【課題】単一光子発生デバイス、単一光子検出デバイス及び光量子ゲートにおいて、品質低下を招くことなく、比較的簡易なプロセスで、効率（取出効率，検出効率，結合効率）を向上させる。
【解決手段】単一光子発生デバイスを、ベース部１Ａと、ベース部１Ａの表面側に形成され、先端近傍に局在準位が存在するピラー部１Ｂとを有する固体基板１を備えるものとし、局在準位から発生した光が、ピラー部１Ｂの表面で反射し、ピラー部１Ｂの内部を伝搬して、ベース部１Ａの裏面側から出射するように、ピラー部１Ｂをベース部１Ａ側の断面積が先端側よりも大きくなるように形成する。 （もっと読む）

【課題】光通信に必要な光出力が得られるとともに、応答性についても所望の値を実現することのできる発光素子およびこれを用いた通信装置を提供する。
【解決手段】ｐ型ＧａＮ：Ｍｇコンタクト層１０６上に設けられる透光性電極１０７のサイズを、ＳＱＷ１０４の発光する層（Ｉｎ_０．１５Ｇａ_０．８５Ｎ井戸層１０４Ａ）の発光面積に応じたサイズで形成し、これによりＩｎ_０．１５Ｇａ_０．８５Ｎ井戸層１０４Ａを光通信に適した応答性の得られる体積で発光させるようにしたので、良好なパルス応答時間特性を有する発光素子１２が得られる。 （もっと読む）

【課題】 全面に渡って転位密度を低減し、クッラク発生を防止することが可能な窒化化合物半導体基板及び半導体デバイスを提供する。
【解決手段】 第２ＧａＮ系半導体層Ｄ２の厚み方向に沿った断面は三角波形状となり、谷の位置Ｔは結晶成長制限部Ｃの直上に位置する。三角波の山の位置Ｙには欠陥や転位が残るが、その山の頂上の面積は小さく、基板の全面に渡って転位密度を低減し、クラックの発生を防止する。埋め込み層Ｇは、ＡｌＧａＮ又はＩｎＡｌＧａＮからなり、第２ＧａＮ系半導体層Ｄ２との間には、第２ＧａＮ系半導体層Ｄ２との格子歪を緩和するよう、埋め込み層Ｇと同様の材料からなり格子定数が小さな歪み抑制層Ｆが介在しているため、埋め込み層Ｇ内には圧縮応力が生じて引っ張り歪みが導入されず、クラックの発生を防止できる。 （もっと読む）

【課題】通電による劣化の抑制と、静電破壊に対する耐性の改善とが、同時に達成されるＧａＮ系発光素子を提供する。
【解決手段】成長の途中で成長温度を第１の温度から第２の温度に下げることによって、ピットが形成されるようにｎ型層を成長させる工程と、ｎ型層の上に活性層を成長させる工程と、活性層の上にｐ型層を成長させる工程と、を有する。ｎ型層のうち、第１の温度で成長される層を高温ｎ型層、第２の温度で成長される層を低温ｎ型層としたとき、低温ｎ型層を成長させる工程は、高温ｎ型層に接する第１の領域を形成する工程と、第１の領域よりも高温ｎ型層から離れた位置に第２の領域を形成する工程とを含む。第１の領域は、ｎ型不純物濃度が第２の領域よりも低くなるように形成し、第２の領域は、ｎ型不純物濃度が活性層よりも高くなるように形成する。活性層は、ｎ型層に接して、かつ、その上面にピットが開口するように成長させる。 （もっと読む）

第１放射生成活性層と第２放射生成活性層とを備え、第１放射生成活性層と第２放射生成活性層とが垂直方向に重なり合って配置されるＬＥＤ半導体本体について説明する。 （もっと読む）

【課題】段差部のドライエッチングによる損傷の影響を抑え、素子特性や信頼性を高めることができる半導体発光ダイオードを提供する。
【解決手段】第１領域１０Ａにｐ側電極２１、第２領域１０Ｂにｎ側電極２２を設ける。両者の間の境界領域１０Ｃを、平坦部３２を間にして、ｐ型クラッド層１３内の第１段差部３１と、ｐｎ接合部１４をまたぐ第２段差部３３との２段構造とする。平坦部３２におけるｐ型クラッド層１３の厚みが小さくなり、電流が横方向に広がりにくくなる。ｐ側電極２１から注入された電流Ｃは、第１段差部３１に沿って平坦部３２まで下降してｎ型クラッド層１２に入ったのち、横方向にｎ側電極２２に向かって流れ、電流Ｃの経路が第２段差部３３から遠ざかる。第２段差部３３の表面のｐｎ構造にドライエッチングによる損傷が生じていてもリークパスなどの発生が抑えられる。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を高めることができる半導体発光ダイオードを提供する。
【解決手段】第１領域１０Ａは、ｎ型層１２およびｐ型層１３によりｐｎ接合部１４が構成され、ｐ型層１３の上にｐ側電極２１が形成されている。第２領域１０Ｂは、ｎ型層１２の一部領域を含み、ｎ側電極２２が設けられている。両者の間の境界領域１０Ｃには、ｐｎ接合部１４の一部を含む傾斜部３０が設けられている。傾斜部３０にアルミニウム（Ａｌ）または銀（Ａｇ）などよりなる高反射膜４２を設け、傾斜部３０に到達した光を高反射膜４２で反射させて外部に効率よく取り出す。 （もっと読む）

