【課題】低減された順方向電圧のIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ｐ型クラッド層におけるｐ型ドーパントの濃度がｎ型不純物の濃度より大きくなるように、ｐ型クラッド層はｐ型ドーパント及びｎ型不純物を含む。ｐ型クラッド層のバンドギャップより大きい励起光を用いた測定によるフォトルミネセンス（ＰＬ）スペクトルは、バンド端発光及びドナーアクセプタ対発光のピークを有する。このＰＬスペクトルにおけるバンド端発光ピーク値のエネルギＥ（ＢＡＮＤ）と該ＰＬスペクトルにおけるドナーアクセプタ対発光ピーク値のエネルギＥ（ＤＡＰ）との差（Ｅ（ＢＡＮＤ）−Ｅ（ＤＡＰ））は、当該III族窒化物半導体レーザ素子１１の順方向駆動電圧（Ｖｆ）と相関を有する。このエネルギ差（Ｅ（ＢＡＮＤ）−Ｅ（ＤＡＰ））が０．４２ｅＶ以下であるとき、III族窒化物半導体発光素子の順方向電圧印加に係る駆動電圧が低減される。 （もっと読む）

【課題】グラフェン発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】グラフェン発光素子及びその製造方法に係り、該グラフェン発光素子は、ｐ型ドーパントがドーピングされたｐ型グラフェンと、ｎ型ドーパントがドーピングされたｎ型グラフェンと、発光する活性グラフェンと、が水平配列されている。 （もっと読む）

【課題】第２電極の特にカバーメタルを高い信頼性、高い精度をもって形成することを可能とする半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子の製造方法において、積層構造体２０を構成する第２電極３０を、（ａ）第２化合物半導体層２２上に、銀を含む第１層３１及びアルミニウムを含む第２層３２から構成された第２電極構造体３３を形成した後、（ｂ）第２電極構造体３３にジンケート処理を施して、第２電極構造体３３上に亜鉛層３４ａを析出させ、次いで、（ｃ）第２電極構造体に無電解ニッケルメッキを施す各工程に基づき形成する。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧を低減することができる窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板１と基板上に形成された、第１のｎ型窒化物半導体層２と、発光層３と、ｐ型窒化物半導体層４と、ｐ型窒化物半導体トンネル接合層５と、ｎ型窒化物半導体トンネル接合層６と、ｎ型窒化物半導体蒸発抑制層７と、第２のｎ型窒化物半導体層８とを含み、ｎ型窒化物半導体トンネル接合層６はＩｎを含んでおり、ｎ型窒化物半導体トンネル接合層６は該ｎ型窒化物半導体トンネル接合層６よりもバンドギャップの大きいｎ型窒化物半導体蒸発抑制層７と接しており、ｎ型窒化物半導体トンネル接合層６とｎ型窒化物半導体蒸発抑制層７との界面と、ｐ型窒化物半導体トンネル接合層５とｎ型窒化物半導体トンネル接合層６との界面と、の最短距離が４０ｎｍ未満であり、ｎ型窒化物半導体トンネル接合層中のｎ型ドーパントの濃度が５×１０¹⁹／ｃｍ³未満の窒化物半導体発光素子である。 （もっと読む）

【課題】結晶材料としてＡｌＧａＩｎＮを用いた発光層の内部量子効率の向上を図れる窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】発光層６における障壁層６ｂとしての第１の窒化物半導体層が、成長時に第１の不純物であるＳｉが濃度Ａ（例えば、５×１０¹⁶ｃｍ^-3）で意図的に添加されたＡｌ_aＧａ_bＩｎ_(1-a-b)Ｎ層（０＜ａ＜１、０＜ｂ＜１、１−ａ−ｂ＞０）からなるとともに、井戸層６ａとしての第２の窒化物半導体層が、成長時に第２の不純物であるＳｉが濃度Ｂ（０≦Ｂ＜Ａ）で意図的に添加され第１の窒化物半導体層よりもＡｌの組成の小さなＡｌ_cＧａ_dＩｎ_(1-c-d)Ｎ層（０＜ｃ＜１、０＜ｄ＜１、１−ｃ−ｄ＞０）からなり、第１の窒化物半導体層の意図的に添加しない酸素の濃度が第２の窒化物半導体層の意図的に添加しない酸素の濃度よりも低くなっている。 （もっと読む）

