【課題】光検出精度を向上させることの可能な半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体光検出器１０はｎ型傾斜基板１１上に、バッファ層１２、ｎ型ＤＢＲ層１３、光検出層１４およびｐ型コンタクト層１５をこの順に積層して構成されており、この上に配置された面発光型半導体レーザ２０と共に一体に形成されている。光検出層１４は活性層２４のバンドギャップよりも大きく活性層２４のバンドギャップの２倍以下のバンドギャップを有する半導体により構成されている。これにより、面発光型半導体レーザ２０内で発生したレーザ光のうち基本波光は光検出層１４で吸収されず光検出層１４を透過するが、基本波光の強度のほぼ二乗に比例した強度のＳＨＧ光が光検出層１４で吸収され光電流に変換される。 （もっと読む）

【課題】好適な光の外部への取り出し構造を有する半導体発光素子と、その製造方法と、その半導体発光素子を備えた半導体発光装置とを提供することを目的とする。
【解決手段】基板１上に、少なくとも発光層３を有する半導体構造１０を有し、半導体構造１０の一部の領域に半導体構造１０側を底面とする円錐状の柱状構造７を有する構成とした。この柱状構造７によって、半導体構造１０内を伝播する光を反射、回折又は散乱して、光の取り出し方向に偏向する。 （もっと読む）

【課題】 半導体層の一方主面に形成された透明導電層を通して光を取り出す構成において、透明導電層と空気との界面の屈折率差が大きいことから光の反射が起こり、反射した光は再び透明導電層内あるいは半導体層内に戻って吸収されるために、光取り出し効率が低下するという問題点があった。
【解決手段】 発光素子は、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層８ａ、窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光層８ｂ及びｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層８ｃで構成される積層体を含む半導体層８を有し、半導体層８の一方主面に透明導電層１０と透明層１３とが順次形成されており、透明層１３の屈折率が透明導電層１０の屈折率以上である。 （もっと読む）

【課題】トンネル接合を有する窒化物半導体発光素子の駆動電圧を低くすることができるとともに光取り出し効率を高くすることができる窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１のｎ型窒化物半導体層、発光層およびインジウムを含むｐ型窒化物半導体トンネル接合層をこの順序で形成する工程と、ｐ型窒化物半導体トンネル接合層上にｐ型窒化物半導体トンネル接合層よりもバンドギャップが大きい窒化物半導体蒸発抑制層をｐ型窒化物半導体トンネル接合層の形成時の基板温度よりも１５０℃高い温度以下の基板温度で形成する工程と、窒化物半導体蒸発抑制層上に第２のｎ型窒化物半導体層を窒化物半導体蒸発抑制層の形成時の基板温度よりも高い基板温度で形成する工程と、を含む、窒化物半導体発光素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を向上できる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、ｎ型ＤＢＲ層３、ｎ型Ａｌ_０．５Ｉｎ_０．５Ｐクラッド層４、４元系のＡｌＧａＩｎＰ活性層５、ｐ型Ａｌ_０．５Ｉｎ_０．５Ｐクラッド層６、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層７、ｐ型ＧａＰコンタクト層８、ｐ型ＧａＰ透明基板９、オーミック電極１０，１１および反射層１２を備えている。ｎ型ＤＢＲ層３は、ｎ型ＡｌＡｓ光反射層と、ｎ型Ａｌ_０．６１Ｇａ_０．３９Ａｓ光反射層との２０ペアから成って、ＡｌＧａＩｎＰ活性層５の発光波長に対して反射性を有する。 （もっと読む）

【課題】好適な光の外部への取り出し構造を有する半導体発光素子と、その製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１上に第１導電型半導体２及び第２導電型半導体４をこの順に有する半導体構造１０と、第１導電型半導体２及び第２導電型半導体４にそれぞれ第１電極５及び第２電極６を設けた半導体発光素子構造３０を有する半導体発光素子１００であって、半導体構造１０に、基板１側から上方に向かって外方に傾斜した側面７を有し、当該傾斜した側面７の下方領域１ｂの露出した基板面１ａ上に凹凸構造９を有する構成とした。 （もっと読む）

