１及び第２の凹凸における互いの凸部と凹部とを合致させて貼り合わせられている。 （もっと読む）

【課題】発光層の下地として良好な平坦性を有する窒化ガリウム系半導体層を提供可能な構造を有する窒化物系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ型窒化ガリウム系半導体層１５は基板１３上に設けられ、例えばクラッド層である。発光層１７は、ｎ型窒化ガリウム系半導体層１５上に設けられ、また量子井戸構造２３を有する。ｐ型窒化ガリウム系半導体層１９は、発光層１７上に設けられている。平坦化層２１は、ｎ型窒化ガリウム系半導体層１５と発光層との間に設けられ、また窒化ガリウム系半導体領域からなる。窒化ガリウム系半導体領域もｎ型窒化ガリウム系半導体層と発光層との間に位置する。で表され、発光層１９の炭素濃度Ｎ_Ｃ１の炭素を含む。平坦化層の窒化ガリウム系半導体領域の平均炭素濃度Ｎ_Ｃ２は発光層１９の平均炭素濃度Ｎ_Ｃ１より大きい。平坦化層２１は、優れた平坦性の下地を発光層１７のために提供できる。 （もっと読む）

本発明は、端面放射型発光ダイオードアレイ、端面放射型発光ダイオードアレイを製造する方法、および該方法によって製造されたプロセス生成物を対象とする。端面放射型発光ダイオードは、（ａ）少なくとも１つの突起部をその上に含む基板と、（ｂ）該突起部の少なくとも１つの表面に共形的に接触する第１の伝導層と、（ｃ）該第１の伝導層に共形的に接触する活性領域であって、該活性領域は、それらの間に界面境界を有するｐ型部分およびｎ型部分を備えている、活性領域と、（ｄ）該活性領域に共形的に接触する第２の伝導層とを備えている端面放射型発光ダイオードであって、該活性領域は、正孔および電子が該活性領域内で結合する場合にインコヒーレント光を放射し、該インコヒーレント光は、該発光ダイオードから、該基板の平面と平行ではない方向に放射される。
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【課題】所望の発光波長を高効率で引き出せ、波長可変も可能な結晶シリコン発光素子を得る。
【解決手段】単結晶からなるｐ型のシリコン基板１０と、このシリコン基板１０の一方の表面にこれと複数個のナノＳｉ柱１５が形成され、このナノＳｉ柱１５は、シリコン基板１０とホモ接合を形成して 円筒状の柱状突起の形態を成している。また、シリコン基板１０の表面には、ナノＳｉ柱１５の上面以外の領域にシリコン酸化膜１６と、少なくともナノＳｉ柱１５の側面の一部を覆うように設けられた第３の電極１７と、第３の電極１７の表面を覆う絶縁膜１８が形成されている。さらに、少なくともナノＳｉ柱１５の上面と接してショットキー障壁３０を形成する透明電極１９が設けられている。シリコン基板１０の他方の表面には、金属電極２０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングによるダメージの発生を防止するとともに、ドライエッチングの自由度の大きい窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体素子１０の製造方法は、第１形成工程と、第２形成工程と、ドライエッチングを行なう工程とを備えている。第１形成工程では、基板１１上に、Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ｎ層１４を少なくとも一層含む窒化物半導体層を形成する。第２形成工程では、窒化物半導体層上に、被加工層を形成する。ドライエッチングを行なう工程では、被加工層にドライエッチングを行なう。 （もっと読む）

【課題】反応源供給層にクラックが発生することを抑制しつつ、低い駆動電圧を有する半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン系基板１上には、ガリウムとインジウムとシリコンとを構成元素に含む金属化合物からなる金属化合物領域２が形成されている。金属化合物領域２上には、窒化アルミニウムからなるＡｌＮ層３が形成されている。ＡｌＮ層３上には、ガリウムとインジウムとを構成元素に含む窒化物系化合物半導体からなる反応源供給層４が形成されている。領域Ｂにおける金属化合物領域２は、領域Ａにおける金属化合物領域２よりも厚く形成され、領域ＢにおけるＡｌＮ層３は、領域ＡにおけるＡｌＮ層３よりも薄く形成されている。 （もっと読む）

【課題】 白色光に近い光、または可視領域とほぼ同等もしくはそれに近い波長領域を得られる窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】
基板上の第１窒化物半導体層に、基板に垂直な断面における基板表面に対する傾斜角が滑らかに変化する部分を有するレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをマスクとして基板にエッチングを施して、第１窒化物半導体層にレジストパターンを転写する工程と、パターニングした第１窒化物半導体層上に発光層を成長させる工程とを含む方法により窒化物半導体発光素子を製造する。 （もっと読む）