【課題】加工基板の凹凸に起因して生じる、素子のｎ型層側での横方向の電流拡散性に関する異方性と、ＬＥＤのＶｆとの関係を明らかにし、該異方性に対する各部の構成を最適化し、Ｖｆをより低下させること。
【解決手段】絶縁体からなる凹凸状の結晶成長面を有する基板の上に、ｎ型不純物がドープされたｎ型窒化物半導体層（ｎ型層）が形成され、その上に、発光部と、ｎ型オーミック電極Ｐ１とが形成される。基板の上方から見たとき、電極Ｐ１は、発光部に外接する方形ＥＦＧＨの辺ＥＦを含む直線と、辺ＧＨを含む直線とに挟まれた領域に、辺ＨＥとの距離が、他の３辺との距離のいずれよりも大きくなるように形成され、結晶成長面においては、その凹部が、辺ＨＥに直交する方向に伸長しており、それによって、ｎ型層における横方向の電流拡散性が、該方向において、他の方向よりも良好となり、Ｖｆが低下している。 （もっと読む）

【課題】 光取り出し効率の向上が図られ、新規な構成を有する発光素子を提供する。
【解決手段】 発光素子は、第１の導電型を有する下側半導体層と、下側半導体層の上に形成された発光層と、発光層の上に形成され、第１の導電型と反対の第２の導電型を有する上側半導体層と、下側半導体層に電気的に接続される下側電極と、上側半導体層に電気的に接続される上側電極とを有し、上側電極は、上側半導体層の上に形成され、上側半導体層の表面を、各々が上側電極で取り囲まれる複数の区画に分割するような網目形状を有し、さらに、区画の少なくとも１つの内部に、底面が少なくとも前記下側半導体層の上面まで達し、開口の縁が上側電極から離れた窪みを少なくとも１つ有する。 （もっと読む）

正孔と電子の再結合に応答して発光する半導体材料をそれぞれが含む複数の発光コアであって、それぞれが第1のバンドギャップを規定しているものと；上記各発光コアのまわりに形成されてコア／シェル量子ドットを形成する複数の半導体シェルであって、それぞれが第1のバンドギャップよりも広い第2のバンドギャップを有するものと；その半導体シェルに接続された半導体マトリックスであって、その半導体マトリックスを通りそれぞれの半導体シェルおよび対応する発光コアに至る導電路を提供し、正孔と電子の再結合を可能ならしめる半導体マトリックス、を含んでなる無機発光層と、その製造方法。
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【課題】 複数のナノコラムから成る発光ダイオードにおいて、光取出し効率を向上する。
【解決手段】 シリコン基板１上に、ｎ型ＧａＮナノコラム層２、発光層３を形成し、ナノコラム径を広げながらｐ型ＧａＮコンタクト層４をエピタキシャル成長させた上に、半透明のｐ型電極５を形成させて成る発光ダイオードＤ１において、前記ｎ型ＧａＮナノコラム層２に、多重量子井戸構造やダブルへテロ構造で実現される吸収・再発光層６を設ける。したがって、発光層３のエスケープコーンに入らず、該発光層３からナノコラムの軸方向に放射された光は、前記吸収・再発光層６で吸収・再発光されて、そのエスケープコーンからナノコラムの外部へ放出されるので、シリコン基板１やｐ型電極５に吸収される割合が減少する。これによって、ナノコラム内に閉じ込められた光を効率良く外部に取出すことができ、光取出し効率を一層向上することができる。 （もっと読む）