【課題】良好な表面モフォロジを有する窒化ガリウム系半導体膜を含むIII族窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体光素子１１ａは、III族窒化物半導体支持体１３、ＧａＮ系半導体領域１５、活性層１７及びＧａＮ系半導体領域１９を備える。III族窒化物半導体支持体１３の主面１３ａは、基準軸Ｃｘに直交する基準平面Ｓｃに対して傾斜する非極性を示しており、基準軸ＣｘはIII族窒化物半導体のｃ軸方向に延びる。ＧａＮ系半導体領域１５は半極性主面上１３ａに設けられる。ＧａＮ系半導体領域１５のＧａＮ系半導体層２１は例えばｎ型ＧａＮ系半導体からなり、ｎ型ＧａＮ系半導体にはシリコンが添加されている。ＧａＮ系半導体層２３の酸素濃度が５×１０^１６ｃｍ^−３以上であるとき、ＧａＮ系半導体層２３の主面上に引き続き成長される活性層１７の結晶品質が良好になる。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層と基板との界面における電気抵抗の低減がはかられた化合物半導体基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体基板１０は、ＩＩＩ族窒化物で構成され、化合物半導体基板１０の表面の表面層１２に、Ｃｌ換算で２００×１０^１０個／ｃｍ^２以上１２０００×１０^１０個／ｃｍ^２以下の塩化物及びＯ換算で３．０ａｔ％以上１５．０ａｔ％以下の酸化物が含まれるときに、化合物半導体基板１０とその上に形成されるエピタキシャル層１４との間の界面のＳｉが低減され、その結果界面における電気抵抗が低減される。 （もっと読む）

【課題】優れた導電性および光特性を有するナノワイヤーを提供する。
【解決手段】コア部とシェル部とからなるシリコンリッチ酸化物を含むナノワイヤーであって、コア部は、結晶性または非晶性のシリコンリッチ酸化物を含み、前記シェル部は、シリカを含む。また、ナノワイヤーの縦軸に沿って、コア部は一列に整列した複数の金属（金、ニッケル、鉄、銀、アルミニウムおよびパラジウムからなる群より選択される少なくとも１種の金属）ナノドットを含み、シェル部はシリコン量子ドットを含む。また、シリコン基板上に金属触媒をコーティングする工程、チャンバーまたはマイクロチャンバーを準備する工程、および前記チャンバーまたは前記マイクロチャンバー内に気体を注入しながら加熱して、前記シリコン基板から拡散または気化したナノワイヤー源を用いてナノワイヤーを形成させる工程、を含む。 （もっと読む）

【課題】ｐ安定化降下電圧（ΔＶｆ）が良好な発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板上にＡｌＧａＩｎＰからなる４元発光層を有機金属気相成長法によりエピタキシャル成長させる工程と、４元発光層の基板と反対側となる片方の主表面（第一主面）にｐ型ＧａＰからなる第一の電流拡散層を気相成長させる工程と、ＧａＡｓ基板を除去する工程と、ＧａＡｓ基板が除去された側の発光層の主表面（第二主面）にｎ型ＧａＰからなる第二の電流拡散層をハイドライド気相成長法によりエピタキシャル成長させる工程とを有する発光素子の製造方法において、少なくとも、ＧａＡｓ基板を除去する工程の後、ｎ型ＧａＰからなる第二の電流拡散層をハイドライド気相成長法によりエピタキシャル成長させる工程の前に、ＨＶＰＥ炉内に水素を線速１２（ｍ／ｍｉｎ）以上で流しながら熱処理する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】ｎ型のキャリア濃度を低減できるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法、ショットキーバリアダイオード、発光ダイオード、レーザダイオード、およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法は、ＩＩＩ族元素を含む原料を用いた有機金属気相成長法によってＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を製造する方法である。まず、種基板を準備する準備工程（Ｓ１０）を実施する。そして、ＩＩＩ族元素を含む原料として０．０１ｐｐｍ以下のシリコンと、１０ｐｐｍ以下の酸素と、０．０４ｐｐｍ未満のゲルマニウムとを含む有機金属を用いて、種基板上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させる成長工程（Ｓ２０）を実施する。 （もっと読む）

