無機電子輸送層を含む量子ドット発光ダイオードを提供する。電子輸送層を無機物で形成することによって、高い電子輸送速度及び電子密度を提供し、発光効率を向上させる。なお、電極と有機電子輸送層間または量子ドット発光層と有機電子輸送層間の界面抵抗を抑止して、ダイオードの発光効率を向上させる。
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【課題】電界発光（ＥＬ）素子および、希土類元素がドープされたシリコン（Ｓｉ）／二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）格子構造の形成方法の提供。
【解決手段】基板を被うＳｉ層のＤＣスパッタリングする工程１００４と、該Ｓｉ層へドープするための希土類元素のＤＣスパッタリングする工程１００６と、希土類元素がドープされたＳｉ層を被うＳｉＯ_２層のＤＣスパッタリングする工程１０１０と、格子構造を形成する工程１０１２と、希土類元素がドープされたＳｉ層においてナノ結晶を形成するためのアニール工程１０１４とを含む。一形態において、希土類元素およびＳｉは、同時ＤＣスパッタされる。格子構造において、ＳｉＯ_２層と希土類元素がドープされたＳｉ層が交互に複数積層されるように、ＳｉのＤＣスパッタリング、希土類元素のＤＣスパッタリング、およびＳｉＯ_２のＤＣスパッタリングする工程は５〜６０回繰り返される。 （もっと読む）

【課題】 簡便な方法で、同一の半導体層が電流狭窄と発光の二つの機能を備え、発光強度の強い任意の色合いの発光、特に白色光の発光を実現する半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 半導体層である希土類ドープ層１８が発光層１５の上方に設けられて少なくとも一部に希土類元素を添加し、希土類ドープ層１８に隣接するコンタクト層を備えることにより、希土類ドープ層１８は発光層１５からの発光によって励起されて蛍光を生じ、かつ電流狭窄する層として用いることができるので、簡便な方法で、同一の半導体層が電流狭窄と発光の二つの機能を備え、発光強度の強い任意の色合いの発光、特に白色光の発光を実現する半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】熱処理によって、希土類元素イオンの分布状態を所定の分布状態に保持して基板の深さ方向に希土類元素イオンの拡散領域を移動させることで、希土類元素イオンの濃度分布ピーク値の位置を所望の位置に制御して発光素子の発光強度を調節することを可能とする。
【解決手段】基板１１中に所定の分布を有する希土類元素イオンの拡散領域１６を形成する工程と、熱処理によって希土類元素イオンの分布状態を所定の分布状態に保持して基板１１の深さ方向に希土類元素イオンの拡散領域１６を移動させる工程とを備えた製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 照明装置の照明光源として、部品点数を少なくしつつ、使用する部品の発生効率を高め、かつ、低コストで白色光を得るようにする。
【解決手段】 コンタクトガラス１２上に位置する原稿の原稿面に向けて光を出射する照明光源１８の照明光源は、エレクトロルミネセンス現象により単色を発光する発光ダイオード４０と、前記発光ダイオード４０から発光される光により励起されて光を発光するフォトルミネセンス現象を生じる物質を含有し、前記発光ダイオードの発光面を覆う透光部材より、又は両物質を同一物質により構成することにより白色化した光を発光させる。 （もっと読む）

【課題】 トランジスタ特性が優れ、また高効率で紫外線発光が可能なダイヤモンド半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ダイヤモンド基板１上に、高濃度にＢがドープされ夫々ソース及びドレインとなる高ドープダイヤモンド層２及び３を局所的に形成する。また、高ドープダイヤモンド層２と高ドープダイヤモンド層３との間には、極低濃度にＢがドープされチャネル層となる低ドープダイヤモンド層４、Ｂがドープされゲートとなるドープダイヤモンド層６、及び極低濃度にＢがドープされチャネル層となる低ドープダイヤモンド層５をこの順に形成する。更に、高ドープダイヤモンド層２上にソース電極となる金属電極７、高ドープダイヤモンド層３上にドレン電極となる金属電極８、ドープダイヤモンド層６上に、ゲート電極となる金属電極９を形成し、ダイヤモンドトランジスタ１０にする。 （もっと読む）

固体デバイスから放射するように固体デバイスに電力を供給する構成および配置をとる電源と結合可能な固体デバイスを含む発光アセンブリである。一連の希土類ドープケイ素および／または炭化ケイ素ナノ結晶は、単一層内で、または個別の層内で組み合わされ、必要な赤色、緑色、および青色（ＲＧＢ）を発生し、白色光を形成する。

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