【課題】 ナノＳｉの結晶性とそのサイズ制御を格段に向上させることにより、所望の可視光を高効率に引き出せるナノＳｉ発光素子を安価に提供する。
【解決手段】 ｐ型のシリコン基板１０と、このシリコン基板１０の一表面側に厚いシリコン酸化膜１７ａと、薄いシリコン酸化膜１７ｂとを設け、この薄いシリコン酸化膜１７ｂの上に、シリコン基板１０と同一の結晶軸を持つ複数のナノＳｉ１５を形成した。また、このナノＳｉ１５の上面および側面を覆うように設けられた薄いシリコン酸化膜１６と、ナノＳｉ１５の上面を覆うように設けられた透明電極(例えばＩＴＯ)１９を設けた。更には、シリコン基板１０の他表面とオーミック接続されるように金属電極(例えばアルミニウム)１８を形成した。
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【課題】 ナノＳｉの結晶性を格段に向上させることにより、所望の可視光を高効率で引き出せる結晶シリコン素子を提供し、また、その製造方法を提供する。
【解決手段】 ｎ型単結晶のシリコン基板１０と、このシリコン基板１０の一表面側に、シリコン基板１０から分離して設けられ、このシリコン基板１０と同一の結晶軸を持つナノＳｉ(ｐ型結晶シリコン)１２と、シリコン基板１０のナノＳｉ(ｐ型結晶シリコン)１２が設けられた一表面側に形成される透明電極１５と、このシリコン基板１０の他表面側に形成される金属電極１６とを備えた。
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【課題】高精細な画像表示を可能とし、短時間で製造できる製造コスト削減可能な画像表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の発光素子が配列され所要の画像信号に対して画像を表示する画像表示装置の製造方法において、主面上に、所要の配線２９１、２９２が形成されると共に、封止材となる接着剤層２９３が形成された配線用基板２９０を設け、素子形成用基板２９０上に、素子１個の占有面積が２５μｍ²以上で１００００μｍ²以下とされる複数の発光素子（２７１、２７２、２７３、２７４、２７７）を形成し、素子形成用基板から剥離された後の発光素子を、配線用基板２９０の接着剤層に埋め込んで、配線２９１、２９２に接続するように実装する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、駆動電圧を低下させ、また、良好な発光出力を得て、且つ、時間的な発光出力の変化が少ない窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造に有用な窒化ガリウム系化合物半導体積層物の製造方法を提供することである。
【解決手段】 多重量子構造を構成する井戸層の少なくとも一つは厚さが不均一であり、かつ、障壁層の少なくとも一部は井戸層よりも高温で成長される窒化ガリウム系化合物半導体積層物を製造する際に、井戸層、障壁層およびｐ型半導体層の各成長温度の差を特定の範囲に調整することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体積層物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 光取出し効率を向上させることが可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 第１の主面及び前記第１の主面に対向する第２の主面に凹凸を有する活性層２４、第１の主面の側に接続され、第１の主面から遠い面が前出の凹凸面と同様な周期の凹凸面をなすｎ型クラッド層２５、及び、第２の主面の側に接続し第２の主面から遠い面が実質的に平面をなすｐ型の接着層２２を備え、特定の波長で発光可能な発光層構成部２０、ｎ型クラッド層２５の活性層２４に対向する面に形成されたｎ側電極４１、発光層構成部２０の接着層２２に接合され、発光波長に実質透明なｐ型ＧａＰ基板１０、及び、ｐ型ＧａＰ基板１０の接着層２２に対向する面に形成されたｐ側電極４３を具備している。 （もっと読む）

本発明は、コア及び複数のシェルを含むコア／多重シェル半導体ナノクリスタルを提供する。このナノクリスタルは、タイプ−Ｉのバンドオフセット及び、約４００ｎｍ〜１６００ｎｍ超のＮＩＲまでの可視範囲をカバーする明るさが調整可能な放射を提供する高いフォトルミネセンス量子収率を示す。 （もっと読む）

【課題】 活性層体積を十分に確保しつつ、光の取り出し効率の大幅な向上を図ることができることにより、発光効率が極めて高い発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 一主面に凹凸加工を施したサファイア基板１１上にｎ型ＧａＮ層１２、ｎ型ＧａＩｎＮバッファ層１４、ｎ型ＧａＮ層１５、ＩｎＧａＮ井戸層とＧａＮ障壁層とからなるＭＱＷ構造の活性層１６、ｐ型ＡｌＧａＮ層１７およびｐ型ＧａＮ層１８を順次エピタキシャル成長させて発光ダイオード構造を形成する。この成長時に、サファイア基板１１の凸部１１ｂの上の部分に形成される会合部に形成された貫通転位１３の一部を起点として六角錐状のピット１９が形成される。 （もっと読む）

中間基板は、ＩＩＩ族窒化物半導体層などの化合物半導体層のエピタキシャル成長に適した薄層に接合したハンドル基板を含む。ハンドル基板は、モリブデンまたはモリブデン合金の基板などの金属または合金の基板でよく、薄層はサファイア層でもよい。中間基板の製造方法は、ソース基板中に弱いインターフェースを形成し、ソース基板をハンドル基板に接合し、薄層がハンドル基板に接合したままにしてソース基板から薄層を剥離することを含む。
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本発明は、第１ドーパントがドープされ且つ薄い誘電層（２）に覆われた半導体基板（１）から作られたナノ構造ｐｎ接合を含む発光ダイオードに関する。続いて、第１ドーパントとは逆型の第２ドーパントがドープされた半導体材料を含むアモルファス薄膜が薄い誘電層（２）の表面上に堆積する。次に、薄い誘電層（２）内に第２ドーパントがドープされた半導体材料から作られた複数のナノメータ台座を形成するために、組み立て部品が熱処理にさらされる。当該台座（５）は、複数のナノメータＰＮ接合を形成するための基板（１）のエピタキシャル用である。追加の薄膜（６）は、続いて、当該台座（５）からのエピタキシャル成長を用いて形成される。
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