【課題】ｐ型第二電流拡散層のｐ型第一電流拡散層との界面近傍における汚染の少ない、順方向電圧が良好な発光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、ＧａＡｓ基板上にＡｌＧａＩｎＰからなる４元発光層をエピタキシャル成長させる工程と、成長させた４元発光層上にｐ型第一電流拡散層を有機金属気相成長法によりエピタキシャル成長させる工程と、成長させたｐ型第一電流拡散層上にｐ型第二電流拡散層をハイドライド気相成長法によりエピタキシャル成長させる工程とを有する発光素子の製造方法であって、少なくとも、ｐ型第一電流拡散層を有機金属気相成長法によりエピタキシャル成長させる工程の後、ｐ型第二電流拡散層をハイドライド気相成長法によりエピタキシャル成長させる工程の前に、ＨＶＰＥ炉内に水素を線速１２（ｍ／ｍｉｎ）以上で流しながら基板を熱処理する工程を有する発光素子の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 発光ダイオードなどの発光装置において、半導体発光素子の表面に屈折率傾斜を有する光透過層を設けて、全反射による発光量の損失を低減する。
【解決手段】 サファイア基板２の上にＧａ−Ｎを主体として半導体発光素子１０と電極３，４が設けられている。半導体発光素子１０の表面には、光透過層２０が設けられている。この光透過層２０はＣＶＤ法で形成され、光透過層２０の内部では、半導体発光素子１０に近づくにしたがって、酸素の濃度が減少し、且つ窒素の濃度が上昇している。よって、光透過層２０は、半導体発光素子１０から離れるにしたがって、屈折率が徐々に小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】多重量子井戸構造を有する発光素子を提供する。
【解決手段】本発明による発光素子は、基板と、ｎ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層と、ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層との間に位置する発光層とを含む。そのうち、前記発光層は、ｎ型ドーパントがドーピングされる多重量子井戸構造層であり、前記ｎ型ドーパントは、前記ｎ型半導体層に接近する区域と前記ｐ型半導体層に接近する区域とにドーピングされ、当該両区域の間の中間区域は、前記ｎ型ドーパントを有せず、或いは、その両側の区域における前記ｎ型ドーパントの濃度より低い前記ｎ型ドーパントを有する。よって、ｎ型ドーパントのドーピング分布を設計することにより電気特性が良好な素子を得ることができるのみならず、発光ダイオードの発光効率をより有効に向上することもできる。 （もっと読む）

本発明は、ＬＥＤおよびＬＤ波長を色のスペクトルの黄色および赤色部分に付勢する、現在従来的に利用可能なものよりもインジウムの組成がより優れた、ＩｎＧａＮの成長を可能にする。より高温でインジウムとともに成長する能力は、より高品質のＡｌＩｎＧａＮにつながる。このことはまた、新規の分極を用いたバンド構造設計を可能にして、より効率的なデバイスを作製する。加えて、それは、デバイス性能を向上させる、伝導度が増加したｐ−ＧａＮ層の製造を可能にする。
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【課題】高輝度化および低出力化を図ることが可能な半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】ＩｎＧａＮを含む井戸層３１、および井戸層３１を挟みかつＩｎＧａＮまたはＧａＮを含むバリア層３２を有する量子井戸構造とされた活性層３と、活性層３を挟むｎ−ＧａＮ層２およびｐ−ＧａＮ層４と、を備える半導体発光素子Ａであって、井戸層３１の全体と、バリア層３２のうちｐ−ＧａＮ層４寄りのドープ部３２ａとには、Ｓｉがドープされており、バリア層３２のうちｎ−ＧａＮ層寄りのアンドープ部３２ｂは、アンドープとされている。 （もっと読む）