【課題】発光効率の改善された窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ型窒化物半導体層（３、４）とｐ型窒化物半導体層（６、７）との間に活性層（５）を有する窒化物半導体発光素子において、活性層は複数のＩｎ_xＧａ_1-xＮ（０＜ｘ≦１）量子井戸層と複数のＩｎ_yＧａ_1-yＮ（０≦ｙ＜１）障壁層が周期的に積層された多重量子井戸構造を有し、複数の障壁層の少なくとも一層は互いにＩｎ組成比の異なる複数の障壁サブ層が周期的に積層された超格子障壁構造を有している。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れるとともに、優れた発光特性を備えたＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプを提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体から各々なるｎ型半導体層１４、発光層１５、ｐ型半導体層１６が積層されてなる半導体層２０を有するＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子を製造する方法であり、半導体層２０の少なくとも一部をスパッタ法によって形成する工程を含み、ｐ型半導体層１４をスパッタ法によって成膜する際、スパッタターゲットとして、Ｇａ元素を含有するＧａターゲット、及び、前記ｐ型半導体層に含有される元素の内、結晶組成の小さな元素とドーパント元素とが混合されてなるドーパントターゲットをスパッタターゲットとして用い、これらＧａターゲット及びドーパントターゲットに対して同時にパワーを印加する。 （もっと読む）

【課題】光取出し効率を改善することにより発光出力を向上させた窒化物ＬＥＤを提供すること。
【解決手段】窒化物半導体発光ダイオード素子１は、底面および上面を有し、内部に発光層１２ｂを含む窒化物半導体層１２を備え、窒化物半導体層１２の底面側には金属からなる保持基板１１が接合されている。窒化物半導体層１２の底面には、発光層１２ｂで生じた光を上面側に反射する光反射凹部Ａ１が形成されている。窒化物半導体発光ダイオード素子１では、発光層１２ｂで発生した光のうち、窒化物半導体層１２内を層方向に伝播する光が、光反射凹部Ａ１により反射されて進行方向を変えるために、窒化物半導体層１２の上面に臨界角以内で入射する光の割合が大きくなる。よって、従来の窒化物半導体発光ダイオード素子に比べて、光取出し効率が改善される。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れるとともに、優れた発光特性を備えた素子が得られる、ＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１１上に、Ｖ族元素を含むガスと金属材料とをプラズマで活性化して反応させることによってＩＩＩ族窒化物化合物からなる中間層１２を成膜し、該中間層１２上に、ＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなるｎ型半導体層１４、発光層１５、及びｐ型半導体層１６を順次積層する製造方法であり、前記Ｖ族元素を窒素とし、中間層１２を、２０〜８０ｎｍの範囲の膜厚で成膜する。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率および配光均一性に優れた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】基板及び基板上に積層された窒化ガリウム系化合物半導体層からなる発光素子であって、発光素子側面の少なくとも１面において、半導体層の下方（基板側）が基板主面に対して５°〜８５°傾斜した逆テーパーであり、上方が基板主面に対して９５°〜１７５°傾斜した順テーパーであることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎを含む量子井戸構造の活性層を有し、活性層よりも後に成長させる半導体層の成長温度による熱のダメージを抑制することができるとともに、Ｉｎの取り込みを高くしつつ、発光特性や電気特性を向上させたＧａＮ系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】サファイア基板１の上に、ｎ型ＧａＮコンタクト層２、ｎ型のＡｌＩｎＧａＮ／ＡｌＧａＮ超格子層３、活性層４、ｐ型ＡｌＧａＮブロック層８、ｐ型ＧａＮコンタクト層５が積層され、ｎ電極７とｐ電極６が設けられている。活性層４は、量子井戸構造を有する活性層であり、井戸層をＡｌ_Ｘ１Ｉｎ_Ｙ１Ｇａ_Ｚ１Ｎ（Ｘ１＋Ｙ１＋Ｚ１＝１、０＜Ｘ１＜１、０＜Ｙ１＜１）、バリア層をＡｌ_Ｘ２Ｉｎ_Ｙ２Ｇａ_Ｚ２Ｎ（Ｘ２＋Ｙ２＋Ｚ２＝１、０≦Ｘ２＜１、０≦Ｙ２＜１、Ｙ１＞Ｙ２）で構成し、井戸層とバリア層は温度変調によって形成される。 （もっと読む）

【課題】光取出し効率の向上を図ることができる構造を有する発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子１は、第１のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体（但し、Ｖ族元素はリンである）から成り、第１導電型を有する第１化合物半導体層１１、（ｂ）第２のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体（但し、Ｖ族元素はリンである）から成る活性層１２、及び、（ｃ）第３のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体（但し、Ｖ族元素はリンである）から成り、第１導電型とは異なる第２導電型を有する第２化合物半導体層１３から構成された積層構造体を備え、積層構造体の形状は切頭六角錐であり、切頭六角錐の頂面に相当する第２化合物半導体層１３の頂面は｛１００｝面であり、切頭六角錐の６つの側面の内、対向する第１側面及び第４側面は｛１１１｝面であり、残りの第２側面、第３側面、第５側面及び第６側面は｛２２１｝面である。 （もっと読む）

