【課題】光度が高く、また演色性も高いIII族窒化物半導体白色系発光素子を、蛍光体の微妙な組成調整なども不要として簡単な構造で簡易に形成することができるようにする。
【解決手段】本発明は、基板１と、その基板の表面上に設けたIII族窒化物半導体材料からなる障壁層５ａ及び井戸層５ｂを備えた多重量子井戸構造の発光層５とを具備したIII族窒化物半導体発光素子において、井戸層５ｂの各々は、層厚が同一であり、バンド端発光とは別に、波長を相違する複数の光（多波長光）を同時に出射する、マグネシウムを添加したｎ形の窒化ガリウム・インジウム（組成式：Ｇａ_XＩｎ_1-XＮ）からなる、ことを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子である。 （もっと読む）

【課題】本来は非発光性である間接半導体を用いて実用可能な発光素子を提供すること。
【解決手段】Ｓ、Ｓｅ、Ｃｕ及びＡｇの少なくともいずれかを含み、四面体結合構造を有する母体半導体からなる活性層と、前記活性層に電流を通電するｎ電極とｐ電極とを具備し、前記活性層に接して前記活性層と前記ｎ電極との間に設けられたｎ層と、前記活性層に接して前記活性層と前記ｐ電極との間に設けられたｐ層とを有し、前記ｎ層、前記活性層および前記ｐ層は面内に配置され、前記活性層の厚さが５ｎｍ以下であることを特徴とする発光素子。 （もっと読む）

【課題】実装が容易で、演色性に優れた低コストの窒化物半導体発光ダイオードであって、放射角による色合変化の少ない窒化物半導体発光ダイオードを提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光ダイオードにおいて、Ａｌ及びＮがドーピングされた６Ｈ型ＳｉＣ単結晶蛍光体からなるＳｉＣ層と、発光波長が４０８ｎｍ以下である窒化物半導体層と、を備え、前記ＳｉＣ層は、前記窒化物半導体層からの１次光により励起され、可視領域の２次光を発するようにした。 （もっと読む）

本発明はルミネセンスダイオードチップに関する。このルミネセンスダイオードチップには、第１の波長の放射を発生させる半導体基体（１）と、その第１の波長の放射から第２の波長の放射を発生させるルミネセンス変換素子（５）と、角度フィルタ素子（４）とが含まれており、この角度フィルタ素子（４）は、主放射方向に対してある特定の角度でその角度フィルタ素子（４）に当射する放射を半導体基体（１）方向に反射して戻している。
（もっと読む）

【課題】イオン注入法を用い、青色領域で発光するＳｉ系発光材料の製造方法、及びその方法により製造された青色発光部材を用いた発光素子を提供する。
【解決手段】水晶又は溶融石英部材１０に対し、所定の照射条件でＳｉイオンを注入した後、好ましくは、所定温度で所定時間アニール処理を施すことにより、青色光を発する部材を製造することを特徴とする青色発光部材の製造方法。好ましくは、前記照射条件を、少なくとも８０ｋｅＶのエネルギーで、注入Ｓｉイオンの注入量を５×１０^１６ｉｏｎｓ／ｃｍ^２以上とし、前記アニール処理を、１１００℃より高く、１３００℃以下の温度で１５分〜１時間、より好ましくは２０分〜３０分行う。 （もっと読む）

【課題】発光効率が高く、高輝度の光を発光する窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に順次積層された、第１導電型窒化物半導体層と、活性層と、第２導電型窒化物半導体層と、を含み、第１導電型窒化物半導体層は、ＡｌとＧａとを含む窒化物半導体を主成分としており、第１導電型窒化物半導体層と活性層との間に第１導電型窒化物半導体層よりもＡｌの組成比が小さい第３導電型窒化物半導体層を備えている窒化物半導体発光素子である。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、発光色のばらつきが小さい発光を得ることが可能な発光素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、サファイアまたはＳｉＣからなり、裏面側に蛍光物質を含有しない領域（１０ａ）と表面側に蛍光物質を含有する領域（１０ｃ）とを有する基板（１０）と、基板（１０）の表面上に設けられ、蛍光物質を励起するための光を発光する窒化物半導体層（３０）と、を具備する発光素子およびその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】シリコン半導体素子の発光強度の向上を目的とする。
【解決手段】第１の面Ｓ１ａと第２の面Ｓ２ａとを有する第１導電型のシリコン基板２ａと、シリコン基板２ａの第１の面Ｓ１ａに設けられておりシリコン基板２ａとの接合面の反対側にある第３の面Ｓ３ａを有する第２導電型のシリコン層４ａと、第２の面Ｓ２ａ上に設けられた第１電極１２ａと、第３の面Ｓ３ａ上に設けられた第２電極１４ａと、シリコン基板２ａ及びシリコン層４ａから成る半導体領域に形成されたアルゴン添加領域６ａとを備え、アルゴン添加領域６ａは、１×１０^１８ｃｍ^−３以上２×１０^２０ｃｍ^−３以下のアルゴン濃度を示す領域を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成する新規な薄膜を提供することを目的とする。
【解決手段】薄膜は基板上に形成される。薄膜は母体材料中に希土類元素を含有する。母体材料は、AlN、GaN、AlGaAs、SiC、InGaN、InGaAsの群から選ばれる１種、または２種以上の組み合わせを構成成分とすることが好ましい。希土類元素は、Erであることが好ましい。薄膜の製造方法としては、高周波マグネトロンスパッタリング法を採用することができる。高周波マグネトロンスパッタリング法においては、ターゲット２上にチップ３を置き、ターゲット２と基板１の間に電圧を印加することにより、基板１上に薄膜を形成する。薄膜を形成した基板は、発光素子の構成要素として利用することができる。 （もっと読む）