【課題】ｐ型半導体層の特性を良好にすると共に活性層の劣化を抑制できる、窒化物半導体発光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子を作製する方法において、貫通転位密度１×１０^７ｃｍ^−２以下の領域を有しており導電性を示す窒化ガリウム基板１１上に、Ｉｎ_ＸＡｌ_ＹＧａ_{１−Ｘ−Ｙ}Ｎ（０．０１≦Ｘ＜１、０≦Ｙ＜１）からなる半導体層を含んでおり３２５ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長範囲にピーク波長を有するように活性層１７を形成する。この後に、摂氏８００度以上摂氏９５０度以下の範囲内にある成膜温度でｐ型Ａｌ_ＺＧａ_１−ＺＮ（０＜Ｚ≦１）膜２３を活性層１７上に成長する。 （もっと読む）

【課題】高電気伝導度を有する結晶基板を備えた窒化物系半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型酸化亜鉛からなる第１の基板と、前記第１の基板上に設けられた窒化物系半導体からなるｐ型低抵抗層と、前記ｐ型低抵抗層上に成長され、窒化物系半導体からなる積層体と、を備え、前記第１の基板と前記ｐ型低抵抗層とは実質的にオーミックコンタクトを形成することを特徴とした窒化物系半導体素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】反射率ならびに光反射層および半導体層の電気的な接触性がいずれも高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板１０上に、半導体層２０、光反射層３０および保護層３１をこの順に積層して構成されたものである。半導体層２０は、バッファ層２１、ＧａＮ層２２、ｎ型コンタクト層２３、ｎ型クラッド層２４、活性層２５、ｐ型クラッド層２６およびｐ型コンタクト層２７をこの順に積層して構成される。光反射層３０は、例えば１００℃以上４００℃未満の範囲内の温度で基板１０を加熱しつつ、Ａｇ合金をｐ型コンタクト層２７の表面に堆積させることにより形成されたものである。これら半導体層２０、光反射層３０および保護層３１は、当該半導体層２０、光反射層３０および保護層３１が形成されたのち、所定の時間範囲内の時間の間、雰囲気の温度を基板加熱時の温度範囲よりも高い温度範囲内の温度にして熱処理されたものである。 （もっと読む）

【課題】動作電圧を下げ且つ電流分散効果を向上させ、銀のような反射物質によって電流が漏れる現象を最小限に抑えられる窒化物系半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型電極と、前記ｎ型電極に接するように形成されているｎ型窒化物半導体層１２０と、前記ｎ型窒化物半導体層上に形成されている活性層１３０と、前記活性層上に形成されているｐ型窒化物半導体層１４０と、前記ｐ型窒化物半導体層上に形成されているアンドープＧａＮ層２１０と、前記アンドープＧａＮ層上に形成され、該アンドープＧａＮ層との接合界面に２次元電子ガス層を提供するＡｌＧａＮ層２２０と、前記ＡｌＧａＮ層上に形成されている反射層１５０と、前記反射層を取り囲む形状に形成されている障壁層３００と、前記障壁層上に形成されているｐ型電極１７０を含む窒化物系半導体発光素子及びその製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 酸素をｎ型ドーパントとして取り込むことができる窒化ガリウム単結晶の成長方法を提供すること。
【解決手段】 Ｃ面以外の面を表面（上面）にもつ種結晶を用いて、ガリウム原料と窒素原料とドーピングすべき酸素を含む原料ガスを供給しながらＣ面以外の表面を保ちつつ窒化ガリウム結晶を気相成長させることにより当該表面を通して窒化ガリウム結晶中に酸素をドーピングする。または、Ｃ面を表面にもつ種結晶を使って、ガリウム原料と窒素原料とドーピングすべき酸素を含む原料ガスを供給しながらＣ面以外のファセット面を発生させ当該ファセット面を保ちつつ窒化ガリウム結晶をｃ軸方向に気相成長させることによりファセット面を通して窒化ガリウム結晶中に酸素をドーピングする。 （もっと読む）