【課題】ｐ型不純物を活性化するための新規の技術を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、ｐ型不純物を含む半導体部材２０５を電極２０１ａ、２０１ｂに固定し、半導体部材２０５に電極２０１ａ、２０１ｂを介して通電することによってｐ型不純物を活性化させる。 （もっと読む）

本発明は、ＬＥＤおよびＬＤ波長を色のスペクトルの黄色および赤色部分に付勢する、現在従来的に利用可能なものよりもインジウムの組成がより優れた、ＩｎＧａＮの成長を可能にする。より高温でインジウムとともに成長する能力は、より高品質のＡｌＩｎＧａＮにつながる。このことはまた、新規の分極を用いたバンド構造設計を可能にして、より効率的なデバイスを作製する。加えて、それは、デバイス性能を向上させる、伝導度が増加したｐ−ＧａＮ層の製造を可能にする。
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【課題】ドライエッチングによるダメージの発生を防止するとともに、ドライエッチングの自由度の大きい窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体素子１０の製造方法は、第１形成工程と、第２形成工程と、ドライエッチングを行なう工程とを備えている。第１形成工程では、基板１１上に、Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ｎ層１４を少なくとも一層含む窒化物半導体層を形成する。第２形成工程では、窒化物半導体層上に、被加工層を形成する。ドライエッチングを行なう工程では、被加工層にドライエッチングを行なう。 （もっと読む）

【課題】支持基板と半導体素子層との剥離が生じるのを抑制し、かつ、信頼性の高い半導体発光素子および照明装置を提供する。
【解決手段】この半導体発光素子（発光ダイオード素子）は、支持基板１と、支持基板１上に形成された第１接合層２ａと、第１接合層２ａ上に形成された第２接合層２ｂと、第２接合層２ｂ上に形成された第３接合層２ｃと、第３接合層２ｃ上に形成された半導体素子層３とを備えている。また、第２接合層２ｂの融点は、第１接合層２ａおよび第３接合層２ｃの融点よりも低い。 （もっと読む）

【課題】均一性の良好なバッファ層としての結晶層を得ることができ、その上にＩＩＩ族窒化物半導体結晶構造を作製する際、良好な結晶性の膜を得る積層構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、スパッタ法によって成膜されたＩＩＩ族窒化物よりなる第１の層８を備え、少なくとも第１の層に接してＩＩＩ族窒化物材料からなる第２の層７を備えたＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造Ａにおいて、前記第１の層が成膜装置のチャンバの内部において成膜された層であり、前記第１の層が成膜装置のチャンバ内において到達真空度、１．０×１０^−３Ｐａ以下の条件で単結晶組織として製造された層であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎを含む量子井戸構造の活性層を有し、活性層よりも後に成長させる半導体層の成長温度による熱のダメージを抑制することができるＧａＮ系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】サファイア基板１の上に、ｎ型ＧａＮコンタクト層２、ｎ型のＡｌＩｎＧａＮ／ＡｌＧａＮ超格子層３、活性層４、ｐ型ＡｌＧａＮブロック層８、ｐ型ＧａＮコンタクト層５が積層され、ｎ電極７とｐ電極６が設けられている。活性層４は、量子井戸構造を有する活性層であり、井戸層をＡｌ_Ｘ１Ｉｎ_Ｙ１Ｇａ_Ｚ１Ｎ（Ｘ１＋Ｙ１＋Ｚ１＝１、０＜Ｘ１＜１、０＜Ｙ１＜１）、バリア層をＡｌ_Ｘ２Ｉｎ_Ｙ２Ｇａ_Ｚ２Ｎ（Ｘ２＋Ｙ２＋Ｚ２＝１、０≦Ｘ２＜１、０≦Ｙ２＜１、Ｙ１＞Ｙ２）で構成し、前記井戸層のＩｎ組成比率は１０％を越えるように形成する。 （もっと読む）

【課題】発光効率の高い半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、第１面１０ａ及び第２面１１ｂを有する第１導電型半導体を含む第１領域Ａと、第１面１３ａ及び第２面１５ａを有する第２導電型半導体を含む第２領域Ｂと、前記第１領域Ａの第２面１１ｂと前記第２領域Ｂの第１面１３ａとの間に配置された発光層１２とを備える。前記第１領域Ａの第１面１０ａと前記第２領域Ｂの第２面１５ａとの間には、閉じられた複数の空洞１８が周期的に形成されている。 （もっと読む）