【課題】化学的、物理的に安定であり、使用に際しての外乱要因（例えば熱）に対しても性能が安定しており、更には、トランジスタとしての機能、発光素子としての機能、太陽電池として機能を融合し得る構成、構造を有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】３端子型の電子デバイスは、制御電極１４、第１電極及び第２電極１６、並びに、第１電極と第２電極の間であって絶縁層１５を介して制御電極１４と対向して設けられた能動層２０を備え、能動層２０は、保護層で被覆された無機半導体微粒子から構成された複合材料の集合から成り、保護層は、無機半導体微粒子に結合した官能基を一端に有するアルキル鎖、及び、アルキル鎖の他端に結合した有機半導体分子から成る。 （もっと読む）

【課題】駆動する電流密度による発光波長の変化の大幅な低減を図ることができる発光ダイオードの駆動方法および発光ダイオードを提供する。
【解決手段】Ｉｎを含有する量子井戸構造、例えばＩｎＧａＮ／ＧａＮ多重量子井戸構造からなる発光層１１がｎ型層１２とｐ型層１３とにより挟まれた構造を有し、これらの発光層１１、ｎ型層１２およびｐ型層１３はウルツ鉱構造を有する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶からなり、発光層１１の主面がＣ面から０．２５度以上２度以下傾斜している発光ダイオードを２０Ａ／ｃｍ² 以下、好ましくは１０Ａ／ｃｍ² 以下の電流密度で輝度変調する。 （もっと読む）

【課題】傾斜面による応力が分散されるようにピラミッドの傾斜面を分離させることができる窒化物半導体の成長方法、これを用いた窒化物発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体の選択成長方法は、窒化物半導体層３３上に開口部を有するマスクを形成する段階と、上記マスクの開口部に露出された上記窒化物半導体層領域に上記窒化物半導体層の上面に対して傾斜した結晶面を有する六角ピラミッド構造窒化物半導体結晶３４を選択的に成長させる段階とを含み、上記六角ピラミッド構造の窒化物半導体結晶は、その上下部に位置した結晶面の傾斜角より大きい傾斜角の結晶面を有する少なくとも一つの中間分離領域を含む。また、上記の窒化物半導体の選択成長方法を用いて製造できる窒化物発光素子と、その製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】活性層と、活性層の一方の側にｎ型光ガイド層３２及びその他方の側にｐ型光ガイド層を備える積層構造物と、を有し、活性層は、Ｉｎ_ｘ１Ｇａ_{（１−ｘ１）}Ｎ（０＜ｘ１≦１）で形成されるウェル層１６と、ウェル層の両側にＩｎ_ｘ２Ｇａ_{（１−ｘ２）}Ｎ（０≦ｘ２＜１）で形成される障壁層１２と、ウェル層と障壁層との間に設けられてインジウム拡散を防止する拡散防止層１４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 ＩｎＧａＡｌＮなどの窒化物半導体材料を用いた半導体発光素子を、より特性が良くより製造しやすい状態で提供できるようにする。
【解決手段】 クラッド層１０４の上に、活性層１０５が形成されている。活性層１０５は、ＩｎＮからなる複数の島状部分１０５ａが同一平面に配列された構造の層であり、島状部分１０５ａは、例えば、径が２ｎｍ程度高さ１ｎｍ程度の大きさに形成されている。このように、島状部分１０５ａの寸法を電子の波動関数の広がり以下とすることで、量子効果が得られるようになる。また、この島状部分１０５ａの寸法によって、活性層１０５による半導体発光素子の発光波長がほぼ決定される。 （もっと読む）

【課題】発光特性、及び光取り出し効率に優れた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法およびランプを提供する。
【解決手段】凹凸形状が施された透光性を有する基板上に、少なくともバッファー層、ｎ型半導体層、発光層、ｐ型半導体層を有するＧａＮ系半導体発光素子の製造方法において、前記バッファー層を揺動式マグネトロン磁気回路を有するスパッタ装置を用いたスパッタ法により成膜する。また、前記バッファー層をＡｌＮ、ＺｎＯ、Ｍｇ、Ｈｆで形成する。 （もっと読む）

【課題】外部の配光特性制御用の構造体をつける前の段階、すなわち発光素子チップからの直接光の段階における複雑で不均一な配光特性を解消し、配光特性のバラツキを低減できる発光素子チップを提供する。
【解決手段】発光素子のチップを構成する構造体のうち、発光層から放出される光に対して透明な構造体部分の大きさに関して、横方向の大きさと厚さ方向の大きさとの比（アスペクト比）が５以上であり、かつ発光素子チップの表面もしくは該透明な構造体部分の内部に、光散乱機能を有する構造を備える。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体発光素子は、第１導電型の下側窒化物半導体層４と、前記第１導電型の下側窒化物半導体層４上に電流拡散層５と、前記電流拡散層５上に第１導電型の上側窒化物半導体層６と、前記第１導電型の上側窒化物半導体層６上に活性層７と、前記活性層７上に第２導電型の窒化物半導体層８と、が含まれる。 （もっと読む）