【課題】搭載する発光素子によって発生された光を、含有する蛍光体によって所望とする色の光に変換して出射する半導体発光素子用基板において、前記発光素子が窒化物半導体から成る場合に高い発光効率を得られるようにする。
【解決手段】ｎＧａＮ層４、発光層５およびｐＧａＮ層６から成る発光素子３を搭載する基板２において、該基板２をＩｎＧａＮ結晶から構成し、ユーロピウム（Ｅｕ）およびテルビウム（Ｔｂ）から成る蛍光体Ａ１，Ａ２を含有させる。したがって、Ｅｕの蛍光体Ａ１からは参照符号α１で示すような赤色光が出射され、Ｔｂの蛍光体Ａ２からは参照符号α２で示すような緑色光が出射され、基板２に吸収されなかった参照符号α３で示す青色の成分と、白色光を発生することができる。したがって、発光素子３の結晶欠陥が少なくなり、高い発光効率を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】高い歩留まりで、特性のばらつきが小さい混色光を放射する発光素子を提供する。
【解決手段】Ｙ₃Ａｌ₅Ｏ₁₂単結晶相２１とＡｌ₂Ｏ₃単結晶相２２からなるＭＧＣ２上にＧａＮ系の発光層３を形成し、Ｙ₃Ａｌ₅Ｏ₁₂単結晶相２１にＣｅ³⁺イオンをドーピングする。これにより、発光層３で放射した青色光は、Ａｌ₂Ｏ₃単結晶相２２を透過するとともに、Ｙ₃Ａｌ₅Ｏ₁₂単結晶相２１を通過し、Ｃｅ³⁺イオンを励起して黄色光を放射する。青色光と黄色光が混色することにより白色光を得ることができる。また、この発光素子の特性はＭＧＣ２の厚みを調節することで制御できる。 （もっと読む）

【課題】高輝度化および低出力化を図ることが可能な半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】ＩｎＧａＮを含む井戸層３１、および井戸層３１を挟みかつＩｎＧａＮまたはＧａＮを含むバリア層３２を有する量子井戸構造とされた活性層３と、活性層３を挟むｎ−ＧａＮ層２およびｐ−ＧａＮ層４と、を備える半導体発光素子Ａであって、井戸層３１の全体と、バリア層３２のうちｐ−ＧａＮ層４寄りのドープ部３２ａとには、Ｓｉがドープされており、バリア層３２のうちｎ−ＧａＮ層寄りのアンドープ部３２ｂは、アンドープとされている。 （もっと読む）

【課題】高輝度の白色発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子は、電流注入により第１の波長の光を放射する活性層を含む半導体発光チップと、前記半導体発光チップの基板の表面に接着され、前記第１の波長の光により励起されて第２の波長の光を放射する発光層と、を備え、前記発光層が前記基板の表面の１／３〜２／３の面積に複数に分かれて形成され、且つ、前記発光層が、前記発光層のバンドギャップよりもバンドギャップの大きなｐ型とｎ型の一対のクラッド層に、挟まれている、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】直流駆動型発光素子において、高輝度のものを得るとともに、低温でなくても発光するものを得る。
【解決手段】カルコパイライト化合物半導体で構成される層１２が、ドナーアクセプター発光体１３に隣接して積層され、ドナーアクセプター発光体１３は、ドナーアクセプターの付与される化合物半導体が発光する層である。また、カルコパイライト化合物半導体がＩ-ＩＩＩ-ＶＩ_２型で表され、Ｉ族がＣｕ及びＡｇのいずれかから、ＩＩＩ族がＡｌ、Ｇａ及びＩｎのいずれかから、ＶＩ族がＳ、Ｓｅ及びＴｅのいずれかから選ばれるものである。 （もっと読む）

