【課題】高光度、低駆動電圧の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】フリップチップ型の III族窒化物系化合物半導体発光素子において、ｐ型半導体層に接続され、光をサファイア基板側へ反射する厚膜正電極をロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、または、これらの合金より形成する。これにより、高反射率、低接触抵抗の正電極が得られる。 （もっと読む）

電磁ビーム（１９）を主ビーム方向（１５）に放射するアクティブ層（７）と、主ビーム方向（１５）においてアクティブ層（７）の後段に配置されている第１の窒素化合物半導体材料からなる電流拡散層（９）と、主ビーム方向（１５）に放射されたビーム（１９）を出力結合する主面（１４）と、主面（１４）上に配置されている第１のコンタクト層（１１，１２，１３）とを備えた薄膜ＬＥＤにおいて、電流拡散層（９）の横方向導電性が二次元の電子ガスまたはホールガスの形成により高められている。二次元の電子ガスまたはホールガスの形成は有利には、第２の窒素化合物半導体材料からなる少なくとも１つの層（１０）を電流拡散層（９）に埋め込むことによって行われる。
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本発明は、少なくとも１つの追加の架橋可能な層を挿入することによる有機電子素子のための新規な設計原理を記述する。電子デバイスの特性は、それにより向上する。これらのデバイスの構造化された構築がさらに容易になる。 （もっと読む）

炭化珪素（ＳｉＣ）基板上に金属を形成し、この金属とＳｉＣ基板との界面部をアニーリングして、そこに金属−ＳｉＣ材を形成し、ＳｉＣ基板上のある箇所ではアニーリングされないようにして、そこには金属−ＳｉＣ材が形成されないようにすることによって半導体素子のコンタクトを形成することができる。

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有機発光装置は、低い直流電圧順方向バイアスで作動された際に光を放射する。本発明では、空間が節約できる有機発光装置の回路配置を示した。この回路配置は、交流駆動電圧の正および負の周期の両方で発光する。また、基板上にこの回路配置を製作する方法を示した。本発明では、追加の整流電子機器を追加することなく、有機発光装置または有機ダイオードの高電圧交流駆動ができるという利点が得られる。
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【課題】 本発明は、１回のワイヤボンディングで済み、位置合わせの容易な実装が可能で、工数の低減につながるチップを作製することを課題とする。
【解決手段】 基板11の一面上に、ｎ型半導体薄膜層13と、活性層と、ｐ型半導体薄膜層17とを積層形成し、このｐ型半導体薄膜層17上面に一方の電極32を基板11の他面上に他方の電極33aを設ける化合物半導体発光素子の製造方法において、基板11の他面側から電極33aと接続されるｎ型半導体薄膜層13に到達する深さの縦穴20を波長が５００ｎｍ以下の短波長レーザを照射して設け、基板11の他面に設けた電極33aとｎ型半導体薄膜層13を縦穴20に形成した導電性材料30を介して電気的に接続し、電極32を基台100の第１のリード電極101に接続し、電極33aを第２のリード電極103にワイヤボンド線104で接続する。 （もっと読む）