【課題】蛍光体粉末や蛍光体塗料を用いずに白色発光を得ること。
【解決手段】ＧａＮ基板１００中の光出力面１０３側にＳｉを１×１０¹⁹/cm³濃度に添加して黄色領域発光部１０１を形成し、エピタキシャル成長面側にＳｉとＺｎを共に１×１０¹⁹/cm³濃度添加した青色領域発光部１０２を形成した。青色領域発光部１０２の上に、ＳｉドープのＧａＮから成る膜厚約８．０μｍのｎ型コンタクト層１０４と、Ｉｎ_0.03Ｇａ_0.97Ｎからなる歪み緩和層１０５、膜厚２０ｎｍのノンドープのＧａＮと膜厚３ｎｍのノンドープのＩｎ_0.07Ｇａ_0.93Ｎからなる２０周期分積層した多重量子井戸構造（ＭＱＷ）の発光層１０６、ＭｇドープのＡｌ_0.08Ｇａ_0.92N から成るｐ型層１０７、ＭｇドープのＧａＮから成るｐ型コンタクト層１０８を形成した。ｎ型コンタクト層１０４からｐ型コンタクト層１０８までの層が紫外線発光部を構成している。 （もっと読む）

半導体材料の活性領域と、該活性領域の対向する側にある、１対の、半導体材料の、反対極性にドープされた層とを有する発光体構造を備えた固体発光デバイスを提供する。活性領域は、ドープされた層の両端に印加された電気的バイアスに応じて所定の波長で発光する。発光体構造と集積化され、少なくとも１つの希土類または遷移金属元素がドープされた、半導体材料の吸収層が含まれている。吸収層は、活性領域からの発光の少なくともいくらかを吸収し、少なくとも１つの異なる波長の光を再放出する。基板が含まれ、その上に発光体構造と吸収層とが配置されている。
（もっと読む）

【課題】酸化亜鉛系半導体層を有するＬＥＤチップを発光装置に適用するにあたって、樹脂封止時に生じる酸化亜鉛系半導体層の劣化を抑制する。
【解決手段】ＬＥＤランプ１０等の発光装置は、発光層等として酸化亜鉛系半導体層を有するＬＥＤチップ１１と、ＬＥＤチップ１１から放射された光により励起されて可視光を発光する蛍光体２４とを具備する。ＬＥＤチップ１１は実質的にアミン類、カルボン酸類およびオキシム類を放出しないシリコーン樹脂２３で覆われている。 （もっと読む）

【課題】 発光効率が高く、高輝度で発光する紫外線発光素子を提供する。
【解決手段】 ホウ素が高濃度でドープされたダイヤモンドからなるホウ素ドープダイヤモンド層１の一方の面上に、長軸が一方向に配向した複数のカーボンナノチューブからなるカーボンナノチューブ層２を形成する。そして、このカーボンナノチューブ層２上に電極３を形成すると共に、ホウ素ドープダイヤモンド層１の他方の面上の一部に電極４を形成して紫外線発光素子１０とする。 （もっと読む）

【課題】発光チップから発せられる１次光を波長変換して所望の色を種々に実現することができ、均一な色の発光により製品の信頼性と品質を高めることができ、既存の半導体工程を活用することにより製造が容易であり、工程を単純化させて工程コスト及び工程時間を削減することができる他、製品を小型化することができる発光ダイオードを提供する。
【解決手段】本発明による発光ダイオードは、基板と、前記基板の上に形成されたＮ型半導体層及びＰ型半導体層を含む発光層と、前記発光層の上に形成された波長変換層と、を備え、前記波長変換層は、希土類元素によりドープされた第ＩＩＩ族窒化物半導体であることを特徴とする。前記希土類元素は、Ｔｍ、Ｅｒ、Ｅｕのうち少なくともいずれか１種を含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】赤色蛍光体の高効率励起に適した紫外光ＬＥＤを提供し、また、他の可視光蛍光体と組み合わせて高効率、高演色の発光装置を実現することを目的とする。
【解決手段】第１と第２の面を有する透明基板と、透明基板の前記第１の面上に設けられた半導体層と、半導体層の上に設けられ半導体層の半導体の禁制帯幅よりも大きいエネルギーに相当する波長を含む第１の紫外光を発する第１の発光層と、第１の発光層と半導体層との間に設けられ第１の発光層で発せられる第１の紫外光を吸収し半導体層の半導体の禁制帯幅よりも小さいエネルギーに相当する波長を含む第２の紫外光を発する第２の発光層と、第１の発光層に対して通電を行うために設けられた第１の電極及び第２の電極とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）